JPS593773A - バツフア記憶装置のlru制御方式 - Google Patents
バツフア記憶装置のlru制御方式Info
- Publication number
- JPS593773A JPS593773A JP57111919A JP11191982A JPS593773A JP S593773 A JPS593773 A JP S593773A JP 57111919 A JP57111919 A JP 57111919A JP 11191982 A JP11191982 A JP 11191982A JP S593773 A JPS593773 A JP S593773A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lru
- group
- levels
- bits
- storage device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/08—Addressing or allocation; Relocation in hierarchically structured memory systems, e.g. virtual memory systems
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Memory System Of A Hierarchy Structure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は主記憶装置のデータの一部をブロック単位でコ
ピーして格納するバッファ記憶装置におけるリプレース
ブロックの決定方式に関する。
ピーして格納するバッファ記憶装置におけるリプレース
ブロックの決定方式に関する。
一般にリプレース・ブロックの決定には1・RU(Le
ast Recently Used )論理方式を用
いているが、LRUの対象ブロック数が増えるとLRU
メモリビットの容量が指数的に増加する。
ast Recently Used )論理方式を用
いているが、LRUの対象ブロック数が増えるとLRU
メモリビットの容量が指数的に増加する。
第1図は一般的セットアソシアティブ方式のバッファ記
憶装置の一実施例のブロック図1第2図はセット・アソ
シアティブ方式のバッファ記憶装置を説明する図である
。
憶装置の一実施例のブロック図1第2図はセット・アソ
シアティブ方式のバッファ記憶装置を説明する図である
。
第1図において11は要求アドレス・レジスタ2−0な
いし2−m71はタグ部53−0ないし3−「1は一致
回路、4はアップディト0ロジれぞれ示している。
いし2−m71はタグ部53−0ないし3−「1は一致
回路、4はアップディト0ロジれぞれ示している。
尚第1図ではバッファ記憶装置のデータ記憶部は省略し
である。
である。
要求アドレス・レジスタ1には1要求アドレス而:]の
それぞれはバッフ1記憶装置のtソシアティグ・レベル
0,1.・・・m−1のそれぞれに対応している。第2
図に示すように、バッフ1記へ装置BSはアソシアティ
ブ・レベルolいしm−1を有しており、各アソシアテ
ィブ・メモリ単位は1個のセットに分割されている。1
個の分割単位を本明細書ではブロックという。主記憶装
WNISにおいてもに個のフ゛ロックBごとに11固の
メモリ単位を構成している。プログラムy<行時には、
必要な主記憶MSのブロックBのデータは同一のセット
に属するm個のブロックBのうちのどれかに移される。
それぞれはバッフ1記憶装置のtソシアティグ・レベル
0,1.・・・m−1のそれぞれに対応している。第2
図に示すように、バッフ1記へ装置BSはアソシアティ
ブ・レベルolいしm−1を有しており、各アソシアテ
ィブ・メモリ単位は1個のセットに分割されている。1
個の分割単位を本明細書ではブロックという。主記憶装
WNISにおいてもに個のフ゛ロックBごとに11固の
メモリ単位を構成している。プログラムy<行時には、
必要な主記憶MSのブロックBのデータは同一のセット
に属するm個のブロックBのうちのどれかに移される。
バッファ記憶をアクセスするとき、タグ部2−0.2−
1.・・・2−m−1のそれぞれは、セット・アドレス
によって検索され、上位アドレスが読出される。各タグ
部2−0.2−1.・・・2−韮:ゴから読出された上
位アドレスは、一致回路3−0.3−1.・・・3−1
によって要求アドレス・レジスタ1の上位アドレスと比
較される。
1.・・・2−m−1のそれぞれは、セット・アドレス
によって検索され、上位アドレスが読出される。各タグ
部2−0.2−1.・・・2−韮:ゴから読出された上
位アドレスは、一致回路3−0.3−1.・・・3−1
によって要求アドレス・レジスタ1の上位アドレスと比
較される。
バッファ記憶装[BSは〜アソシアティブ・レベル毎に
デリートすることが出来る。何れのアソシアティブ・レ
ベルがデリートされているかは、オって指示される。一
致回路3−0ないし3−m−1のうちの何れかがタグ一
致信号を出力する場合には)アップディトロジック回路
4は1古さ順序を示すLRUパターンを新たに生成する
。アップディト・ロジック回路4で作成されたLRUパ
ターンはLRUメモリ6に1込まれる。LRUメモリ6
は1セツト毎にそのセットに属するブロックのデータの
古さ順序を示す情報を記憶している。
デリートすることが出来る。何れのアソシアティブ・レ
ベルがデリートされているかは、オって指示される。一
致回路3−0ないし3−m−1のうちの何れかがタグ一
致信号を出力する場合には)アップディトロジック回路
4は1古さ順序を示すLRUパターンを新たに生成する
。アップディト・ロジック回路4で作成されたLRUパ
ターンはLRUメモリ6に1込まれる。LRUメモリ6
は1セツト毎にそのセットに属するブロックのデータの
古さ順序を示す情報を記憶している。
タグ部2−0ないし2−m−1に該当するアドレスが存
在しなかった場合には1該当ブロツクを主記憶装置MS
から新九にロードする必要があるが、そのロード先をど
のアソシアティブ−レベルとするかを決定するのがリプ
レース・ロジック回路7である。この場合要求アドレス
□レジスタ1の内のセット・アドレスがLRUアドレス
・レジスタ5にセットされ、LRUメモリ6の読出しが
行われる。L RUメモリ6から読出されたLRU情報
は1リプレース・ロジック回路7に入力され、リプレー
ス・ロジック回路7は、このLRU情報とデ゛リート・
アソシアティブΦレベル情報とに基づいてf” ’)
−トされていないブロックの中から1個のリプレースす
べきブロックを決定する。
在しなかった場合には1該当ブロツクを主記憶装置MS
から新九にロードする必要があるが、そのロード先をど
のアソシアティブ−レベルとするかを決定するのがリプ
レース・ロジック回路7である。この場合要求アドレス
□レジスタ1の内のセット・アドレスがLRUアドレス
・レジスタ5にセットされ、LRUメモリ6の読出しが
行われる。L RUメモリ6から読出されたLRU情報
は1リプレース・ロジック回路7に入力され、リプレー
ス・ロジック回路7は、このLRU情報とデ゛リート・
アソシアティブΦレベル情報とに基づいてf” ’)
−トされていないブロックの中から1個のリプレースす
べきブロックを決定する。
このようなバッフ1記憶装置BSにおいて、アソシアテ
ィブ−レベルの数がmの場合1LRUメモリ6の1セツ
トに関するLRUビットはm(m−1)/2ビット必要
となる。例えば4レベルであれば6ビツトで済むものが
、8Vべ養では28ビツトも必要になfi、LRUメモ
リ6の容量が増すばかシではなく、リプレースロジック
回路7及びアップディトロジック回路4も非常に複雑と
なり、さらには動作速度にも影響を及はす。一方で、バ
ッフ1記憶装置のヒツト率を高めるために、レベル数を
増す要求が高まっている。
ィブ−レベルの数がmの場合1LRUメモリ6の1セツ
トに関するLRUビットはm(m−1)/2ビット必要
となる。例えば4レベルであれば6ビツトで済むものが
、8Vべ養では28ビツトも必要になfi、LRUメモ
リ6の容量が増すばかシではなく、リプレースロジック
回路7及びアップディトロジック回路4も非常に複雑と
なり、さらには動作速度にも影響を及はす。一方で、バ
ッフ1記憶装置のヒツト率を高めるために、レベル数を
増す要求が高まっている。
本発明は、アソシアティブ・レベル数を増加し1かつL
RUビット数の増加を最小にとどめ1さらにはエラーを
生じてもバッフ1能力を低下させることなく処理を続行
できるようにすることを目的とする。
RUビット数の増加を最小にとどめ1さらにはエラーを
生じてもバッフ1能力を低下させることなく処理を続行
できるようにすることを目的とする。
本発明は1アンシアテイプ・レベル数を増加し、かつL
RUビット数の増加を最小にとどめ、さらにはエラーを
生じてもバッファ能力を低下させることなく処理を続行
できるようにすることを目的とする。
RUビット数の増加を最小にとどめ、さらにはエラーを
生じてもバッファ能力を低下させることなく処理を続行
できるようにすることを目的とする。
本発明は1アソシアテイブ・レベルを複数のグループに
分け、各グループ内でLRU論理をとることによってL
RUビット数を削減し、その代りにどのグループをリプ
レース対象とするかを指示するフラグ・ビットを別途設
ける。さらにこのフラグビットのエラ一時にはバッファ
能力が落ちるため、フラグビットを三重化し、多数決を
とって決定するようにして性能低下を防止する。
分け、各グループ内でLRU論理をとることによってL
RUビット数を削減し、その代りにどのグループをリプ
レース対象とするかを指示するフラグ・ビットを別途設
ける。さらにこのフラグビットのエラ一時にはバッファ
能力が落ちるため、フラグビットを三重化し、多数決を
とって決定するようにして性能低下を防止する。
第3図は本発明の一実施例要部ブロック図であシ、8ア
ソシアテイブ・レベルを2つのグループに分は九例を示
す。6−1.6−2はLRUメモリ6の・1セツト分の
LRUビットを示し、レベル7 0〜3のグループ6−1とレベル4〜$のり゛゛ループ
6−2分かれている。7−1.7−2はリプレース・ロ
ジック回路7のレベル0〜3に関する回路とレベル4〜
7に関する回路である。
ソシアテイブ・レベルを2つのグループに分は九例を示
す。6−1.6−2はLRUメモリ6の・1セツト分の
LRUビットを示し、レベル7 0〜3のグループ6−1とレベル4〜$のり゛゛ループ
6−2分かれている。7−1.7−2はリプレース・ロ
ジック回路7のレベル0〜3に関する回路とレベル4〜
7に関する回路である。
LRUメモリ6−1.6−2において、(01)〜(6
7)は夫々1ビツトの情報で、例えばピッ)(i、j)
はレベル五とレベルjとのどちラカ新しく使用されるか
を示すものである。
7)は夫々1ビツトの情報で、例えばピッ)(i、j)
はレベル五とレベルjとのどちラカ新しく使用されるか
を示すものである。
また8はH/e (ホット会アンド・コールド)と呼ぶ
フラグビットであり、2つのグループのうちどちらかの
グループをリプレース対象とするかを指示するものであ
る。このH/Cビットはいずれかのグループのアソシア
ティブ・レベルにブロック・ロードがあったとき、他方
のグループをリプレース対象とするようにその値を更新
するように制御される。尚、グループ数が3以上のとき
は循環的にリプレース対象グループを指示するようにす
ればよい。
フラグビットであり、2つのグループのうちどちらかの
グループをリプレース対象とするかを指示するものであ
る。このH/Cビットはいずれかのグループのアソシア
ティブ・レベルにブロック・ロードがあったとき、他方
のグループをリプレース対象とするようにその値を更新
するように制御される。尚、グループ数が3以上のとき
は循環的にリプレース対象グループを指示するようにす
ればよい。
リプレース決定手段を構成することができる。
ここでH/Cビット8にエラーを生じて固定値に縮退し
まったとすると、常に特定のグループでしかリプレース
が行なわれず、結果的にはアソシアティブ・レベル数が
4レベルしかない場合と同等の性能しか得られないこと
になる。従って本発明ではH/Cビットを三重化してH
CO〜HC2の3ビツトを設ける。読出し時にはそれら
3ピツトの大 多数決を各零回路9にてとって)各リプレーUロジック
回路7−1.7−2に与える。またリプレース・ロジッ
ク回路7−1には0P8Rからのデリート信号0〜3が
1同じく7−2はデリート信号4〜7が与えられ、H/
Cビットで指定された方のグループでデリートされてい
ないアソシアティブの中から最も古いレベルを決定して
リプレース・アソシアティブ−レベルとして出力する。
まったとすると、常に特定のグループでしかリプレース
が行なわれず、結果的にはアソシアティブ・レベル数が
4レベルしかない場合と同等の性能しか得られないこと
になる。従って本発明ではH/Cビットを三重化してH
CO〜HC2の3ビツトを設ける。読出し時にはそれら
3ピツトの大 多数決を各零回路9にてとって)各リプレーUロジック
回路7−1.7−2に与える。またリプレース・ロジッ
ク回路7−1には0P8Rからのデリート信号0〜3が
1同じく7−2はデリート信号4〜7が与えられ、H/
Cビットで指定された方のグループでデリートされてい
ないアソシアティブの中から最も古いレベルを決定して
リプレース・アソシアティブ−レベルとして出力する。
尚、LRUビット6−1.6−2及びH/Cビット8は
全セットの夫々について存在することは勿論である。ま
たこれらはセットアドレスでアクセスされるLRUメモ
リ6の1語を15ピツトとすることによシ構成し得るこ
ともいうまでもない〔発明の効果〕 以上の如く17ンシアテイブ・レベルを例えばうところ
を、本発明によれば6+6+3=15ビツトで爽現でき
、LRUメモリ60節減になるばかりでなく、リプレー
ネロジック回路7−1.7−2も同一構成の回路を複数
使用できるので、回路のりビータビリティ向上し1コス
トダウンにもなる。
全セットの夫々について存在することは勿論である。ま
たこれらはセットアドレスでアクセスされるLRUメモ
リ6の1語を15ピツトとすることによシ構成し得るこ
ともいうまでもない〔発明の効果〕 以上の如く17ンシアテイブ・レベルを例えばうところ
を、本発明によれば6+6+3=15ビツトで爽現でき
、LRUメモリ60節減になるばかりでなく、リプレー
ネロジック回路7−1.7−2も同一構成の回路を複数
使用できるので、回路のりビータビリティ向上し1コス
トダウンにもなる。
第1図は〒般的なセット・アソシアティブ方式のバッフ
1記憶装置の制御部ブロック図1第2図はセラ)−テソ
シーアテイプの説明図、第3図は本発明の一実施例要部
ブロック図であり、6−1゜6−2は各グループのり、
RUビットS8はH/C(ホット・アンド・コールド)
フラグピット)7−1.7−2は各グループのリプレー
ス・ロジック回路S9は多数決回路である。 507
1記憶装置の制御部ブロック図1第2図はセラ)−テソ
シーアテイプの説明図、第3図は本発明の一実施例要部
ブロック図であり、6−1゜6−2は各グループのり、
RUビットS8はH/C(ホット・アンド・コールド)
フラグピット)7−1.7−2は各グループのリプレー
ス・ロジック回路S9は多数決回路である。 507
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 主記憶装置のデータの一部をブロック単位でコピーして
格納し・新たなブロックの格納に際してリプレースすべ
きブロックをLRU方式で決定するバッフ1記憶装置に
おいて1バツフア記憶装置のブロックを複数のグループ
に分け、各グループ毎にLRU方式でリプレースブロッ
クを決定する手段を設けるとともに1どのグループをリ
プレース対象とするかを指示するフラグビットを設け、
こ かつ左のフラグビットを三重化して設けて1読出し時に
は多数決をとるようにしたことを特徴とするバッファ記
憶装置のLRU制御方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57111919A JPS593773A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | バツフア記憶装置のlru制御方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57111919A JPS593773A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | バツフア記憶装置のlru制御方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS593773A true JPS593773A (ja) | 1984-01-10 |
Family
ID=14573398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57111919A Pending JPS593773A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | バツフア記憶装置のlru制御方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS593773A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60163147A (ja) * | 1984-02-02 | 1985-08-26 | Nec Corp | リプレ−スメント方式 |
| JPS623360A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-09 | Nec Corp | 情報処理装置 |
| JPS63163941A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Hitachi Ltd | バツフアメモリ装置 |
| US8392660B2 (en) | 2006-11-30 | 2013-03-05 | Fujitsu Limited | Cache system including a plurality of processing units |
-
1982
- 1982-06-29 JP JP57111919A patent/JPS593773A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60163147A (ja) * | 1984-02-02 | 1985-08-26 | Nec Corp | リプレ−スメント方式 |
| JPS623360A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-09 | Nec Corp | 情報処理装置 |
| JPS63163941A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Hitachi Ltd | バツフアメモリ装置 |
| US8392660B2 (en) | 2006-11-30 | 2013-03-05 | Fujitsu Limited | Cache system including a plurality of processing units |
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