JPS5940581A - 表示パネル用半導体装置 - Google Patents

表示パネル用半導体装置

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Publication number
JPS5940581A
JPS5940581A JP57150538A JP15053882A JPS5940581A JP S5940581 A JPS5940581 A JP S5940581A JP 57150538 A JP57150538 A JP 57150538A JP 15053882 A JP15053882 A JP 15053882A JP S5940581 A JPS5940581 A JP S5940581A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
display panel
film
gate
electrode
Prior art date
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Pending
Application number
JP57150538A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Kawaguchi
浩 川口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP57150538A priority Critical patent/JPS5940581A/ja
Publication of JPS5940581A publication Critical patent/JPS5940581A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は液晶表示パネル用ＭＯ３型電界効果素子に関す
る。
従来の液晶表示パネル用ＭＯ９型電界効果素子の断面図
を第１図に示す。
１は石英又はガラス基板、２はアモル７アスノリコンソ
ース、ドレイン拡散層（Ｎ型）、３はＰ型アモルファス
シリコン層、４はゲート酸化膜、５はゲート電極、６は
ソース電極配線、７はドレイン電極配線である。
従来の素子は、上記構造より、光リーク電流の減少及び
低しきい値電圧の形成が非常に困斧である。
本発明はかかる欠点を改善したもので、高コントラスト
の液晶表示パネルを提供せんとするものである。
本発明の断面図を第２図に示す。
１は石英基板又はガラス基板、２はアモルファスシリコ
ン、ソース、ドレインＮ　型拡散Ｍ　、３　ハｐ　型ア
モルファスシリコンＷＪ、４　、８ｋｉケ−）酸化膜、
５，９はゲート電極、６はソース電極配線、７は１゛レ
イン電極配線である。
５．９のゲート電極は、ポリシリコン又は光反射性全層
を用いる事により、２，３で形成される拡散接合部を遮
光する事により、光リーク電流を減少させる事ができる
。
又、Ｐ型アモルファスシリコン層３の、膜厚を適当な厚
みに形成する事により、チャネル形成電位を下げる事が
可能であり、低しきい値電圧を得る事ができる。又更に
チャネル層が、上下に形成される事により、オン抵抗を
も低くする事が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の断面°図 第２図は本発明による断面図である。 １・・・石英又はガラス基板 ２・・アモルファスシリコンソース、ドレインＮ型拡散
層 ３・・・Ｐ型アモルファスシリコン層 ４．８・・・ゲート酸化膜 ５．９・・・ゲート電極 ６・・・ソース電極配線 ７・・・ドレイン電極配線 以　　上 第　　　ｌし　　　図 １σ２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 表示パネル用薄膜ＭＯ８型電界効果素子において、半導
    体表面及び裏面にゲーｔｌＫ極を構成することを特徴と
    する表示パネル用半導体装置。
JP57150538A 1982-08-30 1982-08-30 表示パネル用半導体装置 Pending JPS5940581A (ja)

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JP57150538A JPS5940581A (ja) 1982-08-30 1982-08-30 表示パネル用半導体装置

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JPS5940581A true JPS5940581A (ja) 1984-03-06

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JP (1) JPS5940581A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995022176A1 (en) * 1994-02-11 1995-08-17 Litton Systems Canada Limited Electromagnetic radiation imaging device using dual gate thin film transistors
US5962856A (en) * 1995-04-28 1999-10-05 Sunnybrook Hospital Active matrix X-ray imaging array

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995022176A1 (en) * 1994-02-11 1995-08-17 Litton Systems Canada Limited Electromagnetic radiation imaging device using dual gate thin film transistors
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