JPS5950083B2 - パルス発生器 - Google Patents
パルス発生器Info
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- JPS5950083B2 JPS5950083B2 JP51011476A JP1147676A JPS5950083B2 JP S5950083 B2 JPS5950083 B2 JP S5950083B2 JP 51011476 A JP51011476 A JP 51011476A JP 1147676 A JP1147676 A JP 1147676A JP S5950083 B2 JPS5950083 B2 JP S5950083B2
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- nonlinear capacitor
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- pulse
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B41/00—Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
- H05B41/14—Circuit arrangements
- H05B41/30—Circuit arrangements in which the lamp is fed by pulses, e.g. flash lamp
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/49—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates
- C04B35/491—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates based on lead zirconates and lead titanates, e.g. PZT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G7/00—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
- H01G7/06—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture having a dielectric selected for the variation of its permittivity with applied voltage, i.e. ferroelectric capacitors
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- Generation Of Surge Voltage And Current (AREA)
- Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は誘導性素子と非線形コンデンサーを接続して成
るパルス発生器に関するものである。
るパルス発生器に関するものである。
上記パルス発生器は、蛍光灯、高圧蒸気放電灯などの放
電灯回路における放電灯起動素子として用いる例が報吉
され、誘電性素子には放電灯用の誘導性安定器を、非線
形コンデンサー材料としては単結晶のＢａＴｉＯ、が報
吉されており、有望視されていた。しかし、ＢａＴｉＯ
３は高融点（１６１３℃）酸化物のため実用に供する大
きさの結晶を育成するのは非常に困難であり、工業的に
実際的でない。本発明の目的は、上記の非線形コンデン
サーとしてＢａＴｉＯ。
電灯回路における放電灯起動素子として用いる例が報吉
され、誘電性素子には放電灯用の誘導性安定器を、非線
形コンデンサー材料としては単結晶のＢａＴｉＯ、が報
吉されており、有望視されていた。しかし、ＢａＴｉＯ
３は高融点（１６１３℃）酸化物のため実用に供する大
きさの結晶を育成するのは非常に困難であり、工業的に
実際的でない。本発明の目的は、上記の非線形コンデン
サーとしてＢａＴｉＯ。
単結晶に替わる実用性の高い高電圧発生用材料を用い、
これと誘導性素子とを接続することにより、実用性の高
い有用なパルス発生器を提供することにある。本発明の
パルス発生器は、上述のごとく、放電灯起動素子に適用
するのが、現在最も有望視されている。
これと誘導性素子とを接続することにより、実用性の高
い有用なパルス発生器を提供することにある。本発明の
パルス発生器は、上述のごとく、放電灯起動素子に適用
するのが、現在最も有望視されている。
そこで、以下放電灯回路への適用例を用いて本発明を更
に詳細に説明する。勿論、本発明のパルス発生器は放電
灯回路への適用に限られるものではなく、従がつて電気
理論の教える所に従がつて適切な誘導性素子を設定すれ
ばよいことは当然であ、る。Ｊ 周知め如く、従来の家
庭用蛍光灯起動回路は、第１図に示すようなグローラン
プとチョークコイル安定器の組み合わせからなるものが
用いられている。
に詳細に説明する。勿論、本発明のパルス発生器は放電
灯回路への適用に限られるものではなく、従がつて電気
理論の教える所に従がつて適切な誘導性素子を設定すれ
ばよいことは当然であ、る。Ｊ 周知め如く、従来の家
庭用蛍光灯起動回路は、第１図に示すようなグローラン
プとチョークコイル安定器の組み合わせからなるものが
用いられている。
第１図において、１は蛍光放電管、２は安定器、３はグ
ローランプ、４は雑音防止用コンデーンサーを示す。こ
の回路上のグローランプは、安価であるが、（１）点灯
に用する時間が平均３秒と長く、（２）寿命が通常の使
用で２〜３年と短かいなどの欠点を有している。これら
の欠点を補なう方法の１つが、グローランプの代わりに
非線形コンデンサーを用いる方式である。第２図は、非
線形コンデンサーを用いた蛍光放電灯回路の１例で、同
図において５は非線形コンデンサー、６および７は、予
熱回路用の３Ｓ半導体（ＳｉｌｉｃＯｎＳｙｍｍｅｔｒ
ｉｃａｌＳｗｉｔｃｈ）およびダイオードを示す。ここ
に非線形コンデンサー５は、電圧Ｖに対し電荷Ｑが第３
図ａに示すようなヒステリシス特性を示すもので、これ
は強誘電体によつて得られる。第３図ｂは、ａのような
ヒステリシス特性をもつ強誘電体をコンデンサー容量Ｃ
の変化として示したものである。このような非線形コン
デンサーを回路に組み込むと強誘電体は印加電圧の増加
につれて第３図ａ（７）ＡＢＤの道筋をたどる。これを
コンデンサー容量の変化としてみると同図ｂのようにな
る。すなわちヒステリシス曲線上の半サクル毎にコンデ
ンサーの大容量状態Ｂと小容量状態Ｄが交互に実現し、
丁度スイツチを０ｎ状態および０ｆｆ状態にしたと同様
な変化が行なわれ、チ．ヨークコイルを流れる電流を急
激に遮断し、高圧パルス電圧を発生させることができる
。したがつて、この動作により瞬時点灯が可能である。
上述のような強誘電体による効果は蛍光灯のみでなく高
圧水銀灯、高圧ナトリウム灯などの高圧蒸気放．電灯回
路に用いても意義がある。第４図は、非線形コンデンサ
ー５を高圧ナトリウム蒸気放電灯に用いる場合の一例で
あり、同図において８は高圧ナトリウム蒸気放電管を９
は安定器を示す。高圧蒸気放電灯は蛍光灯のような予熱
を必要としない．ので、回路は放電管に並列に非線形コ
ンデンサーを入れるだけの極めて簡単な構成になる。本
発明の目的は上記した非線形コンデンサーとして、Ｂａ
ＴｉＯ，単結晶に替わる実用性の高い高電圧発生用材料
を用い、これと誘導性素子を接続す．ることにより有用
なパルス発生器を提供するものである。
ローランプ、４は雑音防止用コンデーンサーを示す。こ
の回路上のグローランプは、安価であるが、（１）点灯
に用する時間が平均３秒と長く、（２）寿命が通常の使
用で２〜３年と短かいなどの欠点を有している。これら
の欠点を補なう方法の１つが、グローランプの代わりに
非線形コンデンサーを用いる方式である。第２図は、非
線形コンデンサーを用いた蛍光放電灯回路の１例で、同
図において５は非線形コンデンサー、６および７は、予
熱回路用の３Ｓ半導体（ＳｉｌｉｃＯｎＳｙｍｍｅｔｒ
ｉｃａｌＳｗｉｔｃｈ）およびダイオードを示す。ここ
に非線形コンデンサー５は、電圧Ｖに対し電荷Ｑが第３
図ａに示すようなヒステリシス特性を示すもので、これ
は強誘電体によつて得られる。第３図ｂは、ａのような
ヒステリシス特性をもつ強誘電体をコンデンサー容量Ｃ
の変化として示したものである。このような非線形コン
デンサーを回路に組み込むと強誘電体は印加電圧の増加
につれて第３図ａ（７）ＡＢＤの道筋をたどる。これを
コンデンサー容量の変化としてみると同図ｂのようにな
る。すなわちヒステリシス曲線上の半サクル毎にコンデ
ンサーの大容量状態Ｂと小容量状態Ｄが交互に実現し、
丁度スイツチを０ｎ状態および０ｆｆ状態にしたと同様
な変化が行なわれ、チ．ヨークコイルを流れる電流を急
激に遮断し、高圧パルス電圧を発生させることができる
。したがつて、この動作により瞬時点灯が可能である。
上述のような強誘電体による効果は蛍光灯のみでなく高
圧水銀灯、高圧ナトリウム灯などの高圧蒸気放．電灯回
路に用いても意義がある。第４図は、非線形コンデンサ
ー５を高圧ナトリウム蒸気放電灯に用いる場合の一例で
あり、同図において８は高圧ナトリウム蒸気放電管を９
は安定器を示す。高圧蒸気放電灯は蛍光灯のような予熱
を必要としない．ので、回路は放電管に並列に非線形コ
ンデンサーを入れるだけの極めて簡単な構成になる。本
発明の目的は上記した非線形コンデンサーとして、Ｂａ
ＴｉＯ，単結晶に替わる実用性の高い高電圧発生用材料
を用い、これと誘導性素子を接続す．ることにより有用
なパルス発生器を提供するものである。
本発明に係わる非線形コンデンサーの材料は一般式ＡＢ
Ｏ，（ただし、ＡはＢａおよびＳｒの少なくとも一種と
Ｐｂとならなり、ＢはＺｒおよびＴｉの両者）を満足す
る強誘電性セラミツクス材料である。この強誘電性セラ
ミツクス材料によリ形成された非線形コンデンサーの端
子は上記誘導性素子を介して交流電源の一端に接続され
、非線形コンデンサーの他端子は電源の他端に接続さら
る。たとえば蛍光灯のような予熱を必要とする場合、予
熱用の回路が適宜挿入される。この強誘電体セラミツク
スはＡＢＯ，（Ａ，Ｂは陽イオン）のペロブスカイト構
造をもち、易焼結性の材料である。従がつてＢａＴｉＯ
，単結晶とは異なり、材料は容易に提供出米、工業上の
利益は非常に大きい。また発明者は、ＢａＴｉＯ，焼結
体（ホツトプレス法）、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）０。セラミ
ツクス等の材料を用いてパルス発生器を製作した。Ｂａ
ＴｉＯ，焼結体は第３図に示すヒステリシス曲線がｃの
如くになり、角型性が悪く、パルス発生器として使用出
来ない。またＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）０３セラミツクスもパ
ルス発生器として使用出来ないことが明らかになつた。
次に本発明に係わる強誘電体の最も好ましい製造方法は
次の通りである。
Ｏ，（ただし、ＡはＢａおよびＳｒの少なくとも一種と
Ｐｂとならなり、ＢはＺｒおよびＴｉの両者）を満足す
る強誘電性セラミツクス材料である。この強誘電性セラ
ミツクス材料によリ形成された非線形コンデンサーの端
子は上記誘導性素子を介して交流電源の一端に接続され
、非線形コンデンサーの他端子は電源の他端に接続さら
る。たとえば蛍光灯のような予熱を必要とする場合、予
熱用の回路が適宜挿入される。この強誘電体セラミツク
スはＡＢＯ，（Ａ，Ｂは陽イオン）のペロブスカイト構
造をもち、易焼結性の材料である。従がつてＢａＴｉＯ
，単結晶とは異なり、材料は容易に提供出米、工業上の
利益は非常に大きい。また発明者は、ＢａＴｉＯ，焼結
体（ホツトプレス法）、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）０。セラミ
ツクス等の材料を用いてパルス発生器を製作した。Ｂａ
ＴｉＯ，焼結体は第３図に示すヒステリシス曲線がｃの
如くになり、角型性が悪く、パルス発生器として使用出
来ない。またＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）０３セラミツクスもパ
ルス発生器として使用出来ないことが明らかになつた。
次に本発明に係わる強誘電体の最も好ましい製造方法は
次の通りである。
一般式ＡＢＯ，（ただし、ＡはＢａおよびＳｒの少なく
とも１種とＰｂとからなり、ＢはＺｒおよびＴｉの両者
）を満足するよう、各金属元素の酸化物あるいは加熱に
より酸化物に容易に変化し得る金属元素の化合物を原料
とし、温度１２００〜１５００℃はり好ましくは１３０
０〜１４５０℃）、圧力７０ｋｇ／Ｃｍ２以上（実用上
好ましくは７０〜２１０ｋｇ／Ｃｍ２）のホツトプレス
条件下（なお時間は５ 〜２０時間が実用的に好ましく
実際的である。
とも１種とＰｂとからなり、ＢはＺｒおよびＴｉの両者
）を満足するよう、各金属元素の酸化物あるいは加熱に
より酸化物に容易に変化し得る金属元素の化合物を原料
とし、温度１２００〜１５００℃はり好ましくは１３０
０〜１４５０℃）、圧力７０ｋｇ／Ｃｍ２以上（実用上
好ましくは７０〜２１０ｋｇ／Ｃｍ２）のホツトプレス
条件下（なお時間は５ 〜２０時間が実用的に好ましく
実際的である。
）で加熱焼結する。Ｂａ，Ｓｒの添加量は大略５ 〜３
０ａｔ％が好ましい。詳細は実施例において述べる。な
お、これらの材料の合成はあたつて、焼結促進の目的で
ＰｂＯを化学量論的組成よりも１〜２０ωｔ％過剰に加
えることは合成を早める上で効果がある。この合成方法
によりパルス発生に実用上充分な角型特性をもつ強誘電
体を合成することができる。また高温静水圧プレス法、
高圧合成法あるいは共沈法に依る焼結法等の合成法に依
つても良いが、特に量産性に劣るので余り実際的でない
。粉末法による焼結は本発明の 、パルス発生器用強誘
電体の製造方法としては好ましくない。一般に組成、結
晶粒の均一性、高密度化の点で他の合成法に劣るため、
実用的な非線形コンデンサーの形成が困難となるものと
考えられる。本発明に係わる強誘電体は、放電灯起動素
子を目的とする材料に必要な特性てある飽和分極値１０
μＱ／Ｃｍ２以上、抗電場が１０ｋＶ／Ｃｍ以下を充分
満足し得るとの結論を得た。
０ａｔ％が好ましい。詳細は実施例において述べる。な
お、これらの材料の合成はあたつて、焼結促進の目的で
ＰｂＯを化学量論的組成よりも１〜２０ωｔ％過剰に加
えることは合成を早める上で効果がある。この合成方法
によりパルス発生に実用上充分な角型特性をもつ強誘電
体を合成することができる。また高温静水圧プレス法、
高圧合成法あるいは共沈法に依る焼結法等の合成法に依
つても良いが、特に量産性に劣るので余り実際的でない
。粉末法による焼結は本発明の 、パルス発生器用強誘
電体の製造方法としては好ましくない。一般に組成、結
晶粒の均一性、高密度化の点で他の合成法に劣るため、
実用的な非線形コンデンサーの形成が困難となるものと
考えられる。本発明に係わる強誘電体は、放電灯起動素
子を目的とする材料に必要な特性てある飽和分極値１０
μＱ／Ｃｍ２以上、抗電場が１０ｋＶ／Ｃｍ以下を充分
満足し得るとの結論を得た。
以下、本発明を実施例によつて詳しく説明する。
実施例 １
Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）０３セラミツクスのＰｂイオンの一
部をＢａイオンで置換した（Ｐｂｌ−Ｘ，Ｂａｘ）（Ｚ
ｒｌ−Ｙ，Ｔｉｙ）０３の５元素固溶体を用いたパルス
発生器の例を説明する。
部をＢａイオンで置換した（Ｐｂｌ−Ｘ，Ｂａｘ）（Ｚ
ｒｌ−Ｙ，Ｔｉｙ）０３の５元素固溶体を用いたパルス
発生器の例を説明する。
この組成のセラミツクスは、成分元素の構成比より、第
５図に示すような正方晶、菱面体晶および斜方晶の３つ
の強誘電相（第５図、第６図において正方晶、菱面体晶
、および斜方晶の３つの強誘電相をＦ，，ＦＲ，ＦＯで
示した。なおＡ。は反強誘電体（斜方晶系），ＰＯは常
誘電体（立方晶系）Ａ１反強誘電体（正方晶系）を示す
。）を有するが、ＢｂＴｉＯ３近傍の強誘電相は前述し
たごとく、難焼結性であり、角型特性が悪いため、パル
ス発生器の材料として使用出来ない。代表例として（Ｐ
ｂＯ．８，ＢａＯ．２）（ＺｒＯ．８，ＴｉＯ．２）０
３の組成の合成を以下に述べる。ＰｂＯ（平均粒子径５
．２ミクロン、純度９９．９％），，ＺｒＯ２（２．１
ミクロン、純度９９．７％），ＢａＴｉＯ３固溶体粉（
２．２ミクロン、純度９９．９％）を上記組成に秤量し
たのち、蒸留水を溶媒としてボールミルにて充分混合し
、蒸発乾固後上記混合物を９００℃，１時間酸素気流中
で仮焼する。
５図に示すような正方晶、菱面体晶および斜方晶の３つ
の強誘電相（第５図、第６図において正方晶、菱面体晶
、および斜方晶の３つの強誘電相をＦ，，ＦＲ，ＦＯで
示した。なおＡ。は反強誘電体（斜方晶系），ＰＯは常
誘電体（立方晶系）Ａ１反強誘電体（正方晶系）を示す
。）を有するが、ＢｂＴｉＯ３近傍の強誘電相は前述し
たごとく、難焼結性であり、角型特性が悪いため、パル
ス発生器の材料として使用出来ない。代表例として（Ｐ
ｂＯ．８，ＢａＯ．２）（ＺｒＯ．８，ＴｉＯ．２）０
３の組成の合成を以下に述べる。ＰｂＯ（平均粒子径５
．２ミクロン、純度９９．９％），，ＺｒＯ２（２．１
ミクロン、純度９９．７％），ＢａＴｉＯ３固溶体粉（
２．２ミクロン、純度９９．９％）を上記組成に秤量し
たのち、蒸留水を溶媒としてボールミルにて充分混合し
、蒸発乾固後上記混合物を９００℃，１時間酸素気流中
で仮焼する。
この仮焼粉末をメ！ノウ乳鉢などで粗粉砕し、アセトン
を溶媒として再度ボールミル混合を行なう。この粉末を
７００℃，１時間酸素気流中で加熱することにより粉末
に吸着しているアセトンを蒸発除去する。仮焼粉末を鋼
鉄製のダイスを用い、３５０Ｋｇ／Ｃｍ２の圧力で．直
径１５ｍｍφ、高さ８ｍｍの大きさに成形する。この圧
粉体をアルミナ製ダイスに挿入し、電気炉にセツト後加
圧焼結（ホツトプレス）を行なつた。ここで用いた焼結
法は、まず試料を装填したアルミナダイスをホツトプレ
ス用電気炉内にセツトした状態で、２００〜４００℃，
１０−２Ｔ０ｒｒの直空度の約１時間排気したのち、酸
素ガスにて炉内を置換し、後は酸素気流中で加熱し、１
４００℃，５時間、１５０Ｋｇ／Ｃｎｌ２の圧力でホツ
トプレスする方法である。なお本方法による焼結体の密
度は理論値の９９．８％以上であつた。ホツトプレスさ
れた試料は、ダイアモンド製のコア−ドリルを用いてア
ルミナ製ダイスから取り出し、所望の寸法にダイアモン
ドカツタ一で（厚さ４００μＭ，ｌＣｎｌ・程度）切断
する。
を溶媒として再度ボールミル混合を行なう。この粉末を
７００℃，１時間酸素気流中で加熱することにより粉末
に吸着しているアセトンを蒸発除去する。仮焼粉末を鋼
鉄製のダイスを用い、３５０Ｋｇ／Ｃｍ２の圧力で．直
径１５ｍｍφ、高さ８ｍｍの大きさに成形する。この圧
粉体をアルミナ製ダイスに挿入し、電気炉にセツト後加
圧焼結（ホツトプレス）を行なつた。ここで用いた焼結
法は、まず試料を装填したアルミナダイスをホツトプレ
ス用電気炉内にセツトした状態で、２００〜４００℃，
１０−２Ｔ０ｒｒの直空度の約１時間排気したのち、酸
素ガスにて炉内を置換し、後は酸素気流中で加熱し、１
４００℃，５時間、１５０Ｋｇ／Ｃｎｌ２の圧力でホツ
トプレスする方法である。なお本方法による焼結体の密
度は理論値の９９．８％以上であつた。ホツトプレスさ
れた試料は、ダイアモンド製のコア−ドリルを用いてア
ルミナ製ダイスから取り出し、所望の寸法にダイアモン
ドカツタ一で（厚さ４００μＭ，ｌＣｎｌ・程度）切断
する。
試料の厚さｄは一般に抗電場ＥＯと使用する電源電圧Ｅ
。に依存し（ＥＯ／ＥＯ以下の値を目安として設定すれ
ばよい。実用的には電源電圧が１００Ｖの場合１００〜
１４０μＭ，２ＯＯＶの場合１５０〜２５０μｍ程度で
ある。切断された試料を研磨した後、面積１ＣＩＩ１・
の銀電極を取りつける。放電灯用のパルス発生器として
用いる場合、１〜２ｃｎ１２程度が実用的である。この
ようにして得られた試料を、０．４Ｈ（へツリー）の蛍
光灯用の発定器と組み合わせ、第２図の回路でパルス電
圧を求めたところ７３０（Ｖ）のパルス電圧を得、蛍光
灯を始動させることができた。第５図の斜線で示した領
域１で囲まれる組成は、放電灯用として実用に供し得る
パルス発生を得るに通した組成である。また領域１１で
囲まれる組成でより波高値の高いパルスを得ることがで
きる。なお第１表に本発明の実施例に述べる材料の特性
をまとめて示す。
。に依存し（ＥＯ／ＥＯ以下の値を目安として設定すれ
ばよい。実用的には電源電圧が１００Ｖの場合１００〜
１４０μＭ，２ＯＯＶの場合１５０〜２５０μｍ程度で
ある。切断された試料を研磨した後、面積１ＣＩＩ１・
の銀電極を取りつける。放電灯用のパルス発生器として
用いる場合、１〜２ｃｎ１２程度が実用的である。この
ようにして得られた試料を、０．４Ｈ（へツリー）の蛍
光灯用の発定器と組み合わせ、第２図の回路でパルス電
圧を求めたところ７３０（Ｖ）のパルス電圧を得、蛍光
灯を始動させることができた。第５図の斜線で示した領
域１で囲まれる組成は、放電灯用として実用に供し得る
パルス発生を得るに通した組成である。また領域１１で
囲まれる組成でより波高値の高いパルスを得ることがで
きる。なお第１表に本発明の実施例に述べる材料の特性
をまとめて示す。
各試料は第５図、第６図にプロツトした材料に対応する
。なお、試料の形状は上述したものと同様である。実施
例 ２ Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）０３セラミックスのＰｂイオンの一
部をＳｒイオンで置換した場合の”相図を第６図に示す
。
。なお、試料の形状は上述したものと同様である。実施
例 ２ Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）０３セラミックスのＰｂイオンの一
部をＳｒイオンで置換した場合の”相図を第６図に示す
。
試料作成は、ＢａＦｉＯ３の代りにＳｒＴｉＯ３（純度
９９．９％）を用い、実施例１と同様の方法によりホツ
トプレス合成を行なつた。 （なお本方法によ↓焼結体
の密度は理論値の９９．８％以上であつた。）一例とし
て、 （ＰｂＯ．８ＳｒＯ．２） （ＺｒＯ．７，Ｔｉ
Ｏ．３）０３の組成を選び、実施例１と同様な方法で求
めたパルス電圧は６７０（Ｖ）であつた。第６図の斜線
で示した領域１で囲まれる組成は、放電灯用として実用
に供し得るパルス発生を得るに適した組成である。また
領域１１で囲まれる組成でより波高値の高いパルスを得
ることができる。実施例 ３Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）０３の
Ｐｂイオンの一部をＢａイオンとＳｒイオンで同時に置
換したセラミツタスを用いた例を示す。
９９．９％）を用い、実施例１と同様の方法によりホツ
トプレス合成を行なつた。 （なお本方法によ↓焼結体
の密度は理論値の９９．８％以上であつた。）一例とし
て、 （ＰｂＯ．８ＳｒＯ．２） （ＺｒＯ．７，Ｔｉ
Ｏ．３）０３の組成を選び、実施例１と同様な方法で求
めたパルス電圧は６７０（Ｖ）であつた。第６図の斜線
で示した領域１で囲まれる組成は、放電灯用として実用
に供し得るパルス発生を得るに適した組成である。また
領域１１で囲まれる組成でより波高値の高いパルスを得
ることができる。実施例 ３Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）０３の
Ｐｂイオンの一部をＢａイオンとＳｒイオンで同時に置
換したセラミツタスを用いた例を示す。
ＢａＴｉＯ３，ＳｒＴｉＯ３両固溶体粉を用いて、（Ｐ
ｂＯ．８，ＢａＯ．ｌＳｒＯ．ｌ） （ＺｒＯ．８Ｔｉ
Ｏ．２）０３の組成に配合し、実施例１と同様な方法に
よりホツトプレス合成を行なつた（なお、焼結体の密度
は実施例１，２と同様である）。
ｂＯ．８，ＢａＯ．ｌＳｒＯ．ｌ） （ＺｒＯ．８Ｔｉ
Ｏ．２）０３の組成に配合し、実施例１と同様な方法に
よりホツトプレス合成を行なつた（なお、焼結体の密度
は実施例１，２と同様である）。
この試料に対し、実施例１と同様な方法でもとめたパル
ス電圧は、７８０（Ｖ）である。また、 （ＰｂＯ．８
，ＢａＯ．ｌ，ＳｒＯ．ｌ）（ＺｒＯ．７，ＴｌＯ．３
）０３を用いたパルス電圧は７００（Ｖ）で゛あつた。
このように、Ｓｒ，Ｂａなどの同時固溶させた組成にお
いても、起動素子用の強誘電体を合成することができた
。第７図は、実施例３の（ＰｂＯ．８，ＢａＯ．ｌ，Ｓ
ｒＯ．ｌ） （ＺｒＯ．８，ＴｉＯ．２）０３の試料を
用いたパルス電圧の寿命をもとめたものである。
ス電圧は、７８０（Ｖ）である。また、 （ＰｂＯ．８
，ＢａＯ．ｌ，ＳｒＯ．ｌ）（ＺｒＯ．７，ＴｌＯ．３
）０３を用いたパルス電圧は７００（Ｖ）で゛あつた。
このように、Ｓｒ，Ｂａなどの同時固溶させた組成にお
いても、起動素子用の強誘電体を合成することができた
。第７図は、実施例３の（ＰｂＯ．８，ＢａＯ．ｌ，Ｓ
ｒＯ．ｌ） （ＺｒＯ．８，ＴｉＯ．２）０３の試料を
用いたパルス電圧の寿命をもとめたものである。
蛍光灯放電回路（第２図）において、３秒間放電灯を点
灯したのち、２７秒間休止させる、すなわち３０秒を周
期とする寿命テストで得られた結果である。１０５回ま
でパルス電圧はほとんど変化を示さず、本組成物が極め
て安定であることを示す。
灯したのち、２７秒間休止させる、すなわち３０秒を周
期とする寿命テストで得られた結果である。１０５回ま
でパルス電圧はほとんど変化を示さず、本組成物が極め
て安定であることを示す。
この例によつて明らかにした如く本願発明に係わる強誘
電性セラミツクス、即ち一般式ＡＢＯ３（ただし、Ａは
ＢａおよびＳｒの少なくとも１種とＰｂとからなり、Ｂ
はＺｒおよびＴｉの両者）なる強誘電性セラミツクスは
分極反転のくり返しに対しても破壊が起こりにくい。従
がつて、本願発明に係わる強誘電性セラミツクスを用い
たパルス発生器は長寿命となすことができる。なお、製
造方法の際、説明したとおり本実施例の組成のセラミツ
クスを普通焼成法で作製した場合強誘電体ヒステリシス
ループが第３図Ｃの如くなり、非線形コンデンサーとし
て充分でなく実用的なパルス発生器に適用し得ない。
電性セラミツクス、即ち一般式ＡＢＯ３（ただし、Ａは
ＢａおよびＳｒの少なくとも１種とＰｂとからなり、Ｂ
はＺｒおよびＴｉの両者）なる強誘電性セラミツクスは
分極反転のくり返しに対しても破壊が起こりにくい。従
がつて、本願発明に係わる強誘電性セラミツクスを用い
たパルス発生器は長寿命となすことができる。なお、製
造方法の際、説明したとおり本実施例の組成のセラミツ
クスを普通焼成法で作製した場合強誘電体ヒステリシス
ループが第３図Ｃの如くなり、非線形コンデンサーとし
て充分でなく実用的なパルス発生器に適用し得ない。
第１図はグローランプを用いた蛍光灯回路、第２図は非
線形コンデンサーを用いた蛍光灯回路、第３図は強誘電
体ヒステリシスループおよびそれに対応する容量の変化
、第４図は非線形コンデンサーを用いた高圧蒸気放電灯
回路、第５図は（Ｐｂ，Ｂａ） （Ｚｒ，Ｔｉ）０３セ
ラミツクスの相図、第６図は（Ｐｂ，Ｓｒ） （Ｚｒ，
Ｔｉ）０３セラミツクスの相図、第７図は、本発明によ
る非線形コンデンサー材料の寿命特性を示す。
線形コンデンサーを用いた蛍光灯回路、第３図は強誘電
体ヒステリシスループおよびそれに対応する容量の変化
、第４図は非線形コンデンサーを用いた高圧蒸気放電灯
回路、第５図は（Ｐｂ，Ｂａ） （Ｚｒ，Ｔｉ）０３セ
ラミツクスの相図、第６図は（Ｐｂ，Ｓｒ） （Ｚｒ，
Ｔｉ）０３セラミツクスの相図、第７図は、本発明によ
る非線形コンデンサー材料の寿命特性を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ インダクタンス素子とこれに直列に接続される非線
形コンデンサーとを少なくとも有するパルス発生器であ
つて、前記非線形コンデンサーは一般式ＡＢＯ＿３（た
だし、ＡはＢａおよびＳｒの少なくとも１種とＰｂとか
らなり、ＢはＺｒおよびＴｉの両者からなる）を満足す
る強誘電性セラミックスからなることを特徴とするパル
ス発生器。 ２ 特許請求の範囲第１項記載のパルス発生器において
、上記非線形コンデンサーはホットプレス法により焼結
された強誘電性セラミックスから成ることを特徴とする
パルス発生器。 ３ 特許請求の範囲第１項記載のパルス発生器において
、該インダクタンス素子は放電灯用誘導性安定器である
ことを特徴とするパルス発生器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51011476A JPS5950083B2 (ja) | 1976-02-06 | 1976-02-06 | パルス発生器 |
| NL7701271A NL7701271A (nl) | 1976-02-06 | 1977-02-07 | Pulsgenerator. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51011476A JPS5950083B2 (ja) | 1976-02-06 | 1976-02-06 | パルス発生器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5296399A JPS5296399A (en) | 1977-08-12 |
| JPS5950083B2 true JPS5950083B2 (ja) | 1984-12-06 |
Family
ID=11779109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51011476A Expired JPS5950083B2 (ja) | 1976-02-06 | 1976-02-06 | パルス発生器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5950083B2 (ja) |
| NL (1) | NL7701271A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61118170U (ja) * | 1984-12-29 | 1986-07-25 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57109317A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-07 | Nichicon Capacitor Ltd | Non-linear ceramic condenser |
| EP0103020A4 (en) * | 1982-02-20 | 1985-10-14 | Tdk Corp | VOLTAGE SENSITIVE CURRENT ELEMENT. |
| JPS5935354A (ja) * | 1982-08-23 | 1984-02-27 | Iwasaki Electric Co Ltd | 高圧金属蒸気放電灯 |
| US4647819A (en) * | 1985-01-16 | 1987-03-03 | Gte Products Corporation | Metal vapor lamp starting and operating apparatus |
-
1976
- 1976-02-06 JP JP51011476A patent/JPS5950083B2/ja not_active Expired
-
1977
- 1977-02-07 NL NL7701271A patent/NL7701271A/xx not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61118170U (ja) * | 1984-12-29 | 1986-07-25 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5296399A (en) | 1977-08-12 |
| NL7701271A (nl) | 1977-08-09 |
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