JPS594851B2 - キンゾクカンカゴウブツノ デンキヨクトナリウルキンゾクノ センタクテキエツチングホウホウ - Google Patents
キンゾクカンカゴウブツノ デンキヨクトナリウルキンゾクノ センタクテキエツチングホウホウInfo
- Publication number
- JPS594851B2 JPS594851B2 JP9522874A JP9522874A JPS594851B2 JP S594851 B2 JPS594851 B2 JP S594851B2 JP 9522874 A JP9522874 A JP 9522874A JP 9522874 A JP9522874 A JP 9522874A JP S594851 B2 JPS594851 B2 JP S594851B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- electrode
- etching rate
- insb
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 51
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims description 18
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 20
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 5
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 4
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属間化合物の電極を所望のパターンに形成す
るのに適した金属間化合物の電極となりうる金属の選択
的エッチング方法に関するものである。
るのに適した金属間化合物の電極となりうる金属の選択
的エッチング方法に関するものである。
金属間化合物を使用して磁気抵抗素子等を形成する場合
、例えば、金属間化合物に対する電極金属及びラダーと
呼ぱれる細い電極を所定のパターンに形成しなければな
らない。
、例えば、金属間化合物に対する電極金属及びラダーと
呼ぱれる細い電極を所定のパターンに形成しなければな
らない。
この様な金属電極は、第１図に示す様に、基板１上の金
属間化合物２にその電極金属３を被着せしめ、電極金属
３上に選択的にフォトレジスト膜４を形成した状態で電
極金属３をエッチングすることによつて形成することが
原理的に可能である。しかし、金属間化合物２に対する
エッチングレートとその電極金属３に対するエッチング
レートとの間に十分な差を５ 有するエッチング液が無
かつたので、電極金属３のみが除去された状態でエッチ
ングを停止することが困難であり、金属間化合物２もあ
る程度エッチングされることは避けられなかつた。従つ
て、金属間化合物２の層の厚さにバラツキが生じ、こ１
０れにより特性のバラツキが生じた。電極金属３を選択
的に形成するための別の方法としては、電極金属３を形
成した後にＡ−Ａ線上をラップによつて除去する方法も
有る。
属間化合物２にその電極金属３を被着せしめ、電極金属
３上に選択的にフォトレジスト膜４を形成した状態で電
極金属３をエッチングすることによつて形成することが
原理的に可能である。しかし、金属間化合物２に対する
エッチングレートとその電極金属３に対するエッチング
レートとの間に十分な差を５ 有するエッチング液が無
かつたので、電極金属３のみが除去された状態でエッチ
ングを停止することが困難であり、金属間化合物２もあ
る程度エッチングされることは避けられなかつた。従つ
て、金属間化合物２の層の厚さにバラツキが生じ、こ１
０れにより特性のバラツキが生じた。電極金属３を選択
的に形成するための別の方法としては、電極金属３を形
成した後にＡ−Ａ線上をラップによつて除去する方法も
有る。
しかし、この方法も電極金属３のみを取り除くことは不
可１５能に近く、どうしても金属間化合物２もラップさ
れることになり、特性にバラツキが生じた。更に、マス
クを使用して選択的に金属電極を蒸着する方法も有るが
、選択的蒸着用のマスク合せが難かしいという欠点があ
つた。２０そこで、本発明は上述の如き欠点を解決する
ためになされたものである。
可１５能に近く、どうしても金属間化合物２もラップさ
れることになり、特性にバラツキが生じた。更に、マス
クを使用して選択的に金属電極を蒸着する方法も有るが
、選択的蒸着用のマスク合せが難かしいという欠点があ
つた。２０そこで、本発明は上述の如き欠点を解決する
ためになされたものである。
即ち、本発明は、金属間化合物としてのＩｎＳｂとその
電極としてのＩｎとが共存しているものに於ける前記電
極としてのＩｎを、塩酸と硝酸との２５体積比が１対１
のものを体積比６以上の水で希釈したエッチング液によ
つて選択的にエッチングすることを特徴とする１ｎＳｂ
の電極としてのｌｎの選択的エッチング方法に係わるも
のである。
電極としてのＩｎとが共存しているものに於ける前記電
極としてのＩｎを、塩酸と硝酸との２５体積比が１対１
のものを体積比６以上の水で希釈したエッチング液によ
つて選択的にエッチングすることを特徴とする１ｎＳｂ
の電極としてのｌｎの選択的エッチング方法に係わるも
のである。
上述の如くエッチングを、ＨＣｌ：ＨＮＯ３：Ｈ２Ｏ二
３０１：１：６以上に水で希釈した液でなせば良い結果
が得られるのは、この様なエッチング液の金属間化合物
に対するエッチングレートと、その電極となりうる金属
に対するエッチングレートとの間に大幅な差があるとい
うことに基づいている。３５第５図の曲線Ａは金属間化
合物の中で最も酸類に対し弱い部類即ちエッチングされ
易い部類に属するＩｎＳｂに対するエッチングレートの
変化を示すものであり、縦軸がエツチングレートを示し
、横軸がＨＣｌ：ＨＮＯ３：Ｈ２Ｏの変化即ち水による
希釈度を示している。
３０１：１：６以上に水で希釈した液でなせば良い結果
が得られるのは、この様なエッチング液の金属間化合物
に対するエッチングレートと、その電極となりうる金属
に対するエッチングレートとの間に大幅な差があるとい
うことに基づいている。３５第５図の曲線Ａは金属間化
合物の中で最も酸類に対し弱い部類即ちエッチングされ
易い部類に属するＩｎＳｂに対するエッチングレートの
変化を示すものであり、縦軸がエツチングレートを示し
、横軸がＨＣｌ：ＨＮＯ３：Ｈ２Ｏの変化即ち水による
希釈度を示している。
この図から明らかな様に、ＨＣＩ：ＨＮＯ３＝１：１の
場合は約１０．３μＺｉの極めて大きなエツチングレー
トを有するが、ＨＣｌ：ＨＮＯ３：Ｈ２Ｏが１：１：４
になれば約０．７μ／―のエツチングレートとなり、更
に１：１：６になれば約０．１３μＺｉのエツチングレ
ートとなる。更に希釈度を増せば、エツチングレートが
急激に低下する。つまり、希釈度の高いエツチング液に
なれば、ＮＳｂは勿論のことその他の金属間化合物に対
してもエツチングレートが低下し、これらがエツチング
液中に浸漬されていたとしても蝕刻される量は問題にな
らないくらい微量となる。一方、Ｉｎのエツチングレー
トは、第５図の曲線Ｂとなり、ＨＣＩ：ＨＮＯ３：Ｈ２
Ｏが１：１：６の場合に約６．５１μＺ蝋 １：１：１
０の場合に約３．７５μＺ鹸、１：１：１００の場合に
約０．３８μＺｉとなる。従つて、１：１：６以上に希
釈したエツチング液を使用すると、ＩｎＳｂＯ） ２エ
ツチングレートとＩｎのエツチングレートとの間に大幅
な差が生じ、選択的エツチングを容易に達成することが
できる。ところで、ＩｎＳｂ上のＩｎを、実用に供する
ように選択的にエツチングするためには、Ｉｎの工 之
ツチングレートがＮＳｂのエツチングレートの５０倍以
上であること、及びＩｎＳｂのエツチングレートが１μ
／―以下であることが要求される。
場合は約１０．３μＺｉの極めて大きなエツチングレー
トを有するが、ＨＣｌ：ＨＮＯ３：Ｈ２Ｏが１：１：４
になれば約０．７μ／―のエツチングレートとなり、更
に１：１：６になれば約０．１３μＺｉのエツチングレ
ートとなる。更に希釈度を増せば、エツチングレートが
急激に低下する。つまり、希釈度の高いエツチング液に
なれば、ＮＳｂは勿論のことその他の金属間化合物に対
してもエツチングレートが低下し、これらがエツチング
液中に浸漬されていたとしても蝕刻される量は問題にな
らないくらい微量となる。一方、Ｉｎのエツチングレー
トは、第５図の曲線Ｂとなり、ＨＣＩ：ＨＮＯ３：Ｈ２
Ｏが１：１：６の場合に約６．５１μＺ蝋 １：１：１
０の場合に約３．７５μＺ鹸、１：１：１００の場合に
約０．３８μＺｉとなる。従つて、１：１：６以上に希
釈したエツチング液を使用すると、ＩｎＳｂＯ） ２エ
ツチングレートとＩｎのエツチングレートとの間に大幅
な差が生じ、選択的エツチングを容易に達成することが
できる。ところで、ＩｎＳｂ上のＩｎを、実用に供する
ように選択的にエツチングするためには、Ｉｎの工 之
ツチングレートがＮＳｂのエツチングレートの５０倍以
上であること、及びＩｎＳｂのエツチングレートが１μ
／―以下であることが要求される。
ＨＣＩ：ＨＮＯ３：Ｈ２Ｏが１：１：６の場合には、１
ｎのエツチングレートが１ｎＳｂのエツチングレ ３ー
トの約５０倍となり、且つ１ｎＳｂのエツチングレート
が１μ／ｉ以下の０．１３μ／ｉとなり、上記の実用に
供するエツチングの条件を満すことができる。また、Ｈ
ＣＩ：ＨＮＯ３：Ｈ２Ｏ＝１：１：６を越える希釈度の
場合にも上記の条件を満すこ ３とができる。次に、本
発明をインジウム・アンチモン（ＩｎＳｂ）を材料とす
る磁気抵抗素子の製造に適用した実施例を第２図〜第４
図に基づいて説明する。
ｎのエツチングレートが１ｎＳｂのエツチングレ ３ー
トの約５０倍となり、且つ１ｎＳｂのエツチングレート
が１μ／ｉ以下の０．１３μ／ｉとなり、上記の実用に
供するエツチングの条件を満すことができる。また、Ｈ
ＣＩ：ＨＮＯ３：Ｈ２Ｏ＝１：１：６を越える希釈度の
場合にも上記の条件を満すこ ３とができる。次に、本
発明をインジウム・アンチモン（ＩｎＳｂ）を材料とす
る磁気抵抗素子の製造に適用した実施例を第２図〜第４
図に基づいて説明する。
まず、第２図に示す如く、基板１１上に膜厚が４，約３
μとなる様にＩｎＳｂ層１２を蒸着で形成し、更にこの
上に膜厚が約１μとなる様にＩｎ層１３を蒸着で形成し
た。
μとなる様にＩｎＳｂ層１２を蒸着で形成し、更にこの
上に膜厚が約１μとなる様にＩｎ層１３を蒸着で形成し
た。
次に、電極及び細かい補助電極（ラダ一）となる部分を
第３図に示すレジスト１４で被覆し、この状態のものを
塩酸：硝酸：水１：１：１０のエツチング液に浸漬し、
レジスト１４で被覆されていない部分の蝕刻をした。こ
の結果約２０秒間でＩｎ層１３が完全に除去され、第４
図に示す如く選択的にＩｎ層１３が残在した状態となつ
た。このエツチング液のＩｎＳｂ層１２に対する影響を
しらべるため、その後、約１分間浸漬状態を保つたが、
１ｎＳｂ層に対する反応開始時間が相当に遅いというこ
とも伴なつて、ＩｎＳｂ面の蝕刻は皆無であつた。
第３図に示すレジスト１４で被覆し、この状態のものを
塩酸：硝酸：水１：１：１０のエツチング液に浸漬し、
レジスト１４で被覆されていない部分の蝕刻をした。こ
の結果約２０秒間でＩｎ層１３が完全に除去され、第４
図に示す如く選択的にＩｎ層１３が残在した状態となつ
た。このエツチング液のＩｎＳｂ層１２に対する影響を
しらべるため、その後、約１分間浸漬状態を保つたが、
１ｎＳｂ層に対する反応開始時間が相当に遅いというこ
とも伴なつて、ＩｎＳｂ面の蝕刻は皆無であつた。
上述の如く、Ｉｎ層１３がエツチングで除去された後、
ＮＳｂ層１２がエツチング液に接していたとしても、蝕
刻が皆無であるか、又は無視出来る程度であるのは、こ
の１：１：１０エツチング液のＩｎに対するエツチング
レートが約３．７５μＺｉであるのに対し、ＩｎＳｂに
対するエツチングレートが約０．０１μＺ鹸であつて、
ｎに対するエツチングレートの方が３７５倍大きく、更
に反応開始時間を考慮すると３桁以上の差があることに
基づいている。
ＮＳｂ層１２がエツチング液に接していたとしても、蝕
刻が皆無であるか、又は無視出来る程度であるのは、こ
の１：１：１０エツチング液のＩｎに対するエツチング
レートが約３．７５μＺｉであるのに対し、ＩｎＳｂに
対するエツチングレートが約０．０１μＺ鹸であつて、
ｎに対するエツチングレートの方が３７５倍大きく、更
に反応開始時間を考慮すると３桁以上の差があることに
基づいている。
この様にＩｎ層１３の選択的エツチング工程においてＩ
ｎＳｂ層１２は何んらの影響も受けないので、磁気抵抗
素子を大量生産しても特性のバラツキが極めて少なくな
つた。以上本発明を実施例に基づいて説明したが、杢発
明は上述の実施例に限定されるものではなく、更に変形
可能なものである。例えば、本発明の方法は電極形成時
の選択的エツチングのみならず、蒸着法及びその他の方
法で金属間化合物の薄膜を製作する際にその表面に形成
された属のメタル・リツチ層を除去する場合にも適用可
能である。この場合はメタル・リツチ層のみがエツチン
グ液によつて除去され、その下部の金属間化合物は殆ん
どエツチングされない。又実施例においては金属間化合
物とその電極金属とが積層された状態となつているが、
平面に両者が共存しており、そのうちの電極となりうる
金属のみを除去したい場合にも適用することが出来る。
この様な場合において、電極となりうる金属の膜厚が薄
ければ、金属間化合物の上をレジストでマスクしなくと
も電極金属のみを選択的に除去することが出来る。
ｎＳｂ層１２は何んらの影響も受けないので、磁気抵抗
素子を大量生産しても特性のバラツキが極めて少なくな
つた。以上本発明を実施例に基づいて説明したが、杢発
明は上述の実施例に限定されるものではなく、更に変形
可能なものである。例えば、本発明の方法は電極形成時
の選択的エツチングのみならず、蒸着法及びその他の方
法で金属間化合物の薄膜を製作する際にその表面に形成
された属のメタル・リツチ層を除去する場合にも適用可
能である。この場合はメタル・リツチ層のみがエツチン
グ液によつて除去され、その下部の金属間化合物は殆ん
どエツチングされない。又実施例においては金属間化合
物とその電極金属とが積層された状態となつているが、
平面に両者が共存しており、そのうちの電極となりうる
金属のみを除去したい場合にも適用することが出来る。
この様な場合において、電極となりうる金属の膜厚が薄
ければ、金属間化合物の上をレジストでマスクしなくと
も電極金属のみを選択的に除去することが出来る。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の電極形成方法を説明するための断面図で
ある。 第２図〜第４図は本発明を磁気抵抗素子の製作に適用し
た実施例を示すものであつて、第２図はＩｎＳｂ層とＩ
ｎ層とを形成した状態の断面図、第３図はレジストを形
成した状態の断面図、第４図はレジストで被覆されてい
ない部分のｎ層をエツチングで除去した状態の断面図で
ある。第５図は水による希釈度とＩｎＳｂのエツチング
レートとの関係を示すグラフである。１１・・・・・・
基板、１２・・・・・・ＩｎＳｂ層、１３・・・・・・
Ｉｎ層、１４・・・・・ルジスト。
ある。 第２図〜第４図は本発明を磁気抵抗素子の製作に適用し
た実施例を示すものであつて、第２図はＩｎＳｂ層とＩ
ｎ層とを形成した状態の断面図、第３図はレジストを形
成した状態の断面図、第４図はレジストで被覆されてい
ない部分のｎ層をエツチングで除去した状態の断面図で
ある。第５図は水による希釈度とＩｎＳｂのエツチング
レートとの関係を示すグラフである。１１・・・・・・
基板、１２・・・・・・ＩｎＳｂ層、１３・・・・・・
Ｉｎ層、１４・・・・・ルジスト。
Claims (1)
- １ 金属間化合物としてのＩｎＳｂとその電極としての
Ｉｎとが共存しているものに於ける前記電極としてのＩ
ｎを、塩酸と硝酸との体積比が１対１のものを体積比６
以上の水で希釈したエッチング液によつて選択的にエッ
チングすることを特徴とするＩｎＳｂの電極としてのＩ
ｎの選択的エッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9522874A JPS594851B2 (ja) | 1974-08-20 | 1974-08-20 | キンゾクカンカゴウブツノ デンキヨクトナリウルキンゾクノ センタクテキエツチングホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9522874A JPS594851B2 (ja) | 1974-08-20 | 1974-08-20 | キンゾクカンカゴウブツノ デンキヨクトナリウルキンゾクノ センタクテキエツチングホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5122370A JPS5122370A (ja) | 1976-02-23 |
| JPS594851B2 true JPS594851B2 (ja) | 1984-02-01 |
Family
ID=14131887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9522874A Expired JPS594851B2 (ja) | 1974-08-20 | 1974-08-20 | キンゾクカンカゴウブツノ デンキヨクトナリウルキンゾクノ センタクテキエツチングホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS594851B2 (ja) |
-
1974
- 1974-08-20 JP JP9522874A patent/JPS594851B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5122370A (ja) | 1976-02-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4514253A (en) | Manufacture of thin film transistor | |
| KR102017076B1 (ko) | 에칭 방법, 반도체 칩의 제조 방법 및 물품의 제조 방법 | |
| JP2021531415A (ja) | 合金化すること及びプラチナ合金をエッチングすることによるプラチナのパターン化 | |
| JPS594851B2 (ja) | キンゾクカンカゴウブツノ デンキヨクトナリウルキンゾクノ センタクテキエツチングホウホウ | |
| JPH0774087A (ja) | Ｍｌｒパターン形成方法 | |
| JP2557906B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6156613B2 (ja) | ||
| JPS5978586A (ja) | Ｎｂのパタ−ン形成法 | |
| JPS594857B2 (ja) | 半導体装置の電極、配線層形成方法 | |
| JPS62281348A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5950221B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6348200B2 (ja) | ||
| JPS5928073B2 (ja) | 半導体装置用電極の形成方法 | |
| JPS5885547A (ja) | 導電パタ−ンの形成方法 | |
| JPH0138376B2 (ja) | ||
| US20050029660A1 (en) | Adhesions of structures formed from materials of poor adhesion | |
| JP2000208489A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58192338A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS5834974A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6240770A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08186121A (ja) | 配線の形成方法 | |
| JPS61119063A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0416009B2 (ja) | ||
| JPH05251425A (ja) | Ａｕ膜エッチング方法 | |
| JPS6019661B2 (ja) | 電極形成法 |