JPS5947817A - 高周波増幅器 - Google Patents
高周波増幅器Info
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- JPS5947817A JPS5947817A JP58111747A JP11174783A JPS5947817A JP S5947817 A JPS5947817 A JP S5947817A JP 58111747 A JP58111747 A JP 58111747A JP 11174783 A JP11174783 A JP 11174783A JP S5947817 A JPS5947817 A JP S5947817A
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 18
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0035—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements
- H03G1/0052—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements using diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0017—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid-state elements
- H03G1/0023—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid-state elements in emitter-coupled or cascode amplifiers
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
本発明は２つの入カトランジスタを有し、増幅率を変化
させる為にこれらのトランジスタの、共通端子の間に直
流制御電流を与えることによって変化可能なインピーダ
ンスを持つ差動増幅器段を形成する高周波増幅器に関す
る。
させる為にこれらのトランジスタの、共通端子の間に直
流制御電流を与えることによって変化可能なインピーダ
ンスを持つ差動増幅器段を形成する高周波増幅器に関す
る。
発明の背景
このような高周波はテキサス・インスツルメンツ社によ
って市販される集積回路ＳＮ９４１８０の中で使用され
ている。この周知の高周波増幅器はビデオ信号、即ち比
較的高周波の信号を増幅する為に使用されている。差動
増幅器段として機能する為に接続される入力トランジス
タのエミッタ（共通端子）の間には、２つのダイオード
が配置されて、これらのアノードはそれぞれ１方のエミ
ッタに接続され、一方、これらのカソードは相互に接続
される。この相互に接続されているカソードは集積回路
のピンのうちの１つに接続される。
って市販される集積回路ＳＮ９４１８０の中で使用され
ている。この周知の高周波増幅器はビデオ信号、即ち比
較的高周波の信号を増幅する為に使用されている。差動
増幅器段として機能する為に接続される入力トランジス
タのエミッタ（共通端子）の間には、２つのダイオード
が配置されて、これらのアノードはそれぞれ１方のエミ
ッタに接続され、一方、これらのカソードは相互に接続
される。この相互に接続されているカソードは集積回路
のピンのうちの１つに接続される。
このピンから２つのダイオードの中を通過する順方向の
流れの直流制御電流を与えることができる。ダイオード
はこの直流制御電流の値に応じて特定の順方向電流に対
する抵抗を持つので、ダイオードのカソードから供給さ
れる直流制御電流によって差動増幅器段を形成する入力
トランジスタのエミッタの間の実効インピーダンスを変
化させることが可能となる。エミッタ間の実効インピー
ダンスが変化することによって差動増幅器段の増幅率が
変化するので集積回路の１つのピンに直流制御電流を与
えることによって差動増幅器段の増幅率を好ましい埴に
調整することができる。
流れの直流制御電流を与えることができる。ダイオード
はこの直流制御電流の値に応じて特定の順方向電流に対
する抵抗を持つので、ダイオードのカソードから供給さ
れる直流制御電流によって差動増幅器段を形成する入力
トランジスタのエミッタの間の実効インピーダンスを変
化させることが可能となる。エミッタ間の実効インピー
ダンスが変化することによって差動増幅器段の増幅率が
変化するので集積回路の１つのピンに直流制御電流を与
えることによって差動増幅器段の増幅率を好ましい埴に
調整することができる。
従来の高周波増幅器に於て、ダイオードを通過し入力ト
ランジスタのエミックに接続される直流制御電流は上記
トランジスタのエミッタ回路の中の抵抗も通過して流れ
、入力トランジスタ内を流れる零入力直流電流に影響を
与える。零入力直流電流は差動増幅器段の動作点を決定
し、故に、動作点に依存する全ての特性を決定する。こ
れに関連して、増幅器段の帯域が特に重大な意味を持つ
。
ランジスタのエミックに接続される直流制御電流は上記
トランジスタのエミッタ回路の中の抵抗も通過して流れ
、入力トランジスタ内を流れる零入力直流電流に影響を
与える。零入力直流電流は差動増幅器段の動作点を決定
し、故に、動作点に依存する全ての特性を決定する。こ
れに関連して、増幅器段の帯域が特に重大な意味を持つ
。
帯域は、その時々に選択されるあらゆる増幅率に彰響を
受けることなくほぼ安定していなくてはならない。従来
の高周波増幅器段では、上記で示した通り増幅率を調整
する為に直流制御電流を与える結果動作点が変化するた
め帯域を安定させることはできなかった。
受けることなくほぼ安定していなくてはならない。従来
の高周波増幅器段では、上記で示した通り増幅率を調整
する為に直流制御電流を与える結果動作点が変化するた
め帯域を安定させることはできなかった。
本発明の概要
本発明は、増幅率が調整可能で、その時々で選択される
増幅率の影響を受けない動作点を持ち、この構成をすぐ
に集積回路の型式の製造に役立つ高周波増幅器を提供す
ることを目的とする。
増幅率の影響を受けない動作点を持ち、この構成をすぐ
に集積回路の型式の製造に役立つ高周波増幅器を提供す
ることを目的とする。
本発明に従うとダイオードブリッジ回路によって変化可
能なインピーダンスが形成されて上記の目的が実現きれ
る。このブリッジ回路の交流端子は、入力トランジスタ
の共通端子に接続され、また直流端子は直流制御電流を
ダイオードブリッジ回路に供給する為の回路装置に接続
される。
能なインピーダンスが形成されて上記の目的が実現きれ
る。このブリッジ回路の交流端子は、入力トランジスタ
の共通端子に接続され、また直流端子は直流制御電流を
ダイオードブリッジ回路に供給する為の回路装置に接続
される。
本発明の高周波増幅器で使用されるダイオードブリッジ
回路は、実効インピータンスを変化させる為に使用され
る直流制御電流が入力トランジスタの共通回路を通過し
て流れることなく入力トランジスタの共通端子の間の実
効インピーダンスを変化させることができる。入力トラ
ンジスタによって形成される差動増幅器段の動作点は、
故に直流制御電流によって影響を受けることがなくなる
ので差動増幅器段の動作特性はその時々において選択さ
れる増幅率によって影響を受けることはなくなる。この
ような理由で、本発明の高周波増幅器は、増幅率の変化
によって増幅器の帯域が影響を受けないことが特に重要
とされる場合の非常に高い高周波信号の増幅に特によく
適している。
回路は、実効インピータンスを変化させる為に使用され
る直流制御電流が入力トランジスタの共通回路を通過し
て流れることなく入力トランジスタの共通端子の間の実
効インピーダンスを変化させることができる。入力トラ
ンジスタによって形成される差動増幅器段の動作点は、
故に直流制御電流によって影響を受けることがなくなる
ので差動増幅器段の動作特性はその時々において選択さ
れる増幅率によって影響を受けることはなくなる。この
ような理由で、本発明の高周波増幅器は、増幅率の変化
によって増幅器の帯域が影響を受けないことが特に重要
とされる場合の非常に高い高周波信号の増幅に特によく
適している。
本発明の実施例の説明
次に、図を参照して本発明の一実施側を説明する。この
一つだけ示されている図は本発明に従って構成した変化
可能な増幅率を持つ増幅器のバイポーラ型トランジスタ
回路の図を示している。
一つだけ示されている図は本発明に従って構成した変化
可能な増幅率を持つ増幅器のバイポーラ型トランジスタ
回路の図を示している。
図示されている増幅器は２つのＮＰＮトランジスタＴ１
及ひＴ２を持つ差動入力トランジスタ段を有している。
及ひＴ２を持つ差動入力トランジスタ段を有している。
トランジスタＴ１のベースは、増幅器段の第１の入力を
形成していて入力端子Ｅ１に接続される。トランジスタ
Ｔ２のベースは増幅器段の第２の入力を形成し、入力端
子Ｅ２に接続される。抵抗Ｒ１は、トランジスタＴ１の
コレクタと供給電圧線１０の間に位置される。さらに抵
抗Ｒ２はトランジスタＴ２のコレクタ及び供給電圧線１
０の間に位置される。供給電圧は、端子■ｃｃを介し供
給電圧線１０に供給される。抵抗Ｒ３の端子はトランジ
スタＴ１のエミッタに接続され、抵抗Ｒ４の端子はトラ
ンジスタＴ２のエミッタに接続される。抵抗Ｒ３及びＲ
４のもう一方の端子は、両方とも抵抗Ｒ５の端子に接続
される。抵抗Ｒ５の反対側の端子は、接地線２０に接続
される。
形成していて入力端子Ｅ１に接続される。トランジスタ
Ｔ２のベースは増幅器段の第２の入力を形成し、入力端
子Ｅ２に接続される。抵抗Ｒ１は、トランジスタＴ１の
コレクタと供給電圧線１０の間に位置される。さらに抵
抗Ｒ２はトランジスタＴ２のコレクタ及び供給電圧線１
０の間に位置される。供給電圧は、端子■ｃｃを介し供
給電圧線１０に供給される。抵抗Ｒ３の端子はトランジ
スタＴ１のエミッタに接続され、抵抗Ｒ４の端子はトラ
ンジスタＴ２のエミッタに接続される。抵抗Ｒ３及びＲ
４のもう一方の端子は、両方とも抵抗Ｒ５の端子に接続
される。抵抗Ｒ５の反対側の端子は、接地線２０に接続
される。
このような差動増幅段に関しては周知の通り抵抗Ｒ１−
Ｒ５が増幅率を決定する。増幅率はまたエミッタの間に
存在するインピーダンスによっても影響を受ける。抵抗
Ｒ５は比較的高い抵抗値を持つように適当に形成されて
おり、この抵抗が安定電流源として機能するのでトラン
ジスタＴ１及びＴ２を通って流れる零入力電流が決定さ
れ差動増幅器段の動作点も決定される。トランジスタＴ
１のコレクタはＮＰＮ出力トランジスタＴ３のベースに
接続される。この出力トランジスタＴ３のコレクタは供
給電圧線１０に接続され、このエミックは、抵抗Ｒ６を
介し接地線２０に接続される。
Ｒ５が増幅率を決定する。増幅率はまたエミッタの間に
存在するインピーダンスによっても影響を受ける。抵抗
Ｒ５は比較的高い抵抗値を持つように適当に形成されて
おり、この抵抗が安定電流源として機能するのでトラン
ジスタＴ１及びＴ２を通って流れる零入力電流が決定さ
れ差動増幅器段の動作点も決定される。トランジスタＴ
１のコレクタはＮＰＮ出力トランジスタＴ３のベースに
接続される。この出力トランジスタＴ３のコレクタは供
給電圧線１０に接続され、このエミックは、抵抗Ｒ６を
介し接地線２０に接続される。
トランジスタＴ２のコレクタは、ＮＰＮ出力トランジス
タＴ４のベースに接続され、トランジスタＴ４のコレク
タは供給電圧線１０に接続され、エミッタは、抵抗Ｒ７
を介し接地線２０に接続される。出力トランジスタＴ３
のエミッタは出力端子Ａ１に接続され、出力トランジス
タＴ４のエミッタは出力端子Ａ２に接続される。
タＴ４のベースに接続され、トランジスタＴ４のコレク
タは供給電圧線１０に接続され、エミッタは、抵抗Ｒ７
を介し接地線２０に接続される。出力トランジスタＴ３
のエミッタは出力端子Ａ１に接続され、出力トランジス
タＴ４のエミッタは出力端子Ａ２に接続される。
増幅器は追加的に２つのＰＮＰトランジスタＴ５及びＴ
６を有している。これらのトランジスタのべ−ス端子は
相五に接続されている。トランジスタＴ５及ひＴ６のエ
ミッタ端子はそれぞれ抵抗Ｒ８及びＲ９を介し供給電圧
線１０に接続される。
６を有している。これらのトランジスタのべ−ス端子は
相五に接続されている。トランジスタＴ５及ひＴ６のエ
ミッタ端子はそれぞれ抵抗Ｒ８及びＲ９を介し供給電圧
線１０に接続される。
トランジスタＴ５のベースは自分のコレクタ端子に接続
される。トランジスタＴ５のコレクタはさらに制御端子
ＳＴにも接続される。
される。トランジスタＴ５のコレクタはさらに制御端子
ＳＴにも接続される。
トランジスタＴ５とＴ６は２つで周知の形式の、「電流
ミラー」と呼ばれる回路を形成している。
ミラー」と呼ばれる回路を形成している。
このような電流ミラー回路は入力トランジスタ及び出力
トランジスタを有し、これらのベースは相互に接続され
、これらのエミッタは直接又は抵抗を介し共通端子（接
地又は供給電圧）に接続される。入力トランジスタの方
はベースとコレクタが相互に接続されている。電流ミラ
ー回路では、出力トランジスタのコレクターエミッタ回
路を通って流れる電流と入力トランジスタのコレクタ−
エミッタ回路を通って流れる電流との比は所定の値に決
まっている。図示された回路では、トランジスタＴ５が
電流ミラー回路の入力トランジスタでありトランジスタ
Ｔ６が出力トランジスタである。
トランジスタを有し、これらのベースは相互に接続され
、これらのエミッタは直接又は抵抗を介し共通端子（接
地又は供給電圧）に接続される。入力トランジスタの方
はベースとコレクタが相互に接続されている。電流ミラ
ー回路では、出力トランジスタのコレクターエミッタ回
路を通って流れる電流と入力トランジスタのコレクタ−
エミッタ回路を通って流れる電流との比は所定の値に決
まっている。図示された回路では、トランジスタＴ５が
電流ミラー回路の入力トランジスタでありトランジスタ
Ｔ６が出力トランジスタである。
トランジスタＴ５のコレクタ−エミッタ回路を通って流
れる電流は、制御端子ＳＴに与えられる制御電流によっ
て決定され、トランジスタＴ６のコレクタ−エミッタ回
路には、トランジスタＴ５のコレクタ−エミッタ回路を
流れる電流に対し所定の比率の電流が流れる。図の回路
では、抵抗Ｒ８及びＲ９が等しいと仮定するとその結果
、２つのトランジスタＴ５及びＴ６のコレクタ−エミッ
タ回路を通って流れる電流も同様に等しくなると仮定さ
れる。制御電流ＩＳＴがトランジスタＴ５を通過して流
れると仮定すると、抵抗Ｒ８及びＲ９が等しい場合トラ
ンジスタＴ６のコレクタには制御電流ＩＳＴと等しい電
流Ｉ′ＳＴが流れる。
れる電流は、制御端子ＳＴに与えられる制御電流によっ
て決定され、トランジスタＴ６のコレクタ−エミッタ回
路には、トランジスタＴ５のコレクタ−エミッタ回路を
流れる電流に対し所定の比率の電流が流れる。図の回路
では、抵抗Ｒ８及びＲ９が等しいと仮定するとその結果
、２つのトランジスタＴ５及びＴ６のコレクタ−エミッ
タ回路を通って流れる電流も同様に等しくなると仮定さ
れる。制御電流ＩＳＴがトランジスタＴ５を通過して流
れると仮定すると、抵抗Ｒ８及びＲ９が等しい場合トラ
ンジスタＴ６のコレクタには制御電流ＩＳＴと等しい電
流Ｉ′ＳＴが流れる。
トランジスタＴ６のコレクタは、ＮＰＮトランジスタＴ
７のコレクタに接続され、ＮＰＮトランジスタＴ７はＮ
ＰＮトランジスタＴ８といっしょに第２の電流ミラー回
路を形成している。トランジスタＴ７では、コレククが
そのベースに接続され上記トランジスタが電流ミラー回
路の入力トランジスタを形成している。そのベースは電
流ミラー回路の出力トランジスタを形成するトランジス
タＴ８に接続される。トランジスタＴ７及びＴ８のエミ
ッタはそれぞれ等価の抵抗Ｒ１０及びＲ１１を介し接地
線２０に接続される。この第２の電流ミラー回路は、抵
抗Ｒ１０及びＲ１１が等しいと考える時トランジスタＴ
８のコレクタ−エミッタ回路を流れる電流■２がトラン
ジスタＴ７のコレクタ−エミッタ回路を流れる電流と等
しくなり、即ちその電流がＩ′ＳＴとなるように機能し
ている。回路はトランジスタＴ５とＰＮＰトランジスタ
Ｔ７によって形成された第６の電流ミラー回路を有して
いる。このトランジスタＴ９は第３の電流ミラー回路Ｔ
９の出力トランジスタである。トランジスタＴ９のベー
スは、トランジスタＴ５のベースに接続されそのエミッ
タは、抵抗Ｒ１２を介し供給電圧線１０に接続される。
７のコレクタに接続され、ＮＰＮトランジスタＴ７はＮ
ＰＮトランジスタＴ８といっしょに第２の電流ミラー回
路を形成している。トランジスタＴ７では、コレククが
そのベースに接続され上記トランジスタが電流ミラー回
路の入力トランジスタを形成している。そのベースは電
流ミラー回路の出力トランジスタを形成するトランジス
タＴ８に接続される。トランジスタＴ７及びＴ８のエミ
ッタはそれぞれ等価の抵抗Ｒ１０及びＲ１１を介し接地
線２０に接続される。この第２の電流ミラー回路は、抵
抗Ｒ１０及びＲ１１が等しいと考える時トランジスタＴ
８のコレクタ−エミッタ回路を流れる電流■２がトラン
ジスタＴ７のコレクタ−エミッタ回路を流れる電流と等
しくなり、即ちその電流がＩ′ＳＴとなるように機能し
ている。回路はトランジスタＴ５とＰＮＰトランジスタ
Ｔ７によって形成された第６の電流ミラー回路を有して
いる。このトランジスタＴ９は第３の電流ミラー回路Ｔ
９の出力トランジスタである。トランジスタＴ９のベー
スは、トランジスタＴ５のベースに接続されそのエミッ
タは、抵抗Ｒ１２を介し供給電圧線１０に接続される。
抵抗Ｒ１２は抵抗Ｒ８と等しい抵抗値を持つ。上記第３
の電流ミラーは、トランジスタＴ９のコレクタ−エミッ
タ回路を流れる電流■１がトランジスタＴ５のコレクタ
−エミッタ回路を流れる制御電流ＩＳＴに等しくなるよ
うに作用している。
の電流ミラーは、トランジスタＴ９のコレクタ−エミッ
タ回路を流れる電流■１がトランジスタＴ５のコレクタ
−エミッタ回路を流れる制御電流ＩＳＴに等しくなるよ
うに作用している。
トランジスタＴ８のコレクタは、、ダイオードブリッジ
回路３１の端子３０に接続され、トランジスタＴ９のコ
レククは上記ダイオードブリッジ回路の他の端子３２に
接続される。ダイオードブリッジ回路３１の他の２つの
端子３３及び３４はそれぞれトランジスタＴ１のエミッ
タ及びトランジスタＴ２のエミッタに接続される。ダイ
オードブリッジ回路の中のダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３
及びＤ４はトランジスタＴ９のコレクタ線を流れる電流
がダイオードブリッジ回路を通ってトランジスタＴ８の
コレクタ線に流れるように電流を通す方向が決定され配
置されている。ダイオードブリッジ回路３１が全波整流
器として使用される場合、交流端子である他の２つの端
子３３及び３４に交流電流が与えられる時には、端子３
０及び３２が直流端子となり直流電流を与える。
回路３１の端子３０に接続され、トランジスタＴ９のコ
レククは上記ダイオードブリッジ回路の他の端子３２に
接続される。ダイオードブリッジ回路３１の他の２つの
端子３３及び３４はそれぞれトランジスタＴ１のエミッ
タ及びトランジスタＴ２のエミッタに接続される。ダイ
オードブリッジ回路の中のダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３
及びＤ４はトランジスタＴ９のコレクタ線を流れる電流
がダイオードブリッジ回路を通ってトランジスタＴ８の
コレクタ線に流れるように電流を通す方向が決定され配
置されている。ダイオードブリッジ回路３１が全波整流
器として使用される場合、交流端子である他の２つの端
子３３及び３４に交流電流が与えられる時には、端子３
０及び３２が直流端子となり直流電流を与える。
上記で説明した通り、電流ミラー回路を使用することに
よって電流Ｉ１だけでなく電流Ｉ２も制御電流ＩＳＴと
等しい値にすることができる。このことは、抵抗Ｒ１２
、トランジスタＴ９、ダイオードブリッジ回路３１、ト
ランジスタＴ８及び抵抗Ｒ１１から成る回路部分を流れ
る電流がトランジスタＴ１及びＴ２を通って流れている
零入力電流に影響を与えるおそれのある抵抗Ｒ３，Ｒ４
及びＲ５を通る電流を発生させることがないことを意味
する。故に上記の回路部分を流れる電流の値は、トラン
ジスタＴ１及びＴ２で形成された増幅器段の動作点にま
ったくなんの影響力も持たない。
よって電流Ｉ１だけでなく電流Ｉ２も制御電流ＩＳＴと
等しい値にすることができる。このことは、抵抗Ｒ１２
、トランジスタＴ９、ダイオードブリッジ回路３１、ト
ランジスタＴ８及び抵抗Ｒ１１から成る回路部分を流れ
る電流がトランジスタＴ１及びＴ２を通って流れている
零入力電流に影響を与えるおそれのある抵抗Ｒ３，Ｒ４
及びＲ５を通る電流を発生させることがないことを意味
する。故に上記の回路部分を流れる電流の値は、トラン
ジスタＴ１及びＴ２で形成された増幅器段の動作点にま
ったくなんの影響力も持たない。
このように理想的な状況は、ダイオードＤ１乃至Ｄ４が
等しい特性を持つ時に特別に実現される。
等しい特性を持つ時に特別に実現される。
このような等しい特性を持つダイオードＤ１乃至Ｄ４の
形成は上記ダイオードを共通半導体ウエファーに作るこ
とによって実現可能である。
形成は上記ダイオードを共通半導体ウエファーに作るこ
とによって実現可能である。
ダイオードＤ１乃至Ｄ４から成るダイオードブリッジ回
路を通って流れる電流の変化は、トランジスタＴ１及び
Ｔ２で形成される増幅器段の増幅率を変化させる。ダイ
オードブリッジ回路を流れる電流Ｉ１＝Ｉ２は、制御端
子ＳＴに与えられる制御電流ＩＳＴによって決定される
。回路図から電流が順方向にダイオードブリッジ回路内
のダイオードを通過して流れることは明らかである。（
２ミリアンペア以下の）小さな電流の場合、ダイオード
は抵抗と同様に動作し、その結果ダイオードブリッジ回
路を通って流れる電流の変化がトランジスタＴ１及びＴ
２のエミッタの間に生じるインピーダンスの変化に影響
を与える。このインピーダンスはトランジスタＴ１及び
Ｔ２によって形成される増幅器段の増幅率に対し必須の
要素である。
路を通って流れる電流の変化は、トランジスタＴ１及び
Ｔ２で形成される増幅器段の増幅率を変化させる。ダイ
オードブリッジ回路を流れる電流Ｉ１＝Ｉ２は、制御端
子ＳＴに与えられる制御電流ＩＳＴによって決定される
。回路図から電流が順方向にダイオードブリッジ回路内
のダイオードを通過して流れることは明らかである。（
２ミリアンペア以下の）小さな電流の場合、ダイオード
は抵抗と同様に動作し、その結果ダイオードブリッジ回
路を通って流れる電流の変化がトランジスタＴ１及びＴ
２のエミッタの間に生じるインピーダンスの変化に影響
を与える。このインピーダンスはトランジスタＴ１及び
Ｔ２によって形成される増幅器段の増幅率に対し必須の
要素である。
図の回路ではダイオードブリッジ回路を通過して流れる
電流を小さな値（２ミリアンペアより下の値）に制限す
ると、ダイオードを通る電流がダイオードの順方向抵抗
を適当に変化させるのでダイオードの特性を持つ部分を
利用することができるようになる。
電流を小さな値（２ミリアンペアより下の値）に制限す
ると、ダイオードを通る電流がダイオードの順方向抵抗
を適当に変化させるのでダイオードの特性を持つ部分を
利用することができるようになる。
以上に示した通ダイオードブリッジ３１を通過して流れ
る電流は、トランジスタＴ１及びＴ２で形成された増幅
器段を流れる零入力電流にまったく影響を与えずに上記
トランジスタのエミッタの間に生じる実効インピーダン
スだけを変化させる。零入力電流及び動作点が変化しな
いという観点から増幅器段の帯域は影響をうけることな
く維持される。図の回路配列は特にビデオ信号即ち比較
的高周波数の信号の増幅を制御する為に適している。故
に本発明は従来の欠点をとり除いてインピーダンスが液
化可能な差動増幅器段を提供することができる。
る電流は、トランジスタＴ１及びＴ２で形成された増幅
器段を流れる零入力電流にまったく影響を与えずに上記
トランジスタのエミッタの間に生じる実効インピーダン
スだけを変化させる。零入力電流及び動作点が変化しな
いという観点から増幅器段の帯域は影響をうけることな
く維持される。図の回路配列は特にビデオ信号即ち比較
的高周波数の信号の増幅を制御する為に適している。故
に本発明は従来の欠点をとり除いてインピーダンスが液
化可能な差動増幅器段を提供することができる。
本発明はここでは特定の実施例に関連し説明してきたが
これに限られるものではなく、特許請求の範囲によって
限定される本発明の主旨の中から離れない限りあらゆる
変形改変も含むものであることは当業者に理解されるも
のと信じる。
これに限られるものではなく、特許請求の範囲によって
限定される本発明の主旨の中から離れない限りあらゆる
変形改変も含むものであることは当業者に理解されるも
のと信じる。
図は本願発明に係る高周波増幅器の一実施例を示す電気
回路図である。 １０・・・供給電圧線、２０・・・接地線、Ａ１，Ａ２
・・・出力端子、Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４・・・ダイオ
ード、Ｅ１，Ｅ２・・・入力端子、Ｒ１・・・抵抗、Ｓ
Ｔ・・・制御端子，Ｔ１，Ｔ２・・・ＮＰＮトランジス
タ代理人 浅 村 皓
回路図である。 １０・・・供給電圧線、２０・・・接地線、Ａ１，Ａ２
・・・出力端子、Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４・・・ダイオ
ード、Ｅ１，Ｅ２・・・入力端子、Ｒ１・・・抵抗、Ｓ
Ｔ・・・制御端子，Ｔ１，Ｔ２・・・ＮＰＮトランジス
タ代理人 浅 村 皓
Claims (9)
- （１）各々入力端子、出力端子及び共通端子を持ち差動
増幅器段を形成する一対のトランジスタを有する高周波
増幅器において、共通端子がダイオードブリッジ回路の
第１の一対の端子に接続され、ダイオードブリッジ回路
の第２の一対の端子がブリッジ回路のインピーダンスを
変化させ故に増幅器の増幅率を変化させる為の直流制御
電流の供給手段に接続される上記高周波増幅器。 - （２）上記直流制御電流の供給手段がダイオードブリッ
ジ回路の上記第２の一対の端子の１方にそれぞれ出力さ
れる出力トランジスタを持ち、電流ミラー回路の直流制
御電流を変化させる為の制御信号を受けとるように接続
される入力トランジスタを持つ２つの電流ミラー回路を
有している特許請求の範囲第１項の増幅器。 - （３）上記増幅器がさらに制御信号を受けとる為及び等
しい直流電流を上記２つの電流ミラ−回路を供給する為
のもう１つの電流ミラー回路を有する特許請求の範囲第
２項の増幅器。 - （４）上記差動増幅器段のトランジスタの出力端子がそ
れぞれの出力バッファ増幅器段に接続される特許請求の
範囲第１項の増幅器。 - （５）差動増幅器段を形成する一対のトランジスタと、
増幅器の増幅率を液化させる為の一対のトランジスタの
エミッタを接続された可変インピーダンス手段とを有し
、上記可変インピーダンス手段がトランジスタのエミッ
タに接続する一対の交流端子と直流制御電流を供給する
為のブリッジ回路の一対の直流端子に接続されブリッジ
回路のインピーダンスを変化させる制御可能な電流源手
段を有する高周波増幅器。 - （６）上記増幅器において上記ブリッジ回路の直流端子
が共通制御信号によって制御されるそれぞれの電流ミラ
ー回路の出力に接続される特許請求の範囲第５項の増幅
器。 - （７）上記増幅器において上記各々の電流ミラー回路が
ブリッジ回路の直流端子の１つに接続されたコレクタを
持つ出刃トランジスタを有するバイポーラトランジスタ
電流ミラー回路である特許請求の範囲第６項の増幅器。 - （８）上記増幅器において上記各々の電流ミラー回路の
１つがさらに直流制御電流を供給する為他方の電流ミラ
ー回路に接続され、上記１方の電流ミラー回路が制御信
号を受けとる為の入力トランジスタを有する特許請求の
範囲第６項の増幅器。 - （９）上記増幅器において差動増幅器段トランジスタの
制御手段がそれそれの次の段のトランジスタのエミツタ
によって接続され増幅器の出力に接続される特許請求の
範囲第５項の増幅器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE32232292 | 1982-06-22 | ||
| DE3223229A DE3223229C2 (de) | 1982-06-22 | 1982-06-22 | Hochfrequenzverstärker |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5947817A true JPS5947817A (ja) | 1984-03-17 |
Family
ID=6166539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58111747A Pending JPS5947817A (ja) | 1982-06-22 | 1983-06-21 | 高周波増幅器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4531097A (ja) |
| EP (1) | EP0099464B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5947817A (ja) |
| DE (2) | DE3223229C2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5305109A (en) * | 1992-09-08 | 1994-04-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Parallel untuned video if amplifiers supplied signals from TV 1st detector via respective input filters |
| US5331290A (en) * | 1992-09-08 | 1994-07-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Variable gain amplifier |
| RU2595923C1 (ru) * | 2015-07-02 | 2016-08-27 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) | Быстродействующий операционный усилитель на основе "перегнутого" каскода |
Citations (3)
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| JPS5039855A (ja) * | 1973-08-10 | 1975-04-12 | ||
| JPS536553A (en) * | 1976-07-08 | 1978-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Variable gain amplifier |
| JPS58154911A (ja) * | 1982-03-09 | 1983-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 利得制御増幅器 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3032704A (en) * | 1958-06-17 | 1962-05-01 | Ibm | Variable impedance network for automatic gain control circuit |
| US3962650A (en) * | 1973-11-21 | 1976-06-08 | Motorola, Inc. | Integrated circuit amplifier having controlled gain and stable quiescent output voltage level |
| GB1489218A (en) * | 1973-11-21 | 1977-10-19 | Motorola Inc | Integrated circuit amplifier having controlled gain and stable quiescent output voltage level |
| JPS5320844A (en) * | 1976-08-11 | 1978-02-25 | Hitachi Ltd | Gain control circuit |
| JPS55147012A (en) * | 1979-05-04 | 1980-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | Amplifying circuit |
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| JPS5755605A (en) * | 1980-09-22 | 1982-04-02 | Toshiba Corp | Differential amplifier |
| DE3109590A1 (de) * | 1981-03-13 | 1982-09-23 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Geregelte differenz-verstaerkerstufe |
-
1982
- 1982-06-22 DE DE3223229A patent/DE3223229C2/de not_active Expired
-
1983
- 1983-06-10 EP EP83105711A patent/EP0099464B1/en not_active Expired
- 1983-06-10 DE DE8383105711T patent/DE3367710D1/de not_active Expired
- 1983-06-21 JP JP58111747A patent/JPS5947817A/ja active Pending
- 1983-06-21 US US06/506,180 patent/US4531097A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5039855A (ja) * | 1973-08-10 | 1975-04-12 | ||
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| JPS58154911A (ja) * | 1982-03-09 | 1983-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 利得制御増幅器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0099464B1 (en) | 1986-11-12 |
| DE3223229C2 (de) | 1986-11-13 |
| DE3223229A1 (de) | 1983-12-29 |
| US4531097A (en) | 1985-07-23 |
| EP0099464A1 (en) | 1984-02-01 |
| DE3367710D1 (en) | 1987-01-02 |
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