JPS594191A - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents
半導体レ−ザ素子Info
- Publication number
- JPS594191A JPS594191A JP11446582A JP11446582A JPS594191A JP S594191 A JPS594191 A JP S594191A JP 11446582 A JP11446582 A JP 11446582A JP 11446582 A JP11446582 A JP 11446582A JP S594191 A JPS594191 A JP S594191A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- semiconductor laser
- substrate
- active
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザ素子の寿命ね件の改良に関し、特
に活性領域にかかる応力を軽減することにより長寿命化
を達成した半導体レーザ素子に関するものである。
に活性領域にかかる応力を軽減することにより長寿命化
を達成した半導体レーザ素子に関するものである。
発振波長かｏ、ｓ）ｔｍ帯にあるＧａＡｆＡｓ 系の半
導体レーザ素子は近年急速な進歩を遂げ、室温に於いて
１０６時間を越える推定寿命が報告されるに至り、光通
信用の光源としてその実用化が促゛進されつつある。半
導体レーザ素子の長寿命化の達成は、結晶成長技術の改
善や成長系中の酸素の低減により成長結晶中の欠陥密度
を減少させ、ダークラインやダークスポット等の発生を
抑制することが可能になったこと及び共振端面をＡｆ２
Ｃ）ａ。
導体レーザ素子は近年急速な進歩を遂げ、室温に於いて
１０６時間を越える推定寿命が報告されるに至り、光通
信用の光源としてその実用化が促゛進されつつある。半
導体レーザ素子の長寿命化の達成は、結晶成長技術の改
善や成長系中の酸素の低減により成長結晶中の欠陥密度
を減少させ、ダークラインやダークスポット等の発生を
抑制することが可能になったこと及び共振端面をＡｆ２
Ｃ）ａ。
５ｉ０２，５ｉ３Ｎ１ 等の誘電体１模で保護するこ
とにより端面腐蝕を防止したことが主々成功の要因とな
っている。
とにより端面腐蝕を防止したことが主々成功の要因とな
っている。
しかしながら、発振波長か０．８／１ｍ以上の赤外レー
ザに於いては高い信頼性か確立されて因るが、発振波長
（１，８７ｍ未滴の可視光レーザ素子に関し・、′
ては赤外レーザ素子に比較して寿命が短かく、信
頼性の低い現状にある。この点に関し、結晶性に問題の
あるＴｅ又はＳｅ ドープ１１型クラツド層を活性層
形成後にエピタキシャル成長さぜることにより活性層の
結晶性を向上させ、ＧａＡｌＡｓ 系可視光レーザ素
子の信頼性を炸！的に改善する技術が本出願人により特
願昭５５−１６６１２４号及び特願昭５ｆｉ−４４７７
５号にて出願されている。この技ｔΔ）ｊを珪］いると
発振波長０．７７ノ１ｍ程度才でＩｒ、’ｉ、 （１，
８）（ｍ帯の赤外レーザと同程度の寿命４、冒〈１をイ
ｑることかできるが、０、７７ ／７ｍ未満でｒす発振
波長の短波長ｆヒにＣＰなって急激に寿命か短かくなる
傾向にある。
ザに於いては高い信頼性か確立されて因るが、発振波長
（１，８７ｍ未滴の可視光レーザ素子に関し・、′
ては赤外レーザ素子に比較して寿命が短かく、信
頼性の低い現状にある。この点に関し、結晶性に問題の
あるＴｅ又はＳｅ ドープ１１型クラツド層を活性層
形成後にエピタキシャル成長さぜることにより活性層の
結晶性を向上させ、ＧａＡｌＡｓ 系可視光レーザ素
子の信頼性を炸！的に改善する技術が本出願人により特
願昭５５−１６６１２４号及び特願昭５ｆｉ−４４７７
５号にて出願されている。この技ｔΔ）ｊを珪］いると
発振波長０．７７ノ１ｍ程度才でＩｒ、’ｉ、 （１，
８）（ｍ帯の赤外レーザと同程度の寿命４、冒〈１をイ
ｑることかできるが、０、７７ ／７ｍ未満でｒす発振
波長の短波長ｆヒにＣＰなって急激に寿命か短かくなる
傾向にある。
一般Ｋ Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ 系のダブルへテロ
構造レーザに於いてＶｌ、Ｇ ２＋ Ａ ｓ 基板と
各成長層の格−ト定数は成長温度である８ （１（１℃
、ｌ）細針で（ξＪはぼ一致しているが、Ｇａｌ〜ｘＡ
ＬＸＡｓ の熱膨張係数がＡｌ混晶比Ｘによ一部て異な
るため、室温でに１格子定数か友きく相別する。この結
果、室温においては活性層に友きな応力か加えられるこ
とになる。通常一般の゛１４導体レーザｉ７１基本的に
ｖ丁１第１図に示すように、Ｇａ Ａ ｓ ノ古イ反
１」二にＧａｌ −ｙＡｌｙＡｓ クラッド層２、Ｇ
；ｉ ＋ ｘ Ａ （！ ｘ Ａ ｓ 活性層３
゜Ｇａｌ−ｙＡ／ｙＡｓ クラッド層４ 、 ＧａＡ
ｓキャップ層５を順次重畳してエビタＡ−シャル成長さ
せた構造を有している。各層の厚みをＧ ａ Ａ ｓ
基板］（月）ノ１ｍ 、活’ｆ４＝層０１ノ’ ｍ
＋クラッド層及びキへ・・ノブ層１ハ］］として、８０
Ｆｌ”Ｃかも２０”Ｃへの温度降下に」：る応力ｔ
Ｒ１１″）する。活性層３とクラッド層２゜４のＡｆ社
’Ｌ＋ｉ８！１１１：戸１ｔ△ｘ ’＝’ ｙ−ｘを０
３と一定にして、活＋′Ｌ層３のＡｌｙｌｔｉ晶１．ｆ
Ｚｘ ｅ−変化させた時の？１万１ノ１、層：３ Ｋか
かる請・ツノの刷′Ｇ仝（１ｎη・第２図に示す。
構造レーザに於いてＶｌ、Ｇ ２＋ Ａ ｓ 基板と
各成長層の格−ト定数は成長温度である８ （１（１℃
、ｌ）細針で（ξＪはぼ一致しているが、Ｇａｌ〜ｘＡ
ＬＸＡｓ の熱膨張係数がＡｌ混晶比Ｘによ一部て異な
るため、室温でに１格子定数か友きく相別する。この結
果、室温においては活性層に友きな応力か加えられるこ
とになる。通常一般の゛１４導体レーザｉ７１基本的に
ｖ丁１第１図に示すように、Ｇａ Ａ ｓ ノ古イ反
１」二にＧａｌ −ｙＡｌｙＡｓ クラッド層２、Ｇ
；ｉ ＋ ｘ Ａ （！ ｘ Ａ ｓ 活性層３
゜Ｇａｌ−ｙＡ／ｙＡｓ クラッド層４ 、 ＧａＡ
ｓキャップ層５を順次重畳してエビタＡ−シャル成長さ
せた構造を有している。各層の厚みをＧ ａ Ａ ｓ
基板］（月）ノ１ｍ 、活’ｆ４＝層０１ノ’ ｍ
＋クラッド層及びキへ・・ノブ層１ハ］］として、８０
Ｆｌ”Ｃかも２０”Ｃへの温度降下に」：る応力ｔ
Ｒ１１″）する。活性層３とクラッド層２゜４のＡｆ社
’Ｌ＋ｉ８！１１１：戸１ｔ△ｘ ’＝’ ｙ−ｘを０
３と一定にして、活＋′Ｌ層３のＡｌｙｌｔｉ晶１．ｆ
Ｚｘ ｅ−変化させた時の？１万１ノ１、層：３ Ｋか
かる請・ツノの刷′Ｇ仝（１ｎη・第２図に示す。
ｘ＝−０から０． （＋ ２ ’４でＣ；１引ッ張り応
力σ・１・でＸの１ｆｉ加とともに減少Ｊ−るか、Ｘか
約００２以上では圧縮Ｍ−＞ 、’、）、−Ｊ （＋
１１．１．：ろ：す、Ｘの増加とともに大きくなる。発
１１１（波１．４ｏ７７Ｉ〕１ｍのｘ ＝ （１，２で
は２ Ｘ ］、 ０ ’ ｃＩｙｎｔ：％／ｌｄ
以」二の１１ミ縮応力がかか−３でいる。この、ｔう／
γＬｒ≦力けＴ Ｅ ｌ’： Ｅ、ジャーナルオン゛・
カンタム・エレクｊ・ロニクス、Ｖｏｌ。
力σ・１・でＸの１ｆｉ加とともに減少Ｊ−るか、Ｘか
約００２以上では圧縮Ｍ−＞ 、’、）、−Ｊ （＋
１１．１．：ろ：す、Ｘの増加とともに大きくなる。発
１１１（波１．４ｏ７７Ｉ〕１ｍのｘ ＝ （１，２で
は２ Ｘ ］、 ０ ’ ｃＩｙｎｔ：％／ｌｄ
以」二の１１ミ縮応力がかか−３でいる。この、ｔう／
γＬｒ≦力けＴ Ｅ ｌ’： Ｅ、ジャーナルオン゛・
カンタム・エレクｊ・ロニクス、Ｖｏｌ。
ＱＥ−１７，Ｎｏ５．ｐｐ・７６３（１，９８１）にて
報告されているように、Ｇ ａ Ａ （！ Ａ Ｓ系町
視光゛１′導体レーザの劣化の一因と考えられる。これ
以外にも実１祭には卯、；（図に示すようにレーザ素子
８ｆｑｌヒートソンク６上にろうイ’Ａ’ ７を用いて
マウントされているため、マウ／１・時の温度から室温
−までの温度１イ１ζに伴い、レーザ素子８とヒートシ
ンクきな応力か加わっている。例えばヒーＩ・シンクロ
として１＝１−厚の銅を用層た場合、銅の熱膨す１錫係
数］、７Ｘ１．０’ とＧａＡ ３ の熱膨張係数
に９×１０−〇 とのｊ４μいにより、１５０℃程度の
温度降ドによってもレーザ素子のビー１−シンク側の面
には約１０＋ｄｙｎｅｓ／ｃｄと前述のレーザ１子８１
自体に」：るものより大きな圧縮応力がかかる。ろうイ
」７としてＩｎを用いるとＩｎの塑性変形により応力が
一部緩和されるが、１０８ｄｙｎｅｓ／ｉまでドげるこ
とは容易では−なり０一方、実際に銅ヒートシンクとＩ
ｎろう材を用いてマウントしたレーザ素子の応力を、光
弾性測定したところ、マウント面から離れるほど応力が
減少することか判明した。
報告されているように、Ｇ ａ Ａ （！ Ａ Ｓ系町
視光゛１′導体レーザの劣化の一因と考えられる。これ
以外にも実１祭には卯、；（図に示すようにレーザ素子
８ｆｑｌヒートソンク６上にろうイ’Ａ’ ７を用いて
マウントされているため、マウ／１・時の温度から室温
−までの温度１イ１ζに伴い、レーザ素子８とヒートシ
ンクきな応力か加わっている。例えばヒーＩ・シンクロ
として１＝１−厚の銅を用層た場合、銅の熱膨す１錫係
数］、７Ｘ１．０’ とＧａＡ ３ の熱膨張係数
に９×１０−〇 とのｊ４μいにより、１５０℃程度の
温度降ドによってもレーザ素子のビー１−シンク側の面
には約１０＋ｄｙｎｅｓ／ｃｄと前述のレーザ１子８１
自体に」：るものより大きな圧縮応力がかかる。ろうイ
」７としてＩｎを用いるとＩｎの塑性変形により応力が
一部緩和されるが、１０８ｄｙｎｅｓ／ｉまでドげるこ
とは容易では−なり０一方、実際に銅ヒートシンクとＩ
ｎろう材を用いてマウントしたレーザ素子の応力を、光
弾性測定したところ、マウント面から離れるほど応力が
減少することか判明した。
捷だ、マウント面の反対側の而においてもＬｔ； 力の
増大が観測された。後者は、レーザ素子がマウント面近
くではヒートシンクに圧縮応力が加わって因るが、レー
ザ素子自身の変形により、反対側でｄ、引っ張り応力か
かかつているためと考えられる。マウｉ＜ ｌ−Ｌない
場合には、応力は観、測できなか−）だことから、マウ
ントにょる応力は極ぬて大きいことが確認さノ１．た。
増大が観測された。後者は、レーザ素子がマウント面近
くではヒートシンクに圧縮応力が加わって因るが、レー
ザ素子自身の変形により、反対側でｄ、引っ張り応力か
かかつているためと考えられる。マウｉ＜ ｌ−Ｌない
場合には、応力は観、測できなか−）だことから、マウ
ントにょる応力は極ぬて大きいことが確認さノ１．た。
本発明ｉｔ上述の問題点に鑑み、マウントにょる応力の
影響を低減することにより、０．７７ ）ｉｍ以［の短
肢畏饋域でも長）Ｉ命を有する新規有用な１′。
影響を低減することにより、０．７７ ）ｉｍ以［の短
肢畏饋域でも長）Ｉ命を有する新規有用な１′。
導体レーザ〃子を提供することを目的とするものである
。
。
本発明は上記目的を達成するために、活性層を歪か集積
されるマウント面及びそれに対向する面より１０ノｉ
ｒＴ１以上離して、マウントに」：る応力の低減さノ′
ｔだ領域に形成したことを特徴とする。
されるマウント面及びそれに対向する面より１０ノｉ
ｒＴ１以上離して、マウントに」：る応力の低減さノ′
ｔだ領域に形成したことを特徴とする。
以ド、本発明を実施例に従って図面を参照しながら詳説
する。
する。
第４図は本発明の一実施例を示す半導体レーデ素子の断
面構成図である。
面構成図である。
ｐ型ＧａハＳ 基板１に電流狭雫用ストライブ構造を形
成するためにｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ の電流制限層９か
成４２されプこ後コーツチングにより電流制限層９表向
よりＧ ：ＩＡ ｓ ノ＋！１ｇｚに達する７字形溝
１ （ｌか加−［−されて＋？ｒる・ その後・ＰバリＧａ ｏ、４ｈ Ａｅ １１．５６ＡＳ
クラ・７１層２、Ｇａ ｏ、ｇＡｌ Ｏ，２ＡＳ ｌ
＋’ｉイ／１層３．ｎ型に；ＩＱ、４４八ｅ ｔ＋、ｓ
ｆ１Ａｓクラッド層４ 、 ｎ型Ｇ ；ｌ Ａ ｓギ
ャップ層５か連続ｊ−ピタギンヤル成長法（／（ｆり順
次積層されている。
成するためにｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ の電流制限層９か
成４２されプこ後コーツチングにより電流制限層９表向
よりＧ ：ＩＡ ｓ ノ＋！１ｇｚに達する７字形溝
１ （ｌか加−［−されて＋？ｒる・ その後・ＰバリＧａ ｏ、４ｈ Ａｅ １１．５６ＡＳ
クラ・７１層２、Ｇａ ｏ、ｇＡｌ Ｏ，２ＡＳ ｌ
＋’ｉイ／１層３．ｎ型に；ＩＱ、４４八ｅ ｔ＋、ｓ
ｆ１Ａｓクラッド層４ 、 ｎ型Ｇ ；ｌ Ａ ｓギ
ャップ層５か連続ｊ−ピタギンヤル成長法（／（ｆり順
次積層されている。
発振波長ｄ−約０７４〕ｌ １１１である。
（Ｊ ａ Ａ ｓ基４ｆ ］及０・キャップ層５にけぞ
ねぞハＰ型電碌す、 １ 、 ｎ型宙隊１２が蒸７）形
成されている。通常の半導体レーザ素子でに１５、基板
１の１９さは約１００ノｉｍ、ｎ型クラッド層４か約１
７ノｍ 。
ねぞハＰ型電碌す、 １ 、 ｎ型宙隊１２が蒸７）形
成されている。通常の半導体レーザ素子でに１５、基板
１の１９さは約１００ノｉｍ、ｎ型クラッド層４か約１
７ノｍ 。
１〕型キャップ層５０１〜３ノｚｍの犀さ［設定されて
いる。これは、素子をマウントする際（／？：、ｎ型電
ａ２ ］、 ２４−−二−トシンク側としてマウントす
るので、活（ＩＩ層とじ−トシンクとの距離をできるだ
け短かぐして、放熱を良くするためである。これに対し
て本実施例でけｌ］型キギヤノブ層厚を１０．７１ｍ以
上にと−」て、ｎ型電撒１２側を銅ヒー１−シンクＪ−
，ＫＩｎろうＡ」を用−でマウンドした。
いる。これは、素子をマウントする際（／？：、ｎ型電
ａ２ ］、 ２４−−二−トシンク側としてマウントす
るので、活（ＩＩ層とじ−トシンクとの距離をできるだ
け短かぐして、放熱を良くするためである。これに対し
て本実施例でけｌ］型キギヤノブ層厚を１０．７１ｍ以
上にと−」て、ｎ型電撒１２側を銅ヒー１−シンクＪ−
，ＫＩｎろうＡ」を用−でマウンドした。
本実施例の素子を５０℃にお−で５ ｍ Ｗ −定出力
の条件下で駆動試験を行ない、ｎ型ギャップ層厚１０
／ｉｍ以ドの素子と比較したところ、第５図（／′ｒｃ
黒丸で示すように１１型キャップ層Ｉワ１０）１ｍ以−
にで方生連１誌か１′減することかわかった。同様な月
−５ψ文るーＩ）ノも１昌１ｒ４板１１狽１１−ヒート
シンク」二にマウントＬ １．ｒ場合にも、第５図に白
丸で示すように、ｎ型キ１．ツブ層１．０ 、”ｍ以上
で、大幅な改善かみら第１／こ。−，１／ζ？ｌ’ｌＩ
１層とじ一トシンクを離間することに伴７なう放熱１１
１′の問題１ｒｊ、活性層の表面からの圧部か上ｄ１シ
実施例の程度であれば良好に維持される。
の条件下で駆動試験を行ない、ｎ型ギャップ層厚１０
／ｉｍ以ドの素子と比較したところ、第５図（／′ｒｃ
黒丸で示すように１１型キャップ層Ｉワ１０）１ｍ以−
にで方生連１誌か１′減することかわかった。同様な月
−５ψ文るーＩ）ノも１昌１ｒ４板１１狽１１−ヒート
シンク」二にマウントＬ １．ｒ場合にも、第５図に白
丸で示すように、ｎ型キ１．ツブ層１．０ 、”ｍ以上
で、大幅な改善かみら第１／こ。−，１／ζ？ｌ’ｌＩ
１層とじ一トシンクを離間することに伴７なう放熱１１
１′の問題１ｒｊ、活性層の表面からの圧部か上ｄ１シ
実施例の程度であれば良好に維持される。
上記実施例（ｔ、Ｊ発Ｉ辰９＆長０．７４．ａｍのＧａ
Ａｌ！Ａｓ系”ｌ’導体レーザについて示したか、マウ
ントにより１／−ヂ素ＹＶｃかかる応力は発振波長が変
化しても変わらないので、Δ、発明１ｔ２’、 Ｇ ａ
Ａ Ｉ Ａ ｓ 系レーザについては一般的に０１
１通用できる。寸だ、ＧａＡｌ！Ａｓ系以外の例えはＩ
ｎＧａＡｓＰ 系のＩ／−ザ素子においても適用さＪ
′１．る。さらに、本発明はレーザ素子とじ−トシンク
ｌｌＡ旧及びろう材との熱膨張係数が異なる場合の゛１
′ゾ↓体レーザ素子一般に広く応用可能である。
Ａｌ！Ａｓ系”ｌ’導体レーザについて示したか、マウ
ントにより１／−ヂ素ＹＶｃかかる応力は発振波長が変
化しても変わらないので、Δ、発明１ｔ２’、 Ｇ ａ
Ａ Ｉ Ａ ｓ 系レーザについては一般的に０１
１通用できる。寸だ、ＧａＡｌ！Ａｓ系以外の例えはＩ
ｎＧａＡｓＰ 系のＩ／−ザ素子においても適用さＪ
′１．る。さらに、本発明はレーザ素子とじ−トシンク
ｌｌＡ旧及びろう材との熱膨張係数が異なる場合の゛１
′ゾ↓体レーザ素子一般に広く応用可能である。
以」二詳説した如く、本発明は半導体レーザ放射装置に
於ける活性層の介設イ装置を制御することにより、活性
層に導入される歪を抑制し、ｆｉＩ）作ノｆ・命を改善
したものであり、可視光レーザ素子に対してその効果は
頭上である。
於ける活性層の介設イ装置を制御することにより、活性
層に導入される歪を抑制し、ｆｉＩ）作ノｆ・命を改善
したものであり、可視光レーザ素子に対してその効果は
頭上である。
第１図はダブルへテロ構造半導体レーザの基本的な断面
構成図である。 第２図は第１図に示す半導体レーザに於いて、活性層の
Ａｌ混晶比を変化させた時の、活性層（てかかる応力の
変化を示す説明図である。 第３図はレーザ素子のマウント時の構成を示す説明図で
ある。 ＠４図は本発明の一実施例を示す半導体レーザの１祈面
構成図である。 第５図は従来の！１′導体レーザと本発明の一実施例の
半導体レーザを５０”Ｃに於いて５ｍＷ一定出力で駆動
試験１．た場合の劣化速度の比較を示す説明図である。 １・・・ＧａＡｓ基板、 ２・・・クラッド層、
３ 活性層、 ４・・クラッド層、 ５・・Ｇ ａ
Ａ ｓキャップレーザ素子、 ９・・・電流制限層
、 １ｏ・・・電流通路。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）ョ古、１ｙ
６ＡＩンル晶比：Ｘ 第４図 第５図 第２図
構成図である。 第２図は第１図に示す半導体レーザに於いて、活性層の
Ａｌ混晶比を変化させた時の、活性層（てかかる応力の
変化を示す説明図である。 第３図はレーザ素子のマウント時の構成を示す説明図で
ある。 ＠４図は本発明の一実施例を示す半導体レーザの１祈面
構成図である。 第５図は従来の！１′導体レーザと本発明の一実施例の
半導体レーザを５０”Ｃに於いて５ｍＷ一定出力で駆動
試験１．た場合の劣化速度の比較を示す説明図である。 １・・・ＧａＡｓ基板、 ２・・・クラッド層、
３ 活性層、 ４・・クラッド層、 ５・・Ｇ ａ
Ａ ｓキャップレーザ素子、 ９・・・電流制限層
、 １ｏ・・・電流通路。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）ョ古、１ｙ
６ＡＩンル晶比：Ｘ 第４図 第５図 第２図
Claims (1)
- １、活性領域を半導体レーザのマウント面およびこれに
対向する面のいずれの面からも１０ ／ｉ１１’１以上
の圧部をおいて形成したことを特徴とする半導体レーザ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11446582A JPS594191A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 半導体レ−ザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11446582A JPS594191A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 半導体レ−ザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS594191A true JPS594191A (ja) | 1984-01-10 |
Family
ID=14638413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11446582A Pending JPS594191A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 半導体レ−ザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS594191A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61121977U (ja) * | 1985-01-16 | 1986-08-01 |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP11446582A patent/JPS594191A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61121977U (ja) * | 1985-01-16 | 1986-08-01 |
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