JPS5944603B2 - 表示パネル - Google Patents
表示パネルInfo
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- JPS5944603B2 JPS5944603B2 JP3025383A JP3025383A JPS5944603B2 JP S5944603 B2 JPS5944603 B2 JP S5944603B2 JP 3025383 A JP3025383 A JP 3025383A JP 3025383 A JP3025383 A JP 3025383A JP S5944603 B2 JPS5944603 B2 JP S5944603B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、複数のセグメントを有する表示パネルに関す
る。
る。
本発明は、駆動回路がＩＣ化されて基板内に形成された
構造の液晶表示パネルに関する。
構造の液晶表示パネルに関する。
本発明の目的は、低電圧の薄型表示パネルを提供するこ
とである。
とである。
従来の薄型表示装置は、液晶表示装置、プラズマディス
プレイ、ＥＬ、、ＬＥＤ等があげられるが、これらには
各々長・短所がある。
プレイ、ＥＬ、、ＬＥＤ等があげられるが、これらには
各々長・短所がある。
従来の液晶表示装置の短所は、応答速度が遅いことが第
一である。このために、多セグメントのダイナミック駆
動が困難である。プラズマディスプレイの短所は、電圧
が高く消費電流が大きいことであり、携帯用表示装置に
は使用が難しいであろう。ＥＬの短所は、やはり電圧が
高いことと、寿命が短かいことである。ＬＥＤの短所は
、大型パネルの製作が難しい点と電流が大きいことであ
ろう。こうしてみると、携帯用の機器に用い得る程小さ
くでき、消費電力も少なく、低電圧で動作し、かつ製作
が容易で、配線処理が簡単な多セグメント表示装置は、
これまで知られていない。本発明は、液晶表示装置を改
良することによつて上述した特性をもつ表示パネルを提
供する。以下、図面に従つて本発明の実施例を説明する
。
一である。このために、多セグメントのダイナミック駆
動が困難である。プラズマディスプレイの短所は、電圧
が高く消費電流が大きいことであり、携帯用表示装置に
は使用が難しいであろう。ＥＬの短所は、やはり電圧が
高いことと、寿命が短かいことである。ＬＥＤの短所は
、大型パネルの製作が難しい点と電流が大きいことであ
ろう。こうしてみると、携帯用の機器に用い得る程小さ
くでき、消費電力も少なく、低電圧で動作し、かつ製作
が容易で、配線処理が簡単な多セグメント表示装置は、
これまで知られていない。本発明は、液晶表示装置を改
良することによつて上述した特性をもつ表示パネルを提
供する。以下、図面に従つて本発明の実施例を説明する
。
第１図は、本発明の表示パネルの構造を示す断面図であ
る。１及び９は、互に直角に並べられた上下の直線偏光
板、２を上部ガラス基板、３は透明な１部電極、４は液
晶、５は封入部材、６は１部電極を下部から取出すため
の導体、□は下部電極、８は下部基板、１０は反射板で
ある。
る。１及び９は、互に直角に並べられた上下の直線偏光
板、２を上部ガラス基板、３は透明な１部電極、４は液
晶、５は封入部材、６は１部電極を下部から取出すため
の導体、□は下部電極、８は下部基板、１０は反射板で
ある。
この表示パネルは、上下の電極間に電解がかかつていな
い時には、上方からの入射光が液晶内で旋光し反射板で
反射されて戻るので明るく見えるが、電極間に電界がか
かつているところでは、入射光は液晶物質内で旋光しな
いので偏光板を通過できなくなり、暗く見える動作をす
る。この場合、本例では液晶物質を用いたが、ＰＬＺＴ
等の固体表示を利用することも可能である。第２図は、
下部基板８と下部電極Ｔを示す。
い時には、上方からの入射光が液晶内で旋光し反射板で
反射されて戻るので明るく見えるが、電極間に電界がか
かつているところでは、入射光は液晶物質内で旋光しな
いので偏光板を通過できなくなり、暗く見える動作をす
る。この場合、本例では液晶物質を用いたが、ＰＬＺＴ
等の固体表示を利用することも可能である。第２図は、
下部基板８と下部電極Ｔを示す。
１１は１部電極３を取出すリード部、１２ａ〜１２ｆは
、電源のプラス、マイナス、表示信号、クロツク信号、
デイスプレイタイミングパルス、交流駆動パルスの計６
本の入力端子である。
、電源のプラス、マイナス、表示信号、クロツク信号、
デイスプレイタイミングパルス、交流駆動パルスの計６
本の入力端子である。
下部電極７の下部には、第３図以下に示す如く、シフト
レジスターが各々ＩＣとして製作される。第３図は、下
部電極に連結された回路部を示す。即ち、電極７に比し
て回路部の寸法は十分小さいので、表示の際の回路部分
の影響は無視できるであろう。この回路部は、第４図の
ような構造図のＣＭＯＳによつて作られ、第５図の如き
配線をされている。第４図において、１３は透光性の基
板、例えばサフアイア基板であり、この上にＰ型シリコ
ンの成長層１４を設ける。
レジスターが各々ＩＣとして製作される。第３図は、下
部電極に連結された回路部を示す。即ち、電極７に比し
て回路部の寸法は十分小さいので、表示の際の回路部分
の影響は無視できるであろう。この回路部は、第４図の
ような構造図のＣＭＯＳによつて作られ、第５図の如き
配線をされている。第４図において、１３は透光性の基
板、例えばサフアイア基板であり、この上にＰ型シリコ
ンの成長層１４を設ける。
さらにＮＭＯＳのドレイン拡散領域１５とソース拡散領
域１６を形成する。次に１７はゲート絶縁層ＳｉＯ２で
ある。１８はＮ型シリコンに反転させた拡散領域で、こ
こに、ＰＭＯＳのソース１９とドレイン２０を形成する
。
域１６を形成する。次に１７はゲート絶縁層ＳｉＯ２で
ある。１８はＮ型シリコンに反転させた拡散領域で、こ
こに、ＰＭＯＳのソース１９とドレイン２０を形成する
。
２１はゲート絶縁層ＳｉＯ２である。
２２はドレイン電極、２３はＮＭＯＳのソース電極、２
４はＰＭＯＳのソース電極、２５，２６は各ゲート電極
である。
４はＰＭＯＳのソース電極、２５，２６は各ゲート電極
である。
２７，２８は電源の供給ライン、２９は絶縁保護膜、３
０は表示電極である。
０は表示電極である。
電源ライン２７，２８および表示電極３０は、透明な素
材を用いる。ＣＭＯＳＩＣの基板土に成長させたＰ型シ
リコン層１４は、ＩＣ製作に必要な部分以外はエツチン
グによつて除く。それによつて、ＩＣ部分が表示パネル
に占める面積は、実質的に無視し得るように小さいもの
となる。第５図は、ＩＣ回路に含まれるシフトレジスタ
ーとメモリー回路の一例である。
材を用いる。ＣＭＯＳＩＣの基板土に成長させたＰ型シ
リコン層１４は、ＩＣ製作に必要な部分以外はエツチン
グによつて除く。それによつて、ＩＣ部分が表示パネル
に占める面積は、実質的に無視し得るように小さいもの
となる。第５図は、ＩＣ回路に含まれるシフトレジスタ
ーとメモリー回路の一例である。
３１〜３４はトランスミツシヨンゲート、３５〜３９は
インバータであるが、この３１〜３９の素子でシフトレ
ジスター１段を形成している。
インバータであるが、この３１〜３９の素子でシフトレ
ジスター１段を形成している。
端子４０に表示信号を入力し、端子４１にクロツク信号
を入力する。第７図５４に示すようなりロツク信号を人
力し、表示信号として５５の信号を端子４０に印加する
と、出力信号は５６の信号となる。この出力信号は、次
段のシフトレジスターに表示信号として入力される。こ
うしてクロツク信号が入るたびに、次々と表示情報はシ
フトレジスターに伝送される。第５図の下方の回路はメ
モリー回路である。４２〜４５はトランスミツシヨンゲ
ート、４６〜５０はインバータで、シフトレジスターと
同一であるノが、この回路は、端子５１に加えられるデ
イスプレイタイミングパルスによつてシフトレジスター
の出力を表示電極に伝え、保持する働きをする。
を入力する。第７図５４に示すようなりロツク信号を人
力し、表示信号として５５の信号を端子４０に印加する
と、出力信号は５６の信号となる。この出力信号は、次
段のシフトレジスターに表示信号として入力される。こ
うしてクロツク信号が入るたびに、次々と表示情報はシ
フトレジスターに伝送される。第５図の下方の回路はメ
モリー回路である。４２〜４５はトランスミツシヨンゲ
ート、４６〜５０はインバータで、シフトレジスターと
同一であるノが、この回路は、端子５１に加えられるデ
イスプレイタイミングパルスによつてシフトレジスター
の出力を表示電極に伝え、保持する働きをする。
従つてシフトレジスターの動作が低速であつても、この
メモリー回路で表示の保持がされているから走査が目に
つかない。第７図で５７のようなデイスプレイタイミン
グパルスが端子５１に入力されると、表示電極には５８
のような電圧がかかることになる。勿論、シフトレジス
ターが高速であれば、メモリー回路を除くことも可能で
ある。第６図は、交流駆動する場合のＩＣ回路である。
５２は排他的０Ｒ回路で、端子５３に交流，駆動パルス
を入れる。
メモリー回路で表示の保持がされているから走査が目に
つかない。第７図で５７のようなデイスプレイタイミン
グパルスが端子５１に入力されると、表示電極には５８
のような電圧がかかることになる。勿論、シフトレジス
ターが高速であれば、メモリー回路を除くことも可能で
ある。第６図は、交流駆動する場合のＩＣ回路である。
５２は排他的０Ｒ回路で、端子５３に交流，駆動パルス
を入れる。
この交流駆動パルスは、同時に、上部の共通電極にも加
えておく。これによつて液晶は交流駆動される。以上に
述べた如く、本発明は、各液晶表示画素毎に能動素子よ
りなるメモリ機能を設けたから、長時間にわたり正確に
表示データを保持しかつ表示画素に確実に該表示データ
を印加することができる効果を有する。
えておく。これによつて液晶は交流駆動される。以上に
述べた如く、本発明は、各液晶表示画素毎に能動素子よ
りなるメモリ機能を設けたから、長時間にわたり正確に
表示データを保持しかつ表示画素に確実に該表示データ
を印加することができる効果を有する。
又、この表示データを入力するタイミング信号は、表示
データが変わるときのみ、メモリ機能に入力するだけで
よく、データのリフレツシユの為の制御信号を必要とし
ないから、極めて低消費電力での表示データの記憶が可
能となる。特に、大型マトリツクスパネルの如き、画素
数の大きなものに対して、一定のデユーテイのタイミン
グ信号で表示データを印加する場合、この効果は顕著で
ある。又、各画素毎にメモリ素子を設けているので、テ
レビ画像の如き時系列的表示データ信号をシリアルに直
接液晶パネルに供給できるので、外部メモリやそこから
の引出線等の複雑な回路を省略することができる。さら
に、メモリ回路の出力信号を一定周揮で反転する手段を
能動素子により形成したから、液晶に印加される表示デ
ータ信号は一定周期で反転されるので、液晶内の電荷蓄
積による液晶の劣化は生じることなく、長期に安定した
画像表示を保証することができる。
データが変わるときのみ、メモリ機能に入力するだけで
よく、データのリフレツシユの為の制御信号を必要とし
ないから、極めて低消費電力での表示データの記憶が可
能となる。特に、大型マトリツクスパネルの如き、画素
数の大きなものに対して、一定のデユーテイのタイミン
グ信号で表示データを印加する場合、この効果は顕著で
ある。又、各画素毎にメモリ素子を設けているので、テ
レビ画像の如き時系列的表示データ信号をシリアルに直
接液晶パネルに供給できるので、外部メモリやそこから
の引出線等の複雑な回路を省略することができる。さら
に、メモリ回路の出力信号を一定周揮で反転する手段を
能動素子により形成したから、液晶に印加される表示デ
ータ信号は一定周期で反転されるので、液晶内の電荷蓄
積による液晶の劣化は生じることなく、長期に安定した
画像表示を保証することができる。
第１図は、本発明の表示パネルの構造を示す断面図であ
る。 １・・・・・・上の直線偏光板、２・・・・・・土部ガ
ラス基板、３・・・・・・土部透明電極、４・・・・・
・液晶、５・・・・・・封入部材、６・・・・・・電極
接続の導体、７・・・・・・下部電極、８・・・・・・
下部基板、９・・・・・・下部直線偏光板、１０・・・
・・・反射板。 第２図は、下部基板８上の下部電極７の配置図である。 第３図は、下部電極７とその下に形成されたＩＣ回路を
示す。第４図は、ＩＣ回路部分の断面構造図であり、Ｃ
ＭＯＳ構造の例である。１３・・・・・・サフアイア基
板、１４・・・・・・Ｐ形成長層、１５・・・・・・Ｎ
ＭＯＳのドレイン領域、１６・・・・・・ＮＭＯＳのソ
ース領域、１７・・・・・・ゲート絶縁層ＳｌＯ２、１
８・・・・・・Ｎ形反転層、１９・・・・・・ＰＭＯＳ
のソース領域、２０・・・・・ＰＭＯＳのドレイン領域
、２２・・・・・・ドレイン電極、２３，２４・・・・
・・ソース電極、２５，２６・・・・・・ゲート電極、
２７，２８・・・・・・電源供給ライン、２９・・・・
・・絶縁保護膜、３０・・・・・・表示電極。 第５図はＩＣ回路の配線図で、いわゆるシフトレジスタ
ー１段とメモリー回路である。 ３１〜３４，４２〜４５・・・・・・トランスミツシヨ
ンゲート、３５〜３９，４６〜５０・・・・・・インバ
ータ。 第６図は交流駆動の場合のＩＣ回路である。 ５２・・・・・・排他的０Ｒ回路。 第７図は、ＩＣ回路の動作説明のための信号波形を示す
。
る。 １・・・・・・上の直線偏光板、２・・・・・・土部ガ
ラス基板、３・・・・・・土部透明電極、４・・・・・
・液晶、５・・・・・・封入部材、６・・・・・・電極
接続の導体、７・・・・・・下部電極、８・・・・・・
下部基板、９・・・・・・下部直線偏光板、１０・・・
・・・反射板。 第２図は、下部基板８上の下部電極７の配置図である。 第３図は、下部電極７とその下に形成されたＩＣ回路を
示す。第４図は、ＩＣ回路部分の断面構造図であり、Ｃ
ＭＯＳ構造の例である。１３・・・・・・サフアイア基
板、１４・・・・・・Ｐ形成長層、１５・・・・・・Ｎ
ＭＯＳのドレイン領域、１６・・・・・・ＮＭＯＳのソ
ース領域、１７・・・・・・ゲート絶縁層ＳｌＯ２、１
８・・・・・・Ｎ形反転層、１９・・・・・・ＰＭＯＳ
のソース領域、２０・・・・・ＰＭＯＳのドレイン領域
、２２・・・・・・ドレイン電極、２３，２４・・・・
・・ソース電極、２５，２６・・・・・・ゲート電極、
２７，２８・・・・・・電源供給ライン、２９・・・・
・・絶縁保護膜、３０・・・・・・表示電極。 第５図はＩＣ回路の配線図で、いわゆるシフトレジスタ
ー１段とメモリー回路である。 ３１〜３４，４２〜４５・・・・・・トランスミツシヨ
ンゲート、３５〜３９，４６〜５０・・・・・・インバ
ータ。 第６図は交流駆動の場合のＩＣ回路である。 ５２・・・・・・排他的０Ｒ回路。 第７図は、ＩＣ回路の動作説明のための信号波形を示す
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 相対向する第一及び第二の透明基板間に液晶が封入
されてなり、該第一の透明基板上に透明な第一電極と該
第二の透明基板上に複数の透明な第二電極とを有する表
示パネルにおいて、該第二の透明基板上には、複数の能
動素子からなるメモリ回路が該第二電極の各々に対応し
て複数配列され該メモリ回路は該第二電極にて被覆され
てなることを特徴とする表示パネル。 ２ 相対向する第一及び第二の透明基板間に液晶が封入
されてなり、該第一の透明基板上に透明な第一電極と該
第二の透明基板上に複数の透明な第二電極とを有する表
示パネルにおいて、該第二の透明基板上には、複数の能
動素子からなるメモリ回路及び該メモリ回路の出力信号
を一定周期で反転する手段が該第二電極の各々に対応し
て複数配列され、該メモリ回路及び該反転手段は、該第
二電極にて被覆されてなることを特徴とする表示パネル
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3025383A JPS5944603B2 (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | 表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3025383A JPS5944603B2 (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | 表示パネル |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12610873A Division JPS5722112B2 (ja) | 1973-11-09 | 1973-11-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58184122A JPS58184122A (ja) | 1983-10-27 |
| JPS5944603B2 true JPS5944603B2 (ja) | 1984-10-31 |
Family
ID=12298543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3025383A Expired JPS5944603B2 (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | 表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5944603B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01306005A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-11 | Kawasaki Steel Corp | ゾーンコントロールバルブ用流体吐出弁の内部漏れ検出方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2653099B2 (ja) * | 1988-05-17 | 1997-09-10 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクスパネル，投写型表示装置及びビューファインダー |
| JPH0499479U (ja) * | 1991-01-26 | 1992-08-27 |
-
1983
- 1983-02-25 JP JP3025383A patent/JPS5944603B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01306005A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-11 | Kawasaki Steel Corp | ゾーンコントロールバルブ用流体吐出弁の内部漏れ検出方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58184122A (ja) | 1983-10-27 |
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