JPS5939720A - 固体化合物 - Google Patents
固体化合物Info
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- JPS5939720A JPS5939720A JP57149228A JP14922882A JPS5939720A JP S5939720 A JPS5939720 A JP S5939720A JP 57149228 A JP57149228 A JP 57149228A JP 14922882 A JP14922882 A JP 14922882A JP S5939720 A JPS5939720 A JP S5939720A
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- solid compound
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、アルカリ金属と二価金属のぶつ化物である固
体化合物に関するもので、特にアルカリイオン導電体に
好適なアルカリ金属と二価金属のふり化物より成る固体
化合物に関するものである。
体化合物に関するもので、特にアルカリイオン導電体に
好適なアルカリ金属と二価金属のふり化物より成る固体
化合物に関するものである。
全固体エレクトロクロミック表示素子のような固体イオ
ン素子を作製するには、室温におけるリチウムイオン導
電率が１ｘ１ｏ Ｓ／ｍ以上の値を持ち、大気中で安
定であり、かつ厚さ０．１〜１０ミクロンの薄膜を形成
できる必要がある。この目的に合致する物質として、従
来、ＬｌｘＮａｌ−ｘベータアルミナ、Ｌ ｉ ｓ Ｎ
などが検討された。しかし、前者は薄膜形成困難、後者
は大気中で不安定、などの欠点があった。
ン素子を作製するには、室温におけるリチウムイオン導
電率が１ｘ１ｏ Ｓ／ｍ以上の値を持ち、大気中で安
定であり、かつ厚さ０．１〜１０ミクロンの薄膜を形成
できる必要がある。この目的に合致する物質として、従
来、ＬｌｘＮａｌ−ｘベータアルミナ、Ｌ ｉ ｓ Ｎ
などが検討された。しかし、前者は薄膜形成困難、後者
は大気中で不安定、などの欠点があった。
本発明の目的は、アルカリイオン導電率の大きい薄膜を
形成できる固体化合物を提供することにある。
形成できる固体化合物を提供することにある。
本発明者の一人は、先に、ａ’Ｌｉｘ／Ｎａ１−ｘ／Ｆ
−ｂ′ＡＩＦ３（ただし、ａ′は０．４５から０．７
の範囲の数値、ｂ′は０．６から０．５５の範囲の数値
、Ｘは０．１≦Ｘ り１． Ｏの範囲の数値）に相当す
る組成の非晶質化合物が優れたリチウムイオン導電体で
あることを見出した。またさらに、一般式、ａ′′Ｍ１
Ｆ−ｂ″ＭｕＩＦ３ （ここに、ＭはＬｉおよびＮａより成る群中より選ばれ
た少なくとも一種の元素を表わし、 ＭＩＨはＳｃ、Ｔ
ｉ、Ｖ、ＣｒＳ Ｆｅ、 Ｒｈ１ 、Ｉｎ、 Ｇａ
、ｙＪより成る群中より選ばれた少なくとも一種の元素
を表わし；ａ“ば、０．６とａく０．７または０．８り
ａ” ｐ ０．９５である数値；ｂ“は、ｂ“＝１−ａ
“である数値）で表わされる組成物が優れたアルカリイ
オン導電体であることを見出した。これらの知見に基づ
き、同様の導電率を実現し得るような、二種類以上の金
属イオンを含むふっ素化合物を、アルカリ金属イオンと
二価金属イオンとの組み合わせについて実験的検討を行
った結果、本発明に到達したものである。
−ｂ′ＡＩＦ３（ただし、ａ′は０．４５から０．７
の範囲の数値、ｂ′は０．６から０．５５の範囲の数値
、Ｘは０．１≦Ｘ り１． Ｏの範囲の数値）に相当す
る組成の非晶質化合物が優れたリチウムイオン導電体で
あることを見出した。またさらに、一般式、ａ′′Ｍ１
Ｆ−ｂ″ＭｕＩＦ３ （ここに、ＭはＬｉおよびＮａより成る群中より選ばれ
た少なくとも一種の元素を表わし、 ＭＩＨはＳｃ、Ｔ
ｉ、Ｖ、ＣｒＳ Ｆｅ、 Ｒｈ１ 、Ｉｎ、 Ｇａ
、ｙＪより成る群中より選ばれた少なくとも一種の元素
を表わし；ａ“ば、０．６とａく０．７または０．８り
ａ” ｐ ０．９５である数値；ｂ“は、ｂ“＝１−ａ
“である数値）で表わされる組成物が優れたアルカリイ
オン導電体であることを見出した。これらの知見に基づ
き、同様の導電率を実現し得るような、二種類以上の金
属イオンを含むふっ素化合物を、アルカリ金属イオンと
二価金属イオンとの組み合わせについて実験的検討を行
った結果、本発明に到達したものである。
上記による本発明の固体化合物は、一般式、Ｔ
ｎ ａ Ｍ 、Ｆ−ｂＭ Ｆ２ （コこに、Ｍは、Ｌｉおよ
びＮａから成る群中から選ばれた少なくとも一種の元素
を表わし、 Ｍｌｌは、Ｃｒ、 Ｆｅ、 Ｃｏ、 Ｎｉ
、 Ｃｕ、Ｚｎからなる群中から選ばれた少なくとも
一種の元素を表わし；ａは、０．６とａ＜０．９９９の
範囲の数値であり；ｂは、ｂ＝ １− ａで表わされる
数値）で表わされるものであることを特徴とする、一般
に非晶質構造を持つ固体化合物である。
ｎ ａ Ｍ 、Ｆ−ｂＭ Ｆ２ （コこに、Ｍは、Ｌｉおよ
びＮａから成る群中から選ばれた少なくとも一種の元素
を表わし、 Ｍｌｌは、Ｃｒ、 Ｆｅ、 Ｃｏ、 Ｎｉ
、 Ｃｕ、Ｚｎからなる群中から選ばれた少なくとも
一種の元素を表わし；ａは、０．６とａ＜０．９９９の
範囲の数値であり；ｂは、ｂ＝ １− ａで表わされる
数値）で表わされるものであることを特徴とする、一般
に非晶質構造を持つ固体化合物である。
本発明の固体化合物は、内在する結晶構造の観点から、
下記の三種類に分類して考えることがで（ｉ） 、 Ｍ
Ｆ構造。ＭＦ２を強制固溶する。１個のＭｕが２個の
Ｍを置換することによって生ずる空孔がＭ１イオンの拡
散係数、すなわちＭ１イオン導電率を増大する。
下記の三種類に分類して考えることがで（ｉ） 、 Ｍ
Ｆ構造。ＭＦ２を強制固溶する。１個のＭｕが２個の
Ｍを置換することによって生ずる空孔がＭ１イオンの拡
散係数、すなわちＭ１イオン導電率を増大する。
（２）Ｍ１２ＭＩＩＦ４構造。この化合物は、Ｍ１イオ
ン半径によりスピネル構造（イオン半径小なるＭ’ ＝
Ｌｉの場合、たとえばＬ１２ＮＩＦ４）またはＫ ２
Ｎ ｒ Ｆ４構造（イオン半径大なるＭ ＝Ｋ、Ｒ
ｂ、Ｃｓの場合に限られ、Ｍ ＝Ｎａについては該当す
る化合物は存在せず、ペロブスカイト構造Ｋ Ｎ ＋
Ｆ３とＫＦの層状構造とみなせる）のいずれかの構造を
とり、いずれの場合も２次元イオン導電体になり得る。
ン半径によりスピネル構造（イオン半径小なるＭ’ ＝
Ｌｉの場合、たとえばＬ１２ＮＩＦ４）またはＫ ２
Ｎ ｒ Ｆ４構造（イオン半径大なるＭ ＝Ｋ、Ｒ
ｂ、Ｃｓの場合に限られ、Ｍ ＝Ｎａについては該当す
る化合物は存在せず、ペロブスカイト構造Ｋ Ｎ ＋
Ｆ３とＫＦの層状構造とみなせる）のいずれかの構造を
とり、いずれの場合も２次元イオン導電体になり得る。
（３）ＭＭＦ、り構造。この化合物は、ペロブスカイト
構造（たとえば、Ｎａ Ｆｅ Ｆ３、ＮａＮ１Ｆ３、Ｎ
ａ Ｚ ｎ Ｆ３、イオン半径の小さいＭ ＝Ｌｉに
ついては該当する化合物は存在せず）をとり、６次元イ
オン導電体になり得る。
構造（たとえば、Ｎａ Ｆｅ Ｆ３、ＮａＮ１Ｆ３、Ｎ
ａ Ｚ ｎ Ｆ３、イオン半径の小さいＭ ＝Ｌｉに
ついては該当する化合物は存在せず）をとり、６次元イ
オン導電体になり得る。
このように、ＭｌＦとＭＩＩＦ２とのモル比によって内
在する結晶構造は変化するものの、いずれもＭ１イオン
導電性が大きくなることが期待される。
在する結晶構造は変化するものの、いずれもＭ１イオン
導電性が大きくなることが期待される。
以下、試験例によシ、本発明を具体的にさらに詳細に説
明する。
明する。
なお、以下の試験例中、試験例１．２においては、本発
明の実施例と共に、対照のだめの、本発明によるもので
ない比較例を併せ記載し、試験例６．４．５、乙におい
ては、本発明による実施例のみを記載した。
明の実施例と共に、対照のだめの、本発明によるもので
ない比較例を併せ記載し、試験例６．４．５、乙におい
ては、本発明による実施例のみを記載した。
試験例 １
Ｃｒ、Ｆｅ、 Ｃｏ、 Ｎｉ 、 Ｃｕ、 Ｚｎ の
無水二ふっ化物、およびぶつ化リチウムの中から、処方
に従って、それぞれ秤量、混合、圧粉、焼結（７５０℃
）、破砕した後、クヌードセンセル型蒸発容器（タンタ
ル製、ただしＮｉＦ またはＣｕ Ｆ２を含む混合物の
蒸発に際しては白金製とすることが望ましい）に装入し
、おおよそ９００℃に加熱して、約５００μＰａの真空
度において真空蒸着した。このとき、基板としては、下
部電極であるアルミニウム蒸着膜被覆を施したスライド
ガラスを用い、基板温度は室温に保った。
無水二ふっ化物、およびぶつ化リチウムの中から、処方
に従って、それぞれ秤量、混合、圧粉、焼結（７５０℃
）、破砕した後、クヌードセンセル型蒸発容器（タンタ
ル製、ただしＮｉＦ またはＣｕ Ｆ２を含む混合物の
蒸発に際しては白金製とすることが望ましい）に装入し
、おおよそ９００℃に加熱して、約５００μＰａの真空
度において真空蒸着した。このとき、基板としては、下
部電極であるアルミニウム蒸着膜被覆を施したスライド
ガラスを用い、基板温度は室温に保った。
こうして形成した厚さ０．５ミクロンの蒸着膜は無色透
明であり、表面平滑で微細組織を持たず、割れや剥れな
どの欠陥は無かった。
明であり、表面平滑で微細組織を持たず、割れや剥れな
どの欠陥は無かった。
これらの薄膜を化学分析したところ、表１の化合物の欄
に示すような組成を持つことが判った。
に示すような組成を持つことが判った。
また、これらの薄膜のＸ線回折の結果は、いずれも非晶
質であった。
質であった。
なお、表１において、化合物の欄の組成をかっこで囲ん
だものは本発明によらぬ比較例のものであり、それ以外
のものは本発明の実施例のものである。
だものは本発明によらぬ比較例のものであり、それ以外
のものは本発明の実施例のものである。
次いで、これらの薄膜上に、リチウムとアルミニウムを
逐次蒸着して重ね膜とし、上部電極として用いた。
逐次蒸着して重ね膜とし、上部電極として用いた。
これらの下部電極と上部電極との間に±２Ｖ以内の直流
電圧を印加したところ、正電荷を持つリチウムイオンが
移動するとみなされる時のみ大電流が流れ、その時の導
電率は、それぞれ表１の導電率の欄に示すように求めら
れた。他方、リチウ表 １ ムイオンの移動が起り得ない条件（たとえば、リチウム
イオンがすべて上部電極直下にあり、かつ、上部電極が
負、下部電極が正となるような電界が印加された時）に
おいては、電流は著しく小さく、その時の導電率は作製
した化合物の種類によらず、はぼ、１０−１０Ｓ／ｍ
であった。この導電率は電子伝導によると思われる。
電圧を印加したところ、正電荷を持つリチウムイオンが
移動するとみなされる時のみ大電流が流れ、その時の導
電率は、それぞれ表１の導電率の欄に示すように求めら
れた。他方、リチウ表 １ ムイオンの移動が起り得ない条件（たとえば、リチウム
イオンがすべて上部電極直下にあり、かつ、上部電極が
負、下部電極が正となるような電界が印加された時）に
おいては、電流は著しく小さく、その時の導電率は作製
した化合物の種類によらず、はぼ、１０−１０Ｓ／ｍ
であった。この導電率は電子伝導によると思われる。
一方、表１に記載した導電率のうち大きい導電率の値は
リチウムイオン伝導によると考えられる。したがって、
これらのうち、Ｌｌ：Ｍｎカ９９．９：０．１カラ６０
＝７０ノ範囲にある組成を持つ非晶質固体化合物薄膜は
優れたリチウムイオン導電体であると考えられる。
リチウムイオン伝導によると考えられる。したがって、
これらのうち、Ｌｌ：Ｍｎカ９９．９：０．１カラ６０
＝７０ノ範囲にある組成を持つ非晶質固体化合物薄膜は
優れたリチウムイオン導電体であると考えられる。
なお、表１においては、化合物の組成をモル部で表示し
た。
た。
試験例 ２
クロム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛の二ふつ化
物、およびぶつ化ナトリウムの中から、処方に従って、
それぞれ秤量、混合、圧粉、焼結、破砕し、試験例１と
同様の方法で約０．５ミクロン厚の無色透明かつ非晶質
構造の薄膜を作製した。
物、およびぶつ化ナトリウムの中から、処方に従って、
それぞれ秤量、混合、圧粉、焼結、破砕し、試験例１と
同様の方法で約０．５ミクロン厚の無色透明かつ非晶質
構造の薄膜を作製した。
これらについて、化学分析を行い、かつ試験例１と同様
の方法で（ただし、金属リチウムの代シに金属ナトリウ
ムを蒸着）、ナトリウムイオンの導電率を測定した。そ
の他、同時に、あらかじめスライドガラス（アルミニウ
ム蒸着被膜を施していない）上に形成した約０．５ミク
ロン厚の該ふつ化物薄膜」二に平面対向くし形電極（ク
ロム金重ね膜より成る）を設け、２０ヘルツ〜５００キ
ロヘルツの交流を印加しつつインピーダンスを測定する
方法によって該薄膜の交流導電率を測定した。両者の測
定値は±３０％の範囲で一致しておシ、その値を、上記
の化学分析の結果と共に表２に示した。
の方法で（ただし、金属リチウムの代シに金属ナトリウ
ムを蒸着）、ナトリウムイオンの導電率を測定した。そ
の他、同時に、あらかじめスライドガラス（アルミニウ
ム蒸着被膜を施していない）上に形成した約０．５ミク
ロン厚の該ふつ化物薄膜」二に平面対向くし形電極（ク
ロム金重ね膜より成る）を設け、２０ヘルツ〜５００キ
ロヘルツの交流を印加しつつインピーダンスを測定する
方法によって該薄膜の交流導電率を測定した。両者の測
定値は±３０％の範囲で一致しておシ、その値を、上記
の化学分析の結果と共に表２に示した。
なお、表２において、化合物の欄の組成をかっこで囲ん
だものは本発明によらぬ比較例のものであり、それ以外
のものは本発明の実施例のものである。
だものは本発明によらぬ比較例のものであり、それ以外
のものは本発明の実施例のものである。
以下余白
表 ２
化 合 物 導電率（Ｓ／ｍ）（１［］Ｑ
ＮａＦ ） １／１Ｏ−１１９９ＮａＦ
１ＣｒＦ２ ２／ １０ ”６ＯＮａＦ ４
０ＣｒＦ２ １ ／ １０−４９５ＮａＦ ５
ＦｅＦ２４／ １Ｏ−５６７ＮａＦ ３３ＦｅＦ２
８／ １Ｏ−５４９ＮａＦ ５１ＣＯＦ２
６／ １０ ”９９．１３ＮａＦ ０９２ＮｉＦ
７ ／ １０ ”６１ＮａＦ ３９ＮＩＦ２
８／ １Ｏ−５５ＱＮａＦ ５ＱＮｉＦ
１／ １０−４（１５ＮａＦ ８５ＮＩ Ｆ２ ）
４ ／ １Ｏ−８６６ＮａＦ ３４ＣｕＦ２
１／ １０ ’９３ＮａＦ ２ＺｎＦ２
６／ １０ ’試験例 ３ この試験例は、本発明によるものの実施例である。
ＮａＦ ） １／１Ｏ−１１９９ＮａＦ
１ＣｒＦ２ ２／ １０ ”６ＯＮａＦ ４
０ＣｒＦ２ １ ／ １０−４９５ＮａＦ ５
ＦｅＦ２４／ １Ｏ−５６７ＮａＦ ３３ＦｅＦ２
８／ １Ｏ−５４９ＮａＦ ５１ＣＯＦ２
６／ １０ ”９９．１３ＮａＦ ０９２ＮｉＦ
７ ／ １０ ”６１ＮａＦ ３９ＮＩＦ２
８／ １Ｏ−５５ＱＮａＦ ５ＱＮｉＦ
１／ １０−４（１５ＮａＦ ８５ＮＩ Ｆ２ ）
４ ／ １Ｏ−８６６ＮａＦ ３４ＣｕＦ２
１／ １０ ’９３ＮａＦ ２ＺｎＦ２
６／ １０ ’試験例 ３ この試験例は、本発明によるものの実施例である。
クロム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛の二ふつ化
物、ぶつ化リチウムおよびぶつ化ナトリウムの中から選
択された試料を用い、試験例１と同様の方法で前処理後
、同じく試験例１と同様の方法で約０．５ミクロン厚の
同様の蒸着膜を作製した。これらについて化学分析を行
い、かつ上記の試験例２におけると同様の方法で交流導
電率を測定した。その結果、表６に示す値を得た。
物、ぶつ化リチウムおよびぶつ化ナトリウムの中から選
択された試料を用い、試験例１と同様の方法で前処理後
、同じく試験例１と同様の方法で約０．５ミクロン厚の
同様の蒸着膜を作製した。これらについて化学分析を行
い、かつ上記の試験例２におけると同様の方法で交流導
電率を測定した。その結果、表６に示す値を得た。
表 ６
化 合 物 導電率（８７ｍ）４１ＬｉＦ１
７ＮａＦ４２ＣｒＦ２８／１Ｏ−５３６ＬｉＦ１６Ｎａ
Ｆ４８ＦｅＦ２６／１０５２０ＬｉＦ１６ＮａＦ６４Ｃ
ｏＦ２４／１ｏ−５ｉＱＬｉＦ４ＱＮａＦ５ＯＮｉＦ２
１／１Ｏ−４１５ＬｉＦ２ＱＮａＦ６５ＣｕＦ＋ ５
／１Ｏ−４６０Ｌｉ Ｆ ３５ＮａＦ ５ＺｎＦ２８／
１（：Ｊ ４試験例 ４ この試験例は、本発明によるものの実施例である。
７ＮａＦ４２ＣｒＦ２８／１Ｏ−５３６ＬｉＦ１６Ｎａ
Ｆ４８ＦｅＦ２６／１０５２０ＬｉＦ１６ＮａＦ６４Ｃ
ｏＦ２４／１ｏ−５ｉＱＬｉＦ４ＱＮａＦ５ＯＮｉＦ２
１／１Ｏ−４１５ＬｉＦ２ＱＮａＦ６５ＣｕＦ＋ ５
／１Ｏ−４６０Ｌｉ Ｆ ３５ＮａＦ ５ＺｎＦ２８／
１（：Ｊ ４試験例 ４ この試験例は、本発明によるものの実施例である。
上記の試験例６と同様な方法で、同様な三元化合物の薄
膜を作製し、それらについて試験を行い、表４に示す結
果を得た。
膜を作製し、それらについて試験を行い、表４に示す結
果を得た。
表４に示す三元化合物はいずれも高いイオン導電率を示
しだ。
しだ。
化 合 物 導電率（８７ｍ）５０Ｌｉ
Ｆ ２５ＣｒＦ２２５ＦｅＦ２ １ ／ １Ｏ−
４４７Ｌ＋Ｆ ２６ＣｒＦ２２４ＣＯＦ２ ８／
１０−５４８ＬｔＦ ２ＱＣｒＦ２ろ２ＮｉＦ２
３／１０−４５１ＬｉＦ ２９ＣｒＦ２２０ＣＬ
ＩＦ２ １ ／ １０ ’５１ＬｉＦ ３３Ｃｒ
Ｆ２１６ＺｎＦ２ ９／ １０−５５１ ＬｉＦ
２６ＦｅＦ２２３ＣｏＦ２７ ／ １０５３０ＬｉＦ
４０ＦｅＦ２３ＱＮｉＦ２８／ １Ｑ ５５２ＬＩＦ
２０ＦｅＦ２２８ＮＩＦ２ ２／ １Ｑ−４５
０ＬＩＦ ２３ＦｅＦ２２２ＣＯＦ２６／１Ｏ−４４９
Ｉ、＋Ｆ ４１ ＦｅＦ２１０ＺｎＦ２ １ ／
１０〜４８５ＬｉＦ ５ＣｏＦ２１ＯＮｉＦ２
３／ １０ ’９［］ＬｉＦ ６ＣｏＦ ４ＣｕＦ
２ ７ ／ １Ｑ−５９１ＬｉＦ ４ＣｏＦ
２５ＺｎＦ２ ８／ １０ ”９５ＬｉＦ ２
ＮｉＦ２３ＣｕＦ２ １ ／ １Ｏ−４９１
ＬｉＦ７ＮｉＦ ２ＺｎＦ ２／１０４
２ ９７ＬｉＦ １ｃｕＦ ２ＺｎＦ２ ７／
１０ ”’試験例 ５ この試験例は、本発明によるものの実施例である。
Ｆ ２５ＣｒＦ２２５ＦｅＦ２ １ ／ １Ｏ−
４４７Ｌ＋Ｆ ２６ＣｒＦ２２４ＣＯＦ２ ８／
１０−５４８ＬｔＦ ２ＱＣｒＦ２ろ２ＮｉＦ２
３／１０−４５１ＬｉＦ ２９ＣｒＦ２２０ＣＬ
ＩＦ２ １ ／ １０ ’５１ＬｉＦ ３３Ｃｒ
Ｆ２１６ＺｎＦ２ ９／ １０−５５１ ＬｉＦ
２６ＦｅＦ２２３ＣｏＦ２７ ／ １０５３０ＬｉＦ
４０ＦｅＦ２３ＱＮｉＦ２８／ １Ｑ ５５２ＬＩＦ
２０ＦｅＦ２２８ＮＩＦ２ ２／ １Ｑ−４５
０ＬＩＦ ２３ＦｅＦ２２２ＣＯＦ２６／１Ｏ−４４９
Ｉ、＋Ｆ ４１ ＦｅＦ２１０ＺｎＦ２ １ ／
１０〜４８５ＬｉＦ ５ＣｏＦ２１ＯＮｉＦ２
３／ １０ ’９［］ＬｉＦ ６ＣｏＦ ４ＣｕＦ
２ ７ ／ １Ｑ−５９１ＬｉＦ ４ＣｏＦ
２５ＺｎＦ２ ８／ １０ ”９５ＬｉＦ ２
ＮｉＦ２３ＣｕＦ２ １ ／ １Ｏ−４９１
ＬｉＦ７ＮｉＦ ２ＺｎＦ ２／１０４
２ ９７ＬｉＦ １ｃｕＦ ２ＺｎＦ２ ７／
１０ ”’試験例 ５ この試験例は、本発明によるものの実施例である。
上記の試験例６と同様な方法で、同様な四元以上の化合
物の薄膜を作製し、それらについて試験を行い表５に示
す結果を得た。
物の薄膜を作製し、それらについて試験を行い表５に示
す結果を得た。
゛表５に示す四元以上の化合物はいずれも高いイオン導
電率を示しだ。
電率を示しだ。
表 ５
化 合 物 導電率（８７ｍ）５１
ＬｉＦ １５ＣｒＦ２５ＦｅＦ２２９ＮｉＦ２ ４／
１Ｏ−４７０ＬｉＦ １３ＣｒＦ２１ＣｏＦ２１６Ｃ
ｕＦ２ ２／ １０ ’８［］Ｌ＋Ｆ ５ＦｅＦ２１
３ＮＩＦ２２ＺｎＦ２ ４／ １０ ’９５ＬｉＦ
ｌＮ１Ｆ ２ＣｕＦ ２ＺｎＦ ２／１
０４２ ２ ２ ７１］Ｌｉｐ １５ｃｒＦ２１［ｌＮｉＦ２３ＣｕＦ２
２ＺｎＦ２４ ／ １Ｑ−４試験例 に の試験例は、本発明によるものの実施例である。
ＬｉＦ １５ＣｒＦ２５ＦｅＦ２２９ＮｉＦ２ ４／
１Ｏ−４７０ＬｉＦ １３ＣｒＦ２１ＣｏＦ２１６Ｃ
ｕＦ２ ２／ １０ ’８［］Ｌ＋Ｆ ５ＦｅＦ２１
３ＮＩＦ２２ＺｎＦ２ ４／ １０ ’９５ＬｉＦ
ｌＮ１Ｆ ２ＣｕＦ ２ＺｎＦ ２／１
０４２ ２ ２ ７１］Ｌｉｐ １５ｃｒＦ２１［ｌＮｉＦ２３ＣｕＦ２
２ＺｎＦ２４ ／ １Ｑ−４試験例 に の試験例は、本発明によるものの実施例である。
上記の試験例６と同様な方法で、同様な四元以上の化合
物の薄膜を作製し、それらについての試験を行い、表６
に示す結果が得られた。
物の薄膜を作製し、それらについての試験を行い、表６
に示す結果が得られた。
表６に示す四元以上の化合物はいずれも高いイオン導電
率を示した。
率を示した。
表 ６
化 合 物 導電率（８／ｍ）７Ｑ
ＮａＦ １５ＣｒＦ２１ＯＮｉＦ２５ＺｎＦ２ １
／ １Ｏ−４４０ＬｉＦ １８ＮａＦ ５ＦｅＦ２３７
ＮｉＦ’２３／ １０ ’７０ＬｉＦ２１ＮａＦ３Ｃｒ
Ｆ２４ＮｉＦ２２ＣｕＦ２３／１０’上記の試験例にお
ける本発明の実施例、特に比較例との対照から分かるよ
うに、本発明の効果は極めて顕著である。
ＮａＦ １５ＣｒＦ２１ＯＮｉＦ２５ＺｎＦ２ １
／ １Ｏ−４４０ＬｉＦ １８ＮａＦ ５ＦｅＦ２３７
ＮｉＦ’２３／ １０ ’７０ＬｉＦ２１ＮａＦ３Ｃｒ
Ｆ２４ＮｉＦ２２ＣｕＦ２３／１０’上記の試験例にお
ける本発明の実施例、特に比較例との対照から分かるよ
うに、本発明の効果は極めて顕著である。
以上のように、本発明による、ぶつ化リチウムぶつ化ナ
トリウムまたはこれらの混晶に適当な二価遷移金属ぶつ
化物を混晶させた組成を持つ固体化合物から成る非晶質
薄膜がおおよそ１０ Ｓ／ｍ以上の大きいカチオン導
電率を室温で示すので、これらをエレクトロクロミック
表示素子に応用でき、産業上の利益は太きい。しかも、
本発明によれば、二価遷移金属ぶつ化物の混晶量が０．
１モルチから７０モル係の広い範囲にわたって上述の優
れた特性が得られるので、薄膜組成の厳密な管理が不要
となり、素子の作製コストを低減できる効果がある。
トリウムまたはこれらの混晶に適当な二価遷移金属ぶつ
化物を混晶させた組成を持つ固体化合物から成る非晶質
薄膜がおおよそ１０ Ｓ／ｍ以上の大きいカチオン導
電率を室温で示すので、これらをエレクトロクロミック
表示素子に応用でき、産業上の利益は太きい。しかも、
本発明によれば、二価遷移金属ぶつ化物の混晶量が０．
１モルチから７０モル係の広い範囲にわたって上述の優
れた特性が得られるので、薄膜組成の厳密な管理が不要
となり、素子の作製コストを低減できる効果がある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式：ａＭ１Ｆ−ｂＭＩＩＦ２、 （ここに、Ｍｌは、ＬｌおよびＮａから成る群から選ば
れた少なくとも一種の元素を表わし、Ｍは、Ｃｒ、 Ｆ
ｅ、 Ｃｏ、 Ｎｉ、Ｃ’ｕ、Ｚｎ から成る群から
選ばれた少なくとも一種の元素を表わし、ａは、０．３
〈ａ、、（０，９９９の範囲の数値であり、ｂは、ｂ＝
１−ａで表わされる数値である）そ表わされる化合物
より成ることを特徴とする固体化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57149228A JPS5939720A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 固体化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57149228A JPS5939720A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 固体化合物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5939720A true JPS5939720A (ja) | 1984-03-05 |
Family
ID=15470663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57149228A Pending JPS5939720A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 固体化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5939720A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3979369A4 (en) * | 2019-05-30 | 2022-08-03 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | ACTIVE MATERIAL FOR FLUORIDE-ION SECONDARY BATTERIES AND FLUORIDE-ION SECONDARY BATTERY USING THE SAME |
-
1982
- 1982-08-30 JP JP57149228A patent/JPS5939720A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3979369A4 (en) * | 2019-05-30 | 2022-08-03 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | ACTIVE MATERIAL FOR FLUORIDE-ION SECONDARY BATTERIES AND FLUORIDE-ION SECONDARY BATTERY USING THE SAME |
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