JPS5948139B2 - メチルクロロシラン製造用銅触媒を付加したケイ素の製造方法 - Google Patents
メチルクロロシラン製造用銅触媒を付加したケイ素の製造方法Info
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- JPS5948139B2 JPS5948139B2 JP55148867A JP14886780A JPS5948139B2 JP S5948139 B2 JPS5948139 B2 JP S5948139B2 JP 55148867 A JP55148867 A JP 55148867A JP 14886780 A JP14886780 A JP 14886780A JP S5948139 B2 JPS5948139 B2 JP S5948139B2
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- methylchlorosilane
- copper catalyst
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- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 47
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 46
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N chloro(methyl)silane Chemical compound C[SiH2]Cl YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 10
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 title claims description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N chloromethane Chemical compound ClC NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229940050176 methyl chloride Drugs 0.000 claims description 3
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 abstract description 5
- WCCJDBZJUYKDBF-UHFFFAOYSA-N copper silicon Chemical compound [Si].[Cu] WCCJDBZJUYKDBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 abstract description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 9
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910017758 Cu-Si Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017931 Cu—Si Inorganic materials 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 description 1
- 238000011437 continuous method Methods 0.000 description 1
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- -1 hydrocarbon halide Chemical class 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/12—Organo silicon halides
- C07F7/16—Preparation thereof from silicon and halogenated hydrocarbons direct synthesis
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はメチルクロロシラン製造用の、粉末にした自由
に流動する銅触媒を付加したケイ素の製造に関するもの
である。
に流動する銅触媒を付加したケイ素の製造に関するもの
である。
メチルクロロシラン単量体は流動床中での微粉末ケイ素
金属と塩化メチルとの間の直接反応で製造する。
金属と塩化メチルとの間の直接反応で製造する。
銅触媒は高いケイ素転化率を実現して、有用なメチル化
製品にするのに必要である。有効にするためには、銅を
ケイ素粒子の表面と合金させて、活性触媒サイトを作ら
なければならない。1945年8月7日にイー ・ジー
・ロチヨウ(E、G0R0ch0w)に特許された米国
特許第2380996号明細書では、一般的に粉末にし
たケイ素と粉末にした金属触媒、例えば銅との混合物を
環元条件下で焼成して得た固体の多孔質の触媒材料であ
るケイ素成分と炭化水素ハロゲン化物との間で反応を行
うことから成る、有機ケイ素ハロゲン化物を製造する方
法を開示している。
製品にするのに必要である。有効にするためには、銅を
ケイ素粒子の表面と合金させて、活性触媒サイトを作ら
なければならない。1945年8月7日にイー ・ジー
・ロチヨウ(E、G0R0ch0w)に特許された米国
特許第2380996号明細書では、一般的に粉末にし
たケイ素と粉末にした金属触媒、例えば銅との混合物を
環元条件下で焼成して得た固体の多孔質の触媒材料であ
るケイ素成分と炭化水素ハロゲン化物との間で反応を行
うことから成る、有機ケイ素ハロゲン化物を製造する方
法を開示している。
詳細には、多孔質の触媒、材料は粉末にしたケイ素98
%と粉末にした銅2%との混合物を成形し、次に混合物
を水素ふんい気中で約1030℃から1080℃までの
間の温度で約20分間加熱して、多孔質の焼結ペレット
を形成させるIことによつて製造することができる。触
媒材料の製造に使用するケイ素粒子は325メッシュ程
の細かさであつてよく、又銅粒子は約400メッシュ程
の細かさであつてもよい。メチルクロロシラン製造用の
新規の、改良された、銅が触媒作用をするケイ素反応団
塊、及びこのような改良された反応団塊を製造する方法
を提供するのが本発明の目的である。
%と粉末にした銅2%との混合物を成形し、次に混合物
を水素ふんい気中で約1030℃から1080℃までの
間の温度で約20分間加熱して、多孔質の焼結ペレット
を形成させるIことによつて製造することができる。触
媒材料の製造に使用するケイ素粒子は325メッシュ程
の細かさであつてよく、又銅粒子は約400メッシュ程
の細かさであつてもよい。メチルクロロシラン製造用の
新規の、改良された、銅が触媒作用をするケイ素反応団
塊、及びこのような改良された反応団塊を製造する方法
を提供するのが本発明の目的である。
本発明によつて、ケイ素粒子の表面上に実質的に均一に
分布している銅一ケイ素合金のはん点のある、自由に流
動するケイ素金属粉末又は粒子から成り、銅は触媒材料
の約2重量%、好ましくは約1.75重量%よりも少量
である、メチルクロロシラン製造用の新規の、改良され
た、銅触媒を付加したケイ素の反応用材料を提供する。
分布している銅一ケイ素合金のはん点のある、自由に流
動するケイ素金属粉末又は粒子から成り、銅は触媒材料
の約2重量%、好ましくは約1.75重量%よりも少量
である、メチルクロロシラン製造用の新規の、改良され
た、銅触媒を付加したケイ素の反応用材料を提供する。
本発明に従つて銅触媒を付加したケイ素の反応用を製造
する方法は、微粉末にしたケイ素金属粒子、及び約2μ
と5μとの間の範囲にある粒度の,銅触媒を混和し、次
に混和した混合物を還元性ふんい気、好ましくは水素中
で約860℃と1080℃との間の範囲の温度で加熱す
ることから成る。
する方法は、微粉末にしたケイ素金属粒子、及び約2μ
と5μとの間の範囲にある粒度の,銅触媒を混和し、次
に混和した混合物を還元性ふんい気、好ましくは水素中
で約860℃と1080℃との間の範囲の温度で加熱す
ることから成る。
ケイ素と銅触媒との混合物には、生成物中に混合物の約
2.5重量%よりも少ない、例えば混合物の約0.2.
重量%と2.5重量%との間の範囲にある、銅濃度を生
じるのに十分な銅触媒を含有させるべきである。場合に
よつては、亜鉛粉末をケイ素及び銅粉末と混和して、全
銅/亜鉛の重量比が10/1になるようにすることがで
きる。本明細書に記載の、銅触媒を付加したケイ素の反
応用材料では、先行技術での同様な反応用材料に比較し
て約2.5重量%よりも少ない銅を使用する。
2.5重量%よりも少ない、例えば混合物の約0.2.
重量%と2.5重量%との間の範囲にある、銅濃度を生
じるのに十分な銅触媒を含有させるべきである。場合に
よつては、亜鉛粉末をケイ素及び銅粉末と混和して、全
銅/亜鉛の重量比が10/1になるようにすることがで
きる。本明細書に記載の、銅触媒を付加したケイ素の反
応用材料では、先行技術での同様な反応用材料に比較し
て約2.5重量%よりも少ない銅を使用する。
材料の銅含有量が約1.75%ある場合に最適結果を得
ることを見い出した。メチルクロロシラン.単量体を製
造するのに最適な銅濃度は反応速度及び生成物選択性(
重量比Me2SiCl2/ MeSiCl3)に基づく
。反応速度はCu−Si合金濃度の直接関数である。C
u−Si合金として銅を最適濃度よりも多く使用すれば
、団塊は極度に反応性になり、且つ.制御が困難になつ
て、結局団塊の寿命は短くなり、選択性比率は低下し、
且つケイ素の有効生成物への転化率は低くなる。選択性
比率は0.5%から2.5%以下までの銅濃度(Cu−
Si合金として)では影響を受けないが、銅濃度(C
u−Si合金として).が0.2%よりも低い場合には
低下して許容できない値になる。銅触媒の粒度及び不純
物は本発明を実施する時の重要な因子である。
ることを見い出した。メチルクロロシラン.単量体を製
造するのに最適な銅濃度は反応速度及び生成物選択性(
重量比Me2SiCl2/ MeSiCl3)に基づく
。反応速度はCu−Si合金濃度の直接関数である。C
u−Si合金として銅を最適濃度よりも多く使用すれば
、団塊は極度に反応性になり、且つ.制御が困難になつ
て、結局団塊の寿命は短くなり、選択性比率は低下し、
且つケイ素の有効生成物への転化率は低くなる。選択性
比率は0.5%から2.5%以下までの銅濃度(Cu−
Si合金として)では影響を受けないが、銅濃度(C
u−Si合金として).が0.2%よりも低い場合には
低下して許容できない値になる。銅触媒の粒度及び不純
物は本発明を実施する時の重要な因子である。
粒度が約2μと5μとの間の範囲内で、同時にヒ素、ア
ンチモン、ビスマス及び鉛の合計の濃度が0.1%より
少ないのが銅触媒としての必要な特性である。本発明の
方法は、これらの規格を満たす銅触媒の供給源に対して
鋭敏ではない。純銅、CU2O及びCuOは当然適切で
ある。均一に酸化させた銅(Cu/Cu2O/CuO)
を使用すれば最良の結果を得る。これはセメント−タイ
プ、すなわち酸化させた微粉末にした銅を包含する。細
かい粒度では、先行技術で従来考えられていたのよりも
少量の銅、すなわち銅2重量%以下を使用することがで
きる。本発明を実施するのに適切な、均一に酸化させた
銅触媒の実施例を二つに示す。本発明を実施する時には
、混和混合物中に少量の亜鉛粒子を包含させて、Cu−
Si合金の生成を促進させるのも好ましい。
ンチモン、ビスマス及び鉛の合計の濃度が0.1%より
少ないのが銅触媒としての必要な特性である。本発明の
方法は、これらの規格を満たす銅触媒の供給源に対して
鋭敏ではない。純銅、CU2O及びCuOは当然適切で
ある。均一に酸化させた銅(Cu/Cu2O/CuO)
を使用すれば最良の結果を得る。これはセメント−タイ
プ、すなわち酸化させた微粉末にした銅を包含する。細
かい粒度では、先行技術で従来考えられていたのよりも
少量の銅、すなわち銅2重量%以下を使用することがで
きる。本発明を実施するのに適切な、均一に酸化させた
銅触媒の実施例を二つに示す。本発明を実施する時には
、混和混合物中に少量の亜鉛粒子を包含させて、Cu−
Si合金の生成を促進させるのも好ましい。
混和混合物中に亜鉛がなければ、1000℃で4時間に
銅はわずか66%だけが転化してCu−Si合金になつ
た。亜鉛が存在すれば、銅をCu−Si合金に完全に転
化させるのに1000℃で必要な時間は1時間足らずで
あつた。亜鉛の粒度は、ケイ素及び銅触媒と確実に均一
に混和することを除けば、重要な因子ではなく、粉じん
の亜鉛粒子及び粗大な亜鉛粒子は両方共同等によく作用
した。混和粉末中の全Cu/ Znの比率は10/1重
量%である。本発明の方法で使用する処理温度は合金が
形成される銅−ケイ素合金の融点、すなわち約660℃
よりも高くなければならない。
銅はわずか66%だけが転化してCu−Si合金になつ
た。亜鉛が存在すれば、銅をCu−Si合金に完全に転
化させるのに1000℃で必要な時間は1時間足らずで
あつた。亜鉛の粒度は、ケイ素及び銅触媒と確実に均一
に混和することを除けば、重要な因子ではなく、粉じん
の亜鉛粒子及び粗大な亜鉛粒子は両方共同等によく作用
した。混和粉末中の全Cu/ Znの比率は10/1重
量%である。本発明の方法で使用する処理温度は合金が
形成される銅−ケイ素合金の融点、すなわち約660℃
よりも高くなければならない。
本発明の方法で使用する温度は又金属粒子の焼結を避け
るために、銅の融点、すなわち約1080℃よりも低く
なければならない。銅−ケイ素合金の生成には銅触媒の
ほぼ100%の転化を行つて銅−ケイ素合金にするのに
、実際に660℃では約5時間を必要とし、約1000
℃ではわずか約1/2時間を必要とする時間−温度相関
関係があることを見い出した。本発明は実施するときに
は、粉末用の任意の有効な市販の混和機、例えばトウイ
ンシエル(Twinshell)混和機で、ケイ素、銅
、及び場合によつては亜鉛の粒子を混和することができ
る。
るために、銅の融点、すなわち約1080℃よりも低く
なければならない。銅−ケイ素合金の生成には銅触媒の
ほぼ100%の転化を行つて銅−ケイ素合金にするのに
、実際に660℃では約5時間を必要とし、約1000
℃ではわずか約1/2時間を必要とする時間−温度相関
関係があることを見い出した。本発明は実施するときに
は、粉末用の任意の有効な市販の混和機、例えばトウイ
ンシエル(Twinshell)混和機で、ケイ素、銅
、及び場合によつては亜鉛の粒子を混和することができ
る。
混和した混合物の処理は固形物の流れに対して向流の気
流を扱う設備のある間接加熱回転焼成機の中で連続的に
行うことができる。温度1000℃での焼成機中の最少
保持時間は約30分にするべきであり、且つこの温度で
の気体の速度は0.04フイート/秒と0.13フイー
ト/秒との間の範囲にするべきである。5対1と200
対1との間の範囲にある化学量論量の水素を使用するべ
きである。
流を扱う設備のある間接加熱回転焼成機の中で連続的に
行うことができる。温度1000℃での焼成機中の最少
保持時間は約30分にするべきであり、且つこの温度で
の気体の速度は0.04フイート/秒と0.13フイー
ト/秒との間の範囲にするべきである。5対1と200
対1との間の範囲にある化学量論量の水素を使用するべ
きである。
混和物の処理も又混和した混合物の床の上に水素ガスを
流すことによつて回分基準で行うこともできる。連続方
法用に指摘した条件を回分方法にも適用する。本発明の
ある実施例では、ケイ素粒子(65×150メツシユ)
97.06重量部、セメント−タイプ銅(金,属銅10
.9%、Cu2O43.9%、CuO43.9%、及び
全銅84.9%を含有する均一に酸化させた)2.7重
量部、及び亜鉛粉じん0.24重量部をトウイン・シエ
ル混和機の中で混和して、銅が触媒作用をするケイ素反
応団塊を製造した。混和した粉末は下記の,第1表に示
した条件下で間接加熱操作をする直径6−1−インチの
回転カレンダーの中で処理した。カレンダーから出てく
る、銅が触媒作用をするケイ素反応団塊の分析値は全銅
が1.56重量%であり、その90%はCu−Si合金
の形態であつた。次に、:銅が触媒作用をする同一のケ
イ素団塊を、320℃及び60ポンド/平方インチ・ゲ
ージ圧で操作している直径1インチの炭素鋼製流動床反
応器の中で塩化メチルと反応させて、メチルクロロシラ
ンを製造した。銅が触媒作用をする同一のケイ素反応2
団塊についての粗製メチルクロロシランの生成速度及び
選択性比率はそれぞれ31.1g/時及び14.0であ
つた。反応団塊の中に銅が7%存在する場合には、先行
技術でも同等の結果を得ることができるであろう。本発
明に従つて製造する、銅が触媒作用をするケイ素には先
行技術よりも優れた下記の利点がある。
流すことによつて回分基準で行うこともできる。連続方
法用に指摘した条件を回分方法にも適用する。本発明の
ある実施例では、ケイ素粒子(65×150メツシユ)
97.06重量部、セメント−タイプ銅(金,属銅10
.9%、Cu2O43.9%、CuO43.9%、及び
全銅84.9%を含有する均一に酸化させた)2.7重
量部、及び亜鉛粉じん0.24重量部をトウイン・シエ
ル混和機の中で混和して、銅が触媒作用をするケイ素反
応団塊を製造した。混和した粉末は下記の,第1表に示
した条件下で間接加熱操作をする直径6−1−インチの
回転カレンダーの中で処理した。カレンダーから出てく
る、銅が触媒作用をするケイ素反応団塊の分析値は全銅
が1.56重量%であり、その90%はCu−Si合金
の形態であつた。次に、:銅が触媒作用をする同一のケ
イ素団塊を、320℃及び60ポンド/平方インチ・ゲ
ージ圧で操作している直径1インチの炭素鋼製流動床反
応器の中で塩化メチルと反応させて、メチルクロロシラ
ンを製造した。銅が触媒作用をする同一のケイ素反応2
団塊についての粗製メチルクロロシランの生成速度及び
選択性比率はそれぞれ31.1g/時及び14.0であ
つた。反応団塊の中に銅が7%存在する場合には、先行
技術でも同等の結果を得ることができるであろう。本発
明に従つて製造する、銅が触媒作用をするケイ素には先
行技術よりも優れた下記の利点がある。
Claims (1)
- 1 メチルクロライドと反応してメチルクロロシランを
製造するための、自由流動性粒子からなる銅触媒を付加
したケイ素を製造する方法において、微粉末のケイ素金
属と約2〜5ミクロンの範囲の粒度の銅触媒とを混合し
、次いで混合物を約660〜1080℃の温度で、下方
の温度では約5時間から上方の温度では約1/2時間ま
での時間加熱し、ケイ素および銅触媒混合物が0.2〜
2.5重量%の銅濃度となるのに充分な銅触媒を含むこ
とを特徴とする、銅触媒を付加したケイ素を製造する方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/087,798 US4314908A (en) | 1979-10-24 | 1979-10-24 | Preparation of reaction mass for the production of methylchlorosilane |
| US87798 | 1979-10-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5673544A JPS5673544A (en) | 1981-06-18 |
| JPS5948139B2 true JPS5948139B2 (ja) | 1984-11-24 |
Family
ID=22207326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55148867A Expired JPS5948139B2 (ja) | 1979-10-24 | 1980-10-23 | メチルクロロシラン製造用銅触媒を付加したケイ素の製造方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4314908A (ja) |
| EP (1) | EP0028009B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5948139B2 (ja) |
| AT (1) | ATE13537T1 (ja) |
| CA (1) | CA1158629A (ja) |
| CS (1) | CS244802B2 (ja) |
| DE (1) | DE3070708D1 (ja) |
| SU (1) | SU1526580A3 (ja) |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4487950A (en) * | 1982-04-16 | 1984-12-11 | General Electric Company | Method for making methylchlorosilanes |
| GB2127032A (en) * | 1982-09-17 | 1984-04-04 | Gen Electric | A catalyst for a process for producing silicones |
| JPS5955891A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-03-31 | ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ | 改良触媒によるオルガノハロシランの製法 |
| USRE33452E (en) * | 1983-07-28 | 1990-11-20 | General Electric Company | Method for making alkylhalosilanes |
| US4500724A (en) * | 1983-07-28 | 1985-02-19 | General Electric Company | Method for making alkylhalosilanes |
| US4504597A (en) * | 1983-11-04 | 1985-03-12 | Scm Corporation | Cupreous catalyst and process making same |
| GB2153697B (en) * | 1984-02-13 | 1988-04-27 | Gen Electric | Catalysts for the production of organohalosilanes |
| US4520130A (en) * | 1984-05-08 | 1985-05-28 | Scm Corporation | Halosilane catalyst and process for making same |
| US4593114A (en) * | 1984-09-13 | 1986-06-03 | Union Carbide Corporation | Direct process for preparing dimethylsiloxanes |
| US4864044A (en) * | 1985-02-15 | 1989-09-05 | Union Carbide Corporation | Tin containing activated silicon for the direct reaction |
| US4602101A (en) * | 1985-11-12 | 1986-07-22 | Dow Corning Corporation | Method of manufacturing alkylhalosilanes |
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| US5061672A (en) * | 1990-01-30 | 1991-10-29 | Elkem Metals Company | Active mass for making organohalosilanes |
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| US6528674B1 (en) * | 2000-04-20 | 2003-03-04 | General Electric Company | Method for preparing a contact mass |
| DE10044796A1 (de) * | 2000-09-11 | 2002-04-04 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von Chlorsilanen |
| CN101189245B (zh) * | 2005-03-09 | 2012-06-13 | 瑞科硅公司 | 制备氢氯硅烷的方法 |
| CN103025746A (zh) | 2010-01-26 | 2013-04-03 | 道康宁公司 | 制备有机卤代硅烷的方法 |
| WO2011149593A1 (en) * | 2010-05-28 | 2011-12-01 | Dow Corning Corporation | Preparation of organohalosilanes |
| WO2011149588A1 (en) * | 2010-05-28 | 2011-12-01 | Dow Corning Corporation | A method for preparing a diorganodihalosilane |
| EP2614035A1 (en) | 2010-09-08 | 2013-07-17 | Dow Corning Corporation | Method for preparing a trihalosilane |
| EP2651954B1 (en) | 2010-12-17 | 2015-09-16 | Dow Corning Corporation | Method of making a trihalosilane |
| BR112013014581A2 (pt) | 2010-12-17 | 2019-09-24 | Dow Corning | método para a fabricação de um diorgano-di-halossilano |
| AU2012209345A1 (en) * | 2011-01-25 | 2013-06-13 | Dow Corning Corporation | Method of preparing a diorganodihalosilane |
| KR101422080B1 (ko) | 2011-09-06 | 2014-07-22 | 인스티튜트 오브 아이온-플라즈마엔드 레이저 테크놀러지스 | 트리알콕시실란의 제조방법 |
| IN2015DN01936A (ja) | 2012-08-13 | 2015-08-07 | Dow Corning | |
| US9422316B2 (en) | 2012-10-16 | 2016-08-23 | Dow Corning Corporation | Method of preparing halogenated silahydrocarbylenes |
| US9688703B2 (en) | 2013-11-12 | 2017-06-27 | Dow Corning Corporation | Method for preparing a halosilane |
| KR101616043B1 (ko) | 2014-07-22 | 2016-04-27 | 한화케미칼 주식회사 | 삼염화실란의 제조방법 |
| JP6725510B2 (ja) | 2014-12-18 | 2020-07-22 | ダウ シリコーンズ コーポレーション | アリール官能性シランの製造方法 |
| CN118253302A (zh) * | 2022-12-27 | 2024-06-28 | 中昊晨光化工研究院有限公司 | 一种自催化硅粉及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2380996A (en) * | 1941-09-26 | 1945-08-07 | Gen Electric | Preparation of organosilicon halides |
| US2449821A (en) * | 1945-12-08 | 1948-09-21 | Gen Electric | Method for preparing organosilicon compounds |
| US2686194A (en) * | 1951-05-31 | 1954-08-10 | Kellogg M W Co | Organosilicon compounds |
| US3069452A (en) * | 1959-01-26 | 1962-12-18 | Goldschmidt Ag Th | Process for the production of a silane mixture |
| FR1545407A (fr) * | 1966-11-28 | 1968-11-08 | Midland Silicones Ltd | Procédé de préparation d'organohalosilanes |
-
1979
- 1979-10-24 US US06/087,798 patent/US4314908A/en not_active Expired - Lifetime
-
1980
- 1980-08-22 CA CA000358871A patent/CA1158629A/en not_active Expired
- 1980-10-23 JP JP55148867A patent/JPS5948139B2/ja not_active Expired
- 1980-10-23 SU SU802998452A patent/SU1526580A3/ru active
- 1980-10-23 CS CS807189A patent/CS244802B2/cs unknown
- 1980-10-23 DE DE8080106464T patent/DE3070708D1/de not_active Expired
- 1980-10-23 AT AT80106464T patent/ATE13537T1/de not_active IP Right Cessation
- 1980-10-23 EP EP80106464A patent/EP0028009B1/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0028009B1 (en) | 1985-05-29 |
| DE3070708D1 (en) | 1985-07-04 |
| US4314908A (en) | 1982-02-09 |
| EP0028009A2 (en) | 1981-05-06 |
| SU1526580A3 (ru) | 1989-11-30 |
| CA1158629A (en) | 1983-12-13 |
| ATE13537T1 (de) | 1985-06-15 |
| CS244802B2 (en) | 1986-08-14 |
| EP0028009A3 (en) | 1982-05-26 |
| JPS5673544A (en) | 1981-06-18 |
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