JPS5938950A - 磁気光学記憶素子 - Google Patents
磁気光学記憶素子Info
- Publication number
- JPS5938950A JPS5938950A JP14854082A JP14854082A JPS5938950A JP S5938950 A JPS5938950 A JP S5938950A JP 14854082 A JP14854082 A JP 14854082A JP 14854082 A JP14854082 A JP 14854082A JP S5938950 A JPS5938950 A JP S5938950A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magneto
- transparent
- film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明はレーザ光により情報の記録・再生・消去を行う
磁気光学記憶素子に関する。
磁気光学記憶素子に関する。
（従来技術）
近年、高密度・大容量・高速アクセス等種々の要求を満
足し得る光メモリ装置の研究開発が活発に推進されてい
る。
足し得る光メモリ装置の研究開発が活発に推進されてい
る。
＝８臥して既に実用化に達したものとして、記憶デ伶股
゛りに微細ピット列を形成し各ピット部における光ビー
ムの回折現象を利用して再生信号を得る装置、及び記憶
媒体の反射率変化を利用して再生信号を得る装置がある
。しかしながらこれら装置は再生専用であるか又は再生
及び情報の追加記憶が可能なものに留まり、不要な情報
を消去し再記憶までも可能なものについては未だ研究開
発段階にある。
゛りに微細ピット列を形成し各ピット部における光ビー
ムの回折現象を利用して再生信号を得る装置、及び記憶
媒体の反射率変化を利用して再生信号を得る装置がある
。しかしながらこれら装置は再生専用であるか又は再生
及び情報の追加記憶が可能なものに留まり、不要な情報
を消去し再記憶までも可能なものについては未だ研究開
発段階にある。
本発明は上記した情報を消去し新しい情報を再記録出来
る装置として期待される、記憶材料として垂直磁化膜を
用いた磁気光学記憶装置に関するものである。
る装置として期待される、記憶材料として垂直磁化膜を
用いた磁気光学記憶装置に関するものである。
（発明が解決しようとする問題点）
磁気光学記憶装置は上記の利点を有する一方で再生信号
レベルが低いという欠点がある。特に磁気光学記憶素子
からの反射光を利用して情報の再生を行う所謂カー効果
再生方式においてはカー回転角が小さいため信号雑音比
（Ｓ／Ｎ ）を高める事が困難であった。その為従来で
は記録媒体である磁性材料を改良したり或いは記録媒体
上にＳｉＯ’ＱＩＡｏ２の誘電体薄膜を形成したりして
カー回転角を高める工夫がなされていた。後者の例とし
てＭｎＢ１磁性体膜上にＳｉＯ膜を形成することによっ
てカー回転角が０．７度から３６度に増大した例が報告
されているＮ−Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ’、Ｖｏ１４５ｎｏ
８ ａｕｇｕｓｔ １９７４）ｏしかしながら上記
ＳｉＯやＳ ｉｏ ２の誘電体薄膜では、磁性体に腐蝕
の恐れのある場合はその腐蝕の実質的な防御とはなり得
なく、又】μｍ程度の小さなほこりやゴミが該誘電体薄
膜に付着した場合は記録ビット径が１μｍ程度であるた
めピット検出が不可能になり、よって上記Ｓ ｉＯ，Ｓ
ｉＯ２の誘電体薄膜を形成することは実用に適さなか
った。そして前記腐蝕の防御及びほこりやゴミに対する
対策の為には０．５〜２醍程度のガラス又は透明樹脂を
磁性体に被覆することか望ましいとされている。しかし
この被覆材では当然ながらカー回転角の増大は難しく従
ってＳ／Ｎの増大の効果を得ることも困難である。
レベルが低いという欠点がある。特に磁気光学記憶素子
からの反射光を利用して情報の再生を行う所謂カー効果
再生方式においてはカー回転角が小さいため信号雑音比
（Ｓ／Ｎ ）を高める事が困難であった。その為従来で
は記録媒体である磁性材料を改良したり或いは記録媒体
上にＳｉＯ’ＱＩＡｏ２の誘電体薄膜を形成したりして
カー回転角を高める工夫がなされていた。後者の例とし
てＭｎＢ１磁性体膜上にＳｉＯ膜を形成することによっ
てカー回転角が０．７度から３６度に増大した例が報告
されているＮ−Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ’、Ｖｏ１４５ｎｏ
８ ａｕｇｕｓｔ １９７４）ｏしかしながら上記
ＳｉＯやＳ ｉｏ ２の誘電体薄膜では、磁性体に腐蝕
の恐れのある場合はその腐蝕の実質的な防御とはなり得
なく、又】μｍ程度の小さなほこりやゴミが該誘電体薄
膜に付着した場合は記録ビット径が１μｍ程度であるた
めピット検出が不可能になり、よって上記Ｓ ｉＯ，Ｓ
ｉＯ２の誘電体薄膜を形成することは実用に適さなか
った。そして前記腐蝕の防御及びほこりやゴミに対する
対策の為には０．５〜２醍程度のガラス又は透明樹脂を
磁性体に被覆することか望ましいとされている。しかし
この被覆材では当然ながらカー回転角の増大は難しく従
ってＳ／Ｎの増大の効果を得ることも困難である。
（問題点を解決するための手段）
本発明は上記カー回転角の増大に関する問題点を解、丞
、する為に光メモリの構造を透明基板上に透明薄膜さ、
膜面に垂直な磁化容易軸を有する磁性体薄膜とをこの順
に積層した構造とし、更に前記透明薄膜をその屈折率が
前記透明基板の屈折率より充分大なる物質にて形成し、
更に前記透明薄膜の膜厚を適切な値に設定し、もって良
好なるカー回転角の増大を得たものである。
、する為に光メモリの構造を透明基板上に透明薄膜さ、
膜面に垂直な磁化容易軸を有する磁性体薄膜とをこの順
に積層した構造とし、更に前記透明薄膜をその屈折率が
前記透明基板の屈折率より充分大なる物質にて形成し、
更に前記透明薄膜の膜厚を適切な値に設定し、もって良
好なるカー回転角の増大を得たものである。
（実施例）
以下、本発明に係る実施例を図面を用いて詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明に係る一実施例の側面図を示す。
同図で１はガラス、アクリル樹脂等からなる透明基板で
厚さは０．５〜２Ｂ程度である。２は５ＩＯ９Ｓ］３Ｎ
４等の透明薄膜でありその膜厚は０．＋ ４１ｌｒｎ程
度である。３はＭｎＢ１． ＭｎＣｕＢ１． Ｔ＋１：
１ＤｙＦｅ。
厚さは０．５〜２Ｂ程度である。２は５ＩＯ９Ｓ］３Ｎ
４等の透明薄膜でありその膜厚は０．＋ ４１ｌｒｎ程
度である。３はＭｎＢ１． ＭｎＣｕＢ１． Ｔ＋１：
１ＤｙＦｅ。
ＧｄＴｂＦｅ、 ＧｄＤｙＦｅ、 ＧｄＴｂＤｙＦｅ、
ＧｄＣｏ等の合金からなる膜面に垂直な磁化容易軸を
有する磁性体薄膜である。この磁性体薄膜３上に接着層
４が設けられ支持基板５に接着される。ここで上記透明
薄膜２の屈折率は透明基板ｌの屈折率より充分大なるも
のとする。
ＧｄＣｏ等の合金からなる膜面に垂直な磁化容易軸を
有する磁性体薄膜である。この磁性体薄膜３上に接着層
４が設けられ支持基板５に接着される。ここで上記透明
薄膜２の屈折率は透明基板ｌの屈折率より充分大なるも
のとする。
第２図は本発明に係る他の実施例の側面図を示す。同図
で透明基板ｌ、透明薄膜２、磁性体薄膜３の構成は第１
図と同一であり、磁性体薄膜３°の上に保護膜６が被覆
される点が第１図の構成と異なる。
で透明基板ｌ、透明薄膜２、磁性体薄膜３の構成は第１
図と同一であり、磁性体薄膜３°の上に保護膜６が被覆
される点が第１図の構成と異なる。
以上説明した磁気光学記憶素子を作成する場合は透明基
板ｌ上に透明薄膜２を蒸着、スパッタリング等にて形成
し次にその上に磁性体薄膜３を蒸着、スパッタリング等
にて形成し次に接着層４及び支持基板５（若しくは保護
膜６）を形成するものとする。逆に支持基板５、磁性体
薄膜３、透明薄膜２、透明基板ｌの順に形成することも
てきる。
板ｌ上に透明薄膜２を蒸着、スパッタリング等にて形成
し次にその上に磁性体薄膜３を蒸着、スパッタリング等
にて形成し次に接着層４及び支持基板５（若しくは保護
膜６）を形成するものとする。逆に支持基板５、磁性体
薄膜３、透明薄膜２、透明基板ｌの順に形成することも
てきる。
但し前者の場合膜作成上においてほこりやコミに対する
対応策は磁性体薄膜３を形成する際に必要であるかそれ
以外の接着層４や保護膜６を形成する際にはそれ程必要
としないのに対し後者の場合は全工程でほこりやゴミに
対する対応策を必要とするので、前者の方が製造上優れ
ている。
対応策は磁性体薄膜３を形成する際に必要であるかそれ
以外の接着層４や保護膜６を形成する際にはそれ程必要
としないのに対し後者の場合は全工程でほこりやゴミに
対する対応策を必要とするので、前者の方が製造上優れ
ている。
欠に樽明薄膜２はその屈折率が透明基板の屈折率よ、灸
充分大なる物質にて形成しその膜厚を０．１４μｍ程度
とするものが適している理由について説明を行なう。第
３図は実験的にガラス基板（ソーダガラスからなり厚み
が１０〜１．５ｍｍ）上に透明薄膜としてＳｉＯを形成
しその上に磁性体薄膜としてＧｄＴｂＤｙＦｅ膜を形成
してなる磁気光学記憶素子を用いて、ガラス基板側から
レーザ光を投入しカー回転角録と反射率Ｒを測定した結
果を示すものである。測定には半導体レーザ（波長７８
０ｎｍ）を用いた。ガラス基板の屈折率は１．５、Ｓｉ
Ｏの屈折率は２．０であるので入射レーザ光はＳｉＯ透
明薄膜内にて干渉しカー回転角が増大する。同図にはＳ
ｉＯ透明薄膜の膜厚を変化させた時のカー回転角θ１（
と反射率ＲとＲθ２の各値の変化する様子が示される。
充分大なる物質にて形成しその膜厚を０．１４μｍ程度
とするものが適している理由について説明を行なう。第
３図は実験的にガラス基板（ソーダガラスからなり厚み
が１０〜１．５ｍｍ）上に透明薄膜としてＳｉＯを形成
しその上に磁性体薄膜としてＧｄＴｂＤｙＦｅ膜を形成
してなる磁気光学記憶素子を用いて、ガラス基板側から
レーザ光を投入しカー回転角録と反射率Ｒを測定した結
果を示すものである。測定には半導体レーザ（波長７８
０ｎｍ）を用いた。ガラス基板の屈折率は１．５、Ｓｉ
Ｏの屈折率は２．０であるので入射レーザ光はＳｉＯ透
明薄膜内にて干渉しカー回転角が増大する。同図にはＳ
ｉＯ透明薄膜の膜厚を変化させた時のカー回転角θ１（
と反射率ＲとＲθ２の各値の変化する様子が示される。
ここで磁気光学効果（カー効果、ファラデー効果）を利
用して再生信号を得る場合、得られる信号量はＲθ２に
比例することが知られている。
用して再生信号を得る場合、得られる信号量はＲθ２に
比例することが知られている。
従ってＲθ２の値が最大になる所に対応するＳｉＯの膜
厚が最適膜厚となる。第３図を参照すれば最適膜厚は１
４０ｎｍ程度であることが判る。以上の様に透明甥膜２
の膜厚は０．１４μｍ程度が適してぃると謂える。
厚が最適膜厚となる。第３図を参照すれば最適膜厚は１
４０ｎｍ程度であることが判る。以上の様に透明甥膜２
の膜厚は０．１４μｍ程度が適してぃると謂える。
父、以上の実施例に留まらず本発明の好適な実施の形態
として次のものが挙げられる。
として次のものが挙げられる。
ｆ＋） 図面の構成に加え磁性体薄膜３と接着層４の
間にＡ Ｚ ＋ Ａ ｕ ＋ Ａ ｇ ＋ Ｃｕ等の反
射膜層を設ける。
間にＡ Ｚ ＋ Ａ ｕ ＋ Ａ ｇ ＋ Ｃｕ等の反
射膜層を設ける。
（２） ｆｌ）の構成に加え反射膜と磁性体薄膜３の
間に５ｉ０２．Ｓｉｎ、Ｓｉ３Ｎ４等の断熱層を設ける
。
間に５ｉ０２．Ｓｉｎ、Ｓｉ３Ｎ４等の断熱層を設ける
。
（：（）基板ｌに凹凸状のがイドトラックを形成する。
（４）磁性体薄膜３を非晶質磁性体にて形成し、その一
部を結晶化せしめガイドトラックとなす。
部を結晶化せしめガイドトラックとなす。
（５）支持基板５に対して両側面に図面の構成を設は両
面仕様とする。
面仕様とする。
以上の（１）〜（５）の形態は互いに組み合わせること
も１ｊ丁能である。
も１ｊ丁能である。
（効果）
本発明によればｈ−回転角を増大せしめることができ、
しかも透明基板及び透明薄膜の存在によって磁性体薄膜
の腐蝕及びほこりやゴミに対しても充分対応が可能なも
のであり、極めて実用的な構成にてカー回転角の増大化
が達成できるものである。
しかも透明基板及び透明薄膜の存在によって磁性体薄膜
の腐蝕及びほこりやゴミに対しても充分対応が可能なも
のであり、極めて実用的な構成にてカー回転角の増大化
が達成できるものである。
第１図は本発明に係わる磁気光学記憶素子の一実施例の
側面断面図、第２図は本発明に係わる磁気光学記憶素子
の他の実施例の側面断面図、第３図は測定グラフ図を示
す。 図中、１：透明基板、２：透明薄膜、３：磁性体薄膜、
４：接着層、５：支持基板、６：保護膜。
側面断面図、第２図は本発明に係わる磁気光学記憶素子
の他の実施例の側面断面図、第３図は測定グラフ図を示
す。 図中、１：透明基板、２：透明薄膜、３：磁性体薄膜、
４：接着層、５：支持基板、６：保護膜。
Claims (1)
- １、透明基板上に透明薄膜と、膜面に垂直な磁・化容易
軸を有する磁性体薄膜とがこの順に積層され、前記透明
薄膜はその屈折率が前記透明基板の屈折率より充分大な
る物質にて形成される・とともにその膜厚が０．１４μ
ｍ程度であることを特徴とする磁気光学記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14854082A JPS5938950A (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | 磁気光学記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14854082A JPS5938950A (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5938950A true JPS5938950A (ja) | 1984-03-03 |
Family
ID=15455056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14854082A Pending JPS5938950A (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5938950A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60163247A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-08-26 | Ulvac Corp | 光磁気記録体 |
| JPS60193150A (ja) * | 1984-03-15 | 1985-10-01 | Ulvac Corp | 光磁気記録体 |
| JPH01171142A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-06 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH03181041A (ja) * | 1990-11-28 | 1991-08-07 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
-
1982
- 1982-08-26 JP JP14854082A patent/JPS5938950A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60163247A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-08-26 | Ulvac Corp | 光磁気記録体 |
| JPS60193150A (ja) * | 1984-03-15 | 1985-10-01 | Ulvac Corp | 光磁気記録体 |
| JPH01171142A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-06 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH03181041A (ja) * | 1990-11-28 | 1991-08-07 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
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