JPS5946007A - 電気抵抗体の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、電気Ｊ［Ｌ抗体ならひに電気抵抗体の製造法
に関するものである。更に詳しくは、本発明は、高い抵
抗率と低い温度抵抗係数とを有する抵抗体を作イ）事が
でき、また比＋ｉｉ、ｇ的廉価な相打から作られるガラ
ス質エナメル抵抗物質からなる電気抵抗体の製造法に関
するものである。 最近市販されるようになった１１Ｌ気抵抗物ｆＪＩ↓σ
口つの型は、ガラスフリットと、導電性物質のイ；タ細
粒子との混合物から成るカラス１４エナメル抵抗物質で
ある。このカラス値エナメル抵抗物ｆＪ−を、絶縁性物
ＴＬ（通常セラミックス）の基板の表面に被値し、焼成
し、てガラスフリットを溶融する。冷却されろと、内部
に導電性粒子ケ分散されたガラスｉ専月４工が作られる
。 広い抵抗値範囲を有−ｇ−る電気抵抗に対する一要求が
あるので、広い抵抗値範囲の抵抗体を作る事のできる特
性を備えたガラス質エナメル抵抗物質を］〃供する−３
が′■ましいのであるが、高い抵抗率のＪ（ロ１１体ン
作ると共Ｖこ温度の変動に対して比較的安定７．Ｃ１す
なわち低いＴＩ’１７１度抵抗係数を有するガラスｙ′
ｔエナメル抵抗物質を提１″１（ずろ事に関する問題が
生じている。高い抵抗率と共に低い温度抵抗係数ケ与え
る抵抗物ｒ′ｔは一般に導電性粒子として貢金）・ｔｉ
を用いるので、比較的高価である。Ｊ　、　Ｄｃａｒｄ
ｃｎの　！盲　ＩＩｉｇｈ　　Ｖａｌｕｅ　　、　　Ｉ
−ｌ−１ｉ＋　　Ｖｏｌｔａｇｅ　　Ｒｃｓｉｓｔｏｒ
ｓ　　”と；自′毒する。１１１文（■シＬＥＣＴＲＯ
ＮＩＣＣＯＭＰＯＮＩらＮＴＳ。 １９６７年３月号、　Ｐ、　２５９−２（３１）におい
゛Ｃ，Ｉホベら１１ているように、順化スズをアンチモ
ンでドーピングして成るガラス’Ｉ’■エナメル抵抗物
質は高い抵抗率を提供すると共に、比較的へに価な物ｊ
′（である４ｊ￥が光見きλｔた。しかしこの・物質は
高い負の温度１１（１冗１糸数７・１丁す４）。 木兄１シ４の目的は、新規なカラス賀エナメル抵抗物ク
リ、から作られた抵抗体を提供することにｉ）る。 本発明の他の目的は、高い抵抗率と比較的低い温度抵抗
係数を有する抵抗体を作る事ができ、また比較的廉価な
ガラス質エナメル抵抗物質からなる抵抗体を提供するに
ある。 他の目的は下記においで明らかとなろ５゜こ才しらの［
」的は、カラスフリットと、酸化スズおよび酸化タンタ
ルのに赫：ｌｌ　’Ａ’−：ｊ、子どの混合４吻から成
るＪ［（抗物り↓によって達成さオし、＋ｉｉｌ記混合
物はガラスフリットと混合するに先立って加熱処理する
事ができろ。 従って本発明で用いる抵抗物質は、下記に例示された性
徴および／ｌ＆性および成分比を慣する組成物乞包括し
ている。以下本発明を、図面を参照しながら実施例につ
いてｉ１輸川に説明すく）。 一般的に言って、木う■３明で用いるガラス質エナメル
抵抗物質はガラスフリットと、導電相の微粒子との混合
物から成り、［）ＩＪ記の層、？１山Ａ１１ばｔｊ２化
スズ（Ｓｎ　０２　）ど酸化タンタル（Ｔａ　２０５　
）との混合物である。この抵抗物質中にカラスフリット
は１３０％〜７０％（体積）、好ましくは４０％〜６０
％（体積）の割合で存在する、４　ｆｌｉ　４１の中に
ｉ６いて、ｆｊン化メタンタル導電相の０．５〜５０重
量％の割合で存在する。 本発明において使用されるガラスフリットは、一般にガ
ラス質エナメル抵抗物Ｊ′よを作るのに使用さ、ｉｔま
た専電相１扶下のｔ１独点を有１−ろ公知組成物のいず
れを使用することもでさる。しかし、ホウケイ畝フリッ
ト、特にバリウムまたはカルシウムホウク゛イ酸フリッ
トの如きアルカリ土金（−１８ホウケイ

【１′２フリツ
トが好ましいことが発見された。この種のフリットの製
法は公知であって、例えばガラスの各成分をその〔゛ば
化物の形で一緒に融解し、このように７ｂ融された組成
物を水の中に注入してフリットを形成するにある。もち
ろん、回分成分は、通冨のフリット製造条件σ）もとに
ｆす「望の酸化物を生じろ任フ（よの化合物とすること
ができろ。ｆｌＪえば、酸化ホウ素はホソ敵から作られ
、二敵化ケイ素はフリントから作られ、またＩ’ｊｌ化
バリウムはｋ　ｔ＋λバリウムから作られろ１．Ｃどで
あイ）。フリットの粒径乞減少し、また大体均一粒径の
フリットを得るため、イ：ｎフリットをボールミルの中
で水と共に粉砕ずろことか好ましい。 本発明で用いる抵抗物質は、ガラスフリットと、酸化ス
ズ粒子と、酸化タンタル粒子とを適当な割合で完全に？
ｌＩ、合することによって作ることができる。この混合
は、各ｊＪｉ分乞水σ）中で、あるいはブチルカルピト
ールアセタート ールアセター き有１ノコ媒質中において、ボールミル処理１−ろこと
によつ−Ｃ実施することか好ましい。イソ（に、抵抗物
質を基体に当用する希り′シの方法に４した粘度と／Ｌ
ろまで、＋ｉｉＪ記の混合物に液体媒）Ｉ＋、を加え、
または［１♀去することによって粘度−、１節する。ス
クリーンステンシル法の用台には、液体を蒸発させたの
ち、＜１Ｌ合′Ｉ勿をり．Ｉ（ｅｕｓｃｋｅ　　ａｎｄ
　　Ｃｏｍｐａｎｙ，　　Ｎｅｗ；Ｉｖｋ。 Ｎ．　Ｊ　、　４３品のごときスクリーニングビヒクル
と混合する。 抵抗率をよりよ（制ｔ”ｌｉｌ　Ｌ、特に低い抵抗値を
得ろための他の製法においては、ますｆｆｌｆＬ，スズ
と酸化タンタルを適当な割合で混合する。これは、これ
ら酸化，吻の混合物をブチルカルピトールアセタートの
ごとき液体ビヒクルと共にボールミル処理し、液体ビヒ
クルな蒸発させ、残った粉末を非酸化性雰囲気中で熱処
理する。この熱処理から生じた生成物を次にガラスフリ
ットと混合して抵抗物質を作る。これらの生成物は、Ｓ
ｎＯ。と、”ｆ：　ａ　２　０　５と、Ｓｎ０　２／　
’．１７２　２　０　５　　化合物と考えらｉｔろ追加
相とから成ることが７５１察された，前記の，粉末は下
記の柚々の方法でｆ（・き処理することができる：導ｉ
ｉ　ＡＩＪ　（　ｔ″１２化タンメタンクルー酸化スズ
混合物れたｌｉｊｌｉ７管炉の中に置さ、成形ガス（５
１５％Ｎ２ど５％ＩＩ２）を前記曹の上に通るよりに、
賀炉の中に入れろ。この管炉を５２５Ｃまで加ｉ！，ｊ
ｌよし、短時間（約１０分までの時間）この温度に保持
１−ろ。そこで、管炉σ〕スイッチな切り、導電（［］
を入れた槽を炉と共に’７１冑１Ｌ，ｈまで冷却さぜる
。等電Ａ目が炉か１フ出さオ′シろまで、成形ガス雰囲
気か保持されろ。 熱処理　２： 尋′ｆｊｊ相？含む４゛１・）１を連ＮｉＧ炉のベルト
の上に置く。 この）１１．！すを腎ｌ諮亦囲気甲において、１時間ザ
イクル間θ）、１０００　Ｃのピーク温ＦＩｋで加熱す
る。 ｒ４１へ処Ｊ里　　：３　： この場合には、窒素雰囲気を炉の中に用い、炉を月００
℃まで加熱し、この温度に４時間保持した事を除いて処
理１と同様に行なった。熱処理された粉末を次にボール
ミル処Ｊｌｊ　して、粒径な好ましくは１ミクロン以下
まで減少させる。 この熱死ゴ里された粉末を前記と同様にして適肖惜のガ
ラスフリットと混合する。 このようにして（ｉ）られた抵抗物り′【をもって抵抗
体を作るためには、この物質を基板の表面上に均一・厚
さに塗布する。この基板は、抵抗物り（の’ＪＪ’１１
．成温度に耐えうろ任作物グ内、の物体とする事ができ
ろ。 一般に、基板は、セラミックスであって、たとえばガラ
ス、陶ｆ１、ステアタイト、チタン酸バリウム、アルミ
ナまたは類似のものである。一般に抵抗物質は基板上に
、ブラッシング、浸漬法、噴霧法またはスクリンステン
シル法によって当用されろ。抵抗物質被覆を備えた基板
を次に通常の炉の中で、ガラスフリットが溶融する温度
で焼（。抵抗物質は好ましくは、アルゴン、ヘリウムま
たは窒素のごとき不活性雰囲気中において焼成される。 使用されろそれぞれの焼成温度は、使用されるそれぞれ
のガラスフリットの溶融温度に依存している。基板と抵
抗物質が冷却された時、ガラス質エナメルが硬化し、て
、抵抗物１ｊＪ↓を基板に対してＪ：ｊ２７’、（ｔさ
せろ。 第１図に示すよりに、本発明によって作られた抵抗体が
全体として１０で示され−〔いる。この抵抗体用はセラ
ミックス基ＡＲ１２の上に、本発明で用いろ抵抗物り１
層１４を力！ｉ、ｕｔｔ、、焼成して成る。抵抗物′１
′を層１４は、７５電相の微＋ｌ’ｌｌ＋粒子を含むガ
ラスτ（１０から成る。導′屯相粒子１８は、ガラス１
６全体の中に埋め込まれまた分散されている。 以１’不兄明を二、三の例によって説明するか本光り］
はこれらの例に限［）れるものではない。 ｓｎ　　ｒ 酸化スズと酸化タンタルを混合する事によってこれら酸
化物から成る導電相（その１５重量％は酸化メンタル）
を作った。これら酸化物を前記の熱処理法１によって熱
処理した。４０％Ｂａｄ、　２０％Ｉ３□０３，２５％
５ｉｎ２．１０％５ｎｏ２．３％Ａ１ρ３および２％ｉ
”　ａ　２０　、の組成のガラスフリットの種々の量と
、前り己導電、ｒ「１を混合する事によって抵抗物ＩＴ
の数回分を作った。各回分に」ｄける＞Ｊ′、７．、相
とガラスフリットの割合は下記表Ｊに示されている。各
混合物をブチルカルピトールアセタートと共にボールミ
ルして先金混合物を作る。プチルカルビトールアーヒタ
ートを蒸発させ、この石＋　＜Ｕ−’Ｉ勿をり、　ＩＬ
ｅｕｓｃｈｃａｎｄ　Ｃｏｍｐａｎｙ、　Ｎｅｗａｒｋ
、　Ｎ、　Ｊ、　　によつ−Ｃ作られたゴムローラρｊ
（賀と６Ｌ合］−で、抵抗組成′１シηを作る。 これらのＡ：ｒＨ戊゛吻？セラミックス板の上にスクリ
ーンステンシル法で付着さぜるＪＮＣよって抵抗な作っ
た。このように抵抗物質を塗布されたセラミック板を１
５分間１５０℃で乾燥させ、次にこえＬヶ炉の甲で４０
０℃の温度に１時間Ｊｌ、ｕき、スクリーニングビヒク
ル価わ１ヨさせる。次に、これらの抵抗な窒素３′）、
囲気を備えたトンネル炉の甲で、表１に示した温ＩＵｉ
で、（２）分ザイクル間、焼成した。このように［７て
作られた抵抗体の抵抗率と＆ｉｉｉ　Ｉ−！を抵抗係数
を下記の表１に示しである。 表　　　１ ガラスフリット　導電相　焼成温度　　抵抗率　温度抵
抗係数３０　　　　　７０　　　１０００　　　　１０
Ｋ　　　　１３２５０　　　　　５０　　　１０００　
　　　１２Ｋ　　　　　３３６５　　　　　３５　　　
１００　（）２１３　Ｋ　　　−８Ｇ　８例■ ０、５．７１＜　：ｔａ？：％の酸化タンタルと酸化ス
ズと混合した。９７を除き、例Ｉと間係にして導ｉｆｆ
、　Ａ目を作った。 この導′「（Ｌ相粉末を、４２％Ｂａｄ、　２０％Ｂ２
Ｏ３，３８％δ１０２の組成のガラスフリットと混合す
る。導電相の分「−１：を５０体精％とじた。この混合
物を例Ｉに述べたのと同様にして抵抗物質にした。この
抵抗物廻、を例■と同様にして抵抗体に形成し、この抵
抗体ｔ１．１００℃で焼成した。このようにして作られ
た抵抗体は２キロオーム／乎方のシート抵抗率と、　　
６１）ｐ＋ｎ／℃の温度抵抗係数とを有していた。 制用 酸化タンタル５重ａビｂと、酸化スズ９５重量７ｏの混
合物に対し−て？、各処理２を用いて、＋７；′−重相
を作った。 この心・［ｄ相扮末４５体積％と、例１１＆こＪ６いて
用い７こＡ、［１成のガラスフリット５５体積すｂとを
１１も合する−１１によって、例Ｉと同（壬にしてｉＩ
（抗′１γ１゛（を作った。虱ｊ冗＾且成ノ１勿をセラ
ミックスイ反の一トにスクリーンステンシル法で、！ご
布する事によって抵抗体を作つ１こ。 この被ｉ１Ｊさオしたプレートを１５分間、１５（１’
Ｃで乾か′こさせた。次にこれらのル−トを、−、；′
ｉλ〜雰１１１気のピークδλ度３５０Ｃのトンネル炉
の中に、ＷＩＬ’ｒ間ザイクルで：＋−！ｌした。次に
こＪｔらの板を、同じく窒素雰囲気に打丁Ｚ）トンネル
炉の中で、３０分ザイクル間、焼成し、た。セラミック
ス板の一方は９００℃のビーク部属で焼成され、他方は
１０００℃で貌成さ２１ｔだ。９００℃で焼成さλした
」：（抗体は、１１５にオーム／平方のシート抵抗率と
、−９９１）Ｉ）ｍ７℃の温度抵抗係数とをイイしてい
た。他方＋　　１０００℃で焼成さ才ｔた抵抗体は、７
７にオー１．／平方のシート」」（抗率と、ゼロの温度
抵抗係数とを有していた。 例ＩＶ 導電相が１５重量％の酸化タンタルを含んでいる事を除
き、例【ｌＩと同様にして導電相を作った。また例ＴＩ
Ｔのように、この点１を電相をもって抵抗ルフＪＡｅ作
り、二１′、た同じ（例１１［ど同様にしてこの抵抗物
質から抵抗体を作った。この抵抗体を９００℃で焼成し
プ、二く、のシよ、２３０にオーム／平方　の平均シー
ト抵抗率と、−９７ｐ　ｐ　ｍ／’Ｃの温度抵抗係数と
を有（７ていた。１０００　℃で焼成された抵抗体は、
２２０Ｊ（オーム／平方の平均シート抵抗率と、−１０
０ｐｐｍ／ｌ：　（１）　ＩＩＮ（Ｉ；ｌ　、ＩＪ−（
抗ｆｆ＜　Ｅ、ｌ　トを打（］ていた。 例Ｖ Ｅ１５抗相が５０ｊｋ量％のＩＶ化メタンタル含む事を
除１ヶ１例ＩＩＩと同様にして？７３・電相ン作った。 また５０体石゛ｃ′んの導′亀相と５０体：ｉ’Ｌ（％
のガラスフリットを含む一串を除き例１１１と同様にし
て１）ＩＩ記２ル、１ｊ：相をもって母抗物質を作った
。また９５０℃でυ゛Ｌ成１−る事を除き列Ｈ１と同様
に（〜で、ＭｉＪ記抵抗物賀物質低抗体を作った。得ら
れた抵抗体は、３メガオーム／平方のシート抵抗率と、
−５７０ｐｐｒｎ／℃の温度抵抗係数とを有していた。 例ｖｉ １５重量％の酸化タンタルと８５重量％の１貢化スズど
を混合１−る事によって等電相を作った。１３１Ｊ記導
電相に熱処理を全（行なわず、この娼・；電相５ｏ重；
１１％と、例１１ｉの組成のカラスフリット５０正量％
とを混合して抵抗物質を作った。この混合物をカラスロ
ーラ媒質と配合し、セラミックスグレートの上にスクリ
ーンスデンゾルで塗イｌｉ　Ｌ−Ｃ抵抗体を作った。こ
れらの抵抗体を１５０℃で１５分間乾燥し一次に墾気雰
囲気を含み、ピーク温ｔｃ３５ｏ℃のトンネル炉の中に
通した。この抵抗体を、窒素雰囲気の、ピーク温度１１
００℃のトンネル炉の中で１／つ時間−リーイクル焼成
したものは、１９にオーム／平方のシート抵抗率と、８
８ｐｐｍ／℃のＹ晶度抵抗係斂とを有し°Ｃいた。 例ν■ 例１と同様にして導電相を作った。このｆｊ導電相用い
て例ｖｔと同様にし−（抵抗物質３作った。この抵抗物
員乞、１０００°℃の焼成温度以外は例〜＋１と同様に
して、抵抗体に形成した。このようにして作られた抵抗
体は、３７　Ｋオーム／平方の平均シート抵抗率、４６
ｐｐｍ７Ｃの温度抵抗係数とを有していた。 例■ １５重）７１４％の酸化タンタルと、８５重ｊｊ’ｊ：
％のｒ】旧ヒスズとを混合し、この混合物に熱処理３を
実施する事によって導電相を作った。この導電相をボー
ルミルして、そのわ°ｌ径を減少した。例■において延
べたのと同様にして、前記導′１Ｅ相粉末から抵抗物タ
コ、を作った、ただし、この抵抗物り！↓は４５体積％
の尋−１ｉｊ、　ｌ’ｌと、３５体２．′ｉ％のガラス
フリットとを含んでいた。抵抗体を１０００℃の温度で
ハ′ε成した４Ｖを除ぎ例■に述べたのと同様にして、
−ＩＪ記低抵抗物質抵抗体にｈＶ、形した。代−ｒＱ的
低抵抗、９；３にオーム／平方のシート抵抗率と、−３
３７ｐｐｍ７℃の温度抵抗係数とを有していた。 １り１］ＴＸ 例Ｉとｌｆｉ抹ｉｊにして尋ｉｌＪ、相を作った。５０
体積％の導電相と５０　’ｖｉ＜債％のガラスフリット
（組成４４％Ｓ　ｌ（’）２　＋　３Ｊ’１０　ｌ３２
０３　＋　１４％Ａ１□０３，１０％Ｍｇｏおよび２％
ＣａＯ）とを混合する事によって抵抗物質を作った。こ
の混合物をゴムローラ媒質と配合した。 この抵抗物質を例Ｉと同様にしてただし炉のピーク温度
１１５０℃にして抵抗体に成形した。代表的な抵抗体は
、５Ｍオーム／平方のシート抵抗率と、−４６５ｐｐｍ
７℃の温反抵抗係に又とを有していた。 前記の各側から、抵抗物グ′尤のにＨ１成の変動と抵抗
物りＪ（ｏ″）ν！！法が本発明の抵抗体の眠気１１に
性に及ぼす影’７’＋’を見る！１（ができる。例■は
、導電相とガラスフリットの比率を変える皇の効果を示
している。 例ＩＩ　、　ＩＩ　、　ＩＶは、導電相における「伎化
タンタルと酸化スズとの比率？：変える６１の効果を示
している。 例ｉｖ　、　Ｖｌ　、■および■は熱死Ｊｊｌｊの効果
を示している。例Ｉ、■および■はガラスフリットの組
成を変える事の効果を示している。これらの例から明ら
かなように、本発明で用いる抵抗物質によれは、高い抵
抗率と、比較的低い温度係数とを有する低抗体を提供す
る事ができろ。 第２図のグラフにおいて、曲線Ｂは本発明で用いる抵抗
物質をもって作られた種々の抵抗率の抵抗体の温度抵抗
係数な示″□４″。曲線Ａは、１１（化スズとｌ）ｉ’
ｊ化アンナモンから成る抵抗′１”Ｖ’ｉ４ｔの−Ｊｚ
電相を有するガラス賀エナメル抵抗体について、種々の
抵抗率に対する温度抵抗係数を示した曲肪である。 このデータは、先に引用（−たＪ、Ｄｃａｒｄｅｎの論
文からとられたものである。ｒ１２図から明らかなよ５
ｖこ、抵抗！１Ｗｔ（の導電相の１１り化スズに対して
１代化アンチモン！ｒたは醒化タンタルを加える皇によ
って、ＩＩ、６いｔｉｔ抗率を有する抵抗体が得られる
。しかじながし）、１夜化スズに対してｒ役化アンチモ
ンを添加″ツーれば、Ｊ−Ｊ、の温度抵抗係数ケ生じて
、抵抗体ば（ｆ、”八・負の温度ｉ１Ｌ抗係μをボずの
に対して、本発明の方法によって１１：将にスズにスＪ
し酸化タンタルを加えＪｔは、ｉ′！、７１反抵抗係数
は、正に近づくので、本発明の方法で得ら７ｔだ抵抗体
は低い温度抵抗係数、すなわちゼロにより近い温度抵抗
係数を示ｆ。すなわち、本う６明で用いる抵抗物質は、
品い抵抗率をイｊＬ、また比」Ｉス的温１２Ｑ二の変化
に対して安定したｔｌ（抗体を生じる事ができる。史に
不発明で用いる抵抗物Ｉｔは、比軟的原価な物質で作る
皇ができる。 その主旨のり・ＩＪ、回内におい゛（汗Σ−ｒ　Ｖｔｌ
ダ史夾施できイ）。 ／１．　　ｌ’２１面の１′；１千−ＩＪ況開明１１１
図Ｊ、本発明によって（”Ｆ　’＞　７した〕１（抗体
の−・部の断面図、ｊＩＴ　ｉ　＋ニー２１１．１．木
：□ｈ　ＩＪＩ−Ｑ中イ、７．　、ＪＪ（抗’ｌ：’ｚ
ｙ　’ｔＩｖ）＋Ａ７ｔｌ（ｔ　ｔ、！を抗係ｉｆ：ｊ
＜　１？”　４Ｅ来技術（ハ抵抗・′１シａ　’ｊ’＋
、　ｔｔ　）＋！、＾ｍｌ　＋１ｔ、　４１’Ｌ　Ｉ璽
持と比較し、たグジノでｋ）イ）。 １（）・　　ｊｌ（、員、１（３、１′／！　・　　〕
、（、−１ｊ−＋　、　　１１・　　１１（わ□（、］
１り５　１（）　　−ツノ　ノス′ｔ′１．１ト；すニ
ア７；−シ＋１１　。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、セラミックス基板とｔｓｉＪ記基板の表面上の抵抗
   物質層とからなる１１ル気抵抗体において、前記抵抗物
   質が、（イ）酸化スズと酸化タンタルの混合物、（ロ）
   酸化スズ、酸化タンタルおよび酸化スズと酸化タンタル
   どの混合物を熱処理することによって生じる生成物、か
   ら実質的に成るグループより選ばれた導電相の粒子をガ
   ラスの中Ｋａめ込み均一に分散させて成ることを特徴と
   する電気抵抗体。 ２、抵抗物質が３０〜７０体積％のガラスを含有する、
   勃Ｆｌ’ｌ’　８１’ｌ求のｉ）偵囲第１項に記載の′
   電気抵抗体。 ３、抵抗物質が４０〜００休槓％のガラスを特徴する特
   許Ｍｔ’ｌ求の範囲第２項に記載の′［ａ慨世抗体。 ４抵抗物賃の導′屯柑が０．５〜５０重量％の酸化タン
   タルを含有する、ｌ（ケ許請求の範囲第２項に記載の電
   気抵抗体。 ５、抵抗物ｙ↓の導電相が、１ｙ化スズと酸化タンタル
   との混合物である、特許請求の範囲第４項に記載の電気
   抵抗体。 ６、抵抗物りｌの導電相が、酸化スズと酸化タンタルと
   の混合物を熱処理することによって生する生成物を含む
   、特許請求の範囲２４４４項に記載の電気抵抗体。 ７、ガラスがホウケイ醒ガラスである、特許請求の範囲
   第４項に記載の１ｕ；慨世抗体。 ８、ガラスがアルカリ土金属ホウケイ酸ガラスである、
   りｂ°許り青水の範囲第７項に記載の′市、気抵抗体。 ９、（１）ガラスフリットと、（２）（イ）酸化スズと
   酸化タンタルとの混合物、（ロ）酸化スズ、酸化タンタ
   ルおよび酸化スズと酸化タンタルとの混合物を熱処理す
   ることによって生じる生成物との混合物から実質的にな
   る群より選ばれた導電相の彼粒子とを混合する段階と、
   基板表面にこの混合物を被覆′１−る段階と、混合物が
   被色された基板を実質的に不活性ガス雰囲気中において
   ガラスフリットの溶融γ晶１隻までｂ１戊する段階とか
   らなることを％徴とする、＋４：慨世抗体の製造法。 １０、ガラスフリットと導電相を混合するに先立ち、Ｉ
   賃化スズと酸化タンタルとの混合に続いて熱処理を行い
   、次に微粒子状勢重相に成形するように（〜だ、特許請
   求の範囲第９項に記載の方法。 月、導１（ｊ、相を成形ガス雰囲気中において約１０分
   までの時間、約５２５℃に加熱することによって熱死ｉ
   ｌｌ！　Ｌ、次にこの成形カス雰囲気中に保持しながら
   冷却する、特ｉ′ｔ’　１ｉ１７求の範囲第１０項に記
   載の方法。 １２、４電相を、窒素雰囲気と約１０００℃のビーク７
   １’ｉ７１度ケ有する炉の甲で約１時間ｊｊＶ＆処理す
   る、特許請求の範囲第１０項に記載の方法。 １：つ、導電相を、窒素雰囲気中において、約１１００
   ℃の温度で、４時間までσ月時間加熱するようにした、
   特許請求の範囲第１０用に記載の方法。 ＪＩｌ、尋′ｌｉ相を、屋為分囲気と約１．０００℃の
   ビーク漏洩を有する炉の中を１時間のザイクルで通過さ
   せることによって加熱処理するようにした、ｌ晦１Ｙ已
   ？を求の範囲第１．２　ＪＪｌに記載の方法。