JPS5943417A - 交流電力制御 - Google Patents
交流電力制御Info
- Publication number
- JPS5943417A JPS5943417A JP15209982A JP15209982A JPS5943417A JP S5943417 A JPS5943417 A JP S5943417A JP 15209982 A JP15209982 A JP 15209982A JP 15209982 A JP15209982 A JP 15209982A JP S5943417 A JPS5943417 A JP S5943417A
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- JP
- Japan
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- semiconductor
- load
- control element
- switch
- electric power
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
- H03K17/725—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for AC voltages or currents
Landscapes
- Control Of Electrical Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は商用電源と負荷間に半４体素子およびスイ・ソ
チをそう人することにより、抵抗負荷などの白熱灯の交
流電力を１；す御するものに関する。
チをそう人することにより、抵抗負荷などの白熱灯の交
流電力を１；す御するものに関する。
従来の交流電力制御は、すでに公知のように１−ライア
ツク、サイリスタ等位相制御の方法あるいは、抵抗また
はトランス等による電圧制御による方法がとられている
。これらは、いづれも多くの部品やコスト高をまねく電
力、惰気的特性においても雑音および半導体素子の発熱
など多くの欠点を有していた。
ツク、サイリスタ等位相制御の方法あるいは、抵抗また
はトランス等による電圧制御による方法がとられている
。これらは、いづれも多くの部品やコスト高をまねく電
力、惰気的特性においても雑音および半導体素子の発熱
など多くの欠点を有していた。
本発明は、かかる欠点をなくし制御に要する電力消費の
減少、波形ひずみや雑音の皆無によって抵抗負荷の交流
電力制御をするものである。
減少、波形ひずみや雑音の皆無によって抵抗負荷の交流
電力制御をするものである。
次に本発明の１実施例について説明する。
第１図は、本発明の基本回路図で、（Ｒ）および（Ｎ）
は商用電源を示し、負荷（１）と直列に切替スイッチ（
３）を介して半４体整流素子（２）または導線（８）が
並列接続されて回路を形成している。
は商用電源を示し、負荷（１）と直列に切替スイッチ（
３）を介して半４体整流素子（２）または導線（８）が
並列接続されて回路を形成している。
次に第１図の回路動作について説明すると、切替スイッ
チ（３）が接点（ａ）側ならば、半導体整流素子を介し
て、負荷（１）に半波電力が供給される。つまり電力の
５０％が供給され、例えば白熱灯の場合、照度が５０％
以下に調光される。またヒーターなどの場合、熱量が５
０９６以下に調熱されて電力が制御されている。次に切
替スイッチ（３）の接点（ａ）側から接点（ａ’）側に
切替えられると負荷（１）に対して導通状態となり、全
電力が負荷（１）に対して供給されることになる。つま
り要約すれば切替スイッチ（３）の接点移動により、全
電力供給あるいは、５０％電力供給を制御することにな
る。
チ（３）が接点（ａ）側ならば、半導体整流素子を介し
て、負荷（１）に半波電力が供給される。つまり電力の
５０％が供給され、例えば白熱灯の場合、照度が５０％
以下に調光される。またヒーターなどの場合、熱量が５
０９６以下に調熱されて電力が制御されている。次に切
替スイッチ（３）の接点（ａ）側から接点（ａ’）側に
切替えられると負荷（１）に対して導通状態となり、全
電力が負荷（１）に対して供給されることになる。つま
り要約すれば切替スイッチ（３）の接点移動により、全
電力供給あるいは、５０％電力供給を制御することにな
る。
第２図は、第１図の接点形式の基本回路であって、第２
図（ａ）は半導体整流素子と並列に切替スイッチをそう
人させ、切替スイッチＯＮ時に全電力供給をなし、切苔
スイッチＯＦＦ時に半波電力供給をなす。
図（ａ）は半導体整流素子と並列に切替スイッチをそう
人させ、切替スイッチＯＮ時に全電力供給をなし、切苔
スイッチＯＦＦ時に半波電力供給をなす。
第２１Ｍ（ｈ）は、第１図の接点（ａ） （ａつにさら
に無導通接点を白゛したものであり、電力制御の範囲は
、零電力、半波電力、全電力の３段階を制御するように
したものであって、切替スイッチの接点形式において、
揮々制御されることを示し、侮辱本発明を制約するもの
ではない。
に無導通接点を白゛したものであり、電力制御の範囲は
、零電力、半波電力、全電力の３段階を制御するように
したものであって、切替スイッチの接点形式において、
揮々制御されることを示し、侮辱本発明を制約するもの
ではない。
次に第３図について説明すれば、第１図を応用した回路
であって（Ｒ）および（Ｎ）は商用電源を示し、主交流
電力制御ラインは、トライアックあるいはサイリスタ等
の半導体位相制御素子（５）と負荷（１）が１−１列形
成されてなり、半導体位相制御素子（５）と並列にトリ
ガ回路が形成されている。前記トリガ回路は半導体位相
制御素子（５）のゲー１−に直接に制御抵抗（６）およ
び半導体整流素子（７）と切替スイッチ（３′）が接続
されている。また本回路においても、第２図と同様に前
記切替スイッチ（３′）の接点形式を選定して種々制御
することは言うまでもない。
であって（Ｒ）および（Ｎ）は商用電源を示し、主交流
電力制御ラインは、トライアックあるいはサイリスタ等
の半導体位相制御素子（５）と負荷（１）が１−１列形
成されてなり、半導体位相制御素子（５）と並列にトリ
ガ回路が形成されている。前記トリガ回路は半導体位相
制御素子（５）のゲー１−に直接に制御抵抗（６）およ
び半導体整流素子（７）と切替スイッチ（３′）が接続
されている。また本回路においても、第２図と同様に前
記切替スイッチ（３′）の接点形式を選定して種々制御
することは言うまでもない。
次に動作について説明すれば、切替スイッチ（３゛）が
ＯＦＦ時において、半導体位相制御素子（５）のゲー１
−には、トリガ信号が入らないため、半導体位相制御素
子（５）はＯＮせずにＯＦＦ次態を示し、負荷（１）に
電力供給がなされない。次に切替スイッチ（３つが０８
時において、半導体位相制御素子（５）のゲー１−には
半導体整流素子（７）および制御抵抗（６）を介して半
波電圧がトリガされ、半導体位相制御素子（５）は半波
電圧時のみＯＮされて、負荷（１）に電力制御がなされ
ることになる。この時前記半導体位相制御素子（５）は
双方向性の特性を有するトライアック等の場合は、半導
体整流素子（７）を有する要があるが、シリコン整流制
御素子のような特性を何するサイリスタなどの場合は、
半導体整流素子（７）は屯なる導通線であってよいこと
になる。つまり要約すれば一４′、環体位相制御素子（
５）の０８時に半ｍＭ御することにより交流電力制御を
するものである。
ＯＦＦ時において、半導体位相制御素子（５）のゲー１
−には、トリガ信号が入らないため、半導体位相制御素
子（５）はＯＮせずにＯＦＦ次態を示し、負荷（１）に
電力供給がなされない。次に切替スイッチ（３つが０８
時において、半導体位相制御素子（５）のゲー１−には
半導体整流素子（７）および制御抵抗（６）を介して半
波電圧がトリガされ、半導体位相制御素子（５）は半波
電圧時のみＯＮされて、負荷（１）に電力制御がなされ
ることになる。この時前記半導体位相制御素子（５）は
双方向性の特性を有するトライアック等の場合は、半導
体整流素子（７）を有する要があるが、シリコン整流制
御素子のような特性を何するサイリスタなどの場合は、
半導体整流素子（７）は屯なる導通線であってよいこと
になる。つまり要約すれば一４′、環体位相制御素子（
５）の０８時に半ｍＭ御することにより交流電力制御を
するものである。
本発明は上述したごとく、半導体素子による、半波制御
および有接点による電力制御選択によって制御されてい
るため、波形ひずみや雑音の発生が全くないなどの利点
を有し、また位相制御なしに電力供給するため、白熱灯
やヒーター等の寿命を長くさせる一方、白熱灯のチラッ
キを減少している。半波制御するだめのスイッチ動作に
おいても、ノイズの発生がなく、部品点数は他の方法る
こ化し、すこぶる少なく、構造的、経済的に有利な方法
を提供するものである。
および有接点による電力制御選択によって制御されてい
るため、波形ひずみや雑音の発生が全くないなどの利点
を有し、また位相制御なしに電力供給するため、白熱灯
やヒーター等の寿命を長くさせる一方、白熱灯のチラッ
キを減少している。半波制御するだめのスイッチ動作に
おいても、ノイズの発生がなく、部品点数は他の方法る
こ化し、すこぶる少なく、構造的、経済的に有利な方法
を提供するものである。
第１図は、本実施例による基本回路図、第２図は接点方
式を示す基本回路図、第３図は第１図、第２図の応用実
施例である。 Ｒ，Ｎ・・・・・商用電源 ２．７・・・・・半導体
整流素子３．３′・・・・・切替スイッチ３ａ・３ａ’
・・・・・接点５・・・・・半導体位相制御素子 ６・・・・・制御抵抗 ８・・・・・導線第 １
図 （ａ） （ｂ） ” 第 ２ 図 第３図
式を示す基本回路図、第３図は第１図、第２図の応用実
施例である。 Ｒ，Ｎ・・・・・商用電源 ２．７・・・・・半導体
整流素子３．３′・・・・・切替スイッチ３ａ・３ａ’
・・・・・接点５・・・・・半導体位相制御素子 ６・・・・・制御抵抗 ８・・・・・導線第 １
図 （ａ） （ｂ） ” 第 ２ 図 第３図
Claims (1)
- 商用電源に対し、！ｌ″導体整流素子あるいは、半導体
スイッチと負荷が直列接続されてなり、曲記半埠体整流
素子Ｊ）るいは半導体スイッチに何接点スイッヂを具備
してスイッチング劇作させ、負荷に全波、半波の電力を
供給することを特徴とする交流電力制御。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15209982A JPS5943417A (ja) | 1982-09-01 | 1982-09-01 | 交流電力制御 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15209982A JPS5943417A (ja) | 1982-09-01 | 1982-09-01 | 交流電力制御 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5943417A true JPS5943417A (ja) | 1984-03-10 |
Family
ID=15533023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15209982A Pending JPS5943417A (ja) | 1982-09-01 | 1982-09-01 | 交流電力制御 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5943417A (ja) |
-
1982
- 1982-09-01 JP JP15209982A patent/JPS5943417A/ja active Pending
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