JPS6035593A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6035593A JPS6035593A JP59133164A JP13316484A JPS6035593A JP S6035593 A JPS6035593 A JP S6035593A JP 59133164 A JP59133164 A JP 59133164A JP 13316484 A JP13316484 A JP 13316484A JP S6035593 A JPS6035593 A JP S6035593A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light receiving
- laser
- receiving element
- light
- semiconductor device
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体し・−ザ、受光素子等を備えた半導体
装置の改良に関する。
装置の改良に関する。
第１図（ａ）は従来の半導体装置を示す断面略図で、４
ｂｌはそれを上側からみたものである。すなわち、図に
示すように、半導体レーザチ、プｌ、受光素子２．サブ
マウント３．ヒートシンク４．ステム又はパッケージ５
．キヤツプ６、窓ガラス７より成る半導体装置において
は、レーザのモニタ出力光を受光素子２で受けていた。
ｂｌはそれを上側からみたものである。すなわち、図に
示すように、半導体レーザチ、プｌ、受光素子２．サブ
マウント３．ヒートシンク４．ステム又はパッケージ５
．キヤツプ６、窓ガラス７より成る半導体装置において
は、レーザのモニタ出力光を受光素子２で受けていた。
このように半導体レーザの出力レベルの制御をする為に
モニタ出方光を受光する場合、そこからの反射がレーザ
素子の発振部に戻り、外部共振器を形成することになる
。そのため、温度変化、機械的寸法変動があると出力ビ
ームの遠視野像が乱れたり、発振縦単−モード、横基本
モードが一部くずれたりすることがあった。これは、特
にビデオデスク等への応用上、雑音を発生したりするの
で大きな問題となっていた。
モニタ出方光を受光する場合、そこからの反射がレーザ
素子の発振部に戻り、外部共振器を形成することになる
。そのため、温度変化、機械的寸法変動があると出力ビ
ームの遠視野像が乱れたり、発振縦単−モード、横基本
モードが一部くずれたりすることがあった。これは、特
にビデオデスク等への応用上、雑音を発生したりするの
で大きな問題となっていた。
本発明は、上記の点に着目してなされたものであり、半
導体レーザのモニタ出力光の反射にょるレーザ出力の変
動、外部光学共振器の形成などを防止するようにした半
導体装置を提供するものである。
導体レーザのモニタ出力光の反射にょるレーザ出力の変
動、外部光学共振器の形成などを防止するようにした半
導体装置を提供するものである。
上記目的を達成するために、本発明では、半導体レーザ
のモニタ出方光の主光軸に対して、受光素子の表面を、
少なくとも、主光軸を含まぬよう偏心させて設けると共
に、主光軸を含む他の非受光部分には、カーボンブラッ
ク等の反射防止光吸収体を設ける如く構成したものであ
る。
のモニタ出方光の主光軸に対して、受光素子の表面を、
少なくとも、主光軸を含まぬよう偏心させて設けると共
に、主光軸を含む他の非受光部分には、カーボンブラッ
ク等の反射防止光吸収体を設ける如く構成したものであ
る。
以下、本発明を実施例を参照して説明する。
上述したように、本発明は、受光素子の表面からの反射
光がレーザのモニタ出力部に戻らないよう、レーザ出力
ビームの一部分のみを受光するよう、ビームの主光軸に
対して偏心させて受光素子を置くものである。
光がレーザのモニタ出力部に戻らないよう、レーザ出力
ビームの一部分のみを受光するよう、ビームの主光軸に
対して偏心させて受光素子を置くものである。
第２図は、本発明の一実施例を示す図である。
図に示すように、半導体レーザ素子ｌ、受光素子２、サ
ブマウント３．ヒートシンク４．ステム５を配置する例
において、レーザビームモニタ出力の主光軸ＯＯ′とし
、受光素子２の表面の点Ｐと０で決まる光軸をＯＰとす
るとき、００′とＯＦのなす角の最小値が２．５°以上
となるように受光素子２の取りつけ位置を、ステム５の
表面上で、偏位させるものである。これは、ステム５の
表面とレーザチップｌの表面のなす直角度の精度、さら
には受光素子２の表面とステム５の表面のソルダーによ
る取りつけの平行度の精度などが一般的技術レベルにお
いて約±２°程度であるため。
ブマウント３．ヒートシンク４．ステム５を配置する例
において、レーザビームモニタ出力の主光軸ＯＯ′とし
、受光素子２の表面の点Ｐと０で決まる光軸をＯＰとす
るとき、００′とＯＦのなす角の最小値が２．５°以上
となるように受光素子２の取りつけ位置を、ステム５の
表面上で、偏位させるものである。これは、ステム５の
表面とレーザチップｌの表面のなす直角度の精度、さら
には受光素子２の表面とステム５の表面のソルダーによ
る取りつけの平行度の精度などが一般的技術レベルにお
いて約±２°程度であるため。
００′とＯＰのなす角度を２．５°以上になるように０
′とＰの距離をあけることにより、万一受光素子表面の
角度が、レーザチップよりに傾斜していても、モニター
出力光の反射がレーザ素子発振出力端面に戻らないよう
にしたものである。
′とＰの距離をあけることにより、万一受光素子表面の
角度が、レーザチップよりに傾斜していても、モニター
出力光の反射がレーザ素子発振出力端面に戻らないよう
にしたものである。
さらに、ステム面からの乱反射を防止するように高光吸
収体８としてカーボンブラック等をおくか、カーボンを
含む黒色塗料を塗布しておく。その範囲は、第２図に示
すようにステム面のみでもよいが、受光素子２の非受光
部分（周辺の電極部や、接合のない部分）の一部、詔よ
び放熱体４の一部表面をカバーする如く塗布してもよい
。
収体８としてカーボンブラック等をおくか、カーボンを
含む黒色塗料を塗布しておく。その範囲は、第２図に示
すようにステム面のみでもよいが、受光素子２の非受光
部分（周辺の電極部や、接合のない部分）の一部、詔よ
び放熱体４の一部表面をカバーする如く塗布してもよい
。
第３図は、本発明の他の実施例を示す図である。
レーザモニタ出力の、不使用部分のビームによる反射を
防ぐために、図に示すように、サブマウント３の上に、
高光吸収体９としてカーボンブラ。
防ぐために、図に示すように、サブマウント３の上に、
高光吸収体９としてカーボンブラ。
りを塗布し、その高さと幅により、モニタ出力ビームの
遮へい部分を、少なくとも、モニタ出力ビーム主軸を中
心とする約２．５°の部分、立体角で５０の部分をカバ
ーするように構成するものである。
遮へい部分を、少なくとも、モニタ出力ビーム主軸を中
心とする約２．５°の部分、立体角で５０の部分をカバ
ーするように構成するものである。
モニタ出力ビームの主軸部分がカットされるために、受
光素子への入力光電力は減少するが、ステム５の表面に
設けられた受光素子２と、レーザ素子ｌのモニタ出力主
光軸のなす直角度のずれが±２°以内であれば、受光素
子表面からのレーザ素子への反射戻り成分はない。なお
、図中、４はヒートシンクを示す。
光素子への入力光電力は減少するが、ステム５の表面に
設けられた受光素子２と、レーザ素子ｌのモニタ出力主
光軸のなす直角度のずれが±２°以内であれば、受光素
子表面からのレーザ素子への反射戻り成分はない。なお
、図中、４はヒートシンクを示す。
また、モニタ出力主光軸附近からの乱反射による反射戻
り成分に対して、この光吸収体９が遮断する効果がある
。なお、上記実施例で述べた高光吸収体きしては、カー
ボンチップ、カーボンブラック、黒色塗料等によるのが
適当である。
り成分に対して、この光吸収体９が遮断する効果がある
。なお、上記実施例で述べた高光吸収体きしては、カー
ボンチップ、カーボンブラック、黒色塗料等によるのが
適当である。
第１図（ａｌは、従来の半導体装置を示す断面略図。
（ｂｌはそれを上側からみた図であり、第２図および第
３図は、それぞれ本発明の一実施例を示す図である。 ｌ・・・半導体レーザ素子、２・・・受光素子、３・サ
ブマウント、４・・・ヒートシンク、５・・・ステム、
６・・・ステム又はパッケージ、７・・・窓ガラス、８
１９・・・光吸収体。 代理人弁理士 高 橋 明 夫 第１図 （良） （ｂ） 第 Ｚ 図
３図は、それぞれ本発明の一実施例を示す図である。 ｌ・・・半導体レーザ素子、２・・・受光素子、３・サ
ブマウント、４・・・ヒートシンク、５・・・ステム、
６・・・ステム又はパッケージ、７・・・窓ガラス、８
１９・・・光吸収体。 代理人弁理士 高 橋 明 夫 第１図 （良） （ｂ） 第 Ｚ 図
Claims (1)
- １、半導体レーザ、受光素子を具備した半導体装置にお
いて、前記レーザのモニタ出力光の主光軸に対して、前
記受光素子の表面を、少なくとも前記主軸を含まぬよう
に偏心させて設けると共に、前記主光軸を含む他の非受
光部分には、反射防止用光吸収体を設ける如く構成した
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59133164A JPS6035593A (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59133164A JPS6035593A (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6035593A true JPS6035593A (ja) | 1985-02-23 |
Family
ID=15098181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59133164A Pending JPS6035593A (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6035593A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5675597A (en) * | 1994-11-16 | 1997-10-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| WO2004008548A1 (ja) * | 2002-07-11 | 2004-01-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体光源装置 |
| JP2006170729A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光素子試験装置及び発光素子試験装置用光検出素子 |
-
1984
- 1984-06-29 JP JP59133164A patent/JPS6035593A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5675597A (en) * | 1994-11-16 | 1997-10-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| WO2004008548A1 (ja) * | 2002-07-11 | 2004-01-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体光源装置 |
| JP2006170729A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光素子試験装置及び発光素子試験装置用光検出素子 |
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