JPS5940543A - 半導体ペレツト移送方法 - Google Patents
半導体ペレツト移送方法Info
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- JPS5940543A JPS5940543A JP57149276A JP14927682A JPS5940543A JP S5940543 A JPS5940543 A JP S5940543A JP 57149276 A JP57149276 A JP 57149276A JP 14927682 A JP14927682 A JP 14927682A JP S5940543 A JPS5940543 A JP S5940543A
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- Japan
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- sensitive adhesive
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- pressure
- holes
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- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0442—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P72/7428—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to support diced chips prior to mounting
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
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- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07331—Connecting techniques
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体製品の製作において、すでに半導体素子
を形成し完全切断したシリコン等の結晶薄葉から各素子
片を取上げ次工程に移送する際に、精密な孔径および孔
間隔精度の多数個の貫通孔を有する治具板な用い、かつ
感圧接着剤の接着力を利用することによって同時に多数
個の素子片を取上げ次工程に移送することにより作業能
率を高める方法に関するものである。
を形成し完全切断したシリコン等の結晶薄葉から各素子
片を取上げ次工程に移送する際に、精密な孔径および孔
間隔精度の多数個の貫通孔を有する治具板な用い、かつ
感圧接着剤の接着力を利用することによって同時に多数
個の素子片を取上げ次工程に移送することにより作業能
率を高める方法に関するものである。
半導体製品の製作において、すでに半導体素子を形成し
完全切断したシリコン等の結晶薄葉から各素子片を次工
程に移送する際に、従来は真空吸引工具などを用い工薄
葉から素子片を1個づ\取上げ移送する方法あるいはす
べての素子片すなわち半導体ベレットを適宜の方法によ
り完全に分離分散させたのち整列整送装置などを用いて
あらためて整列移送する方法などが用いられているが、
これらの方法では工程数も多く、装置も複雑となリ、移
送能率に限界があった。
完全切断したシリコン等の結晶薄葉から各素子片を次工
程に移送する際に、従来は真空吸引工具などを用い工薄
葉から素子片を1個づ\取上げ移送する方法あるいはす
べての素子片すなわち半導体ベレットを適宜の方法によ
り完全に分離分散させたのち整列整送装置などを用いて
あらためて整列移送する方法などが用いられているが、
これらの方法では工程数も多く、装置も複雑となリ、移
送能率に限界があった。
本発明はこれらの欠点な除き、同時に多数個の素子片な
取上げ移送することにより移送能率を格段に向上させる
ことのできる方法を提供するものであり、以下図面につ
き本発明実施の具体例について説明する。第1図(al
、 (blは本発明の第1の具体例の構成を示すもので
あり、1はすでに半導体素子を形成し完全切断したシリ
コン等の結晶薄葉(半導体ウェハー)、2はそれぞれの
半導体素子片、3は接着剤層4な介して上記薄葉を保持
する支持体、5は位置決めのための貫通孔、6は上記薄
葉の素子片の位置に正確に対応し素子片間隔のn倍の間
隔で精密に設けた貫通孔7を有し、かつ薄葉の位置決め
孔5に対応し正確に位置決めを行うための位置決め貫通
孔8を有する例えばステンレス板などからなる治具板、
9は感圧接着剤、10は治具貫通孔7を通して突出させ
た感圧接着剤層、11は感圧接着剤9に対して剥離性を
示す表面を有する基材を示す。なお、上記治具板の貫通
孔7は結晶薄葉1の素子形成面積とはソ同一の面積にわ
たり治具板上に分布させて設ける。まず治具板6を感圧
接着剤剥離性面を対向面として基材11と密着固定し、
湾曲などの変形の起らないよう適宜の手段で保持したの
ち通常のスクリーン印刷においてメツシュスクリーンを
通して印刷インクを印刷する方法と同様の手法により治
具板6の基材11対向面と反対の側から感圧接着剤9を
治具板の貫通孔7を通して圧入し、基材11な取除けば
治具板上に精密な間隔を保った感圧接着剤ml O&得
る。次に、上記のようにして得た感圧接着剤層を有する
治具板を、必要に応じ℃冷却あるいは乾燥操作を加えた
のち、感圧接着剤層10を対向面として位置決め孔5お
よび8を用いて感圧接着剤層と結晶薄葉上の素子片2と
を正確に対応させ結晶薄葉に圧着することにより感圧接
着剤層10は素子片2に接着する。こ\で感圧接着剤の
凝集力および感圧接着剤層10と素子片2との間の接着
力が素子片2と支持体3との間の接着力よりも充分大き
い感圧接着剤9を選ぶことによって治具板6な薄葉1か
ら引離ずことにより結晶薄葉上の素子総数のは’i 1
7 n 2に相当する素子片を治具板6上に同時に高精
匪に取上げ次の工程に移送することができる。
取上げ移送することにより移送能率を格段に向上させる
ことのできる方法を提供するものであり、以下図面につ
き本発明実施の具体例について説明する。第1図(al
、 (blは本発明の第1の具体例の構成を示すもので
あり、1はすでに半導体素子を形成し完全切断したシリ
コン等の結晶薄葉(半導体ウェハー)、2はそれぞれの
半導体素子片、3は接着剤層4な介して上記薄葉を保持
する支持体、5は位置決めのための貫通孔、6は上記薄
葉の素子片の位置に正確に対応し素子片間隔のn倍の間
隔で精密に設けた貫通孔7を有し、かつ薄葉の位置決め
孔5に対応し正確に位置決めを行うための位置決め貫通
孔8を有する例えばステンレス板などからなる治具板、
9は感圧接着剤、10は治具貫通孔7を通して突出させ
た感圧接着剤層、11は感圧接着剤9に対して剥離性を
示す表面を有する基材を示す。なお、上記治具板の貫通
孔7は結晶薄葉1の素子形成面積とはソ同一の面積にわ
たり治具板上に分布させて設ける。まず治具板6を感圧
接着剤剥離性面を対向面として基材11と密着固定し、
湾曲などの変形の起らないよう適宜の手段で保持したの
ち通常のスクリーン印刷においてメツシュスクリーンを
通して印刷インクを印刷する方法と同様の手法により治
具板6の基材11対向面と反対の側から感圧接着剤9を
治具板の貫通孔7を通して圧入し、基材11な取除けば
治具板上に精密な間隔を保った感圧接着剤ml O&得
る。次に、上記のようにして得た感圧接着剤層を有する
治具板を、必要に応じ℃冷却あるいは乾燥操作を加えた
のち、感圧接着剤層10を対向面として位置決め孔5お
よび8を用いて感圧接着剤層と結晶薄葉上の素子片2と
を正確に対応させ結晶薄葉に圧着することにより感圧接
着剤層10は素子片2に接着する。こ\で感圧接着剤の
凝集力および感圧接着剤層10と素子片2との間の接着
力が素子片2と支持体3との間の接着力よりも充分大き
い感圧接着剤9を選ぶことによって治具板6な薄葉1か
ら引離ずことにより結晶薄葉上の素子総数のは’i 1
7 n 2に相当する素子片を治具板6上に同時に高精
匪に取上げ次の工程に移送することができる。
次に第2の具体例について説明する。第2図(al〜(
diにおいて1から11までは第1図と同一の内容を示
し、12は位置合せ孔13を有する例えばステンレス板
などの基板、14は感圧性接着剤、15は基板12上に
間隔を保つ1作成した感圧接着剤層を示す。まず位置合
せ孔8および13を用いて治具板6と基板12との位置
合せを行い密着固定せしめたのち第1の具体例の場合と
同様に通常のスクリーン印刷においてメツシュスクリー
ンを通して印刷インクを印刷すると同様の手法によって
治具板6の基板12に対向する面と反対の側から感圧接
着剤14を貫通孔7を通して圧入することにより基板1
2上に治具板6の貫通孔7に対応する位置に間隔を保っ
た感圧接着剤層15を形成させる。次いで、治具板6を
取除き、上記の感圧接着剤層15を有する基板12を、
必要に応じて冷却あるいは乾燥操作を加えたのち、感圧
接着層側な対向面として位置合せ孔13および5を用い
て、すでに半導体素子を形成し完全切断したシリコン等
の結晶薄葉1と精密に位置合せを行い、重ね合せ、圧着
する。この場合、基板12と感圧接着剤層15との間の
接着強度、感圧接着剤層15の凝集力および感圧接着剤
7815と素子片2との間の接着強度が素子片2と支持
体3との間の接着強度よりも充分大きい感圧接着剤14
を選ぶことによって、圧着後基板13を薄葉1から引離
すことにより基板12上に素子片2を保持した状態でシ
リコン薄葉上の素子総数のはr 1 / n ”に相当
する素子片を同時に取上げ次の工程に移送することがで
きる。
diにおいて1から11までは第1図と同一の内容を示
し、12は位置合せ孔13を有する例えばステンレス板
などの基板、14は感圧性接着剤、15は基板12上に
間隔を保つ1作成した感圧接着剤層を示す。まず位置合
せ孔8および13を用いて治具板6と基板12との位置
合せを行い密着固定せしめたのち第1の具体例の場合と
同様に通常のスクリーン印刷においてメツシュスクリー
ンを通して印刷インクを印刷すると同様の手法によって
治具板6の基板12に対向する面と反対の側から感圧接
着剤14を貫通孔7を通して圧入することにより基板1
2上に治具板6の貫通孔7に対応する位置に間隔を保っ
た感圧接着剤層15を形成させる。次いで、治具板6を
取除き、上記の感圧接着剤層15を有する基板12を、
必要に応じて冷却あるいは乾燥操作を加えたのち、感圧
接着層側な対向面として位置合せ孔13および5を用い
て、すでに半導体素子を形成し完全切断したシリコン等
の結晶薄葉1と精密に位置合せを行い、重ね合せ、圧着
する。この場合、基板12と感圧接着剤層15との間の
接着強度、感圧接着剤層15の凝集力および感圧接着剤
7815と素子片2との間の接着強度が素子片2と支持
体3との間の接着強度よりも充分大きい感圧接着剤14
を選ぶことによって、圧着後基板13を薄葉1から引離
すことにより基板12上に素子片2を保持した状態でシ
リコン薄葉上の素子総数のはr 1 / n ”に相当
する素子片を同時に取上げ次の工程に移送することがで
きる。
このようにして第1の具体例においても第2の具体例に
おいても1枚の治具板を用いることにより薄葉上素子総
数のはS 1 / n ”に相当する素子片を同時に取
上げることができるが、次に、例えば位置合せ孔8に対
する貫通孔7の相対位置を素子片1個分の大きさだけず
らせた治具板を用いて第1の具体例および第2の具体例
において述べたと同様の操作を行うことにより初めに取
上げたそれぞれの素子片に隣接する素子片を当初の場合
と同様薄葉上の素子総数のは”; 1 / n ”に相
当する数だけ同時に取上げることができる。同様にして
、それぞれ貫通孔7の位置をずらせたn2枚の治具を用
いるか、あるいはシリコン薄葉1を位置合せテーブルに
より貫通孔7の相対位置にズラすn2回の操作を行うこ
とにより薄葉上の素子片をはソ完全に近く取上げ移送す
ることができる。次に取り上げられた素子片を第2図(
dlの如く基体16(ハイブリッドIO用基板)上に半
田あるいはAgペースト17による同時に多数個接続す
ることもできる。なお、治具板6.基板12はその相互
間および結晶薄葉上の各素子片との関係位置精度を保つ
上で、操作の工程で遭遇する温度範囲で熱膨張係数が小
さく、できれば同一の材料な選ぶことが望ましい。
おいても1枚の治具板を用いることにより薄葉上素子総
数のはS 1 / n ”に相当する素子片を同時に取
上げることができるが、次に、例えば位置合せ孔8に対
する貫通孔7の相対位置を素子片1個分の大きさだけず
らせた治具板を用いて第1の具体例および第2の具体例
において述べたと同様の操作を行うことにより初めに取
上げたそれぞれの素子片に隣接する素子片を当初の場合
と同様薄葉上の素子総数のは”; 1 / n ”に相
当する数だけ同時に取上げることができる。同様にして
、それぞれ貫通孔7の位置をずらせたn2枚の治具を用
いるか、あるいはシリコン薄葉1を位置合せテーブルに
より貫通孔7の相対位置にズラすn2回の操作を行うこ
とにより薄葉上の素子片をはソ完全に近く取上げ移送す
ることができる。次に取り上げられた素子片を第2図(
dlの如く基体16(ハイブリッドIO用基板)上に半
田あるいはAgペースト17による同時に多数個接続す
ることもできる。なお、治具板6.基板12はその相互
間および結晶薄葉上の各素子片との関係位置精度を保つ
上で、操作の工程で遭遇する温度範囲で熱膨張係数が小
さく、できれば同一の材料な選ぶことが望ましい。
以上述べてきたようにし又、本発明の方法によれば従来
の方法による場合のような複雑な装置を用いることなく
、また工程数も少く℃すみ、移送能率を向上させること
ができる。
の方法による場合のような複雑な装置を用いることなく
、また工程数も少く℃すみ、移送能率を向上させること
ができる。
図面は本発明にかかる具体的実施例の断面図を示すもの
であり、 第1図(al、 (blは第1の具体例、第2図(a)
〜(dlは第2の具体例を示している。 1・・・すでに半導体素子を形成し、完全切断したシリ
コン等の結晶薄葉、2・・・半導体素子片、3・・・支
持体、4・・・接着剤層、訃・・位置決めのだめの貫通
孔、6・・・治具板、7・・・貫通孔、8・・・位置決
めのための貫通孔、9・・・感圧接着剤、10・・・感
圧接着剤層、11・・・基材、12・・・基板、13・
・・位置決めのための貫通孔、14・・・感圧接着剤、
15・・・感圧接着剤層、16・・・基体、17・・・
半田あるいはAgペースト。
であり、 第1図(al、 (blは第1の具体例、第2図(a)
〜(dlは第2の具体例を示している。 1・・・すでに半導体素子を形成し、完全切断したシリ
コン等の結晶薄葉、2・・・半導体素子片、3・・・支
持体、4・・・接着剤層、訃・・位置決めのだめの貫通
孔、6・・・治具板、7・・・貫通孔、8・・・位置決
めのための貫通孔、9・・・感圧接着剤、10・・・感
圧接着剤層、11・・・基材、12・・・基板、13・
・・位置決めのための貫通孔、14・・・感圧接着剤、
15・・・感圧接着剤層、16・・・基体、17・・・
半田あるいはAgペースト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体製品の製作におい又厚さ方向に精密な孔径お
よび孔間隔精度の多数個の貫通孔を有する治具板を用い
て、該孔な通して感圧接着剤を圧入し、間隔を保った感
圧接着剤層を基板に形成し、この基板を用いてすでに半
導体ベレットとして完全切断した結晶薄葉から同時に多
数個の半導体ベレットを取上げ移送する方法。 2、間隔を保った感圧接着剤層を有する治具板を、すで
に半導体ベレットとし工完全切断した結晶薄葉に直接圧
着することにより半導体ベレットを取上げることを特徴
とする特許請求範囲第1項記載の方法。 3、厚さ方向に精密な孔径および孔間隔精度の多数個の
貫通孔を有する治具板をステンレスから成る基板に密着
させ、該孔を通して感圧接着剤を圧入することにより該
基板上に間隔を保った感圧接着剤層を形成し、治具板を
取除いたのち、該基板を結晶薄葉に圧着して半導体累子
片を取上げることを特徴とする特許請求範囲第1項記載
の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57149276A JPS5940543A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 半導体ペレツト移送方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57149276A JPS5940543A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 半導体ペレツト移送方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5940543A true JPS5940543A (ja) | 1984-03-06 |
Family
ID=15471670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57149276A Pending JPS5940543A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 半導体ペレツト移送方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5940543A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0747468A (ja) * | 1993-08-09 | 1995-02-21 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 開先加工方法および装置 |
| WO2002063678A1 (en) * | 2001-02-08 | 2002-08-15 | International Business Machines Corporation | Chip transfer method and apparatus |
| KR100462194B1 (ko) * | 2002-10-04 | 2004-12-17 | 미래산업 주식회사 | 핸들러의 멀티 픽커 |
| WO2004055886A3 (en) * | 2002-12-18 | 2004-12-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Manipulation of objects with fluid droplets |
| US7295375B2 (en) | 2005-08-02 | 2007-11-13 | International Business Machines Corporation | Injection molded microlenses for optical interconnects |
| US7399421B2 (en) | 2005-08-02 | 2008-07-15 | International Business Machines Corporation | Injection molded microoptics |
| WO2010038025A3 (en) * | 2008-10-01 | 2010-06-24 | Optovate Limited | Illumination apparatus and method of manufacturing the same |
| CN111128789A (zh) * | 2018-10-31 | 2020-05-08 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 微元件的转移装置及其转移方法 |
-
1982
- 1982-08-30 JP JP57149276A patent/JPS5940543A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0747468A (ja) * | 1993-08-09 | 1995-02-21 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 開先加工方法および装置 |
| WO2002063678A1 (en) * | 2001-02-08 | 2002-08-15 | International Business Machines Corporation | Chip transfer method and apparatus |
| JP2004537158A (ja) * | 2001-02-08 | 2004-12-09 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | チップ転写方法および該装置 |
| KR100462194B1 (ko) * | 2002-10-04 | 2004-12-17 | 미래산업 주식회사 | 핸들러의 멀티 픽커 |
| CN100431130C (zh) * | 2002-12-18 | 2008-11-05 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 利用小滴流体操纵物体 |
| WO2004055886A3 (en) * | 2002-12-18 | 2004-12-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Manipulation of objects with fluid droplets |
| US7399421B2 (en) | 2005-08-02 | 2008-07-15 | International Business Machines Corporation | Injection molded microoptics |
| US9490408B2 (en) | 2005-08-02 | 2016-11-08 | International Business Machines Corporation | Injection molded microoptics |
| US7295375B2 (en) | 2005-08-02 | 2007-11-13 | International Business Machines Corporation | Injection molded microlenses for optical interconnects |
| US7808709B2 (en) | 2005-08-02 | 2010-10-05 | International Business Machines Corporation | Injection molded microlenses for optical interconnects |
| US10833120B2 (en) | 2005-08-02 | 2020-11-10 | International Business Machines Corporation | Injection molded microoptics |
| US8162656B2 (en) | 2005-08-02 | 2012-04-24 | International Business Machines Corporation | Injection molded microlenses for optical interconnects |
| US10490594B2 (en) | 2005-08-02 | 2019-11-26 | International Business Machines Corporation | Injection molded microoptics |
| WO2010038025A3 (en) * | 2008-10-01 | 2010-06-24 | Optovate Limited | Illumination apparatus and method of manufacturing the same |
| US8985810B2 (en) | 2008-10-01 | 2015-03-24 | Optovate Limited | Illumination apparatus |
| CN102171503A (zh) * | 2008-10-01 | 2011-08-31 | 奥普托维特有限公司 | 照明设备及其制造方法 |
| CN111128789A (zh) * | 2018-10-31 | 2020-05-08 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 微元件的转移装置及其转移方法 |
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