JPS5946073A - 半導体薄膜発光素子 - Google Patents
半導体薄膜発光素子Info
- Publication number
- JPS5946073A JPS5946073A JP57156111A JP15611182A JPS5946073A JP S5946073 A JPS5946073 A JP S5946073A JP 57156111 A JP57156111 A JP 57156111A JP 15611182 A JP15611182 A JP 15611182A JP S5946073 A JPS5946073 A JP S5946073A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- semiconductor
- layer
- semiconductor thin
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
- H10H20/812—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions within the light-emitting regions, e.g. having quantum confinement structures
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は新規な半導体薄膜発光素子に関し、特に、好み
の発光色をｆＩｉられ、各種表示装置の発光素子−とし
て好適である新規な〉１“導体薄１１！ｉ！発光素ｆを
提供しようとするものである。
の発光色をｆＩｉられ、各種表示装置の発光素子−とし
て好適である新規な〉１“導体薄１１！ｉ！発光素ｆを
提供しようとするものである。
発明の概要
本発明半導体薄膜発光素ｒの第１のものは、禁制帯幅の
異なる２種の半導体月利を用い、禁制帯幅の大きな力の
半導体材料から成る」′−導体薄膜層の間に前記２種の
゛ト導体の混晶相才］から成る゛１′°導体薄膜層を挟
持状にした積層体を透明゛電極と背面′１１を極との間
に挟置して成ることを特徴とする。これによって禁制帯
幅の小さな方の゛Ｖ導体薄膜層を構成している混晶材料
とその混晶比を適宜番、−１ふことによって、好みの発
光色を得ることかできる。
異なる２種の半導体月利を用い、禁制帯幅の大きな力の
半導体材料から成る」′−導体薄膜層の間に前記２種の
゛ト導体の混晶相才］から成る゛１′°導体薄膜層を挟
持状にした積層体を透明゛電極と背面′１１を極との間
に挟置して成ることを特徴とする。これによって禁制帯
幅の小さな方の゛Ｖ導体薄膜層を構成している混晶材料
とその混晶比を適宜番、−１ふことによって、好みの発
光色を得ることかできる。
また、本発明半導体薄膜発光′、＋８ｒの第２のものは
、禁制帯幅の異なる２種の≧１′°導体材利を川し１、
禁制帯幅の大きな方の゛１′導体材石から成る゛１′４
体薄膜層と前記２種の半導体の混晶材料から成る゛１′
導体薄膜層とを交互に積層し、そして、１ｌｉｊ品材才
゛］から成る複数の半導体薄ｌり層の混晶比を変化させ
たことを特徴とする。これによって、それぞれ１７〜品
比の異なる混晶材料による半導体薄膜層での発光色の合
成色による発光がイ１すられ、従って、混晶材料と１ｈ
ｉ晶比の組み合わせを適宜に選ぶことにより、好１ノの
色の発光色を岩°易に得ることかできる。
、禁制帯幅の異なる２種の≧１′°導体材利を川し１、
禁制帯幅の大きな方の゛１′導体材石から成る゛１′４
体薄膜層と前記２種の半導体の混晶材料から成る゛１′
導体薄膜層とを交互に積層し、そして、１ｌｉｊ品材才
゛］から成る複数の半導体薄ｌり層の混晶比を変化させ
たことを特徴とする。これによって、それぞれ１７〜品
比の異なる混晶材料による半導体薄膜層での発光色の合
成色による発光がイ１すられ、従って、混晶材料と１ｈ
ｉ晶比の組み合わせを適宜に選ぶことにより、好１ノの
色の発光色を岩°易に得ることかできる。
実施例
以下に、本発明半導体薄膜発光素子の第１のものの５Ｔ
細を図示実施例に従って説明する。尚、この実施例では
、禁制帯幅の異なる２種の半導体材料として、硫化亜鉛
（ＺｎＳ）とセレン化１１１（鉛（Ｚ ｎ Ｓ ｅ）を
用いた場合を例として説、明する。
細を図示実施例に従って説明する。尚、この実施例では
、禁制帯幅の異なる２種の半導体材料として、硫化亜鉛
（ＺｎＳ）とセレン化１１１（鉛（Ｚ ｎ Ｓ ｅ）を
用いた場合を例として説、明する。
従って、混晶材料は亜鉛（Ｚｎ）と硫の（Ｓ）とセレン
（Ｓｅ）の３つの構成元素を含む多元材料（ＺｎＳｘＳ
ｅ （ｔ−Ｘ ）） である。
（Ｓｅ）の３つの構成元素を含む多元材料（ＺｎＳｘＳ
ｅ （ｔ−Ｘ ）） である。
■は透明基板であり、ガラス板又はシリコン（Ｓｉ）、
ガリウム−砒素（ＧａＡｓ）等の単結晶基板から成る。
ガリウム−砒素（ＧａＡｓ）等の単結晶基板から成る。
２は透明電極であり、例えはインシラ／−，−−１−ｉ
ｆの酸化物の薄膜から成り、１１１記透明基根Ｊ１７）
フッの面に被着形成される。
ｆの酸化物の薄膜から成り、１１１記透明基根Ｊ１７）
フッの面に被着形成される。
３は半導体薄１模で、例えは何？化仙鉛ｔ’、 ７．
ｎ Ｓ ）の１００〜１０００オンゲス１０−八（八）
イぐｔの薄膜である。
ｎ Ｓ ）の１００〜１０００オンゲス１０−八（八）
イぐｔの薄膜である。
４は活性層で、１１ｊ記？１′導体薄膜３の゛１′導体
材４゛［より禁制帯幅の小さなゝＩ′導体月利と前記゛
１′導体薄１１９層３の半導体材料との混晶材７ｒ′］
から成る薄１１１−１で、前記半導体薄１１り３とはへ
テロ接合されている。そして、この活性層４の半導体材
木゛ｌは［１１１記゛１′導体薄膜３の半導体材料より
禁１（−１帯幅が小さなもので、例えは前述のように゛
１′：導体薄１１り３の゛１′″導体旧石を硫化亜鉛（
ＺｎＳ）と１〜だ場合は、セ］／ン化亜鉛（Ｚ ｎ Ｓ
ｅ）と硫化＋１ｊ鉛（Ｚ ｎ Ｓ ）とノ１１４晶材
料（ＺｎＳｘＳｅ 〈１−Ｘ ））が考λられる。そし
て、この活性層４の膜厚はｌＯ〜２００オンゲストロー
１、（八）である。
材４゛［より禁制帯幅の小さなゝＩ′導体月利と前記゛
１′導体薄１１９層３の半導体材料との混晶材７ｒ′］
から成る薄１１１−１で、前記半導体薄１１り３とはへ
テロ接合されている。そして、この活性層４の半導体材
木゛ｌは［１１１記゛１′導体薄膜３の半導体材料より
禁１（−１帯幅が小さなもので、例えは前述のように゛
１′：導体薄１１り３の゛１′″導体旧石を硫化亜鉛（
ＺｎＳ）と１〜だ場合は、セ］／ン化亜鉛（Ｚ ｎ Ｓ
ｅ）と硫化＋１ｊ鉛（Ｚ ｎ Ｓ ）とノ１１４晶材
料（ＺｎＳｘＳｅ 〈１−Ｘ ））が考λられる。そし
て、この活性層４の膜厚はｌＯ〜２００オンゲストロー
１、（八）である。
５は前記半導体薄１１り３の半導体材料と同様の゛１′
導体材料（前記例ではＺｎ５）から成る１′・導体薄膜
であり、活性層４とへテロ接合され、その層厚は５０〜
５００オングストローム（人）である。
導体材料（前記例ではＺｎ５）から成る１′・導体薄膜
であり、活性層４とへテロ接合され、その層厚は５０〜
５００オングストローム（人）である。
６は半導体薄膜５の背面に接して設けられた背面電極で
ある。この背面電極６は、透明、１′、透明、無彩色、
イ１彩色等適宜のもので良い。
ある。この背面電極６は、透明、１′、透明、無彩色、
イ１彩色等適宜のもので良い。
第２図（Ａ）は１−記半導体薄膜３．５と活性層４とか
ら成る積層体７を厚み方向に薄くスライスして示す断面
図であり、同図（Ｂ）は（Ａ）に対応して各層における
エネルキー憎位の分ろを示すものである。
ら成る積層体７を厚み方向に薄くスライスして示す断面
図であり、同図（Ｂ）は（Ａ）に対応して各層における
エネルキー憎位の分ろを示すものである。
第２図からもわかるように、混晶材木１から成る禁制帯
幅の小さな半導体薄膜層をそれより禁制帯幅の大きな半
導体材料から成る薄ｌりによって挟んだ層構造とすると
、量子井戸ＱＷが形成され、禁制帯幅のより小さな平導
体層即ち活性層に電子及び止孔が閉じ込められ、ここで
発光再結合をするため、所定の波長の発光がｔｉＩられ
る。また、Ｊ二記のような量子井戸構造によると、電子
及び正孔が活性層４に閉じ込められ、発光再結合をし易
くなるため、発光効′：４ｚが増大し、従って、駆動電
圧をドげることができる。
幅の小さな半導体薄膜層をそれより禁制帯幅の大きな半
導体材料から成る薄ｌりによって挟んだ層構造とすると
、量子井戸ＱＷが形成され、禁制帯幅のより小さな平導
体層即ち活性層に電子及び止孔が閉じ込められ、ここで
発光再結合をするため、所定の波長の発光がｔｉＩられ
る。また、Ｊ二記のような量子井戸構造によると、電子
及び正孔が活性層４に閉じ込められ、発光再結合をし易
くなるため、発光効′：４ｚが増大し、従って、駆動電
圧をドげることができる。
更に、本発明の半導体薄膜発光素ｒ−によれば、活性層
４を構成する混晶材料の混晶比を変えることにより発光
色を変えることがｉ＋１能となり、２つのゝ１′導体材
料、即ち、ト記例で−（えは、ＺｎＳとＺｎ５ｅの固有
発光色の中間の色をすべて出すことができる。
４を構成する混晶材料の混晶比を変えることにより発光
色を変えることがｉ＋１能となり、２つのゝ１′導体材
料、即ち、ト記例で−（えは、ＺｎＳとＺｎ５ｅの固有
発光色の中間の色をすべて出すことができる。
本発明゛１′、導体薄膜発光素ｒ−における積層体に用
いられる半導体材料の組み合わせは、基本的には禁制帯
幅の互いに異なるものであればどんな組み合わせでも良
い。他のへテロ接合素−ｒにおいで性能を左右する鍵と
なる異種材料間における格ｒ不整合は、本発明半導体薄
膜発光素ｒ−の積層体においては、各層がきわめて薄い
ため他のへテロ＃ｉ合素子におけるほどには大きな影響
は生しない。そのため、従来、ペテロ接合に用いられて
いる組み合わせはもとより、より広い範囲の組み合わせ
について適用が可能である。例えは、古色系の発光がｆ
ｊ、）られる前述のＺｎＳ−Ｚｎ５ｅの組み合わせ、緑
色系の発光力端ＩＩられるＧａＡ１．Ｐ−ＧａＰの組み
合わせ、赤色系の発光が得られるＧａＰ−ＧａＡｓＰの
絹み合わせ、赤外の発光がｆｌｔられるＧ ａ Ａ １
． Ａ ｓ Ｇ ａ Ａ ｓのＭｌみ合わせ笠が挙げ
られる。この外にも、２−２．ｗＬ、■−２元、３−２
ノＣ１４−２元化合物の組み合わけも７′；えられ、そ
の適用範囲はきわめて広いもの７″ある。尚、禁制御ｓ
：幅の小さな方の半導体薄ＨＱ層の構成４Ａ斜を２つの
゛１パ導体材料のｌＪ’１品材利とすることにより、格
ｒ定数を近づけることができるというｆｉ１点がある。
いられる半導体材料の組み合わせは、基本的には禁制帯
幅の互いに異なるものであればどんな組み合わせでも良
い。他のへテロ接合素−ｒにおいで性能を左右する鍵と
なる異種材料間における格ｒ不整合は、本発明半導体薄
膜発光素ｒ−の積層体においては、各層がきわめて薄い
ため他のへテロ＃ｉ合素子におけるほどには大きな影響
は生しない。そのため、従来、ペテロ接合に用いられて
いる組み合わせはもとより、より広い範囲の組み合わせ
について適用が可能である。例えは、古色系の発光がｆ
ｊ、）られる前述のＺｎＳ−Ｚｎ５ｅの組み合わせ、緑
色系の発光力端ＩＩられるＧａＡ１．Ｐ−ＧａＰの組み
合わせ、赤色系の発光が得られるＧａＰ−ＧａＡｓＰの
絹み合わせ、赤外の発光がｆｌｔられるＧ ａ Ａ １
． Ａ ｓ Ｇ ａ Ａ ｓのＭｌみ合わせ笠が挙げ
られる。この外にも、２−２．ｗＬ、■−２元、３−２
ノＣ１４−２元化合物の組み合わけも７′；えられ、そ
の適用範囲はきわめて広いもの７″ある。尚、禁制御ｓ
：幅の小さな方の半導体薄ＨＱ層の構成４Ａ斜を２つの
゛１パ導体材料のｌＪ’１品材利とすることにより、格
ｒ定数を近づけることができるというｆｉ１点がある。
別表に、いくつかの゛１′導体の組み合わせを、禁制イ
１ｆ幅、格子定数、バンド間発光波長とノ（にン３りず
。
１ｆ幅、格子定数、バンド間発光波長とノ（にン３りず
。
また、各半導体層３．４．５の製法は適宜の方法によっ
て良く、例えば、電子ビーム式、抵抗加熱式等による真
空蒸着法、ホットウォールエビタキシャＡｙ７’Ｊ２
（ＨＷＥ） 、分子線エピタキシャル法（ＭＢＥ）、Ｃ
ＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法、原子層エピタキシャル法等が考
えられる。
て良く、例えば、電子ビーム式、抵抗加熱式等による真
空蒸着法、ホットウォールエビタキシャＡｙ７’Ｊ２
（ＨＷＥ） 、分子線エピタキシャル法（ＭＢＥ）、Ｃ
ＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法、原子層エピタキシャル法等が考
えられる。
第３図は本発明半導体薄膜発光素子−の第２のものの実
施の一例を示すものである。
施の一例を示すものである。
この実施例における積層体７ａは外側に禁制帯幅の大き
い方の半導体から成る層３．３（稍厚く１００〜１００
０人）が配置され、その間に２２．ｆｉの半導体の混晶
材料から成る半導体薄ＩＩＩＡ層（厚さ１０〜２００人
）、即ち活性層４と禁制帯幅の大きい方の半導体から成
る層５（厚さ５０〜５００人）が交互に積層ｙれて成る
。
い方の半導体から成る層３．３（稍厚く１００〜１００
０人）が配置され、その間に２２．ｆｉの半導体の混晶
材料から成る半導体薄ＩＩＩＡ層（厚さ１０〜２００人
）、即ち活性層４と禁制帯幅の大きい方の半導体から成
る層５（厚さ５０〜５００人）が交互に積層ｙれて成る
。
そして、活性層４１．４２．４３、・・・４ｎ各層を構
成する混晶材料の４昆晶比はそれぞれ変えられている。
成する混晶材料の４昆晶比はそれぞれ変えられている。
例えば第４図に示すようにｌｈ！晶材料Ｚｎ５ｘＳｅ
＜ ｓ−Ｘ １（７）ｒｘＪの的を透明基板１側から０
．９．０．８−−−０．１と０．１きざみで変化させる
。そして、ＺｎＳ層、Ｚｎ５ｘＳ（１−ｘ）ともに層厚
２０ ’ＯＡとすると、３３９０人〜４６４０人の波長
範囲にわたる発光が得られる。
＜ ｓ−Ｘ １（７）ｒｘＪの的を透明基板１側から０
．９．０．８−−−０．１と０．１きざみで変化させる
。そして、ＺｎＳ層、Ｚｎ５ｘＳ（１−ｘ）ともに層厚
２０ ’ＯＡとすると、３３９０人〜４６４０人の波長
範囲にわたる発光が得られる。
このように、活性層４を複数層形成し、そして、その活
性層４を構成する混晶材料の混晶比をそれぞれ変化させ
ると、各活性層４における発光波長が異り、積層体７ａ
全体としては活性層４１．４２．４３、・・・４ｎ各層
の発光色の合成色による発光が得られる。
性層４を構成する混晶材料の混晶比をそれぞれ変化させ
ると、各活性層４における発光波長が異り、積層体７ａ
全体としては活性層４１．４２．４３、・・・４ｎ各層
の発光色の合成色による発光が得られる。
発明の効累
以−１−に記載したどころから明らかなように、本発明
半導体薄膜発光素イのｔｆＪｌのものにおいては、禁制
帯幅の異なる２種の半導体材料を用い、禁制帯幅の大き
な方の半導体材料から成る半導体薄ＩＩ！２層の間に前
記２種の半導体の混晶材料から成る半導体層１１り層を
挟持状にした積層体を透明電極と背面電極との間に挟置
して成るので、禁制帯幅の小さな方の半導体薄膜層を構
成しているＩＦｉ’、晶材利とそのｌバー品比を適宜に
遊ぶことによって、ｂｒみの発光色を得ることができる
。更に、′亀子及びＦ［孔が禁制？ｔＦ幅の小さな方の
１“導体薄膜層に閉じ込められ、９２光再結合を１７易
くなるため、発光効率が増大し、従って、駆動１１丁を
ドげることがてきる。
半導体薄膜発光素イのｔｆＪｌのものにおいては、禁制
帯幅の異なる２種の半導体材料を用い、禁制帯幅の大き
な方の半導体材料から成る半導体薄ＩＩ！２層の間に前
記２種の半導体の混晶材料から成る半導体層１１り層を
挟持状にした積層体を透明電極と背面電極との間に挟置
して成るので、禁制帯幅の小さな方の半導体薄膜層を構
成しているＩＦｉ’、晶材利とそのｌバー品比を適宜に
遊ぶことによって、ｂｒみの発光色を得ることができる
。更に、′亀子及びＦ［孔が禁制？ｔＦ幅の小さな方の
１“導体薄膜層に閉じ込められ、９２光再結合を１７易
くなるため、発光効率が増大し、従って、駆動１１丁を
ドげることがてきる。
また、本発明半導体薄膜発光素子の第２のものにおいて
は、禁制帯幅の異なる２種の゛１６導体材料を用い、禁
制帯幅の大鼻な方の半導体材料から成る゛１′導体薄膜
層と前記２種の゛ＩＬ導体の混晶材料から成る半導体薄
膜層とを交Ｔｉに積層し、そして、１１コ晶材オニ１か
ら成る複数の半導体層１１り層の混晶比を変化させたの
で、それぞれ混晶比の異なる混晶材料による゛ＩＬ導体
薄膜層での発光色の合成色による発光が得られ、従って
、混晶材料とイＩ４品比の組り合わせを適宜にｆぷこと
により、好みの色の発光色を容具に１１することができ
る。
は、禁制帯幅の異なる２種の゛１６導体材料を用い、禁
制帯幅の大鼻な方の半導体材料から成る゛１′導体薄膜
層と前記２種の゛ＩＬ導体の混晶材料から成る半導体薄
膜層とを交Ｔｉに積層し、そして、１１コ晶材オニ１か
ら成る複数の半導体層１１り層の混晶比を変化させたの
で、それぞれ混晶比の異なる混晶材料による゛ＩＬ導体
薄膜層での発光色の合成色による発光が得られ、従って
、混晶材料とイＩ４品比の組り合わせを適宜にｆぷこと
により、好みの色の発光色を容具に１１することができ
る。
第１図及び第２図は本発明半導体ｆ＃膜発光素子の第１
のものの実施の一一例を示すもので、第１図はその模型
的側面図、へ′５２図は積層体の各層とエネルギー準位
の分布状態との関係を示し、（Ａ）は積層体を厚み方向
に薄くスライスして示す断面ＩＡ、（Ｂ）は（Ａ）に対
応して各層におけるエネルギー準位の分布を示す図、第
３図及び第４図は本発明半導体薄膜発光１子の第２のす
）のの実施の一例を示すもので、第３図は模型的側面図
、第４図は各層におけるエネルギー準位の分７１状態を
示す図である。 符号の説明 ２・・・透明電極、 ３・・・禁制帯幅の大きな方の
半導体薄膜層、 ４・・・混晶材料からなる半導体薄
膜層、 ５・・・禁制帯幅の大きな方の半導体層ロタ
層、 ６・・・背面電極、７．７ａｅ−・積層体 出 願 人 株式会社 小糸製作所 （・竜図 １・２図 ローＬ工 わせ−’ｌ即 １・７１図 第４図
のものの実施の一一例を示すもので、第１図はその模型
的側面図、へ′５２図は積層体の各層とエネルギー準位
の分布状態との関係を示し、（Ａ）は積層体を厚み方向
に薄くスライスして示す断面ＩＡ、（Ｂ）は（Ａ）に対
応して各層におけるエネルギー準位の分布を示す図、第
３図及び第４図は本発明半導体薄膜発光１子の第２のす
）のの実施の一例を示すもので、第３図は模型的側面図
、第４図は各層におけるエネルギー準位の分７１状態を
示す図である。 符号の説明 ２・・・透明電極、 ３・・・禁制帯幅の大きな方の
半導体薄膜層、 ４・・・混晶材料からなる半導体薄
膜層、 ５・・・禁制帯幅の大きな方の半導体層ロタ
層、 ６・・・背面電極、７．７ａｅ−・積層体 出 願 人 株式会社 小糸製作所 （・竜図 １・２図 ローＬ工 わせ−’ｌ即 １・７１図 第４図
Claims (2)
- （１）禁制帯幅の異なる２種の半導体材料を用い、禁制
帯幅の大きな方の半導体材料から成る半導体薄膜層の間
に前記２種の半導体の混晶材料から成る半導体薄膜層を
挟持状にした積層体を透明電極と背面電極との間に挟置
して成ることを特徴とする半導体薄膜発光素子 - （２）禁制帯幅の異なる２種の半導体材料を用い、禁制
帯幅の大きな方の半導体材料から成る半導体ン轡ｆＩｇ
：層と前記２種の半導体の混晶材料から成る゛ビ；導体
薄膜層とを交互に積層し、そして、４１ル晶材料から成
る複数の′１′、導体薄膜層の混晶比を変化ネせたこと
を特徴とする半導体薄膜発光素子
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57156111A JPS5946073A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 半導体薄膜発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57156111A JPS5946073A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 半導体薄膜発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5946073A true JPS5946073A (ja) | 1984-03-15 |
Family
ID=15620547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57156111A Pending JPS5946073A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 半導体薄膜発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5946073A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6269690A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光半導体装置 |
| US5128728A (en) * | 1989-01-13 | 1992-07-07 | National Research Council Of Canada | Semiconductor superlattice infrared source |
| US5459337A (en) * | 1993-02-19 | 1995-10-17 | Sony Corporation | Semiconductor display device with red, green and blue emission |
-
1982
- 1982-09-08 JP JP57156111A patent/JPS5946073A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6269690A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光半導体装置 |
| US5128728A (en) * | 1989-01-13 | 1992-07-07 | National Research Council Of Canada | Semiconductor superlattice infrared source |
| US5459337A (en) * | 1993-02-19 | 1995-10-17 | Sony Corporation | Semiconductor display device with red, green and blue emission |
| US5597740A (en) * | 1993-02-19 | 1997-01-28 | Sony Corporation | Semiconductor display device and a method of fabricating the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5548137A (en) | Group II-VI compound semiconductor light emitting devices and an ohmic contact therefor | |
| TWI403002B (zh) | 半導體發光元件 | |
| TW200908411A (en) | Electroluminescent device having improved power distribution | |
| JP4270885B2 (ja) | 酸化物半導体発光素子 | |
| KR101920445B1 (ko) | 발광 장치 | |
| JPH0268968A (ja) | 化合物半導体発光素子 | |
| US5079594A (en) | Nonlinear optical thin-film | |
| CN106785912A (zh) | 半导体激光器及其制作方法 | |
| WO2006062615A1 (en) | Type ii broadband or polychromatic led's | |
| US5296718A (en) | Light emitting semiconductor device having multilayer structure | |
| JP2004260111A (ja) | 半導体発光素子およびその半導体発光素子を用いた半導体発光装置 | |
| US5872023A (en) | Method of fabricating of light emitting device with controlled lattice mismatch | |
| US5714014A (en) | Semiconductor heterojunction material | |
| JPH11233816A (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
| JPS61222284A (ja) | 発光素子 | |
| JP3228208B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
| JP4851648B2 (ja) | 混色の電磁放射を発生させる半導体コンポーネント | |
| JPH0412600B2 (ja) | ||
| JP2007042771A (ja) | ｐ型ワイドギャップ半導体 | |
| JPS6328512B2 (ja) | ||
| JPS5946071A (ja) | 半導体薄膜発光素子 | |
| JPH0410669A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61144079A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH04299876A (ja) | 半導体発光素子材料 | |
| JP2545212B2 (ja) | 青色発光素子 |