JPS5940593A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS5940593A JPS5940593A JP57152211A JP15221182A JPS5940593A JP S5940593 A JPS5940593 A JP S5940593A JP 57152211 A JP57152211 A JP 57152211A JP 15221182 A JP15221182 A JP 15221182A JP S5940593 A JPS5940593 A JP S5940593A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- photodetector
- laser chip
- laser device
- emitted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/40—Optical elements or arrangements
- H10F77/407—Optical elements or arrangements indirectly associated with the devices
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体レーザ装置の光モニター用検知器に関
するもので、さらに許述するならば光検知器の表面から
反射した光が半導体レーザチップの光出力に影響を及ぼ
さないようにした光検知器の改良に関するものである。
するもので、さらに許述するならば光検知器の表面から
反射した光が半導体レーザチップの光出力に影響を及ぼ
さないようにした光検知器の改良に関するものである。
従来よシ半導体レーザチップから放出されるレーザ光の
うち片方のレーザ光をモニター用として検知するために
光検知器が一つのパッケージ内に組込まれた半導体レー
ザ装置が知られている。
うち片方のレーザ光をモニター用として検知するために
光検知器が一つのパッケージ内に組込まれた半導体レー
ザ装置が知られている。
第１図にこの種の半導体レーザ装置の概略構成例を示し
て説明すると、この装置は光検知器（１）と半導体レー
ザチップ（２）が一つのパッケージ（図示せず）内に組
込まれていて、光検知器（１）が半導体レーザチップ（
２）の共振器の両端面（ハ）、（２ａと垂直方向すなわ
ちレーザ光（３） 、 （４Ｊの放出方向と垂直に配置
される。そして、この光検知器（１）は半導体レーザテ
ップ（２）の一方の共振器端面（ハ）から放出されてく
るレーザ光（３）を受けてその光出力を検知するものと
なっている。この場合、光検出器（１）は、一般に周知
のホトダイオードやアバランシェホトダイオード等から
なｐ〈ＰＮ接合を有する基板上にその接合を安定化する
ために表面保護膜が形成されたダイオ−トチ、ノブ構造
のものや、そのチップをガラスなどのケースにて収容し
た構造のものが使用されている。
て説明すると、この装置は光検知器（１）と半導体レー
ザチップ（２）が一つのパッケージ（図示せず）内に組
込まれていて、光検知器（１）が半導体レーザチップ（
２）の共振器の両端面（ハ）、（２ａと垂直方向すなわ
ちレーザ光（３） 、 （４Ｊの放出方向と垂直に配置
される。そして、この光検知器（１）は半導体レーザテ
ップ（２）の一方の共振器端面（ハ）から放出されてく
るレーザ光（３）を受けてその光出力を検知するものと
なっている。この場合、光検出器（１）は、一般に周知
のホトダイオードやアバランシェホトダイオード等から
なｐ〈ＰＮ接合を有する基板上にその接合を安定化する
ために表面保護膜が形成されたダイオ−トチ、ノブ構造
のものや、そのチップをガラスなどのケースにて収容し
た構造のものが使用されている。
しかし、従来用いられている光検知器（１）の表面は、
反射率が零でないため、光検知器（］）内に入射したレ
ーザ光（３）の一部が反射される。このため、この反射
したレーザ光（３）の一部は、半導体レーザチップ（２
）内に戻って光出力に変動を与えたシ、また半導体レー
ザチップ（２）の他方の共振器端面Ｃ１！４）から放出
されるレーザ光（４）と干渉して、レーザ光のファーフ
ィールドパターンに干渉模様ができたシするなどの問題
があった。
反射率が零でないため、光検知器（］）内に入射したレ
ーザ光（３）の一部が反射される。このため、この反射
したレーザ光（３）の一部は、半導体レーザチップ（２
）内に戻って光出力に変動を与えたシ、また半導体レー
ザチップ（２）の他方の共振器端面Ｃ１！４）から放出
されるレーザ光（４）と干渉して、レーザ光のファーフ
ィールドパターンに干渉模様ができたシするなどの問題
があった。
この問題点を解消するために改良された構造として、第
２図に示すように、光検知器（１）をレーザ光の放出方
向と垂直な方向から数度以上傾けたものが既に提案され
ている。このような構造によると、半導体レーザチップ
（２）の一方の共振器端面（ハ）から放出されてくるレ
ーザ光（３）のほとんどは光検知器（１）に対して斜め
に入射し、光検知器（１）の表面でさらに傾いて反射さ
れる。従って、半導体レーザチップ（２）内に戻る光量
も低減され、半導体レーザチップ（２）の共振器端面（
２４）から放出されるレーザ光（４）との干渉強度もか
なシ弱″！、シ、ファーフィールドパターンの干渉模様
も弱くなる。しかし、半導体レーザチップ（２）からの
レーザ光（３）が広い角度を持って放出されるため、半
導体レーザチップ（２）内に戻る光を零にすることはで
きない。まだ、半導体レーザチップ（２）はわずかの戻
り光でもその可干渉性がある限り敏感に反応して、光出
力やスペクトルが変動するため、第２図の構造でも、光
検知器（１）からの反射光による半導体レーザチップ（
２）への影響を皆無にすることはできない。さらには、
光検知器（１）を傾けるだめの製造工程上の煩雑さも免
れられないという欠点があった。
２図に示すように、光検知器（１）をレーザ光の放出方
向と垂直な方向から数度以上傾けたものが既に提案され
ている。このような構造によると、半導体レーザチップ
（２）の一方の共振器端面（ハ）から放出されてくるレ
ーザ光（３）のほとんどは光検知器（１）に対して斜め
に入射し、光検知器（１）の表面でさらに傾いて反射さ
れる。従って、半導体レーザチップ（２）内に戻る光量
も低減され、半導体レーザチップ（２）の共振器端面（
２４）から放出されるレーザ光（４）との干渉強度もか
なシ弱″！、シ、ファーフィールドパターンの干渉模様
も弱くなる。しかし、半導体レーザチップ（２）からの
レーザ光（３）が広い角度を持って放出されるため、半
導体レーザチップ（２）内に戻る光を零にすることはで
きない。まだ、半導体レーザチップ（２）はわずかの戻
り光でもその可干渉性がある限り敏感に反応して、光出
力やスペクトルが変動するため、第２図の構造でも、光
検知器（１）からの反射光による半導体レーザチップ（
２）への影響を皆無にすることはできない。さらには、
光検知器（１）を傾けるだめの製造工程上の煩雑さも免
れられないという欠点があった。
この発明は、以上の点に鑑みてなされたもので、光検知
器の表面に乱反射膜を施すことによシ、光検知器から反
射した光によって半導体レーザチップの光出力が影響さ
れるのを解決することができる半導体レーザ装置を提供
することを目的としたものである。
器の表面に乱反射膜を施すことによシ、光検知器から反
射した光によって半導体レーザチップの光出力が影響さ
れるのを解決することができる半導体レーザ装置を提供
することを目的としたものである。
以下、この発明を図面に基いて説明する。
第３図はこの発明による一実施例を示す半導体レーザ装
置の概略構成図である。この実施例の半導体レーザ装置
は、半導体レーザチップ（２）の一方の共振器端面（ハ
）から放出されるレーザ光（３）に対して光検知器（１
）が垂直に配置される点は第１図に示した従来のものと
同様であるが、前記光検知器（１）の表面に、光を乱反
射させるための窒化膜などからなる乱反射膜（５）が施
されている。
置の概略構成図である。この実施例の半導体レーザ装置
は、半導体レーザチップ（２）の一方の共振器端面（ハ
）から放出されるレーザ光（３）に対して光検知器（１
）が垂直に配置される点は第１図に示した従来のものと
同様であるが、前記光検知器（１）の表面に、光を乱反
射させるための窒化膜などからなる乱反射膜（５）が施
されている。
このように、光検知器（１）の表面に乱反射膜（５）を
施すことにより、半導体レーザチップ（２）の一方の共
振器端面Ｃ２３）から放出されてくるレーザ光（３）は
光検知器（１）に対してほぼ垂直に入射するが、乱反射
膜（５）を通して反射されたレーザ光は乱反射される。
施すことにより、半導体レーザチップ（２）の一方の共
振器端面Ｃ２３）から放出されてくるレーザ光（３）は
光検知器（１）に対してほぼ垂直に入射するが、乱反射
膜（５）を通して反射されたレーザ光は乱反射される。
このため、乱反射膜（５）から遠ざかるにつれて急速に
その可干渉性は失なわれる。したがって、非可干渉性と
なった反射光は半導体レーザチップ（２）内に戻っても
その光出力やスペクトルに殆んど影響を及はさない。ま
た、半導体レーザチップ（２）の他方の共振器端面（２
４）から放出されるレーザ光（４）とも干渉しないので
、ファーフィールドパターンに干渉模様も現われない。
その可干渉性は失なわれる。したがって、非可干渉性と
なった反射光は半導体レーザチップ（２）内に戻っても
その光出力やスペクトルに殆んど影響を及はさない。ま
た、半導体レーザチップ（２）の他方の共振器端面（２
４）から放出されるレーザ光（４）とも干渉しないので
、ファーフィールドパターンに干渉模様も現われない。
しかも、乱反射によって可干渉性が失なわれるのに必要
な乱反射膜（５）からの距離は０．５闘もあれば十分な
ので、半導体レーザチップ（２）と乱反射膜（５）の距
離は０．５闘程度以上あれば十分である。
な乱反射膜（５）からの距離は０．５闘もあれば十分な
ので、半導体レーザチップ（２）と乱反射膜（５）の距
離は０．５闘程度以上あれば十分である。
なお、この発明は上記実施例に限定されるものではなく
、半導体レーザチップ（２）の一方の共振器端面Ｃ２３
）から放出されるレーザ光（３）に対して光検知器（１
）を傾けて配置することができる。また、この発明は、
半導体レーザ装置の光モニター用検知器に限らず、光検
知器のみを単独で使用するものにも適用できる。すなわ
ち、光検知器の表面に乱反射膜を施して用いることがで
きる。
、半導体レーザチップ（２）の一方の共振器端面Ｃ２３
）から放出されるレーザ光（３）に対して光検知器（１
）を傾けて配置することができる。また、この発明は、
半導体レーザ装置の光モニター用検知器に限らず、光検
知器のみを単独で使用するものにも適用できる。すなわ
ち、光検知器の表面に乱反射膜を施して用いることがで
きる。
以上説明したように、この発明によれば、光検知器の表
面に乱反射膜を施すことによシ、この光検知器からの反
射光による半導体レーザチップへの悪影響を取り除くこ
とができる。しかも、半導体レーザチップと光検知器の
距離を短かくできるので、その位置関係の余裕度を増大
させることができる効果がある。
面に乱反射膜を施すことによシ、この光検知器からの反
射光による半導体レーザチップへの悪影響を取り除くこ
とができる。しかも、半導体レーザチップと光検知器の
距離を短かくできるので、その位置関係の余裕度を増大
させることができる効果がある。
第１図および第２図は従来の半導体レーザ装置の概略構
成図、第３図はこの発明による一実施例を示す半導体レ
ーザ装置の概略構成図である。 （１）・・・・光検知器、（２）・・・・半導体レーザ
チップ、（ハ）・・・・半導体レーザチップの一方の共
振器端面、（２４）・・・・半導体レーザチップの他方
の共振器端面、（５）・・・・乱反射膜。 代 理 人 葛 野 信 −第１図 ４４３− 第３図
成図、第３図はこの発明による一実施例を示す半導体レ
ーザ装置の概略構成図である。 （１）・・・・光検知器、（２）・・・・半導体レーザ
チップ、（ハ）・・・・半導体レーザチップの一方の共
振器端面、（２４）・・・・半導体レーザチップの他方
の共振器端面、（５）・・・・乱反射膜。 代 理 人 葛 野 信 −第１図 ４４３− 第３図
Claims (1)
- 半導体レーザチップと該半導体レーザチップの片方から
放出されるレーザ光を検知するように配置される光検知
器が一つのパッケージ内に組込まれた半導体レーザ装置
において、前記光検知器の表面に、前記レーザ光を乱反
射させるための乱反射膜を・施したことを特徴とする半
導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57152211A JPS5940593A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57152211A JPS5940593A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5940593A true JPS5940593A (ja) | 1984-03-06 |
Family
ID=15535493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57152211A Pending JPS5940593A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5940593A (ja) |
-
1982
- 1982-08-30 JP JP57152211A patent/JPS5940593A/ja active Pending
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