JPS5949149A - プラズマ陰極電子ビ−ム発生装置および方法 - Google Patents
プラズマ陰極電子ビ−ム発生装置および方法Info
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- JPS5949149A JPS5949149A JP58142637A JP14263783A JPS5949149A JP S5949149 A JPS5949149 A JP S5949149A JP 58142637 A JP58142637 A JP 58142637A JP 14263783 A JP14263783 A JP 14263783A JP S5949149 A JPS5949149 A JP S5949149A
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- H01J3/021—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
- H01S3/0977—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser having auxiliary ionisation means
- H01S3/09775—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser having auxiliary ionisation means by ionising radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は全般的に電子ビームを発生する装置の改良、
更に具体的に云えば、成るレーザの放電容積を予め電離
する為に使われる様な種類の大面積パルス状X@装置に
使うのに適していて、一層高い信頼性、一層大きな電流
処理能力、一層高い繰返し速度及び一層長い陰極の寿命
が容易に得られる様に、プラズマ陰極装置を用いて71
L子ビームを発生する新規で改良された方法と装置に関
する。
更に具体的に云えば、成るレーザの放電容積を予め電離
する為に使われる様な種類の大面積パルス状X@装置に
使うのに適していて、一層高い信頼性、一層大きな電流
処理能力、一層高い繰返し速度及び一層長い陰極の寿命
が容易に得られる様に、プラズマ陰極装置を用いて71
L子ビームを発生する新規で改良された方法と装置に関
する。
パルス状の、高圧の、放電で励起される希ガスハロゲン
化物レーザ並びに臭化水銀レーザの分野では、X線源が
、こういうレーザの放電容積全体にわたって極めて一様
な予備電離レベルを作るのに成る利点を持つことがよく
知られている。予備電離の適当なレベル並びに一様性が
、高圧ガス混合物に安定で一様なグロー放電を発生する
為の必要条件の1つである。放電容積が大きい時、又は
放電パルスの持続時間が50naより長い詩、予備放電
電子密度の極度の一様性が特に重要である。
化物レーザ並びに臭化水銀レーザの分野では、X線源が
、こういうレーザの放電容積全体にわたって極めて一様
な予備電離レベルを作るのに成る利点を持つことがよく
知られている。予備電離の適当なレベル並びに一様性が
、高圧ガス混合物に安定で一様なグロー放電を発生する
為の必要条件の1つである。放電容積が大きい時、又は
放電パルスの持続時間が50naより長い詩、予備放電
電子密度の極度の一様性が特に重要である。
紫外線(trv) 、火花、及び電子ビーム(e −ビ
ーム)の様な他の電離源がレーザ・ガスを条件づける為
に用いられて来たが、X線方式は周知の多数の特徴があ
り、その為にこの予備電離方法は非常に魅力がある。
ーム)の様な他の電離源がレーザ・ガスを条件づける為
に用いられて来たが、X線方式は周知の多数の特徴があ
り、その為にこの予備電離方法は非常に魅力がある。
予備電離に使われるX線発生器は、種々の火花形UV源
と対照的に、レーザ室内の腐食性雰囲気から物理的に分
離されている。腐食性雰囲気内にあるUV源からは、程
度も一様性も徐々に劣化することが予想され、その結果
アーク発生の危険が増大する。更に、e−ビーム装置に
普通便われている様に、X線を透過する為に構造的に脆
い窓箔を使うことが不必要である。X線窓は、レーザ室
に通過するX線束を著しく減衰させずに、1乃至3間の
厚さに容易に作ることが出来る。この為、ガスを電子ビ
ームで電離する場合に伴う窓箔の寿命の問題が避けられ
る。
と対照的に、レーザ室内の腐食性雰囲気から物理的に分
離されている。腐食性雰囲気内にあるUV源からは、程
度も一様性も徐々に劣化することが予想され、その結果
アーク発生の危険が増大する。更に、e−ビーム装置に
普通便われている様に、X線を透過する為に構造的に脆
い窓箔を使うことが不必要である。X線窓は、レーザ室
に通過するX線束を著しく減衰させずに、1乃至3間の
厚さに容易に作ることが出来る。この為、ガスを電子ビ
ームで電離する場合に伴う窓箔の寿命の問題が避けられ
る。
X線の分野で周知の様に、X線は、原子量の大きい材料
を高エネルギの電子でた\くことによって発生される。
を高エネルギの電子でた\くことによって発生される。
大きな面積のパルス状X線ビームでは、寿命が長く、繰
返し速度が大きく、高エネルギの電子ビーム源を用意し
なければならない。
返し速度が大きく、高エネルギの電子ビーム源を用意し
なければならない。
小さな電子ビームを発生する為には、熱電子陰極を持つ
電子源が広く用いられているが、これは電流密度が10
0 ma /cr1未満に制限されるのが典型的である
。この様な熱m子@極はその加熱条件を充たす為に過剰
のエネルギを使うと共に%10−’乃至10’トルより
もよい大掛りな真空を必要とする。従って、短いパルス
並びに大きな電流密度に対しては、高エネルギのパルス
状ガス・レーザ装置の熱電子陰極装置に較べて、高真空
電界放出源が一層効率がよく且つそれ程扱い離〈もなく
、一般的に好ましい。
電子源が広く用いられているが、これは電流密度が10
0 ma /cr1未満に制限されるのが典型的である
。この様な熱m子@極はその加熱条件を充たす為に過剰
のエネルギを使うと共に%10−’乃至10’トルより
もよい大掛りな真空を必要とする。従って、短いパルス
並びに大きな電流密度に対しては、高エネルギのパルス
状ガス・レーザ装置の熱電子陰極装置に較べて、高真空
電界放出源が一層効率がよく且つそれ程扱い離〈もなく
、一般的に好ましい。
従来の・飽界放出銃陰極は、薄いタンタル又はタングス
デ′ン箔から作られた1つ又は更に多くの平行な金属の
羽根で構成される。この様な装置で陰極と陽極の間に印
加される加速電圧は一般的に数百kVである。この結果
陰極の羽根の先端に発生される微小電界は非常に高くな
り、陰極の羽根の表面にある1ミクロン未満の寸法のウ
ィスカーから大きな電界放出電流が発生される。こうい
う表面ウィスカーにはかなりのジュール加熱があって、
この為にウィスカーが爆発的に蒸発し、通常はナノ秒以
内に、濃密なプラズマ層を発生して、陰極全体を包み込
む。その結果、プラズマ又はみかけの陰極となり、仕事
量@は実質的にゼロであり、陽極と陰極の間の電界がプ
ラズマから電子を引き出して、幅の広い電子ビームの源
となる。
デ′ン箔から作られた1つ又は更に多くの平行な金属の
羽根で構成される。この様な装置で陰極と陽極の間に印
加される加速電圧は一般的に数百kVである。この結果
陰極の羽根の先端に発生される微小電界は非常に高くな
り、陰極の羽根の表面にある1ミクロン未満の寸法のウ
ィスカーから大きな電界放出電流が発生される。こうい
う表面ウィスカーにはかなりのジュール加熱があって、
この為にウィスカーが爆発的に蒸発し、通常はナノ秒以
内に、濃密なプラズマ層を発生して、陰極全体を包み込
む。その結果、プラズマ又はみかけの陰極となり、仕事
量@は実質的にゼロであり、陽極と陰極の間の電界がプ
ラズマから電子を引き出して、幅の広い電子ビームの源
となる。
電界放出形の冷陰極を用いると、それより低い所ではこ
の過程によって一様なプラズマが発生されない様な成る
閾値電界が存在し、その結果e−ビームは一様性並びに
再現性がない。通常、こういう事態が発生するのは、普
通の陰極の羽根を銃に使った時、数百側のパルスの後で
ある。1ミクロン未満のウィスカーが1発毎に焼き切れ
るので、最終的には、陰極の羽根の縁には、一様なプラ
ズマの形成を支える程の光電界の放出点が残らなくなる
。この為、電子ビームは開始するのが段々困難になり、
次第に高い電圧を必要とし、電流密度は一様でなくなる
。
の過程によって一様なプラズマが発生されない様な成る
閾値電界が存在し、その結果e−ビームは一様性並びに
再現性がない。通常、こういう事態が発生するのは、普
通の陰極の羽根を銃に使った時、数百側のパルスの後で
ある。1ミクロン未満のウィスカーが1発毎に焼き切れ
るので、最終的には、陰極の羽根の縁には、一様なプラ
ズマの形成を支える程の光電界の放出点が残らなくなる
。この為、電子ビームは開始するのが段々困難になり、
次第に高い電圧を必要とし、電流密度は一様でなくなる
。
普通の電子ビーム銃陰極の寿命の問題を解決する為、金
属の羽根を黒鉛又は金属のフェルトに置き換えて、一層
多数の非常に尖った1ミクロン未満のウィスカーを設け
、こうして一層一様な電界放出源にしている。都合の悪
いことに、この様なフェルト陰極を用いても、数百万発
の後には電界放出電流が減少し、それを回復させるには
、陽極陰極間電圧を増加するしかない。この点について
云うと、フェルト先端は静電的に滑らかな輪郭を作る様
な形で実質的に焼き切れ、その為にフェルトの表面に於
ける電界が実効的に低下する。
属の羽根を黒鉛又は金属のフェルトに置き換えて、一層
多数の非常に尖った1ミクロン未満のウィスカーを設け
、こうして一層一様な電界放出源にしている。都合の悪
いことに、この様なフェルト陰極を用いても、数百万発
の後には電界放出電流が減少し、それを回復させるには
、陽極陰極間電圧を増加するしかない。この点について
云うと、フェルト先端は静電的に滑らかな輪郭を作る様
な形で実質的に焼き切れ、その為にフェルトの表面に於
ける電界が実効的に低下する。
従って、予備電離の用途並びにその他の為にX線を発生
するという様な種々の目的の為の冷陰極電子ビーム源の
開発並びに利用に携わるものは、広い範囲の動作電圧に
わたって、寿命が一層長く、電流密度が一層高く、且つ
経返し速度が一層高い改良された装置の必要性を認識し
ていた。この発明はこの要望に応えるものである。
するという様な種々の目的の為の冷陰極電子ビーム源の
開発並びに利用に携わるものは、広い範囲の動作電圧に
わたって、寿命が一層長く、電流密度が一層高く、且つ
経返し速度が一層高い改良された装置の必要性を認識し
ていた。この発明はこの要望に応えるものである。
簡単に且つ一般的に云うと、この発明は、新規で改良さ
れたプラズマ陰極装置を用いて、大面積のパルス状X線
装置に用いるのに適した種類の、寿命が長く、繰返し速
度が高く、電流密度の高い電子ビームを発生する新規で
改良された方法並びに装置を提供する。
れたプラズマ陰極装置を用いて、大面積のパルス状X線
装置に用いるのに適した種類の、寿命が長く、繰返し速
度が高く、電流密度の高い電子ビームを発生する新規で
改良された方法並びに装置を提供する。
更に具体的に云うと、これは例として云うのであって、
必ずしもこの発明を制約するものではないが、現在好ま
しいと考えられる実施例では、プラズマ陰極が、絶縁ス
リーブによって囲まれた導電性の心を含んでおり、スリ
ーブの周りに外側導電巻線が設けられる。この心、スリ
ーブ及び巻線によって構成された陰極が、平面形電極の
形をした離れた陽極から隔たっている。陽極及び陰極の
心の両方が大地電位に保たれ、誘電体スリーブの周りに
ある外側巻線は負の高い電位に保たれる。
必ずしもこの発明を制約するものではないが、現在好ま
しいと考えられる実施例では、プラズマ陰極が、絶縁ス
リーブによって囲まれた導電性の心を含んでおり、スリ
ーブの周りに外側導電巻線が設けられる。この心、スリ
ーブ及び巻線によって構成された陰極が、平面形電極の
形をした離れた陽極から隔たっている。陽極及び陰極の
心の両方が大地電位に保たれ、誘電体スリーブの周りに
ある外側巻線は負の高い電位に保たれる。
この負の高い電位は、高い繰返し速度でパルス状に加え
る。この為、陰極を取囲むプラズマから陽極に対し、電
子が幅の広い高エネルギのパルス状電子ビームとして取
出され、この高エネルギ電子で陽極をた\〈。
る。この為、陰極を取囲むプラズマから陽極に対し、電
子が幅の広い高エネルギのパルス状電子ビームとして取
出され、この高エネルギ電子で陽極をた\〈。
陽極からの前方又は後方散乱X線はレーザ装置の放電容
積を予備電離する為に適当に利用することが出来るし、
或いはこの他の目的に利用しても、この発明の範囲を逸
脱しない。
積を予備電離する為に適当に利用することが出来るし、
或いはこの他の目的に利用しても、この発明の範囲を逸
脱しない。
この発明のプラズマ陰極構造によって構成された、新規
で改良された電子ビーム発生装置は、従来の装置でこれ
まで実現し得たよりも、繰返し速度が一層高く、電流密
度が一層高く、寿命が一層長い。
で改良された電子ビーム発生装置は、従来の装置でこれ
まで実現し得たよりも、繰返し速度が一層高く、電流密
度が一層高く、寿命が一層長い。
この発明の上記並びにその他の目的及び利点は、以下図
面について実施例を詳しく説明する所から、明らかにな
ろう。
面について実施例を詳しく説明する所から、明らかにな
ろう。
第1図及び第2図にはプラズマ陰極装置10が示されて
いる。この装置は酸化アルミニウム、パイレックス硝子
又はこの他の任意の適当な絶縁材料の様な任意の適当な
誘電体材料で形成された電気絶縁性の円筒形の管//を
含む。誘電体の管/lの中に、密実な金属棒又は心/−
の形をした電気導体が配置されている。誘電体の管l/
の外面には、銅等の導電ワイヤが螺旋形巻線/3の形に
巻付けられている。
いる。この装置は酸化アルミニウム、パイレックス硝子
又はこの他の任意の適当な絶縁材料の様な任意の適当な
誘電体材料で形成された電気絶縁性の円筒形の管//を
含む。誘電体の管/lの中に、密実な金属棒又は心/−
の形をした電気導体が配置されている。誘電体の管l/
の外面には、銅等の導電ワイヤが螺旋形巻線/3の形に
巻付けられている。
金属心12は典型的には直径が1/4吋であり、誘電体
の菅/ノの厚さは、誘電体材料の絶縁降伏を防ぐ為に、
最終的に誘電体の両端に印加される電圧に従って選ばれ
る。巻線13の各ターンの間の間隔は、1ミリ未満から
約1センチまでの任意の値にすることが出来る。
の菅/ノの厚さは、誘電体材料の絶縁降伏を防ぐ為に、
最終的に誘電体の両端に印加される電圧に従って選ばれ
る。巻線13の各ターンの間の間隔は、1ミリ未満から
約1センチまでの任意の値にすることが出来る。
第2図は対称的な陰極構造の左半分を示した図であるが
、この図から判る様に、誘電体の管llの各々の端は、
トラッキング防止の誘電体ブロック/4’としてセラミ
ック円板を持つと共に、誘電体の管/Iの外面を取囲′
b巻線/3の各々の端と電気的に接触する導電性の電界
整形リング/、1を備えている。電界整形リングは概略
的に示したにすぎず、電界を整形する為に望ましい任意
の形にすることが出来る。このリングの主な目的は、尖
った縁を避けて、菅//の端の領域の電界をごく緩やか
な変化にして、そうしないと装置の短絡の原因になり得
る管の端に於ける電界放出を誘起しない様にすることで
ある。
、この図から判る様に、誘電体の管llの各々の端は、
トラッキング防止の誘電体ブロック/4’としてセラミ
ック円板を持つと共に、誘電体の管/Iの外面を取囲′
b巻線/3の各々の端と電気的に接触する導電性の電界
整形リング/、1を備えている。電界整形リングは概略
的に示したにすぎず、電界を整形する為に望ましい任意
の形にすることが出来る。このリングの主な目的は、尖
った縁を避けて、菅//の端の領域の電界をごく緩やか
な変化にして、そうしないと装置の短絡の原因になり得
る管の端に於ける電界放出を誘起しない様にすることで
ある。
第3図には、X線ターゲットとして適当な任意の材料で
構成された陽極IAが、陰極装置IOから隔たる平面状
に設けられている。陽極16と導電陰極の中心の心/、
2は何れも大地電位に接続されている。誘電体の管/l
を取囲む外側巻線13が、装置をパルス駆動する為に、
負の高い電圧の任意の適当な源に接続される。陰極装置
IO及び陽極16から成るこの装置全体は、勿論10−
’)ル又はそれ以下の真空にあるが、この真空条件は割
合便利で容易に達成し得るものである。
構成された陽極IAが、陰極装置IOから隔たる平面状
に設けられている。陽極16と導電陰極の中心の心/、
2は何れも大地電位に接続されている。誘電体の管/l
を取囲む外側巻線13が、装置をパルス駆動する為に、
負の高い電圧の任意の適当な源に接続される。陰極装置
IO及び陽極16から成るこの装置全体は、勿論10−
’)ル又はそれ以下の真空にあるが、この真空条件は割
合便利で容易に達成し得るものである。
第3図に示す装置は、巻fil/3と陽極/Aの間だけ
でなく、ワイヤと中心棒7.2との間にも非常に大きな
電界を発生する。誘電体の管l/は棒/コと巻線13の
間の電気的な絶縁降伏を防止するが、誘電体の管の表面
に沿って、ワイヤ/3の領域には非常に高い電界が設定
される。その結果、局部的な電界放出及び電離が起り、
それが誘γ「体の管//の外面にプラズマ層として拡が
って、巻線13のコイルの間のすき間を埋める。従って
、数十個の電気パルスが装置を駆動した後には最終的に
侵、食されるl7ミクロン未満のウィスカーをクルとせ
ず・に、強返電界門出の環境が得られる。
でなく、ワイヤと中心棒7.2との間にも非常に大きな
電界を発生する。誘電体の管l/は棒/コと巻線13の
間の電気的な絶縁降伏を防止するが、誘電体の管の表面
に沿って、ワイヤ/3の領域には非常に高い電界が設定
される。その結果、局部的な電界放出及び電離が起り、
それが誘γ「体の管//の外面にプラズマ層として拡が
って、巻線13のコイルの間のすき間を埋める。従って
、数十個の電気パルスが装置を駆動した後には最終的に
侵、食されるl7ミクロン未満のウィスカーをクルとせ
ず・に、強返電界門出の環境が得られる。
誘電体の菅llを取着くプラズマのさやから電ムで陽極
16をた−く。陽極/6から放出された前方又は後方散
乱X線は、レーザの放電容積を予め電離する為に、大面
積のパルス状X線ビーム源の様な任意の適当な目的の為
に利用することが出来る。
16をた−く。陽極/6から放出された前方又は後方散
乱X線は、レーザの放電容積を予め電離する為に、大面
積のパルス状X線ビーム源の様な任意の適当な目的の為
に利用することが出来る。
以上説明した装置は寿命が106発を越え、電流密度は
100 ma /cJから5アンベア/CrI以上にな
シ、動作電圧は20kVから100kV以上の範囲であ
り、パルス周波数は1秒あたり1発の動作から1秒あた
りパルス200個以上に及ぶ。
100 ma /cJから5アンベア/CrI以上にな
シ、動作電圧は20kVから100kV以上の範囲であ
り、パルス周波数は1秒あたり1発の動作から1秒あた
りパルス200個以上に及ぶ。
第4図にはこの発明の別の実施例が示されている。この
場合、前に第2図について説明した陰極装置10と同じ
参照数字は対応する部品を表わす。
場合、前に第2図について説明した陰極装置10と同じ
参照数字は対応する部品を表わす。
第4図の陰極装置lO′と第2図の装置の主な違いは、
密実な金属棒/、2に変えて導電被覆lり (例えば銀
、ニッケル等)を用いたことである。他の全ての点で、
第4図の陰極装置は前に述べた構造と同じであり、同じ
様に作用する。
密実な金属棒/、2に変えて導電被覆lり (例えば銀
、ニッケル等)を用いたことである。他の全ての点で、
第4図の陰極装置は前に述べた構造と同じであり、同じ
様に作用する。
上に説明したこの発明のプラズマ陰極m子ビーム発生装
置は、繰返し速度が高く、電流密度が高く且つ寿命が長
い改良された電子ビーム源に対する長い間の要望に応え
るものである。
置は、繰返し速度が高く、電流密度が高く且つ寿命が長
い改良された電子ビーム源に対する長い間の要望に応え
るものである。
以上の説明から、この発明の特定の実施例を図示して説
明したが、この発明の範囲内で種々の変更が可能である
ことは明らかであろう。従って、この発明は特許請求の
範囲によってのみ限定されることを承知されたい。
明したが、この発明の範囲内で種々の変更が可能である
ことは明らかであろう。従って、この発明は特許請求の
範囲によってのみ限定されることを承知されたい。
第1図はこの発明に従って構成されたプラズマ陰極の好
ましい実施例の部分的な斜視図、第2図はこの発明に従
って構成されたプラズマ陰極の部分的な縦断面図、第3
図はこの発明のプラズマ陰極電子ビーム源の電気回路を
示す回路図、第4図はこの発明の別の実施例のプラズマ
陰極を第2図と同様に示す縦断面図である。 主な符号の説明 /l;誘電体の管 /コニ心 13:巻線 16:陽極
ましい実施例の部分的な斜視図、第2図はこの発明に従
って構成されたプラズマ陰極の部分的な縦断面図、第3
図はこの発明のプラズマ陰極電子ビーム源の電気回路を
示す回路図、第4図はこの発明の別の実施例のプラズマ
陰極を第2図と同様に示す縦断面図である。 主な符号の説明 /l;誘電体の管 /コニ心 13:巻線 16:陽極
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)陽極と、少なくとも部分的には誘電体部材によって
爪閉まれた第1の導電部材と、前記誘電体部材の表面に
配置されていて前記第1の導電部材から絶縁されている
第2の導電部材と、前記第1の導電部材及び前記陽極を
成る電位に保つと共に前記第2の導電部材を前記式る電
位に対して負の高い電位に保つ手段とを有するプラズマ
陰極電子ビーム発生装置。 2、特許請求の範囲1)に記載したプラズマ陰極電子ビ
ーム発生装置に於て、前記第1の導電部材が密実な心を
有する電極であるプラズマ陰極電子ビーム発生装置。 3)特許請求の範囲1)に記載したプラズマ陰極電子ビ
ーム発生装置に於て、前記第1の導電部材が、前記陽極
と向い合う前記誘電体部材の面とは反対の面に設けられ
た導電被覆であるプラズマ陰極電子ビーム発生装置。 4)特1ff4tbRノfFltlfJ 1 ) 乃至
3 ) Kidiff2 L tc 7’ 5ズマ陰極
電子ビ一ム発生装置に於て、前記第2の導電部材が前記
誘電体部材の表面に配置されたワイヤで構成されるプラ
ズマ陰極電子ビーム発生装置。 5)特許請求の範囲1)乃至3)に記載したプラズマ陰
極電子ビーム発生装置に於て、前記第2の導電部材がワ
イヤの開放配列であるプラズマ陰極電子ビーム発生装置
。 6)特許請求の範囲1)乃至3)に記載したプラズマ陰
極電子ビーム発生装置に於て、前記陽極が前記第2の導
電部材及び誘電体部材と向い合った平面状の面を有する
プラズマ陰極電子ビーム発生装置。 7)特許請求の範囲l)乃至3)に記載したプラズマ陰
極電子ビーム発生装置に於て、前記陽極が、前記陽極と
向い合った誘電体部材の面に沿って発生されたプラズマ
から数円した高エネルギ電子によってた\かれた時、X
線を発生するターゲットとなるプラズマ陰極電子ビーム
発生装置。 8)特#’Frf!求の範囲l)乃至3)に記載したプ
ラズマ陰極電子ビーム発生装置に於て、前記誘電体部材
が前記第1の導電部材を取囲む円筒であるプラズマ陰極
電子ビーム発生装置。 9)特許請求の範g1)乃至3)に記載したプラズマ陰
極電子ビーム発生装置に於て、前記陽極及び前記第1の
導電部材が大地電位に保たれ、前記負の電位が該大地電
位に対してパルス状であるプラズマ陰極電子ビーム発生
装置。 10)寿命が長く、繰返し速度が高く、電流密度の大き
い電子ビームを発生する方法に於て、導電ワイヤの配列
を第2の導電部材から、その中間にある電気絶縁媒質に
よって絶縁し、前記ワイヤ配列の少なくとも一部分は陽
極電極と向い合い且つそれから隔たっており、前記陽極
電極並びに前記第2の導電部材の両方に対し、パルス状
の負の高い電位を前記ワイヤ配列に印加して、前記ワイ
ヤ配列及び絶縁媒質の近くにプラズマを作り、こうして
該プラズマから電子が高エネルギで大面積の電子ビーム
として取出されて、前記陽極電極に入射する工程から成
る“方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US40654582A | 1982-08-09 | 1982-08-09 | |
| US406545 | 1982-08-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5949149A true JPS5949149A (ja) | 1984-03-21 |
Family
ID=23608439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58142637A Pending JPS5949149A (ja) | 1982-08-09 | 1983-08-05 | プラズマ陰極電子ビ−ム発生装置および方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0101043A3 (ja) |
| JP (1) | JPS5949149A (ja) |
| AU (1) | AU1752083A (ja) |
| CA (1) | CA1221468A (ja) |
| IL (1) | IL69244A0 (ja) |
| ZA (1) | ZA835319B (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4670894A (en) * | 1985-05-20 | 1987-06-02 | Quantum Diagnostics Ltd. | X-ray source employing cold cathode gas discharge tube with collimated beam |
| GB8922602D0 (en) * | 1989-10-06 | 1989-11-22 | British Aerospace | A surface discharge plasma cathode electron beam generating assembly |
| GB2464926A (en) * | 2008-10-28 | 2010-05-05 | Ex Beams Ltd | Apparatus for generating an electron beam |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE935262C (de) * | 1954-01-31 | 1955-11-17 | Siemens Ag | Hochvakuum-Roentgenblitzroehre, bei der einer kegelfoermigen Anode eine hohlkegelfoermige Kathode gegenuebersteht |
| GB1172528A (en) * | 1966-06-27 | 1969-12-03 | Atomic Energy Authority Uk | Improvements in or relating to Flash X-Ray Generation Methods and Apparatus |
-
1983
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- 1983-07-21 ZA ZA835319A patent/ZA835319B/xx unknown
- 1983-07-28 CA CA000433516A patent/CA1221468A/en not_active Expired
- 1983-08-02 AU AU17520/83A patent/AU1752083A/en not_active Abandoned
- 1983-08-05 JP JP58142637A patent/JPS5949149A/ja active Pending
- 1983-08-08 EP EP83107822A patent/EP0101043A3/en not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU1752083A (en) | 1984-02-16 |
| IL69244A0 (en) | 1983-11-30 |
| EP0101043A2 (en) | 1984-02-22 |
| ZA835319B (en) | 1984-04-25 |
| EP0101043A3 (en) | 1986-12-30 |
| CA1221468A (en) | 1987-05-05 |
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