JPS5945939U - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5945939U JPS5945939U JP14130682U JP14130682U JPS5945939U JP S5945939 U JPS5945939 U JP S5945939U JP 14130682 U JP14130682 U JP 14130682U JP 14130682 U JP14130682 U JP 14130682U JP S5945939 U JPS5945939 U JP S5945939U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- semiconductor equipment
- transistor
- collector
- collector region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は本案の一実施例を示す側断面図、第２図は第１
図の等価回路、第３図は本案の他の実施例を示す側断面
図である。 図中、１は半導体基板、２はコレクタ領域、３はベース
領域、４はエミッタ領域、５は酸化膜、６は金属蒸着膜
、７．９は抵抗層、８は領域（コンデンサ形成部分）で
ある。
図の等価回路、第３図は本案の他の実施例を示す側断面
図である。 図中、１は半導体基板、２はコレクタ領域、３はベース
領域、４はエミッタ領域、５は酸化膜、６は金属蒸着膜
、７．９は抵抗層、８は領域（コンデンサ形成部分）で
ある。
Claims (1)
- 半導体基板にコレクタ領域、ベース領域、エミッタ領域
を有するトランジスタを形成すると共に、それに隣接す
る領域又はコレクタ領域上に抵抗及びコンデンサの直列
回路を形成し、コレクタ領域とベース領域とに接続した
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14130682U JPS5945939U (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14130682U JPS5945939U (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5945939U true JPS5945939U (ja) | 1984-03-27 |
Family
ID=30316080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14130682U Pending JPS5945939U (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5945939U (ja) |
-
1982
- 1982-09-17 JP JP14130682U patent/JPS5945939U/ja active Pending
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