JPS5944678A - 放射線検出器 - Google Patents
放射線検出器Info
- Publication number
- JPS5944678A JPS5944678A JP57155226A JP15522682A JPS5944678A JP S5944678 A JPS5944678 A JP S5944678A JP 57155226 A JP57155226 A JP 57155226A JP 15522682 A JP15522682 A JP 15522682A JP S5944678 A JPS5944678 A JP S5944678A
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- JP
- Japan
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- light
- detector
- radiation
- scintillator
- reflectance
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は放射線検出器、特にＸ線ＣＴ装置のシンチレー
ション放射線検出器に係る。
ション放射線検出器に係る。
従来のＸ線ＣＴ装置は、走査方式の違いによシ種々のタ
イプがある。その−例を第１図に示す。
イプがある。その−例を第１図に示す。
扇状に広がったＸ線ビーム２とＸ線源１を中心とする円
弧上に配置された複数個（３０〜２０００ ）の放射線
検出器３よシなる多素子放射線検出器４で構成されてい
る。この多素子放射線検出器には気体の電離作用を利用
する電離箱形検出器や、固体の電離作用を利用する半導
体検出器、あるいはシンチレータのルミネッセンスを利
用し光検出器と組合わせたシンチレーション検出器など
を用いるものなどがある。シンチレーション検出器にお
いては一般に第２図に示すような構造が取られている。
弧上に配置された複数個（３０〜２０００ ）の放射線
検出器３よシなる多素子放射線検出器４で構成されてい
る。この多素子放射線検出器には気体の電離作用を利用
する電離箱形検出器や、固体の電離作用を利用する半導
体検出器、あるいはシンチレータのルミネッセンスを利
用し光検出器と組合わせたシンチレーション検出器など
を用いるものなどがある。シンチレーション検出器にお
いては一般に第２図に示すような構造が取られている。
検出器に入射した放射線ビーム２は遮光板兼反射板５を
透過しシンチレータ６ａに到達し、ここで光に変換され
る。この光は半導体光検出器７で受光され電気信号に変
換される。隣接する検出器間の隔離は仕切板９によって
なされ、変換された電気信号は信号取出しプリント配線
基板８を経て外部に取り出される。この場合一般に単結
晶無機’／７ｆＶ−夕例えばＮ ａＩ 、 Ｃ５Ｉ 、
ＣｄＷｏ ４ 。
透過しシンチレータ６ａに到達し、ここで光に変換され
る。この光は半導体光検出器７で受光され電気信号に変
換される。隣接する検出器間の隔離は仕切板９によって
なされ、変換された電気信号は信号取出しプリント配線
基板８を経て外部に取り出される。この場合一般に単結
晶無機’／７ｆＶ−夕例えばＮ ａＩ 、 Ｃ５Ｉ 、
ＣｄＷｏ ４ 。
Ｂｉ・Ｇ ｅ ３０ ｔ ２などが用いられ、る。これ
らのシンチレータ６は特性的に一長一短があり全てのタ
イプのＣＴ親装置適用できない。単結晶シンチレータの
不足部分を補うものとして粉末シンチレータ（蛍光体粉
末）が用いられている。粉末シンチレータは適当なバイ
ンダー（例えばポリスチレン樹脂）を用いて成形して用
いるが、単結晶シンチレ−タに比較して機械的強度が劣
るため破損し易いと云う欠点がある。さらに単結晶シン
チレータに比較して光の透過が悪いため単結晶シンチレ
ータと同様の構造として放射線の射出側から光を取り出
し、光検出器で受光することは困難である。そこで粉末
シンチレータを用いた放射線検出器では第３図に示すよ
うな構造が取られている。検出器に入射した放射線ビー
ム２は遮光板兼光反射板５を透過し放射ビーム２の光軸
に対して斜めに配置された粉末シンチレータ６ｂに到達
しここで光に変換される。変換された光のほとんどがシ
ンチレータの放射線の入射側に放射される。この光は遮
光板兼光反射板５および仕切板９の表面に設けられてい
る光反射膜１０で反射され半導体光検出器７（例えばＳ
ｉフォトダイオード）で受光され電気信号に変換される
。上述の遮光板兼光反射板５の内面の反射率および光反
射膜１０の反射率は放射線検出器の出力に大きく影響を
与える。第４図は反射率と検出器出力との関係を示す図
である。
らのシンチレータ６は特性的に一長一短があり全てのタ
イプのＣＴ親装置適用できない。単結晶シンチレータの
不足部分を補うものとして粉末シンチレータ（蛍光体粉
末）が用いられている。粉末シンチレータは適当なバイ
ンダー（例えばポリスチレン樹脂）を用いて成形して用
いるが、単結晶シンチレ−タに比較して機械的強度が劣
るため破損し易いと云う欠点がある。さらに単結晶シン
チレータに比較して光の透過が悪いため単結晶シンチレ
ータと同様の構造として放射線の射出側から光を取り出
し、光検出器で受光することは困難である。そこで粉末
シンチレータを用いた放射線検出器では第３図に示すよ
うな構造が取られている。検出器に入射した放射線ビー
ム２は遮光板兼光反射板５を透過し放射ビーム２の光軸
に対して斜めに配置された粉末シンチレータ６ｂに到達
しここで光に変換される。変換された光のほとんどがシ
ンチレータの放射線の入射側に放射される。この光は遮
光板兼光反射板５および仕切板９の表面に設けられてい
る光反射膜１０で反射され半導体光検出器７（例えばＳ
ｉフォトダイオード）で受光され電気信号に変換される
。上述の遮光板兼光反射板５の内面の反射率および光反
射膜１０の反射率は放射線検出器の出力に大きく影響を
与える。第４図は反射率と検出器出力との関係を示す図
である。
図に示す通υ反射率が高くなると検出器出力は急激に増
加する。従来これらの反射膜にはＡｔ？０３゜ＴｉＯ□
などの粉末が塗布されていた。粉末の塗布膜の厚さは粉
自体の反射率を求めるためには０．５Ｂ〜１叫が必要で
ある。しかし放射線検出器が高密度多素子化されると個
々の検出器の開口幅が狭＜（１ｍｍ〜２問）なると塗膜
面の厚みを十分に取ることができなくなり、これに伴い
塗膜面の反射率が下がり必然的に検出器出力が低下する
という欠点があった。
加する。従来これらの反射膜にはＡｔ？０３゜ＴｉＯ□
などの粉末が塗布されていた。粉末の塗布膜の厚さは粉
自体の反射率を求めるためには０．５Ｂ〜１叫が必要で
ある。しかし放射線検出器が高密度多素子化されると個
々の検出器の開口幅が狭＜（１ｍｍ〜２問）なると塗膜
面の厚みを十分に取ることができなくなり、これに伴い
塗膜面の反射率が下がり必然的に検出器出力が低下する
という欠点があった。
本発明の目的は、以上に述べたごとく、粉体シンチレー
タを用いたシンチレーション放射線検出器の構造上の欠
点を除き、機械的強度が高く、放射線の利用効率の高い
高出力の放射線検出器を得る検出器構造を提供するもの
である。
タを用いたシンチレーション放射線検出器の構造上の欠
点を除き、機械的強度が高く、放射線の利用効率の高い
高出力の放射線検出器を得る検出器構造を提供するもの
である。
（２０μｍ〜５０μｍ）とし、検出器内面側の光反射面
にはＡｔ又はＡｇの蒸着（８００〜１２００人の膜厚）
膜を設は光の反射率を向上させる。仕切板９には放射線
の吸収の大きな物質、例えばＷ。
にはＡｔ又はＡｇの蒸着（８００〜１２００人の膜厚）
膜を設は光の反射率を向上させる。仕切板９には放射線
の吸収の大きな物質、例えばＷ。
ＭＯを用いその表面は上述のＡｔ又はＡｇの蒸着膜を設
は光反射膜１０とする。適当な／（インダー、例えばポ
リスチレン樹脂によって固化し成形した粉体シンチレー
タは第５図に示すように仕切板９に例えばエポキシ樹脂
を用いて接着し、て用いる。
は光反射膜１０とする。適当な／（インダー、例えばポ
リスチレン樹脂によって固化し成形した粉体シンチレー
タは第５図に示すように仕切板９に例えばエポキシ樹脂
を用いて接着し、て用いる。
力お、１１は検出器ケースである。
本実施例によれば光反射膜での放射線吸収ロスを少なく
、シかも高反射率が得られるため検出器出力は高くなる
。又仕切板に粉体シンチレータを接着させるためシンチ
レータ６ｂが機械的に補強される。
、シかも高反射率が得られるため検出器出力は高くなる
。又仕切板に粉体シンチレータを接着させるためシンチ
レータ６ｂが機械的に補強される。
本発明によれば、放射線検出器内の光反射膜での放射線
の吸収を５〜８％減少させることができ放射線利用効率
の向上がはかれる。また、光の反射率が従来のもの（例
えばＡ Ｌ ２０ ａ を０．１ ｔａｎ厚に塗布した
もの、反射率＝７４％）よりも高くなる（Ａ／、蒸着面
の反射率は８６％、さらにＡｔ蒸着膜の表面にＭｇＦ
、 Ｔ ｉ Ｏ２の多層膜を形成すると反射率は９３％
）ため検出器出力は第４図に示す通シ１．５倍〜２．１
倍となる。さらに成形された粉体シンチレータ６ｂは仕
切板９に接着して補強されるため機械強度は高くなる。
の吸収を５〜８％減少させることができ放射線利用効率
の向上がはかれる。また、光の反射率が従来のもの（例
えばＡ Ｌ ２０ ａ を０．１ ｔａｎ厚に塗布した
もの、反射率＝７４％）よりも高くなる（Ａ／、蒸着面
の反射率は８６％、さらにＡｔ蒸着膜の表面にＭｇＦ
、 Ｔ ｉ Ｏ２の多層膜を形成すると反射率は９３％
）ため検出器出力は第４図に示す通シ１．５倍〜２．１
倍となる。さらに成形された粉体シンチレータ６ｂは仕
切板９に接着して補強されるため機械強度は高くなる。
第１図はＸ線ＣＴ装置の一例、第２図は単結晶シンチレ
ータを用いたシンチレーション多素子放射線検出器の斜
視図、第３図は粉末シンチレータを用いたシンチレーシ
ョン多素子放射線検出器の構造を示す斜視図、第４図は
検出器内面の反射率と検出器出力との関係を示す。第５
図は粉末シンチレータの補強方法の実施例を示す図であ
る。 １・・・Ｘ線源、２・・・Ｘ線ビーム、３・・・Ｘ線検
出装置、４・・・Ｘ線検出器、５・・・遮光板兼光反射
板、６・・・シンチレータ、７・・・半導体光検出器、
８・・・信号取り出しプリント配線基板、９・・・仕切
板、１０・・・光反第 １ 因 第 ２ 図 第３ 図 夏４− 図 光反射面妖射牢（〜 ＄Ｓ 図 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ＠発 明 者 窪田重雄 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 （１１）出 願 人 株式会社日立メデイコ東京都千代
田区内神田−丁目１ 番１４号
ータを用いたシンチレーション多素子放射線検出器の斜
視図、第３図は粉末シンチレータを用いたシンチレーシ
ョン多素子放射線検出器の構造を示す斜視図、第４図は
検出器内面の反射率と検出器出力との関係を示す。第５
図は粉末シンチレータの補強方法の実施例を示す図であ
る。 １・・・Ｘ線源、２・・・Ｘ線ビーム、３・・・Ｘ線検
出装置、４・・・Ｘ線検出器、５・・・遮光板兼光反射
板、６・・・シンチレータ、７・・・半導体光検出器、
８・・・信号取り出しプリント配線基板、９・・・仕切
板、１０・・・光反第 １ 因 第 ２ 図 第３ 図 夏４− 図 光反射面妖射牢（〜 ＄Ｓ 図 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ＠発 明 者 窪田重雄 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 （１１）出 願 人 株式会社日立メデイコ東京都千代
田区内神田−丁目１ 番１４号
Claims (1)
- 蛍光体と半導体光検出器とから成るシンチレーション放
射線多素子検出器において、隣接する検出器間の仕切板
として原子番号の大きい金属を用い、かつ仕切板の表面
にＡｔもしくはＡｇを蒸着すること、およびポリスチレ
ン樹脂を用いて成形した蛍光体を上記仕切板に接着剤を
貼り付け、補強することを特徴とする放射線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57155226A JPS5944678A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57155226A JPS5944678A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 放射線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5944678A true JPS5944678A (ja) | 1984-03-13 |
Family
ID=15601277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57155226A Pending JPS5944678A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5944678A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6132984U (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-27 | 株式会社島津製作所 | Ｅｃｔ用放射線検出器 |
| JPS61144486U (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-06 | ||
| JPS6253639A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-09 | ピカ− インタ−ナシヨナル インコ−ポレイテツド | 放射線画像化方法ならびに装置 |
| JPS63243780A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-11 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | Ｘ線検出装置 |
| JP2014020860A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Japan Atomic Energy Agency | シンチレータを用いた中性子検出器及び中性子イメージ検出器 |
-
1982
- 1982-09-08 JP JP57155226A patent/JPS5944678A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6132984U (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-27 | 株式会社島津製作所 | Ｅｃｔ用放射線検出器 |
| JPS61144486U (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-06 | ||
| JPS6253639A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-09 | ピカ− インタ−ナシヨナル インコ−ポレイテツド | 放射線画像化方法ならびに装置 |
| JPS63243780A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-11 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | Ｘ線検出装置 |
| JP2014020860A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Japan Atomic Energy Agency | シンチレータを用いた中性子検出器及び中性子イメージ検出器 |
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