JPS5950437U - 液相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents

液相エピタキシヤル成長装置

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Publication number
JPS5950437U
JPS5950437U JP14577382U JP14577382U JPS5950437U JP S5950437 U JPS5950437 U JP S5950437U JP 14577382 U JP14577382 U JP 14577382U JP 14577382 U JP14577382 U JP 14577382U JP S5950437 U JPS5950437 U JP S5950437U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid phase
epitaxial growth
phase epitaxial
growth equipment
slider
Prior art date
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Pending
Application number
JP14577382U
Other languages
English (en)
Inventor
生沼　一幸
俊之 棚橋
「うめ」生　逸雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS5950437U publication Critical patent/JPS5950437U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は、従来技術における液相エピタキシャル成長装
置のスライダとポートとの基本構造の一例を示す装置の
断面図であり、゛第２図は、本考案の実施例に係る液相
エピタキシャル成長装置のスライダとポートとの構造を
示す装置の断面図、第３図は本考案にかかるスライダカ
バーの構成を示す平面図である。 １１．２１・・・ポート、１２．２２・・・基板、１３
゜２３・・・スライダ、１４．１４’、１４“、２４・
・・メルト、１５・・・従来技術における液相エピタキ
どヤル成長装置のスライダ開口部用カバー、２５・・・
本発明の一実施例に係る液相エピタキシャル成長装置の
スライダ開口部用カバー、２５′・・・スライダ開口部
用カバーの底面に設けられた突起。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 溶融液収容用開口部を覆うカバーの底面に、下方向に凸
    の突起が設けられてなるスライダを有することを特徴と
    する液相エピタキシャル成長装置。
JP14577382U 1982-09-27 1982-09-27 液相エピタキシヤル成長装置 Pending JPS5950437U (ja)

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JP14577382U JPS5950437U (ja) 1982-09-27 1982-09-27 液相エピタキシヤル成長装置

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JP14577382U JPS5950437U (ja) 1982-09-27 1982-09-27 液相エピタキシヤル成長装置

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JPS5950437U true JPS5950437U (ja) 1984-04-03

Family

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