JPS594374B2 - 元素状シリコンを析出するための反応容器 - Google Patents
元素状シリコンを析出するための反応容器Info
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- JPS594374B2 JPS594374B2 JP51048370A JP4837076A JPS594374B2 JP S594374 B2 JPS594374 B2 JP S594374B2 JP 51048370 A JP51048370 A JP 51048370A JP 4837076 A JP4837076 A JP 4837076A JP S594374 B2 JPS594374 B2 JP S594374B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
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- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
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- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、元素状シリコンを熱的に析出する能力を有し
反応容器を貫流する反応ガスから、加熱されたシリコン
製基体上に元素状シリコンを析出するための反応容器に
関するもので、この容器は、反応ガスの導入及び排出用
の導孔と、基体の支持部を備えた底板と、この底板上に
気密に載せられた鐘状体から成る。
反応容器を貫流する反応ガスから、加熱されたシリコン
製基体上に元素状シリコンを析出するための反応容器に
関するもので、この容器は、反応ガスの導入及び排出用
の導孔と、基体の支持部を備えた底板と、この底板上に
気密に載せられた鐘状体から成る。
このような装置は既に本出願人によつても提案されてい
る(昭和50年特許出願公開第18363号)。
る(昭和50年特許出願公開第18363号)。
図面によりこの装置を説明する。底板は貫通孔を有する
銀板1から成る。
銀板1から成る。
中心孔2に取り付けられた通路4を通して使用済のガス
が反応室から排出される。この通路4及び中心孔2の内
部に、弁を備えた導管3が新鮮な反応ガス導入用として
設けられている。この中心孔の両側に2個の電極5,6
が互に絶縁して銀板1を気密に貫通している。これら電
極5,6は基体に加熱電流を供給し、同時に基体保持体
として使用されるもので、この保持体内に純な元素状シ
リコンからなる同じ長さの棒状基体7が垂直に挿入され
それらの上端は耐熱性の導電材料からなる橋絡片7aで
結合されている。他方銀板1は貫通孔を有する鋼製の圧
力容器底板8に、図から解るような方法で気密に固定さ
れている。
が反応室から排出される。この通路4及び中心孔2の内
部に、弁を備えた導管3が新鮮な反応ガス導入用として
設けられている。この中心孔の両側に2個の電極5,6
が互に絶縁して銀板1を気密に貫通している。これら電
極5,6は基体に加熱電流を供給し、同時に基体保持体
として使用されるもので、この保持体内に純な元素状シ
リコンからなる同じ長さの棒状基体7が垂直に挿入され
それらの上端は耐熱性の導電材料からなる橋絡片7aで
結合されている。他方銀板1は貫通孔を有する鋼製の圧
力容器底板8に、図から解るような方法で気密に固定さ
れている。
石英製の鐘状体9は、その下端のフランジ状に形成され
た縁部10によつて銀板1上に気密に載せられている。
た縁部10によつて銀板1上に気密に載せられている。
気密をよくするためにパツキンリング11を設けること
ができる。鐘状体9は銀板1と共に反応容器を形成する
。この容器は、昭和50年特許出願公開第18363号
公報に述べられた構成形態の場合、加圧ガス雰囲気によ
り囲まれ、ガスの圧力によつて鐘状体9の下端縁部は銀
板1ないし鐘状体9と銀板1との間に設けられたパツキ
ンに対し気密に押し付けられている。加圧ガス雰囲気は
、鐘状体9及び銀板1上の鐘状体の支持個所を外側から
包囲する圧力容器12により形成される。この圧力容器
12は、不活性ガスの導入孔13、圧力容器12内の圧
力を監視するための圧力計14及び場合によつては更に
覗き窓15を備えている。このような装置を大量のシリ
コンを析出させるために使用しようとする場合、最初析
出した層が通常後で析出した層より一層純であることが
確められている。
ができる。鐘状体9は銀板1と共に反応容器を形成する
。この容器は、昭和50年特許出願公開第18363号
公報に述べられた構成形態の場合、加圧ガス雰囲気によ
り囲まれ、ガスの圧力によつて鐘状体9の下端縁部は銀
板1ないし鐘状体9と銀板1との間に設けられたパツキ
ンに対し気密に押し付けられている。加圧ガス雰囲気は
、鐘状体9及び銀板1上の鐘状体の支持個所を外側から
包囲する圧力容器12により形成される。この圧力容器
12は、不活性ガスの導入孔13、圧力容器12内の圧
力を監視するための圧力計14及び場合によつては更に
覗き窓15を備えている。このような装置を大量のシリ
コンを析出させるために使用しようとする場合、最初析
出した層が通常後で析出した層より一層純であることが
確められている。
これはとりわけ石英ないしロートジル(ROtOsil
)からなる鐘状体9の熱応力が増大するためである。こ
のような欠点は、最初に述べた、圧力容器を使用してい
ない通例の装置においても見出されている。
)からなる鐘状体9の熱応力が増大するためである。こ
のような欠点は、最初に述べた、圧力容器を使用してい
ない通例の装置においても見出されている。
壁の熱応力の増大を析出プロセスに対し危険を及ぼすこ
となく適当な冷却により直ちに補償することができない
ので、この問題を解決する他の方法を見出す必要がある
。この問題は、本発明によれば、鐘状体として、その少
なくとも基体を側方から取り囲む壁部分を、適当な反応
ガスからの析出により得られる純なシリコンで構成した
ものを用いることにより解決される。
となく適当な冷却により直ちに補償することができない
ので、この問題を解決する他の方法を見出す必要がある
。この問題は、本発明によれば、鐘状体として、その少
なくとも基体を側方から取り囲む壁部分を、適当な反応
ガスからの析出により得られる純なシリコンで構成した
ものを用いることにより解決される。
鐘状体全体をガス相から析出された高純のシリコンによ
り構成すると有利である。このことは、本発明及び図面
に示される装置に対応する構成が、純銀からなる底板1
上に気密に置かれた高純シリコンから成る鐘状体9を使
用することを意味する。
り構成すると有利である。このことは、本発明及び図面
に示される装置に対応する構成が、純銀からなる底板1
上に気密に置かれた高純シリコンから成る鐘状体9を使
用することを意味する。
この方法は反応空間の熱的な遮断という点で特に好適で
ある。鐘状体がドーピング材料の供給源として又反応ガ
スの供給源(例えば移送反応の意味において)として作
用する課題を持つていないことに注意すべきである。
ある。鐘状体がドーピング材料の供給源として又反応ガ
スの供給源(例えば移送反応の意味において)として作
用する課題を持つていないことに注意すべきである。
このことは基体7と比べて鐘状体9が常に低温なので不
可能である。高純シリコンからなる鐘状体9は、シリコ
ン管を製造する場合と同様の方法で製造することができ
る。
可能である。高純シリコンからなる鐘状体9は、シリコ
ン管を製造する場合と同様の方法で製造することができ
る。
例えばグラフアイトから成りその寸法と形状が製造すべ
きシリコン鐘状体9に対応する心を、誘導交流磁界中に
おいて、シリコンを析出することのできる反応ガス、特
に水素とシリコンハロゲン化物(SiHCl3又はSi
Cl4)の混合物を同時に作用させながら、酸素又は他
の酸化性物質が存在しない状態において、できるだけ均
一に約1000ないし1200゜Cに加熱し、元素状シ
リコンから成り、例えば2ないし4韮の壁厚を有する充
分な厚さの層を析出させる。この方法については例えば
ドイツ連邦共和国特許出願公開第2022025号公報
に記載されている。上記公報に述べられた半導体材料か
らなる中空体を製造するための方法においては、グラフ
アイトからなり、回転対象の鐘状中空体として形成され
た基体が使用されている。
きシリコン鐘状体9に対応する心を、誘導交流磁界中に
おいて、シリコンを析出することのできる反応ガス、特
に水素とシリコンハロゲン化物(SiHCl3又はSi
Cl4)の混合物を同時に作用させながら、酸素又は他
の酸化性物質が存在しない状態において、できるだけ均
一に約1000ないし1200゜Cに加熱し、元素状シ
リコンから成り、例えば2ないし4韮の壁厚を有する充
分な厚さの層を析出させる。この方法については例えば
ドイツ連邦共和国特許出願公開第2022025号公報
に記載されている。上記公報に述べられた半導体材料か
らなる中空体を製造するための方法においては、グラフ
アイトからなり、回転対象の鐘状中空体として形成され
た基体が使用されている。
基体はその内面の鐘状体の頂部の中央に対応する個所で
棒状の電極と鐘状体縁部に対応する外周部で第2の電極
とリング状にそれぞれ接触している。この装置は、例え
ばドイツ連邦共和国特許第1805970号明細書の図
面に対応する反応容器内に配置され、純なシリコンを熱
的に析出することのできる反応ガスを均一に作用させな
がら鐘状心の外表面に約2ないし4mmの厚みを持つ層
が成長するまで加熱される。この層は装置が冷えた後心
から取り外される。その下縁は、取り外された層により
形成されたシリコン鐘状体9を特に純銀又はVA鋼から
なる底板1上に気密に置くことができるようにするため
平担に研磨される。ドイツ連邦共和国特許出願公開第2
060651号公報に、縁部に環状隆起を有するシリコ
ン管をガス相からの熱的析出により得ることが出来るこ
とが示されている。
棒状の電極と鐘状体縁部に対応する外周部で第2の電極
とリング状にそれぞれ接触している。この装置は、例え
ばドイツ連邦共和国特許第1805970号明細書の図
面に対応する反応容器内に配置され、純なシリコンを熱
的に析出することのできる反応ガスを均一に作用させな
がら鐘状心の外表面に約2ないし4mmの厚みを持つ層
が成長するまで加熱される。この層は装置が冷えた後心
から取り外される。その下縁は、取り外された層により
形成されたシリコン鐘状体9を特に純銀又はVA鋼から
なる底板1上に気密に置くことができるようにするため
平担に研磨される。ドイツ連邦共和国特許出願公開第2
060651号公報に、縁部に環状隆起を有するシリコ
ン管をガス相からの熱的析出により得ることが出来るこ
とが示されている。
即ち、管の製造に当り中空体として構成された心の所要
個所をリング状に薄くするか、加熱電流を導き心に対し
て同心的に配置された内部導体を、心のリング状の部分
が心の残りの表面より強く加熱されるようにして付加加
熱することによつて行われる。類似の方法においては又
、リング状の隆起を製造すべきシリコン鐘状体9の縁部
に設け、隆起部により、気密封止の改善のために必要な
シリコン鐘状体9の縁部の平担研磨を著しく簡単にする
ことができる。
個所をリング状に薄くするか、加熱電流を導き心に対し
て同心的に配置された内部導体を、心のリング状の部分
が心の残りの表面より強く加熱されるようにして付加加
熱することによつて行われる。類似の方法においては又
、リング状の隆起を製造すべきシリコン鐘状体9の縁部
に設け、隆起部により、気密封止の改善のために必要な
シリコン鐘状体9の縁部の平担研磨を著しく簡単にする
ことができる。
しかしながら又、このような隆起の内側及び外側の少な
くとも一方をすり合せにし、鐘状体9を載せたときに対
応するリング状隆起と適合させ密着させることもできる
。底板1は直接シリコンで覆われない。
くとも一方をすり合せにし、鐘状体9を載せたときに対
応するリング状隆起と適合させ密着させることもできる
。底板1は直接シリコンで覆われない。
しかしながら、底板1が純銀及び(又は)VA鋼から成
る場合には、底板1の熱応力が経験的に鐘状体9と比較
して増大しないので、その時点で可能な最適化が達せら
れる。鐘状体9は又シリコン管から作ることもできる。
る場合には、底板1の熱応力が経験的に鐘状体9と比較
して増大しないので、その時点で可能な最適化が達せら
れる。鐘状体9は又シリコン管から作ることもできる。
一端が閉じた任意の厚さのシリコン管へのガス相からの
析出は、ドイツ連邦共和国特許出願公開第205007
6号公報に示されているように原理的に可能なので、こ
のように作られたシリコン管は直接鐘状体9として用い
られる。しかしながら又、両端が開いたシリコン管の一
端に純銀又はVA鋼又(ばグラフアイト又はシリコンか
らなる蓋を、適当な熱処理により気密に結合し、こうし
て得られた部材を鐘状体9として使用することもできる
。しかし鐘状体9の上側がシリコンでない場合には、適
当に大きな直径を持つた橋絡片7aを利用することによ
り、これを低い温度に保ち、シリコン析出のために使用
したとき実際上シリコンが析出しないようにするのが望
ましい。シリコン鐘状体9と底板1との気密封市は、オ
イルシールを用いて行うこともできる。
析出は、ドイツ連邦共和国特許出願公開第205007
6号公報に示されているように原理的に可能なので、こ
のように作られたシリコン管は直接鐘状体9として用い
られる。しかしながら又、両端が開いたシリコン管の一
端に純銀又はVA鋼又(ばグラフアイト又はシリコンか
らなる蓋を、適当な熱処理により気密に結合し、こうし
て得られた部材を鐘状体9として使用することもできる
。しかし鐘状体9の上側がシリコンでない場合には、適
当に大きな直径を持つた橋絡片7aを利用することによ
り、これを低い温度に保ち、シリコン析出のために使用
したとき実際上シリコンが析出しないようにするのが望
ましい。シリコン鐘状体9と底板1との気密封市は、オ
イルシールを用いて行うこともできる。
しかしながら、図示したように反応容器を加圧室内に設
置するのが最適である。析出操作に関し、シリコンから
なる鐘状体9に、大きな温度変動を生ずる透明な窓を設
けられないという本質的な欠点がある。
置するのが最適である。析出操作に関し、シリコンから
なる鐘状体9に、大きな温度変動を生ずる透明な窓を設
けられないという本質的な欠点がある。
従つて基体7を直接目視により監視することはできない
。それ故本発明の他の態様に従えば、底板1とこれに載
置されたシリコン鐘状体からなりシリコン製の棒状基体
7を備えた反応容器の外側に赤外光学系と赤外感光性の
ビジコンからなるテレビカメラ16を設け、これを反応
容器内部における現象を監視するのに使用し、かつ録画
装置と結合することができる。
。それ故本発明の他の態様に従えば、底板1とこれに載
置されたシリコン鐘状体からなりシリコン製の棒状基体
7を備えた反応容器の外側に赤外光学系と赤外感光性の
ビジコンからなるテレビカメラ16を設け、これを反応
容器内部における現象を監視するのに使用し、かつ録画
装置と結合することができる。
それ故図に示すように、反応容器を圧力容器の内部に、
カメラを圧力容器の外部に設ける場合には、窓15が赤
外線に対し充分な透過性を有するようにしなければなら
ない。
カメラを圧力容器の外部に設ける場合には、窓15が赤
外線に対し充分な透過性を有するようにしなければなら
ない。
公知のように、高純シリコンはλ〉1,1μmの範囲の
赤外線に対し透明であるから、壁厚が数?程度の場合鐘
状体9は充分な量の赤外線を透過し、従つて赤熱された
基体7,7aの画像を、鐘状体9の外部及びシリコンか
ら成る監視窓15の外部にある赤外画像変換器でただち
に監視することができる。テレビカメラ16は、その走
査線がカメラの光学系によりカメラのターゲツト上に投
射される基体7の赤外光像に対して垂直になるよう向け
られるのか望ましい。
赤外線に対し透明であるから、壁厚が数?程度の場合鐘
状体9は充分な量の赤外線を透過し、従つて赤熱された
基体7,7aの画像を、鐘状体9の外部及びシリコンか
ら成る監視窓15の外部にある赤外画像変換器でただち
に監視することができる。テレビカメラ16は、その走
査線がカメラの光学系によりカメラのターゲツト上に投
射される基体7の赤外光像に対して垂直になるよう向け
られるのか望ましい。
カメラがこの角度で固定されていると、画像をビジコン
上に走査する電子線は赤外線により変調され、この場合
変調は、時間tに関しては当該走査線で切られる個所に
おける基体7の画像の各直径により、又その振幅に関し
ては当該走査線における画像の赤外光光度により定めら
れる。従つてドイツ連邦共和国特許出願公開第 2113720号公報に述べられている光学的テレビカ
メラを用いたるつぼなし帯域溶融法と同様に、棒状基体
7の厚み成長とその温度の両者を監視及び制御すること
ができる。
上に走査する電子線は赤外線により変調され、この場合
変調は、時間tに関しては当該走査線で切られる個所に
おける基体7の画像の各直径により、又その振幅に関し
ては当該走査線における画像の赤外光光度により定めら
れる。従つてドイツ連邦共和国特許出願公開第 2113720号公報に述べられている光学的テレビカ
メラを用いたるつぼなし帯域溶融法と同様に、棒状基体
7の厚み成長とその温度の両者を監視及び制御すること
ができる。
そこにあげられた種々の考えは本発明に移し変えること
ができる。
ができる。
図は本発明の対象とする元素状シリコンを加熱された基
体上に析出するための装置の縦断正面図である。 1・・・・・・底板、3・・・・・・導管、4・・・・
・・通路、5,6・・・・・・電極、7・・−・・・基
体、7a・・・・・・橋絡片、8・・・・・・圧力容器
底板、9・・・・・・鐘状体、10・・・・・・縁部、
12・・・・・・圧力容器、15・・・・・・覗き窓、
16・・・・−・テレビカメラ。
体上に析出するための装置の縦断正面図である。 1・・・・・・底板、3・・・・・・導管、4・・・・
・・通路、5,6・・・・・・電極、7・・−・・・基
体、7a・・・・・・橋絡片、8・・・・・・圧力容器
底板、9・・・・・・鐘状体、10・・・・・・縁部、
12・・・・・・圧力容器、15・・・・・・覗き窓、
16・・・・−・テレビカメラ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 加熱されたシリコン製基体上に、反応容器を貫流し
、元素状シリコンを熱的に析出する能力を持つ反応ガス
から元素状シリコンを析出するための反応容器であつて
、反応ガスの導入及び排出用の導孔と、基体の支持部を
備えた底板と、この底板上に気密に載せられた鐘状体と
からなるものにおいて、鐘状体の少なくとも基体を側方
から取り囲む壁部分を、適当な反応ガスからの析出によ
り得られた高純シリコンで形成したことを特徴とする元
素状シリコンを析出するための反応容器。 2 鐘状体全体が、適当なグラファイト製心上にシリコ
ン層を析出させ、そして心から分離することにより作ら
れたシリコン層からなることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の容器。 3 シリコンからなる鐘状体の壁部分の厚みが1ないし
4mm特に2ないし3mmに調整されたことを特徴とす
る特許請求の範囲第1項又は第2項記載の容器。 4 底板上に載る鐘状体の縁部が環状にふくらんでいる
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第3項の
いずれかに記載の容器。 5 鐘状体が縁部に底板の表面に適合する特に平担なす
り合わせ部を有することを特徴とする特許請求の範囲第
1項ないし第4項のいずれかに記載の容器。 6 板状底板が銀、特に純銀及び(又は)VA鋼からな
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第5項
のいずれかに記載の容器。 7 鐘状体が両端の開いたシリコン管から成り、その上
端が銀又はVA鋼又は高純グラファイトよりなる蓋で気
密に閉じられていることを特徴とする特許請求の範囲第
1項ないし第6項のいずれかに記載の容器。 8 互に平行する2本のシリコン棒と、この棒の上端を
導電的に結合する橋絡片、特にシリコン橋絡片からなる
基体が使用され、電極を形成する支持部と両シリコン棒
と橋絡片を介して流れる加熱電流が、シリコン棒とは異
なり橋絡片を析出温度まで加熱しないように橋絡片の断
面積が定められていることを特徴とする特許請求の範囲
第7項記載の容器。 9 鐘状体と底板が、これらを取り囲む圧力容器内の不
活性高圧ガスにより押圧され気密に結合されることを特
徴とする特許請求の範囲第1項ないし第8項のいずれか
に記載の容器。 10 鐘状体の壁厚が、析出処理時赤熱された基体から
放射される赤外線を十分に透過するよう定められ、更に
、反応容器の外部に赤外線画像変換器が設けられ、この
赤外線画像変換器によりシリコン鐘状体の壁を通して基
体の寸法とその温度が監視されることを特徴とする特許
請求の範囲第1項ないし第9項のいずれかに記載の容器
。 11 赤外線画像変換器として、赤外光に修正された結
像光学系と赤外線に感応するピジコンとを有するテレビ
カメラを備えることを特徴とする特許請求の範囲第10
項記載の容器。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2518853A DE2518853C3 (de) | 1975-04-28 | 1975-04-28 | Vorrichtung zum Abscheiden von elementarem Silicium aus einem Reaktionsgas |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51131429A JPS51131429A (en) | 1976-11-15 |
| JPS594374B2 true JPS594374B2 (ja) | 1984-01-30 |
Family
ID=5945200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51048370A Expired JPS594374B2 (ja) | 1975-04-28 | 1976-04-27 | 元素状シリコンを析出するための反応容器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4023520A (ja) |
| JP (1) | JPS594374B2 (ja) |
| BE (1) | BE841241A (ja) |
| DE (1) | DE2518853C3 (ja) |
| IT (1) | IT1059985B (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2743856C2 (de) * | 1977-09-29 | 1987-03-05 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleitermaterial |
| DE2743950C2 (de) * | 1977-09-29 | 1987-02-12 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleitermaterial |
| DE2854707C2 (de) * | 1978-12-18 | 1985-08-14 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Vorrichtung zur thermischen Zersetzung gasförmiger Verbindungen und ihre Verwendung |
| DE3342586C2 (de) * | 1982-11-27 | 1986-08-28 | Toshiba Kikai K.K., Tokio/Tokyo | Vorrichtung zur Gasphasen-Epitaxie |
| US6165311A (en) * | 1991-06-27 | 2000-12-26 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
| JP5205910B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2013-06-05 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシラン製造装置 |
| JP5059665B2 (ja) * | 2008-03-14 | 2012-10-24 | 株式会社トクヤマ | シリコン製造装置 |
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| RU2010143546A (ru) * | 2008-03-26 | 2012-05-10 | ДжиТи СОЛАР, ИНКОРПОРЕЙТЕД (US) | Реакторная система с золотым покрытием для осаждения поликристаллического кремния и способ |
| DE102009010086B4 (de) * | 2009-01-29 | 2013-04-11 | Centrotherm Sitec Gmbh | Anordnung und Verfahren zur Messung der Temperatur und des Dickenwachstums von Siliziumstäben in einem Silizium-Abscheidereaktor |
| US8540818B2 (en) * | 2009-04-28 | 2013-09-24 | Mitsubishi Materials Corporation | Polycrystalline silicon reactor |
| NO334785B1 (no) * | 2009-05-29 | 2014-05-26 | Dynatec Engineering As | Reaktor og fremgangsmåte for fremstilling av silisium |
| DE102009035952A1 (de) * | 2009-08-03 | 2011-02-10 | Graeber Engineering Consultants Gmbh | Flansch für ein CVD-Reaktorgehäuse, Verwendung einer Kamera bei einem CVD-Verfahren sowie CVD-Verfahren zur Erzeugung von Siliziumstangen |
| KR101115697B1 (ko) * | 2009-12-02 | 2012-03-06 | 웅진폴리실리콘주식회사 | 에너지 효율을 높여주는 복사열 차단막을 갖는 화학기상증착 반응기 |
| DE102011077455B4 (de) * | 2011-06-14 | 2014-02-06 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Bestimmung von Verunreinigungen in Silicium und Reaktor zur Abscheidung von polykristallinem Silicium |
| WO2019110091A1 (de) * | 2017-12-05 | 2019-06-13 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur bestimmung einer oberflächentemperatur |
| WO2020234401A1 (de) * | 2019-05-21 | 2020-11-26 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur herstellung von polykristallinem silicium |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3367303A (en) * | 1963-05-29 | 1968-02-06 | Monsanto Co | Chemical equipment |
| DE1244733B (de) * | 1963-11-05 | 1967-07-20 | Siemens Ag | Vorrichtung zum Aufwachsen einkristalliner Halbleitermaterialschichten auf einkristallinen Grundkoerpern |
| DE1229986B (de) * | 1964-07-21 | 1966-12-08 | Siemens Ag | Vorrichtung zur Gewinnung reinen Halbleiter-materials |
| US3372671A (en) * | 1965-05-26 | 1968-03-12 | Westinghouse Electric Corp | Apparatus for producing vapor growth of silicon crystals |
| DE1521494B1 (de) * | 1966-02-25 | 1970-11-26 | Siemens Ag | Vorrichtung zum Eindiffundieren von Fremdstoffen in Halbleiterkoerper |
| DE2033444C3 (de) * | 1970-07-06 | 1979-02-15 | Siemens Ag | Vorrichtung zum Eindiffundieren von Dotierstoffen in Scheiben aus Halbleitermaterial |
| DE2050076C3 (de) * | 1970-10-12 | 1980-06-26 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Vorrichtung zum Herstellen von Rohren aus Halbleitermaterial |
| DE2113720C3 (de) * | 1971-03-22 | 1980-09-11 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur Durchmesserregelung beim tiegellosen Zonenschmelzen von Halbleiterstäben |
| US3820935A (en) * | 1971-10-04 | 1974-06-28 | Siemens Ag | Method and device for the production of tubular members of silicon |
| DE2324365C3 (de) * | 1973-05-14 | 1978-05-11 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper |
| BE817066R (fr) * | 1973-11-29 | 1974-10-16 | Enceinte de reaction pour le depot de matiere semi-concuctrice sur des corps de support chauffes |
-
1975
- 1975-04-28 DE DE2518853A patent/DE2518853C3/de not_active Expired
-
1976
- 1976-04-21 US US05/679,088 patent/US4023520A/en not_active Expired - Lifetime
- 1976-04-22 IT IT22532/76A patent/IT1059985B/it active
- 1976-04-27 JP JP51048370A patent/JPS594374B2/ja not_active Expired
- 1976-04-28 BE BE166537A patent/BE841241A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4023520A (en) | 1977-05-17 |
| DE2518853B2 (de) | 1978-07-20 |
| DE2518853C3 (de) | 1979-03-22 |
| DE2518853A1 (de) | 1976-11-04 |
| BE841241A (fr) | 1976-08-16 |
| IT1059985B (it) | 1982-06-21 |
| JPS51131429A (en) | 1976-11-15 |
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