JPS5942976B2 - エポキシ樹脂封止電子部品の開封方法 - Google Patents

エポキシ樹脂封止電子部品の開封方法

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JPS5942976B2
JPS5942976B2 JP54071895A JP7189579A JPS5942976B2 JP S5942976 B2 JPS5942976 B2 JP S5942976B2 JP 54071895 A JP54071895 A JP 54071895A JP 7189579 A JP7189579 A JP 7189579A JP S5942976 B2 JPS5942976 B2 JP S5942976B2
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JP
Japan
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epoxy resin
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sealed
semiconductor element
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和夫 中村
謙一 山田
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はエポキシ樹脂封止電子部品の開封方法に関する
。
ＩＣ）ＬＳＩ等半導体装置、ハイブリッドＩＣＩ或いは
リード・リレー等を、エポキシ樹脂を用いてモールド封
止した電子部品が多く作られている。
上記エポキシ樹脂は非常に耐薬品性のすぐれた物質で、
これを溶解或いは分解して除去する適切な方法がなく、
そのため故障解析等の目的からエポキシ樹脂封止電子部
品の内部を調査することは非常に困難であつた。例えば
熱濃硫酸でエポキシ樹脂を分解除去する方法は、３００
〔℃〕前後の高温を必要とし、しかもアルミニウム等の
金属を腐蝕するので、内部の状態を変えることなく開封
することができない。
本発明の目的は上記問題点を除去して、内部の構成体に
影響を与えることなくエポキシ樹脂を除去する方法を提
供することにある。本発明の特徴は、エポキシ樹脂封止
電子部品を開封する際し、濃硝酸１容対濃硫酸５〜２０
容の混合液で処理する工程を含むことにある。
以下本発明の実施例を具体的に説明する。
第１の実施例として本発明の基本的な開封方法を、第１
図に示すモールド封止型ＩＣを開封する場合を例として
説明する。
同図はモールド封止型ＩＣの断面図であつて、１はステ
ージ２上に固着された半導体素子、３は半導体素子１表
面の電極（図示せず）と細線４で連結された外部リード
、５は半導体素子１等内部構成体を密封するモールド樹
脂でエポキシ樹脂よりなる。
該モールド封止型ＩＣを開封するには、例えば濃硝酸（
濃度６１〔％〕、市販品）１容と濃硫酸（濃度９７〔％
〕、市販品）１０容の混合液を６０〜１５０〔℃〕に加
熱してその中に前記ＩＣを浸漬することによりエポキシ
樹脂を除去して半導体素子１を露出せしめる。
エポキシ樹脂の除去レートは、液温が９６〔℃〕の場合
に２４〔μｍ／分〕、１１５〔℃〕の時３０〔μｍ／分
〕程度である。
このような処理によれば、アルミニウム（Ａｌ）等より
なる細線４や外部リード３を腐蝕せず、また処理温度が
比較的低温なので半導体素子１の状態を変化させること
がない。
従つて本方法は内部構成体に影響を与えることなくエポ
キシ樹脂を除去できるので内部調査の目的に照らして好
適な開封方法である。なお、濃硝酸に対する濃硫酸の量
は、濃硝酸１容に対し、濃硫酸５〜２０容とされる。濃
硝酸の量が５容未満あるいは２０容を超えると、エポキ
シ樹脂のエッチングが極めて困難となる。第２の実施例
として、エポキシ樹脂の一部を予め機械的に除去する変
形例を説明する。
本実施例においてはまず第２図ａに示すごとく、前記第
１図に示したＩＣの頂部にドリルにより内部構成体に損
傷を与えない程度の穴６をあける等、機械的にエポキシ
樹脂５を一部除去する。
次いで前記第１の実施例の処理を行い、同図ｂに示すご
とく半導体素子１が露出するまでエポキシ樹脂を除去す
る。
このようにすることにより、半導体素子１、ステージ２
、或いは外部リード３等内部構成体はエポキシ樹脂５に
より固着された状態を保持しているので、ソケツトに挿
入して電気的特性試験を行うことも可能であり、調査の
目的によつては好都合である。
第３の実施例として背面にヒートシンクが露出している
パワートランジスタ等の半導体装置或いはハイブリツド
ＩＣを開封する場合に用いて好適な変形例を説明する。
第３図ａに示すようにモールド型パワートランジスタは
半導体素子１を固着する鋼（Ｃｕ）よりなるヒートシン
ク７の背面を露出して樹脂５によりモールド封止されて
いる。
本発明にかかる濃硝酸１容と濃硫酸５〜２０容の混合液
を用いれば、半導体装置の製造に多く用いられるアルミ
ニウム（Ａ１）、鉄（Ｆｅ）、ニツケル（Ｎｉ）、クロ
ーム（Ｃｒ）合金及びシリコン（Ｓｉ）等は腐蝕され難
いが、銅（Ｃｕ）は侵される。
そこで前記銅（Ｃｕ）よりなるヒートシンクが腐蝕され
るのを防止したい場合には、第３図ｂに示すように、パ
ワートランジスタ等の試料をシリコーン樹脂８中に埋め
込み、次いでドリルにより内部構成体に損傷を与えない
程度の穴６をあける等の方法で予め機械的にシリコン樹
脂及びエポキシ樹脂を一部除去する。
しかるのち、前記第１の実施例で説明した処理を行い同
図ｃに示すように半導体素子１が露出するまでエポキシ
樹脂５を除去する。
更に電気的特性を測定するために外部リード３を露出さ
せたい場合等シリコーン樹脂８を除去することが必要な
時は、市販の除去液を用いてシリコーン樹脂８を除去し
得る。
以上説明したごとく本発明の開封方法によれば、ＩＣ，
．ＬＳＩ等半導体装置、ハイブリツドＩＣｌ或いはリー
ドリレー等をエポキシ樹脂を用いてモールド封止した電
子部品を内部構成体に損傷を与えることなく低温で、容
易に開封することが可能となり、しかも開封後電気的特
性の測定も可能である。
従つてエポキシ樹脂封止電子部品の内部調査が適確にな
り、しかも時間が短縮される。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第３図は本発明の開封調査法の第１〜第３の実
施例を示す断面図である。 １・・・・・・半導体素子、２・・・・・・ステージ、
３・・・・・・外部リード、４・・・・・・細線、５・
・・・・・エポキシ樹脂、６・・・・・・穴、７・・・
・・・ヒートシンク、８・・・・・・シリコン樹脂。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ エポキシ樹脂封止電子部品を濃硝酸１容対濃硫酸５
    〜２０容の混合液で処理する工程を含むことを特徴とす
    るエポキシ樹脂封止電子部品の開封方法。
JP54071895A 1979-06-08 1979-06-08 エポキシ樹脂封止電子部品の開封方法 Expired JPS5942976B2 (ja)

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JPS55163855A JPS55163855A (en) 1980-12-20
JPS5942976B2 true JPS5942976B2 (ja) 1984-10-18

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