JPS6054401A - チタン酸バリウム系ｐｔｏサ−ミスタの製造方法 - Google Patents
チタン酸バリウム系ｐｔｏサ−ミスタの製造方法Info
- Publication number
- JPS6054401A JPS6054401A JP58163018A JP16301883A JPS6054401A JP S6054401 A JPS6054401 A JP S6054401A JP 58163018 A JP58163018 A JP 58163018A JP 16301883 A JP16301883 A JP 16301883A JP S6054401 A JPS6054401 A JP S6054401A
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- JP
- Japan
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- metal
- thermistor
- barium titanate
- pto
- titanate
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- Pending
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
１一
本発明はある温度で抵抗が上昇するチタン酸バリウム系
ＰＴＯサーミスタの製造方法に関する。
ＰＴＯサーミスタの製造方法に関する。
従来例の構成とその問題点
ＰＴＯサーミスタにおいて、ＰＴＣを出現させている１
つの大きな根源は磁器の粒界にＭｎ１Ｎａなどの金属元
素が酸化物の形で偏析していることにある。
つの大きな根源は磁器の粒界にＭｎ１Ｎａなどの金属元
素が酸化物の形で偏析していることにある。
これらの金属元素はチタン酸バリウム系組成の配合時に
添加されており、焼成過程で粒界に偏析させていた。し
かしこれらの金属を粒子表面へ偏析させているとは言え
、粒子内部にもある程度の金属が存在していると考えら
れている。粒子内部にこれらの金属元素が存在するとＮ
ｂなどの半導体化元素と原子価補償されて抵抗が高くな
り、また粒子表面より内部に向って金属元素の濃度勾配
があるとＰＴＯ勾配が小さくなると考えられる。
添加されており、焼成過程で粒界に偏析させていた。し
かしこれらの金属を粒子表面へ偏析させているとは言え
、粒子内部にもある程度の金属が存在していると考えら
れている。粒子内部にこれらの金属元素が存在するとＮ
ｂなどの半導体化元素と原子価補償されて抵抗が高くな
り、また粒子表面より内部に向って金属元素の濃度勾配
があるとＰＴＯ勾配が小さくなると考えられる。
発明の目的
本発明は低抵抗を維持しつつＰＴＣ勾配の急峻な特性を
有するチタン酸バリウム系ＰＴＯサーミスタの製造方法
を得るにある。
有するチタン酸バリウム系ＰＴＯサーミスタの製造方法
を得るにある。
２−
発明の構成
本発明は、チタン酸バリウムなどの固溶体にＮｂ 。
Ｔｂ、Ｗ、Ｙ、Ｌａなどの半導体化元素を微量添加した
ものを主材料とするＰＴＱサーミスタの製造方法におい
て、前記チタン酸系磁器の表面に金属石けんを塗布し、
しかる後熱処理して前記金属石けんの金属を粒界拡散さ
せると共に前記表面に塗布する金属石けんの金属をＭｎ
、Ｏｎなどの遷移金属、Ｎａ、になどのアルカリ金属あ
るいはＢｉ、Ｓｂなどの金属とし、かつ前記金属石けん
を１種または２種以上を塗布したことを特徴とする。
ものを主材料とするＰＴＱサーミスタの製造方法におい
て、前記チタン酸系磁器の表面に金属石けんを塗布し、
しかる後熱処理して前記金属石けんの金属を粒界拡散さ
せると共に前記表面に塗布する金属石けんの金属をＭｎ
、Ｏｎなどの遷移金属、Ｎａ、になどのアルカリ金属あ
るいはＢｉ、Ｓｂなどの金属とし、かつ前記金属石けん
を１種または２種以上を塗布したことを特徴とする。
実施例の説明
本発明はチタン酸バリウム、あるいはチタン酸バリウム
とチタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタ
ン酸鉛、スズ酸バリウム、ジルコン酸バリウムなどの固
溶体にＮｂ、Ｔ（１，Ｗ、Ｙ。
とチタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタ
ン酸鉛、スズ酸バリウム、ジルコン酸バリウムなどの固
溶体にＮｂ、Ｔ（１，Ｗ、Ｙ。
Ｌａなどの半導体化元素を微量添加したものを主材料組
成とし、通常のＰＴＯサーミスタの製法に従って半導体
磁器を得る。この得られた磁器の表面に金属石けん液を
塗布し、適当な温度、たとえば１１５０℃で熱処理して
、この金属を粒界に拡散させることを特徴とする。金属
石けんの金属元素として特にＭｎ５Ｏｕ、Ｎａ 、 Ｔ
（、Ｂｊ−１ｓｂなどが急峻な勾配を出現させるのに有
効である。出発原料の組成は５ｉ０２ 、Ａｕ２０３、
ＧｅＯ２、ＢａＯ３、Ｌｉ２Ｏなどの鉱化剤を加えても
さしつかえない。またはじめＭ′ｎなどの原子価補償元
素を微量添加し、半導体磁器にした後、金属石けんによ
る拡散を行っても効果がある。
成とし、通常のＰＴＯサーミスタの製法に従って半導体
磁器を得る。この得られた磁器の表面に金属石けん液を
塗布し、適当な温度、たとえば１１５０℃で熱処理して
、この金属を粒界に拡散させることを特徴とする。金属
石けんの金属元素として特にＭｎ５Ｏｕ、Ｎａ 、 Ｔ
（、Ｂｊ−１ｓｂなどが急峻な勾配を出現させるのに有
効である。出発原料の組成は５ｉ０２ 、Ａｕ２０３、
ＧｅＯ２、ＢａＯ３、Ｌｉ２Ｏなどの鉱化剤を加えても
さしつかえない。またはじめＭ′ｎなどの原子価補償元
素を微量添加し、半導体磁器にした後、金属石けんによ
る拡散を行っても効果がある。
出発原料であるＢａＴｊ、０１．５ｒＴｉ０３ 、Ｔｉ
Ｏ２、Ｎｂ２Ｏ。
Ｏ２、Ｎｂ２Ｏ。
５ｉ０２ 、ＭｎＯ２を第１表に示す組成に配合する。
第 １ 表
前記組成物を通常のＰＴＯサーミスタ製造方法に従って
、混合、１１００℃２時間仮焼、粉砕、７００ ｋｇ’
／ｃｌｌ成形、１３５０℃２時間焼成シタ。
、混合、１１００℃２時間仮焼、粉砕、７００ ｋｇ’
／ｃｌｌ成形、１３５０℃２時間焼成シタ。
この内、本発明の製造方法であるＭｎを添加しない半導
体磁器を第２表に示す金属石けん液に浸して後１１５０
℃１時間熱処理して、これらの金属を粒界に拡散させた
。
体磁器を第２表に示す金属石けん液に浸して後１１５０
℃１時間熱処理して、これらの金属を粒界に拡散させた
。
得られた本発明と従来方法の磁器表面にオーミック銀電
極を付与し、抵抗値、抵抗一温度特性を測定し、この結
果を第２表に示す。なお磁器の形状は１０φＸ ２．５
ｍ 、電極径は９φであった。
極を付与し、抵抗値、抵抗一温度特性を測定し、この結
果を第２表に示す。なお磁器の形状は１０φＸ ２．５
ｍ 、電極径は９φであった。
Ｒ１は２５℃の抵抗値の２倍の抵抗値
Ｒ２はＲ１の時の温度Ｔ、から５θ℃高い温度Ｔ２の時
の抵抗値である。
の抵抗値である。
第２表の＊は従来方法より得られたＰＴＯサーミスタで
ある。
ある。
発明の効果
第２表より判るように本発明の金属石けん液を粒界に拡
散させる方法は非常にｐ’ｒａサーミスタ特性を向上さ
せた。すなわち従来に比べて低い抵抗で、しかもＰ’Ｊ
’Ｏ勾配を高めた。また２種以上の元素を用いると更に
特性が向」二した。
散させる方法は非常にｐ’ｒａサーミスタ特性を向上さ
せた。すなわち従来に比べて低い抵抗で、しかもＰ’Ｊ
’Ｏ勾配を高めた。また２種以上の元素を用いると更に
特性が向」二した。
実施例以外のチタン酸バリウム固溶体組成においても同
様の効果があった。実施例の８１０．添加は焼結粒子径
を２０１１ｍに制御する役割であり、これらの鉱化剤は
目的に応じて加えられる。
様の効果があった。実施例の８１０．添加は焼結粒子径
を２０１１ｍに制御する役割であり、これらの鉱化剤は
目的に応じて加えられる。
６ −
なお金属酸化物を拡散する方法は均一拡散がされず、従
来の特性よりも悪かった。
来の特性よりも悪かった。
特許出願人 松下電器産業株式会社
代理人弁理士 阿 部 功
７−
３−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 チタン酸バリウムなどの固溶体ＫＮｂ、Ｔｄ、。 ” ％ Ｙ ％ Ｌａなどの半導体化元素を徴用添加し
たものを主材料とするＰＴＯサーミスタの製造方法にお
いて、前記チタン酸系磁器の表面に金属石けんを塗布し
、しかる後熱処理して前記金属石けんの金属を粒界拡散
させてなることを特徴とするチタン酸バリウム系ＰＴＣ
サーミスタの製造方法。 ２、 前記表面に塗布する金属石けんの金属をＭｎ、Ｏ
ｎなどの遷移金属、Ｎ’ａ、 Ｋなどのアルカリ金属あ
るいはＢ１、Ｓｂなどの金属とし、かつ前記金属石けん
を１種または２種以上を塗布したことを特徴とするチタ
ン酸バリウム系ＰＴＯサーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58163018A JPS6054401A (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-05 | チタン酸バリウム系ｐｔｏサ−ミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58163018A JPS6054401A (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-05 | チタン酸バリウム系ｐｔｏサ−ミスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6054401A true JPS6054401A (ja) | 1985-03-28 |
Family
ID=15765625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58163018A Pending JPS6054401A (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-05 | チタン酸バリウム系ｐｔｏサ−ミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6054401A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6355149A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-09 | キヤノン株式会社 | セラミツクの製造法 |
| JPS6355152A (ja) * | 1986-08-23 | 1988-03-09 | キヤノン株式会社 | セラミツクの製造法 |
| JPH0754501A (ja) * | 1993-08-10 | 1995-02-28 | Sho Bond Constr Co Ltd | パッカー |
-
1983
- 1983-09-05 JP JP58163018A patent/JPS6054401A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6355149A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-09 | キヤノン株式会社 | セラミツクの製造法 |
| JPS6355152A (ja) * | 1986-08-23 | 1988-03-09 | キヤノン株式会社 | セラミツクの製造法 |
| JPH0754501A (ja) * | 1993-08-10 | 1995-02-28 | Sho Bond Constr Co Ltd | パッカー |
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