JPS5950522A - 投影露光装置 - Google Patents

投影露光装置

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Publication number
JPS5950522A
JPS5950522A JP57160986A JP16098682A JPS5950522A JP S5950522 A JPS5950522 A JP S5950522A JP 57160986 A JP57160986 A JP 57160986A JP 16098682 A JP16098682 A JP 16098682A JP S5950522 A JPS5950522 A JP S5950522A
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JP
Japan
Prior art keywords
reticle
light
optical system
glass substrate
foreign matter
Prior art date
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Pending
Application number
JP57160986A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Maejima
前島 央
Susumu Komoriya
進 小森谷
Nobuyuki Irikita
信行 入来
Hiroto Nagatomo
長友 宏人
Keizo Nomura
敬三 野村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP57160986A priority Critical patent/JPS5950522A/ja
Publication of JPS5950522A publication Critical patent/JPS5950522A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Projection-Type Copiers In General (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Warehouses Or Storage Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明に半導体装置の製造装置とじて用いて好適な投影
露光装置に関するものである。
半導体装置の製造1桿の一つであるホ) IJソゲラフ
イエ程では、レチクルやマスクのパターン奮投影露光装
置?用いてウェーハ表面のホトレジスト上に投影露光し
ているが、このとき1/チクルがマスクの表面に異物が
付着しているとこれがそのマ筐つェーハ上に結像露光さ
れることになり、所謂ハターン欠陥が発生する。特にレ
チクルやマスクのパターンをウェーハ上にステップアン
ドリピート的に露光する場合には、各素子に異物像の欠
脩が生じることになシ致命的なものとなる。
このため、レチクルやマスクに付着した異物音検出して
これを取除くことが必要と芒れるか、従来の検出装置で
は充分に満足することはできない。
向えば、近年最も進んだものとしては、レグ−クルやマ
スク(以下、レチクルで代衣する)を投影露光装置にセ
ットする直前位1百でレヂークルの六外面にレーザ光束
を当射させ、これをレチクルIJ i+++ ’(r走
査芒せながらその反射光金光奄素子にて検出し、この反
射光量の変化?検知することによりAA″0IJk検出
するものが実用化されている。
しかしながらこの装置では、異物検出後に露光装置に1
/チクルをセットする際や露光の継続中等に新たに付着
する異物全検出することができないという大きな問題が
ある。また、曲の問題として、レーザ走査装置およびこ
れに追従作動される光電素子等の装置機構が極めて複雑
かつ高価になること、レチクルのパターンによる検出ノ
イズが入シ易い一方でレチクル表面のクランク全検出す
ることが難かしいこと、レチクル裏面の無害異物と表面
の有@異物の識別奮行なうことができないこと等がめる
。
したがって本発明の目的は、実際の露光状態にあるレチ
クルに付着した有害異物やレチクルのクラックを正確に
検出することができると共に、検出部の構成音n■単な
ものとしかつ全体奮低コストに製造することができる投
影露光装Kk提供することにある。
このような目的を達成するために本発明に、投影露光用
光源光の一部rレチクルの側部に導いてレチクル政面に
略平行に照射させる異物検出九学系ト、レチクルパター
ンの結像位置に一時的に設置可能で前記光の乱反射光r
検1Ji−jる光(てンサと會備えるようにし友もので
ある。
以下、本発明を図示の実施列によシ説明する。
第1図は本発明の投影露光装(qの全体構成図でめシ、
1は所定のパター72表面(F面)に形成したレチクル
、2&ユこの1/チクルパターンカ投影露光されるウェ
ーハでめる。このウエーノ・2は夫々駆動機構3.4に
よって駆動δれるXテーブル5、Yテーブル6からなる
XYテーブル7上に載置さ7’L、水平XY方向に移動
されて前記レチクルパターンが折目状に露光される。
MtJ記レテレチクル投影光学系8は、信置面状の反射
鏡9勿備えfCC銅鋼ランプ10才光源して備え、これ
ばコンデンサレンズ11=r通してレチクル1&こ照射
すると共に、レチクル1の下方に設はり縮小結像レンズ
12にてレチクル1のノくターン像をウェーハ2辰面に
結像できるようにしている。
J3はシャッタでめυ、露光時に開動する。
一方、14は異*検出光学系であり、前記シャッタ13
の直上位置に設けたノ1−フミラー15にて前記光源光
の一部を側方に取り出している。また、この光学系14
は夫々2個のリレーレンズ16、】7と反射ミラー18
.19と全備えて前記ハーフミラ−15i/こて取り出
した光音前記レチクルlの側方位置に互で導き、しかる
上でレチクル1に略その赤面と平行な方向から照射して
いる。
なお、レチクル1の他側部には反射ミラー20を立設し
、この平行な照射光音反射して再度レチクル1表面に向
かって平行に照射場れるようにしている。21は反射ミ
ラ−190角度変更機構である。
他方、前記XYテーブル7上のウエーノ・2近傍位匝に
は光7区素子からなる光センサ22を取着し、。
XYテーブル7の移動によってレチクルノ(ターン像の
結像位置に移動できるようにしている。この光センサ2
2はその光検出面を前記ウェー・・20表面と同一レベ
ルに保持している。
そして、前記X、Yの各テーブル駆動機構3.4、反射
ミラーの角度変更機構21.光センサ22全制御部23
に接続して、夫々の信号を制御部23に取シ入れるよう
にし、制御部23はこれケ演算部24に出力して0RT
25或いはプリンタ26に異物の状態’kP示させるよ
うにしている。
以上の構成の投影露光装置によれば、レチクルの異物の
検出および露光に次のように行なわれる。
先ず、レチクルIt図示位置にセットした上下水銀ラン
プ10ケ点灯し、かつシャッタ13全開にする。このと
き、XYテーブル7上にはウェーハの代りに標準板を載
置しておき、この赤面にレチクルパターン像が焦点を結
ぶように縮小結像レンズ12全藺整する。この準備工程
の完了後、シャッタ13’に閉成して異物検査音開始す
る。
シャッタ13の閉成により、ランプ10の光はハーフミ
ラ−1−5によって側方へ反射芒れ、リレーレンズ16
.17と反射ミラー18.19によってレチクルl 9
111方へ導かれる。セして、最終の反射ミラー19の
角度全角度変更機構21によって適宜調節すれば、反射
光はレチクル1の表面に略平行(微少角度を有してもよ
い)に照射ちれる。
また、一部の光は反対側に設けyc平面または曲面状の
反射ミラー20に当射して反射された後にレチクル表面
およびレチクルのガラス基板の側面に照射きれる。
そして、この状態金床ちながら、第2図に示すようにX
Yテーブル7ケ移動芒ぜてプロセンサ22奮ウ工−ハ相
当位1鉦内の種々の位置に順次移動嘔せる。すると、異
物X1.X2やクランクX3の生じている箇所では光が
乱反射されるために、光子ンサ22は位置[Pt x 
 ”t % P8において庁■己異物X1、X2やクラ
ンクX3の乱反射光音検出し、これにより異物やクラン
クの検11t’(r可能にするのである。この場合、異
物X2が有るレチクルガラス面側の異物の内、パターン
1aの上方に有る異物は無害であるため検出しなくてよ
い。また、仮肋線のようなシャンク27i設けてレチク
ル表面にのみ光が照射されるようにすれば、裏面側(レ
チクルガラス面側)の異物全検出しないようにすること
も用来る。さらに表面側も同様に選択的に、かくずこと
もoJ能である。図中、laはパターンである。
したがって、XYテーブルの各、駆動地検3.4の位置
信号と、その時々の光センサ22の信号γ制御部23に
送出すれば、0RT25やプリンタ26にはレチクルに
おける異物等の存在箇所ケ正確に検出することができる
。
異物検出後はレチクル表面の異9勿r除去し、XYテー
ブル7上にウェーハ2忙セツトしてこれケ露光位置に設
定すれば、XYテーブル7とンヤノタ13の相関作柑に
よってノブ「望の籟Xr行なうことができるのである。
ここで、異物の検出はウェーハ2上−\の名露光毎に行
なうようにしてもよい。
したがって、以上の投影露光装置でに、レチクル1を投
影露光位置にセットした状態で異物検出上行ない、かつ
各1シヨツトの露光m、vc検出7行なうことができる
ので、露光+* F]i■xでに付層した異物の検出が
可能でめ先ガ廁な卸元孕用能eこする。また、本装置l
lに従来から備えられている投影光学系8 vc +)
レーレンズ16.17や反射ミラー18.19からなる
検出光学系14と、光学センサ22を伺設すれば構成で
きるので、全体構成を簡略化しかつ低コスト+Cできる
。更に、レチクルkc l1tl射する光の調般でレチ
クル表、裏面の異物葡1刊1F<的に検出でき、壕1こ
クランクをで検出することもできるのでおる。
なお、第3図に示すように、レチクル1の支持板28?
r光透過部拐に゛C形成すると共に、その内側面一部荀
デーパ若しくは曲面アーパ状に形成し、この支持板28
内に反射ミラー19九r導入するようにし2てもよ(ハ
。このようにすil−ば、支持板28内に辱か′i1.
た元に内側面Vこて屈折して微少角度でl/ヂクル賢而
面当射されることになる。この場合、反射ミラー19の
角bw変更機構21ケ不要にできる。以上本f+lI&
よし′ンズ精像光学系でのべたが、ミラー反射投影光学
系の走置方式お」、ひステップアンドリピート方式の霧
光装置でも同様に行うこと−ができる。
’f7j%t−’チクル1(1面よυ当射する光は、偏
光rかけた光=k Illいる共に、光センザー直前で
それに対応させる偏光ファイター盆設けて、選択的な方
向の光のみ奮受光さること全行なってもよい。
以上のように本発明の投影露光装置によれば、レチクル
の表面にこれと略平行に光ケ照射する異るので、レチク
ルを投影露光装置rCセットした状態でしかも露光の直
前に異物の検出7行なうことができ、これによシ正確な
異物の検出f ol能にして好適な投影露光全行なうこ
とができる。また、異物検出光学系と光センサ會付設す
るだけでよいので構成ケ簡単なものとし、低コストに製
造できる。更に光の照射のコントロールによって無害異
物と有害異物の確認が可能であり、レチクルのガラス基
板表面のクランフケ検出することができるという効呆も
奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の投影露光装置の構成図、第2図は作用
葡説明するための一部拡大図、第3図は他の実施列の第
2図と同様の図である。 1・・レチクル、2・・・ウエーノ・、7・・・XYテ
ーブル、ト・・投影露光光学系、10・・水銀ランプ、
12・・・縮小結像レンズ、13・・・シャッタ、14
・・・異物検出光学系、22・・・光センサ、23・・
・制御部、27・・・シャッタ、28・・・支持板。 第  1  図 グO 第  2 図 2り 第  3 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 ガラス基板上に描かれた像をウェーハ表面に投影
    露光する投影光学系と、露光用照明光学系吉この照明光
    源光の一部を前記ガラス基板の側部に導りて少なくとも
    ガラス基板の像面と略平行に照射する第2照明光学系と
    、前記ガラス基板の結像位置に設置可能で前記第2照明
    光学系の照射光によるガラス基板からの乱反射光全検出
    する光センサと全備えること’t%徴とする投影露光装
    置。 2、光センサは光電素子からなシ、ウェーハを載置し7
    (xyテーブルの一部に取着してなる特許請求の範囲第
    1項記載の投影露光装置。 3、第2照明光学系はガラス基板表面忙対して微少角度
    で光を照射してなる特許請求の範囲第1墳又V工第2項
    に記載の投影露光装置。
JP57160986A 1982-09-17 1982-09-17 投影露光装置 Pending JPS5950522A (ja)

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JP57160986A JPS5950522A (ja) 1982-09-17 1982-09-17 投影露光装置

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JP57160986A JPS5950522A (ja) 1982-09-17 1982-09-17 投影露光装置

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JPS5950522A true JPS5950522A (ja) 1984-03-23

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ID=15726390

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JP57160986A Pending JPS5950522A (ja) 1982-09-17 1982-09-17 投影露光装置

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JP (1) JPS5950522A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61100932A (ja) * 1984-10-24 1986-05-19 Hitachi Ltd 露光装置
JP2007180549A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置および方法

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