JPS5943740Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5943740Y2 JPS5943740Y2 JP1978024334U JP2433478U JPS5943740Y2 JP S5943740 Y2 JPS5943740 Y2 JP S5943740Y2 JP 1978024334 U JP1978024334 U JP 1978024334U JP 2433478 U JP2433478 U JP 2433478U JP S5943740 Y2 JPS5943740 Y2 JP S5943740Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- semiconductor
- substrate
- semiconductor element
- insulating block
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
- H10D1/40—Resistors
- H10D1/47—Resistors having no potential barriers
Landscapes
- Details Of Resistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半導体エレメントと抵抗体を一体に封止した半
導体装置に関する。
導体装置に関する。
複数の回路素子より成る回路を一体に封止した半導体装
置は集積回路として広く利用されているが、１個あるい
は数個の半導体エレメントと所定の抵抗値の抵抗体のみ
を一体に封止したものも半導体エレメントが常に一定の
外部抵抗に接続して用いられる場合には極めて好都合で
ある。
置は集積回路として広く利用されているが、１個あるい
は数個の半導体エレメントと所定の抵抗値の抵抗体のみ
を一体に封止したものも半導体エレメントが常に一定の
外部抵抗に接続して用いられる場合には極めて好都合で
ある。
例えば複数個のパワートランジスタを並列接続して用い
る場合、各トランジスタエレメントのコレクタ電流特性
の不揃いによる各エレメントに流れる電流のアンバラン
スをできるだけ少くするため各エレメントに一定のバラ
スト抵抗を接続して回路を構成することが有効である。
る場合、各トランジスタエレメントのコレクタ電流特性
の不揃いによる各エレメントに流れる電流のアンバラン
スをできるだけ少くするため各エレメントに一定のバラ
スト抵抗を接続して回路を構成することが有効である。
このような場合トランジスタエレメントとバラスト抵抗
とを一体に封止しておけば部品数や組立工数の低減、回
路接続の信頼性の向上などの効果がある。
とを一体に封止しておけば部品数や組立工数の低減、回
路接続の信頼性の向上などの効果がある。
本考案はその構造、材料の選択および組立方法が斬新で
しかも経済的な上記の半導体エレメントと抵抗体を一体
封止した半導体装置を提供することを目的とする。
しかも経済的な上記の半導体エレメントと抵抗体を一体
封止した半導体装置を提供することを目的とする。
この目的は半導体エレメントを金属容器基板に低抵抗接
続して、断面矩形の絶縁ブロックを前記基板の上に固着
し、絶縁ブロックの上に帯状導体を、さらにその上に断
面矩形の抵抗体を低抵抗接続し、その抵抗体はエレメン
トを構成する半導体と同種の半導体で形成されており、
さらに半導体エレメント上の電極と抵抗体の上面とを低
抵抗接続することにより達成せられる。
続して、断面矩形の絶縁ブロックを前記基板の上に固着
し、絶縁ブロックの上に帯状導体を、さらにその上に断
面矩形の抵抗体を低抵抗接続し、その抵抗体はエレメン
トを構成する半導体と同種の半導体で形成されており、
さらに半導体エレメント上の電極と抵抗体の上面とを低
抵抗接続することにより達成せられる。
以下本考案に基づく半導体装置を図面を用いて説明する
。
。
図において１はシリコン半導体より成るトランジスタエ
レメントである。
レメントである。
このエレメントはその上面２のエミッタおよびベース電
極部にはアルミニウムを、下面３のコレクタ電極部には
ニッケルを蒸着してあり、コレクタ電極は銅製の容器基
板４とろう付される。
極部にはアルミニウムを、下面３のコレクタ電極部には
ニッケルを蒸着してあり、コレクタ電極は銅製の容器基
板４とろう付される。
この場合シリコンと銅の熱膨張係数の差を補償するため
この両者の間にモリブデン、タングステンなどを介在さ
せてもよい。
この両者の間にモリブデン、タングステンなどを介在さ
せてもよい。
基板４には半導体エレメント１の外側に断面矩形の絶縁
ブロック５を取付ける。
ブロック５を取付ける。
絶縁ブロック５は直線状、１字状あるいはエレメントを
取囲む環状のものが用いられる。
取囲む環状のものが用いられる。
絶縁ブロック５の材料はセラミック、プラスチックなど
である。
である。
ブロック５の上面に板状の引出導体６を固着する。
引出導体６を銅製で図の場合は上へ引出すため折曲げて
立上り部７を設けている。
立上り部７を設けている。
絶縁ブロック５がセラミックより戒る時はその側面を除
く上下両面を金属で被覆した後基板４および導体の帯状
部６とろう付する。
く上下両面を金属で被覆した後基板４および導体の帯状
部６とろう付する。
導体６が複数個（トランジスタの時は２個）であってそ
の間を絶縁する必要がある時はその間に位置するセラ□
ツクの表面には金属を被覆しない。
の間を絶縁する必要がある時はその間に位置するセラ□
ツクの表面には金属を被覆しない。
ブロック５がプラスチックより成る時は基板４および導
体６との結合は接着剤で行う。
体６との結合は接着剤で行う。
次に９出導体６の上に本考案によりシリコンより成る断
面矩形の抵抗体８を固着する。
面矩形の抵抗体８を固着する。
抵抗体８は上面９にはアルミニウム、下面１０にはニッ
ケルを蒸着しておく。
ケルを蒸着しておく。
抵抗体８の下面１０は引出導体６とろう付される。
半導体エレメントの上面２にあるエミッタ電極、ペース
電極と抵抗体８の上面９とはアルミニウム線１１で接続
する。
電極と抵抗体８の上面９とはアルミニウム線１１で接続
する。
アルミニウム線１１と半導体エレメント１の電極部２お
よび抵抗体８の上面９のそれぞれのアルミニウム蒸着膜
との結合は超音波溶接により行われる。
よび抵抗体８の上面９のそれぞれのアルミニウム蒸着膜
との結合は超音波溶接により行われる。
この後容器内に樹脂１２を注入することによ□り封止を
完成する。
完成する。
図においては抵抗体８はエミッタ側およびベース側の双
方に挿入されているが一方のみ、例えばエミッタ側にの
み挿入することもできる。
方に挿入されているが一方のみ、例えばエミッタ側にの
み挿入することもできる。
また絶縁ブロック上の導体をそのま＼引出導体に用いな
いで引出導体は別に設け、それと絶縁ブロック上の導体
とを接続してもよく、樹脂封止の代りにハーメチック封
止にも適用できる。
いで引出導体は別に設け、それと絶縁ブロック上の導体
とを接続してもよく、樹脂封止の代りにハーメチック封
止にも適用できる。
本考案による半導体装置では抵抗体８は断面矩形であり
平らな表面を有するため引出導体６とのろう付は容易で
確実にできる。
平らな表面を有するため引出導体６とのろう付は容易で
確実にできる。
このようなブロック状又は板状の抵抗体で所期の抵抗値
と得ることは既知の金属抵抗材料では困難である。
と得ることは既知の金属抵抗材料では困難である。
例えば並列接続のトランジスタにおいて５０Ａのコレク
タ電流では半導体エレメントの外部で接続されるバラス
ト抵抗により０．２Ｖ程度の電圧降下を得ることが望ま
しく、そのためのバラスト抵抗の抵抗値は１ｍΩのオー
ダである。
タ電流では半導体エレメントの外部で接続されるバラス
ト抵抗により０．２Ｖ程度の電圧降下を得ることが望ま
しく、そのためのバラスト抵抗の抵抗値は１ｍΩのオー
ダである。
このオーダの抵抗値は数Ωｍの抵抗を有するシリコンよ
り成り厚さ０．１ｍｍのオーダ、面積１ｄのオーダの抵
抗体の厚み方向で容易に得ることができる。
り成り厚さ０．１ｍｍのオーダ、面積１ｄのオーダの抵
抗体の厚み方向で容易に得ることができる。
しかもシリコン単結晶は抵抗が均一であり、その任意の
抵抗値の結晶を造ることができるので所期の抵抗値の抵
抗体を適当な寸法、形状で形成することが可能である。
抵抗値の結晶を造ることができるので所期の抵抗値の抵
抗体を適当な寸法、形状で形成することが可能である。
本考案の別の利点は抵抗体の表面処理に関する。
すなわち抵抗体８の上面にはアルミニウム、下面にはニ
ッケルを蒸着するが、これらは半導体エレメントの両面
に施される蒸着と全く同じであり蒸着工程を同時に行う
ことができる。
ッケルを蒸着するが、これらは半導体エレメントの両面
に施される蒸着と全く同じであり蒸着工程を同時に行う
ことができる。
接着のために他の被覆が施されるとしても同様である。
また引出導体との接着、あるいはアルミニウム線との接
続を半導体エレメントと同一の方法で行われるため、生
産性の点からも接着の確実さの点からも極めて有利であ
る。
続を半導体エレメントと同一の方法で行われるため、生
産性の点からも接着の確実さの点からも極めて有利であ
る。
上記のように本考案により容易に入手できる材料を用い
て経済的に製造できしかも信頼性の高い抵抗一体封入の
半導体装置を得ることができ応用回路において極めて有
利に使用できる。
て経済的に製造できしかも信頼性の高い抵抗一体封入の
半導体装置を得ることができ応用回路において極めて有
利に使用できる。
図は本考案の一実施例である半導体装置の断面図である
。 １・・・・・・半導体エレメント、４・・・・・・容器
基板、５・・・・・・絶縁ブロック、６・・・・・・引
出導体、８・・・・・・抵抗体、１１・・・・・・アル
ミニウム接続線。
。 １・・・・・・半導体エレメント、４・・・・・・容器
基板、５・・・・・・絶縁ブロック、６・・・・・・引
出導体、８・・・・・・抵抗体、１１・・・・・・アル
ミニウム接続線。
Claims (1)
- 金属より成る容器基板上に、互いに間隔をもって配置し
、前記基板に低抵抗接続した複数の半導体エレメントと
、前記半導体エレメントに近接して固着した少なくとも
１個の断面矩形の絶縁ブロックとを設け、この絶縁ブロ
ックの前記基板との接続面と反対側の面上に帯状の導体
を介して断面矩形で前記半導体エレメントを構成する半
導体材料と同種の材料より成る少なくとも１個の抵抗体
を低抵抗接続し、前記半導体エレメントの前記基板との
接続面と反対側の面上の電極と前記抵抗体の前記帯状導
体との接続面と反対側の面との間を低抵抗接続したこと
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978024334U JPS5943740Y2 (ja) | 1978-02-27 | 1978-02-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978024334U JPS5943740Y2 (ja) | 1978-02-27 | 1978-02-27 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54129265U JPS54129265U (ja) | 1979-09-08 |
| JPS5943740Y2 true JPS5943740Y2 (ja) | 1984-12-26 |
Family
ID=28862617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1978024334U Expired JPS5943740Y2 (ja) | 1978-02-27 | 1978-02-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5943740Y2 (ja) |
-
1978
- 1978-02-27 JP JP1978024334U patent/JPS5943740Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54129265U (ja) | 1979-09-08 |
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