JPS594366B2 - 高圧高温印加によるテルロ・ニツケル・フエライト（ＮｉＦｅ↓２Ｔｅ↓４）の製造方法 - Google Patents
高圧高温印加によるテルロ・ニツケル・フエライト（ＮｉＦｅ↓２Ｔｅ↓４）の製造方法Info
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- JPS594366B2 JPS594366B2 JP54094820A JP9482079A JPS594366B2 JP S594366 B2 JPS594366 B2 JP S594366B2 JP 54094820 A JP54094820 A JP 54094820A JP 9482079 A JP9482079 A JP 9482079A JP S594366 B2 JPS594366 B2 JP S594366B2
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はテルロ・ニッケル・フェライト
（ＮｉＦｅ２Ｔｅ４）゛の製造方法に関するものである
。
。
テルロ・ニッケル・フェライトは新規物質で、半導体変
換素子としての用途が考えられる。従来半導体変換素子
としては、光電素子、磁電素子、圧電素子、熱電素子、
感応素子、放射線素子が現実に利用されており、この新
規物質は光導電セル、光増幅器、半導体レーザ、超音波
変換器、超音波増幅器、赤外線検出器、熱電発電、電子
冷却素子などに利用されているカルコゲン化合物（Ｃｄ
Ｓ、ＣｄＳｅ、Ｂｉ２Ｔｅ３など）と同様に利用するこ
とができる。本発明はＮｉＦｅ２Ｔｅ４組成物のＰＴ状
態図について、鋭意研究を重ねた結果、高圧高温を同時
に印加すれば結晶構造変化をおこし、新物質のえられる
ことを見出し、本発明を完成するに至つた。
換素子としての用途が考えられる。従来半導体変換素子
としては、光電素子、磁電素子、圧電素子、熱電素子、
感応素子、放射線素子が現実に利用されており、この新
規物質は光導電セル、光増幅器、半導体レーザ、超音波
変換器、超音波増幅器、赤外線検出器、熱電発電、電子
冷却素子などに利用されているカルコゲン化合物（Ｃｄ
Ｓ、ＣｄＳｅ、Ｂｉ２Ｔｅ３など）と同様に利用するこ
とができる。本発明はＮｉＦｅ２Ｔｅ４組成物のＰＴ状
態図について、鋭意研究を重ねた結果、高圧高温を同時
に印加すれば結晶構造変化をおこし、新物質のえられる
ことを見出し、本発明を完成するに至つた。
本発明はニッケル、鉄、テルルのモル比がｌ■２：４で
ある混合物に３．５〜６．５ＧＰａの圧力と８００−１
０００℃の温度を同時に印加保持することを特徴とする
テルロ・ニッケル・フェライト（Ｎ１Ｆｅ２Ｔｅ４）の
製造方法である。１０ニッケル、鉄、テルルがｌ：２：
４モル比混合物に圧力３．５ＧＰａ以上、温度８００℃
以上を同時に印加することにより新規化合物テルロ・ニ
ッケル・フェライト（ＮｉＦｅ２Ｔｅ４）をうることが
できる。
ある混合物に３．５〜６．５ＧＰａの圧力と８００−１
０００℃の温度を同時に印加保持することを特徴とする
テルロ・ニッケル・フェライト（Ｎ１Ｆｅ２Ｔｅ４）の
製造方法である。１０ニッケル、鉄、テルルがｌ：２：
４モル比混合物に圧力３．５ＧＰａ以上、温度８００℃
以上を同時に印加することにより新規化合物テルロ・ニ
ッケル・フェライト（ＮｉＦｅ２Ｔｅ４）をうることが
できる。
結晶構造変化は圧力、温度により左右さ１５れ一定しな
いが、通常１０〜６０分で十分である。結晶構造変化を
おこさせた後、常温まで急冷し、ついで常圧まで減圧し
て新規化合物テルロ・ニッケル・フェライト（ＮｉＦｅ
２Ｔｅ４）をうることができた。フ０ 表１に新規化合
物テルロ・ニッケル・フェライト（ＮｉＦｅ２Ｔｅ４）
のＸ線回折線を示す。
いが、通常１０〜６０分で十分である。結晶構造変化を
おこさせた後、常温まで急冷し、ついで常圧まで減圧し
て新規化合物テルロ・ニッケル・フェライト（ＮｉＦｅ
２Ｔｅ４）をうることができた。フ０ 表１に新規化合
物テルロ・ニッケル・フェライト（ＮｉＦｅ２Ｔｅ４）
のＸ線回折線を示す。
表 １Ｘ線回折線面間隔（Ａ）
強度
３．５０
０．１６
フ５
０．１４
３．３３
２．９８
０．１０
２．９３
０．１０
２．８７
１．００
２．７２
０．２０
０．１０
２．６０
２．３４
０．１４
２．３１
０．１４
２．１５
０．１０
２．１２
０．５０
２．０８
０．１２
０．４０
１．９５
本発明に従うとニツケル、鉄、テルルのｌ：２：４モル
比混合物から新規化合物テルロ・ニツケル・フエライト
を非常に９８０！）高でうることができる。
比混合物から新規化合物テルロ・ニツケル・フエライト
を非常に９８０！）高でうることができる。
次に実施例によつて本発明をさらに詳細に説明する実施
例 １ ニツケル、鉄、テルルのｌ：２：４モル比混合物を予備
成形し、黒鉛管にそう入し、これを圧力媒体としてのパ
イロフイライト中に装填する。
例 １ ニツケル、鉄、テルルのｌ：２：４モル比混合物を予備
成形し、黒鉛管にそう入し、これを圧力媒体としてのパ
イロフイライト中に装填する。
このパイロフイライトを超高圧高温発生用プレスを使用
して、圧力３．５ＧＰａ１温度８００℃を同時に印加し
、３０分保持した後、常温まで急冷し、ついで常圧まで
減圧して新規化合物をうることができた。試料の加熱は
内熱式で、上記黒鉛管を加熱用発熱体として使用した。
この際えられた新規化合物のＸ線回折線は表１に示され
たもので、テルロ・ニツケル・フエライト（ＮｉＦｅ２
Ｔｅ４）であり常圧反応でえられるＮｉＴｅ，Ｆｅ２Ｔ
ｅ３などのテルル化合物は認められなかつた。フエライ
トの収率は９８％であつた。その他の実施例を表２に示
す。収率はいづれの場合も９８％であつた。
して、圧力３．５ＧＰａ１温度８００℃を同時に印加し
、３０分保持した後、常温まで急冷し、ついで常圧まで
減圧して新規化合物をうることができた。試料の加熱は
内熱式で、上記黒鉛管を加熱用発熱体として使用した。
この際えられた新規化合物のＸ線回折線は表１に示され
たもので、テルロ・ニツケル・フエライト（ＮｉＦｅ２
Ｔｅ４）であり常圧反応でえられるＮｉＴｅ，Ｆｅ２Ｔ
ｅ３などのテルル化合物は認められなかつた。フエライ
トの収率は９８％であつた。その他の実施例を表２に示
す。収率はいづれの場合も９８％であつた。
Claims (1)
- １ ニッケル、鉄およびテルルの１：２：４モル比混合
物に反応と結晶構造変化をおこさせるに必要な圧力３．
５ＧＰａ以上と温度８００℃以上を同時に印加保持する
ことを特徴とするテルロ・ニッケル・フェライト（Ｎｉ
Ｆｅ＿２Ｔｅ＿４）の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54094820A JPS594366B2 (ja) | 1979-07-24 | 1979-07-24 | 高圧高温印加によるテルロ・ニツケル・フエライト（ＮｉＦｅ↓２Ｔｅ↓４）の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54094820A JPS594366B2 (ja) | 1979-07-24 | 1979-07-24 | 高圧高温印加によるテルロ・ニツケル・フエライト（ＮｉＦｅ↓２Ｔｅ↓４）の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5617908A JPS5617908A (en) | 1981-02-20 |
| JPS594366B2 true JPS594366B2 (ja) | 1984-01-30 |
Family
ID=14120686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54094820A Expired JPS594366B2 (ja) | 1979-07-24 | 1979-07-24 | 高圧高温印加によるテルロ・ニツケル・フエライト（ＮｉＦｅ↓２Ｔｅ↓４）の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS594366B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61127623A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-14 | Osaka Cement Kk | 遷移金属カルコゲン化合物の合成方法 |
-
1979
- 1979-07-24 JP JP54094820A patent/JPS594366B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5617908A (en) | 1981-02-20 |
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