JPS5942197A - 半田 - Google Patents

半田

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Publication number
JPS5942197A
JPS5942197A JP15321182A JP15321182A JPS5942197A JP S5942197 A JPS5942197 A JP S5942197A JP 15321182 A JP15321182 A JP 15321182A JP 15321182 A JP15321182 A JP 15321182A JP S5942197 A JPS5942197 A JP S5942197A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solder
aluminum
electrode
soldering
alloy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15321182A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeaki Tomonari
恵昭 友成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP15321182A priority Critical patent/JPS5942197A/ja
Publication of JPS5942197A publication Critical patent/JPS5942197A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400°C
    • B23K35/262—Sn as the principal constituent

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は電極をアルミニラＬ　７７ｇ着法により形成
した太陽電池等半導体の電極の半田付を行うのに使用す
る半田を提供せんとする。
〔２〕　　従来の欠点 第１図に示すのは太陽電池の断面図であるが、Ｐ型のシ
リコン基板（１）の表面側にＮ型拡散層（２）を形成し
、裏面側にＰ＋層（３）を形成し、その表面及び裏面に
アルミニウム蒸着による電極［４１，（５１を形成して
いる。受光面となるＮ型拡散層（２）には光の反射防止
膜（６）が設けられている。
このような大腸電池において従来の錫、亜鉛半田を用い
てアルミニウムの電極（４）−ヒに半田付けを行なうと
半田（７）中にアルミニウムが拡散していき最終的には
アルミニウム電極が剥離する欠点がある。尚、かかる欠
点が生ずるのは太陽電池のみでなく、アルミニウム蒸着
により電極を形成した半導体全般についてである。
〔３〕　　発明の構成及び実施例 この発明は上記欠点を除去せんとするものであり、その
要旨とするところは、アルミニウムを含む錫、亜鉛合金
系の半田である。
即ち、製品たる錫、亜鉛合金系の半田にアルミニウムを
溶かし込んでおきこれにより半田付けの際のアルミニウ
ム拡散を防きアルミニウム電極の剥離を防止するもので
ある。
錫、亜鉛の合金系へ溶かすアルミニウムの量は飽和量ま
で溶かすとこの半田中へアルミニウムの電極が拡散する
のを完全に防止することができるのであるが、錫、亜鉛
の合金系へ溶は込むアルミニウムの量が増加すると半田
の融点も上昇する。
そして半田付けの温度が４００℃以上になると電極とし
てのアルミニウムがシリコン基板中に拡散していき太陽
電池の特性を著るしく劣化させる。
従って錫、亜鉛合金系へ溶かし込むアルミニウムの居が
重要な意味を持ち、これに関連してその使用（半田付け
）温度、さらにぼアルミニウム電極の厚みが問題となる
。
次に示すのはこの発明の好ましい一実施例である。
錫と亜鉛の重量比が４０：６０の合金系１００ｇ中にア
ルミニウムを０．５ｇ溶かし込んだ合金でなる半田を形
成し、この半田を用い厚さ１．５μの膜厚を持つアルミ
ニウムの蒸着により形成した電極に３５０℃の温度で所
要時間５秒間の半田伺けをおこなったところ、第１図の
表面側又は裏面側の全面蒸着の電極においてもスポット
蒸着の電極のいずれにおいても電極の剥離をおこすこと
なく半日］付けを行なうことができた。この実施例のよ
うにこの発明による半田は錫、亜鉛合金系へのアルミニ
ウムの溶かし込み量は錫と亜鉛の重量比４０：６０の合
金系１００ｇ中にアルミニウム０．４乃至０６ｇ前後を
溶かし込んだものが良好な性能を示す。
〔４〕　　発明の効果 上記のようにこの発明による半田は、アルミニウム合金
でなるから、従来半田付は時に溶は込み剥離するおそれ
のあったアルミニウムの蒸着電極に対しても使用ができ
るのである。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図に示すのはこの発明の一実施例を示す
断面図である。 特許出願人 松下電工株式会社 代理人弁理士　　竹　元　敏　丸 （ほか２名）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１１０，４乃至０６％のアルミニウムを溶かし込んだ
    錫、亜鉛合金で成る半田。
JP15321182A 1982-08-31 1982-08-31 半田 Pending JPS5942197A (ja)

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JP15321182A JPS5942197A (ja) 1982-08-31 1982-08-31 半田

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JPS5942197A true JPS5942197A (ja) 1984-03-08

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5143865A (en) * 1988-09-02 1992-09-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Metal bump type semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2002034969A1 (fr) * 2000-10-24 2002-05-02 Fujitsu Limited Alliage destine au brasage tendre et a des joints a brasure tendre
US6853077B2 (en) 2001-10-01 2005-02-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device, semiconductor packaging method, assembly and method for fabricating the same
WO2007029329A1 (ja) * 2005-09-09 2007-03-15 Fujitsu Limited はんだ合金、そのはんだ合金を用いた電子基板およびその製造方法

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