JPS5950571A - 非晶質シリコン太陽電池の製造方法 - Google Patents
非晶質シリコン太陽電池の製造方法Info
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- JPS5950571A JPS5950571A JP57159615A JP15961582A JPS5950571A JP S5950571 A JPS5950571 A JP S5950571A JP 57159615 A JP57159615 A JP 57159615A JP 15961582 A JP15961582 A JP 15961582A JP S5950571 A JPS5950571 A JP S5950571A
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- Japan
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- film
- silicon solar
- solar cell
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-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
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- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
-
- H—ELECTRICITY
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- H10F77/311—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は非晶質シリコン太陽電池の製造方法に係わシ、
特に非晶質シリコン膜を形成する基板表面上に設けられ
る絶縁膜の形成方法に関するものである。
特に非晶質シリコン膜を形成する基板表面上に設けられ
る絶縁膜の形成方法に関するものである。
近年、新しいエネルギー源として太陽電池への関心が高
まっており、その中でも特に非晶質シリコンを用いた太
陽電池に大きな期待が寄せられている。これは太陽光エ
ネルギーが無公害で枯渇する心配がないこと、また従来
の太陽電池、例えば単結晶シリコンからなる太陽電池が
極めて高価で用途が特殊分野に限定されていたことなど
の理由に対して非晶質シリコン太陽電池は大幅な低価格
化が実現可能と考えられるためである。
まっており、その中でも特に非晶質シリコンを用いた太
陽電池に大きな期待が寄せられている。これは太陽光エ
ネルギーが無公害で枯渇する心配がないこと、また従来
の太陽電池、例えば単結晶シリコンからなる太陽電池が
極めて高価で用途が特殊分野に限定されていたことなど
の理由に対して非晶質シリコン太陽電池は大幅な低価格
化が実現可能と考えられるためである。
これまで、非晶質シリコンから力る太陽電池の基板とし
ては、透光性ガラス板もしくはステンレス板材が主に用
いられてきた。これらのガラス。
ては、透光性ガラス板もしくはステンレス板材が主に用
いられてきた。これらのガラス。
ステンレス板材は非晶質シリコン太陽電池の基板として
多くの優れた特長を有している。
多くの優れた特長を有している。
しかしながら、ガラス、ステンレス板材々どけ、低価格
化を実現させるという観点からは非晶質シリコン太陽電
池の基板として必ずしも望ましいとは言えなかった。す
なわち、非晶質シリコン太陽電池の低価格化が実現可能
であろうと考えられる根拠の一つとして、非晶質シリコ
ン膜が大面積でかつ連続的に形成可能である点をあげる
ことができるが、この利点を活かすためには、基板をフ
ィルム化して連続的にロールで巻上げるようにすること
が望ましい。
化を実現させるという観点からは非晶質シリコン太陽電
池の基板として必ずしも望ましいとは言えなかった。す
なわち、非晶質シリコン太陽電池の低価格化が実現可能
であろうと考えられる根拠の一つとして、非晶質シリコ
ン膜が大面積でかつ連続的に形成可能である点をあげる
ことができるが、この利点を活かすためには、基板をフ
ィルム化して連続的にロールで巻上げるようにすること
が望ましい。
このような試みとしては、これまで耐熱性を有するポリ
イミド系高分子樹脂からなるフィルムを非晶質シリコン
太陽電池の基板として用いられた例がある。しかしなが
ら、高分子（・１１脂フイルムは水分を透過しやすいた
めに信頼性の点で問題が生じ、実用化は困維であった。
イミド系高分子樹脂からなるフィルムを非晶質シリコン
太陽電池の基板として用いられた例がある。しかしなが
ら、高分子（・１１脂フイルムは水分を透過しやすいた
めに信頼性の点で問題が生じ、実用化は困維であった。
したがって基板としては無機物が望韮しいことになる。
一方、非晶質シリコン太陽電池の出力電圧は、通常１■
以下であるが、集用化に際しては多くの場合１■以上で
あることが要求される。このため、太陽電池を複数個直
列に接続することが必要となるが、低価格化を実現させ
るという観点からはこれを同一基板上に連続的に形成で
きることが不可欠である。
以下であるが、集用化に際しては多くの場合１■以上で
あることが要求される。このため、太陽電池を複数個直
列に接続することが必要となるが、低価格化を実現させ
るという観点からはこれを同一基板上に連続的に形成で
きることが不可欠である。
このような問題を改善したものとしては、非晶質シリコ
ン形成基板にステンレスフィルムを用いた非晶質シリコ
ン太陽電池が提案されている。
ン形成基板にステンレスフィルムを用いた非晶質シリコ
ン太陽電池が提案されている。
しかしながら、基板にステンレスフィルムを用いた場合
、次のような問題があった。すなわち、基板上に太陽電
池を複数個直列に接続するためには、まず個々の太陽電
池が電気的に分離されている必要があるが、基板にステ
ンレスフィルムを用いた場合には、ステンレスが高い導
電性を有するため、その表面に形成された非晶質シリコ
ン太陽電池は電気的に接続されてしまい、直列接続する
ことが不可能となる。したがって、ステンレスフィルム
上に形成された非晶質シリコン太陽電池を複数個直列に
接続するためには、非晶質シリコン太陽電池を形成する
前にステンレスフィルムの表面に絶縁層を形成して非晶
質シリコン太陽電池とステンレスフィルムとを電気的に
分離させることが必要となる。この絶縁層としては、ス
パッタ。
、次のような問題があった。すなわち、基板上に太陽電
池を複数個直列に接続するためには、まず個々の太陽電
池が電気的に分離されている必要があるが、基板にステ
ンレスフィルムを用いた場合には、ステンレスが高い導
電性を有するため、その表面に形成された非晶質シリコ
ン太陽電池は電気的に接続されてしまい、直列接続する
ことが不可能となる。したがって、ステンレスフィルム
上に形成された非晶質シリコン太陽電池を複数個直列に
接続するためには、非晶質シリコン太陽電池を形成する
前にステンレスフィルムの表面に絶縁層を形成して非晶
質シリコン太陽電池とステンレスフィルムとを電気的に
分離させることが必要となる。この絶縁層としては、ス
パッタ。
蒸着、ディップ法などの形成手段によって５ｉＯｓ＋。
Ａ、１８０８などの膜を形成した結果、外部からピンホ
ールがない緻密々膜を大面状にわたって形成することは
技術的に極めて困鵬であシ、まだいずれの膜においても
十分な絶縁性を得ることができなかった。
ールがない緻密々膜を大面状にわたって形成することは
技術的に極めて困鵬であシ、まだいずれの膜においても
十分な絶縁性を得ることができなかった。
さらにこのような問題を改善したものとしては、基板に
Ｃｒを含む金属板材を用い、これをｌＨｚ Ｏを含んだ
Ｈ２中で加熱して基板表面にＣｒ酸化膜からなる絶縁層
を形成することによって、ピンホールの全くない緻密な
絶縁層を大面積にわたって得ることのできる非晶質シリ
コン太陽ｎ：池が発明者らによって提案されている。
Ｃｒを含む金属板材を用い、これをｌＨｚ Ｏを含んだ
Ｈ２中で加熱して基板表面にＣｒ酸化膜からなる絶縁層
を形成することによって、ピンホールの全くない緻密な
絶縁層を大面積にわたって得ることのできる非晶質シリ
コン太陽ｎ：池が発明者らによって提案されている。
しかしながら、このように構成された非晶質シリコン太
陽電池は、絶縁層としてのＣｒ１ｂ化膜が別の点におい
て問題を引起すことが分った。すなわち、Ｃｒ酸化膜が
形成される以前の基板の表面が平滑であっても、その上
面に形成されるＣｒ酸化膜が一様に形成されないために
Ｃｒ酸化膜が形成されると、基板表面の平温性が失なイ
）れるという問題があった。
陽電池は、絶縁層としてのＣｒ１ｂ化膜が別の点におい
て問題を引起すことが分った。すなわち、Ｃｒ酸化膜が
形成される以前の基板の表面が平滑であっても、その上
面に形成されるＣｒ酸化膜が一様に形成されないために
Ｃｒ酸化膜が形成されると、基板表面の平温性が失なイ
）れるという問題があった。
通常、非晶会電池シ１、ドーピングされｌコ非晶質シリ
コン層を約１０ ｏＸ程度の厚さて一様に形成すること
が必要である。したがって、ドーピングされた非晶質シ
リコン層が形成される基板表面が十分な平滑性を持たな
い場合には非晶質シリコン層が一様に形成されず、その
結果、このようにして得られた非晶質シリコン太陽電池
の光起電力特性が低下する。
コン層を約１０ ｏＸ程度の厚さて一様に形成すること
が必要である。したがって、ドーピングされた非晶質シ
リコン層が形成される基板表面が十分な平滑性を持たな
い場合には非晶質シリコン層が一様に形成されず、その
結果、このようにして得られた非晶質シリコン太陽電池
の光起電力特性が低下する。
したがって本発明は、前述した問題に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところｄｌ、非晶質シリコン
太陽電池を形成する基板をＣｒを含んだ薄膜状の金属基
板で構成するとともに、この金属基板の表面に外部から
絶縁膜またはｌ−Ｉ２０を含んだＨ２中の加熱によって
絶縁物となる膜を形成し、しかる後Ｈ２０を含んだＨａ
中で熱処理して金属基板と金ハ酸化膜との間にＣｒ熱酸
化膜を形成することによって、ピンホールが全くなく）
Ｉ！”’々密で、しかも平滑な絶縁層を大面債にわたっ
て倒られるようにした非晶質シリコン太陽電池の製造方
法を提供することにある。
のであり、その目的とするところｄｌ、非晶質シリコン
太陽電池を形成する基板をＣｒを含んだ薄膜状の金属基
板で構成するとともに、この金属基板の表面に外部から
絶縁膜またはｌ−Ｉ２０を含んだＨ２中の加熱によって
絶縁物となる膜を形成し、しかる後Ｈ２０を含んだＨａ
中で熱処理して金属基板と金ハ酸化膜との間にＣｒ熱酸
化膜を形成することによって、ピンホールが全くなく）
Ｉ！”’々密で、しかも平滑な絶縁層を大面債にわたっ
て倒られるようにした非晶質シリコン太陽電池の製造方
法を提供することにある。
以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説１明する。
図は本発明による非晶質シリコン太陽電池の製造方法の
一例を説明するだめの非晶質シリコン太陽電池の要部断
面４１．￥成図である。同図において、Ｃｒを含む薄板
状金屑基板として例えばロール巻きされた板厚約１００
μｍ程度のステンレス基板１上に、金属酸化物として例
えば５ｉＯｚを約５０００Ａ程度の厚さにスパッタして
表面が滑らかな５ｉＯｚ膜２ａを形成する。次に表１：
’ｉｉに５ｉ０２Ｊ１１°Ｎ２ａが形成されたステンレ
ス基板１を露点θ℃の水素中で約８５０℃、３０分間加
熱し、ステンレスノー；板１の内部に含有されているＣ
ｒのみを選択的に酸化させ、ステンレス基板１の表面上
にＣｒ熱酸化膜２ｂを形成する。したがって、この場合
、ステンレス基板１上には下層にＣｒ熱酸化膜２１）、
上層にＳ ｉＯｚ＋ｈｓ ２ ａの順に積層形成される
ので、その表面にば５ｉＯｚ膜２ａによる表面が平滑化
されだ絶縁膜２が形成される。次にこの絶縁膜２−ヒに
ステンレスを所定間隔幅でスパッタして膜厚約２０００
Ａ程度の下部電極３ａ１３ｂｔ３Ｃｔ３ｄ１３６をそれ
ぞれ形成し、さらにこれらの各下部上１ｉＥ ３ ａ
＋ ３１） ＋ ３ Ｃ＋３ｄ＋３ｅ上にプラズマＣＶ
Ｄ法により、基板１の温度約２５０℃で非晶質シリコン
るｐ・ｉ、ｎの順にそれぞれ３００Ａ、５０００Ａ、１
００ａの厚さで被着して非晶質シリコン膜４ａ、４ｂ＋
４Ｃ１４ｄ、４ｅを形成する。次にこれらの各非晶質シ
リコン膜４ａ＋４ｂ１４ＣＩ４ｄ１４ｅＪ二には隣接す
る各下部電極３ｂ１３ＣＩ３ｄＴ３ｅ上の一端にまたが
ってＩｎ２０ｓ−８ｎＯｚを約８０ＯＡの厚さにスパッ
タして透光性上部電極５ ａ ＋ ５ ｂ ＋ ５ ｃ
ｒ ５ ｄ ＋ ５ ｅをそれぞれ被着形成する。さ
らにこれらの上部電極５ａ〜５ｅ上にはＳｉＮｘを約２
０００Ａ程度の厚さにスパッタしてパッシベーションと
しての８ｉＮｘ膜６を被着して５個直列接続された非晶
質シリコン太陽電池を完成した。この場合、５個の各非
晶質シリコン太陽電池の相互の接続は、各上部電極５ａ
ｌｓｂ、５Ｃ１５ａ＋５ｅの電極パターンの形成と同時
に形成され、まだ、下部電極３ａの一端部と上部電極５
ｅの一端部には出力電圧取り出し用の端子３ａ’＋５ｅ
’がそれぞれ形成されている。
一例を説明するだめの非晶質シリコン太陽電池の要部断
面４１．￥成図である。同図において、Ｃｒを含む薄板
状金屑基板として例えばロール巻きされた板厚約１００
μｍ程度のステンレス基板１上に、金属酸化物として例
えば５ｉＯｚを約５０００Ａ程度の厚さにスパッタして
表面が滑らかな５ｉＯｚ膜２ａを形成する。次に表１：
’ｉｉに５ｉ０２Ｊ１１°Ｎ２ａが形成されたステンレ
ス基板１を露点θ℃の水素中で約８５０℃、３０分間加
熱し、ステンレスノー；板１の内部に含有されているＣ
ｒのみを選択的に酸化させ、ステンレス基板１の表面上
にＣｒ熱酸化膜２ｂを形成する。したがって、この場合
、ステンレス基板１上には下層にＣｒ熱酸化膜２１）、
上層にＳ ｉＯｚ＋ｈｓ ２ ａの順に積層形成される
ので、その表面にば５ｉＯｚ膜２ａによる表面が平滑化
されだ絶縁膜２が形成される。次にこの絶縁膜２−ヒに
ステンレスを所定間隔幅でスパッタして膜厚約２０００
Ａ程度の下部電極３ａ１３ｂｔ３Ｃｔ３ｄ１３６をそれ
ぞれ形成し、さらにこれらの各下部上１ｉＥ ３ ａ
＋ ３１） ＋ ３ Ｃ＋３ｄ＋３ｅ上にプラズマＣＶ
Ｄ法により、基板１の温度約２５０℃で非晶質シリコン
るｐ・ｉ、ｎの順にそれぞれ３００Ａ、５０００Ａ、１
００ａの厚さで被着して非晶質シリコン膜４ａ、４ｂ＋
４Ｃ１４ｄ、４ｅを形成する。次にこれらの各非晶質シ
リコン膜４ａ＋４ｂ１４ＣＩ４ｄ１４ｅＪ二には隣接す
る各下部電極３ｂ１３ＣＩ３ｄＴ３ｅ上の一端にまたが
ってＩｎ２０ｓ−８ｎＯｚを約８０ＯＡの厚さにスパッ
タして透光性上部電極５ ａ ＋ ５ ｂ ＋ ５ ｃ
ｒ ５ ｄ ＋ ５ ｅをそれぞれ被着形成する。さ
らにこれらの上部電極５ａ〜５ｅ上にはＳｉＮｘを約２
０００Ａ程度の厚さにスパッタしてパッシベーションと
しての８ｉＮｘ膜６を被着して５個直列接続された非晶
質シリコン太陽電池を完成した。この場合、５個の各非
晶質シリコン太陽電池の相互の接続は、各上部電極５ａ
ｌｓｂ、５Ｃ１５ａ＋５ｅの電極パターンの形成と同時
に形成され、まだ、下部電極３ａの一端部と上部電極５
ｅの一端部には出力電圧取り出し用の端子３ａ’＋５ｅ
’がそれぞれ形成されている。
このようにして形成された非晶質シリコン太陽電池は、
光照射下での開放電圧を測定したところ、単一の非晶質
太陽電池で得られる電圧値の約５倍の大きさの電圧値が
得られた。比較として、非晶質シリコン膜とステンレス
基板間の絶縁膜としてＣｒ熱酸化膜のみを用い、それ以
外は全く同一の条件で製作した非晶質シリコン太陽電池
について光照射下の開放電圧を測定したところ、一部の
ものについては単一の非晶質シリコン太陽電池で得られ
る電圧値の約５倍の大きさの電圧値がイ９られたが、一
部のものについてはそれ以下の電圧値しか得られなかっ
た。
光照射下での開放電圧を測定したところ、単一の非晶質
太陽電池で得られる電圧値の約５倍の大きさの電圧値が
得られた。比較として、非晶質シリコン膜とステンレス
基板間の絶縁膜としてＣｒ熱酸化膜のみを用い、それ以
外は全く同一の条件で製作した非晶質シリコン太陽電池
について光照射下の開放電圧を測定したところ、一部の
ものについては単一の非晶質シリコン太陽電池で得られ
る電圧値の約５倍の大きさの電圧値がイ９られたが、一
部のものについてはそれ以下の電圧値しか得られなかっ
た。
なお、前述した実施例においては、Ｃｒを含む金属基板
としてステンレス板を用いた場合について説明したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、例えばｐ ｅ
−Ｎ ｉ −Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｃｒ
合金などを用いても前述と全く同様の効果が得られるこ
とは明らかである。
としてステンレス板を用いた場合について説明したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、例えばｐ ｅ
−Ｎ ｉ −Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｃｒ
合金などを用いても前述と全く同様の効果が得られるこ
とは明らかである。
また、前述した実施例においては、ＨｚＯを含んだＨ２
中で熱処理する前に外部から全屈基板表面に形成する膜
として、スパッタリングによって形成した５ｉ（ｈ膜を
用いた場合について説明し／ζが、本発明はこれに限定
されるものではなく、膜としては、例えばＡＡ！ｚＯｓ
、８ｉＮｘ、Ｃｒなどでも良く、Ｉｒｃ形成方法として
は、例えば蒸着法、プラズマＣＶＤ法などによって形成
した膜を用いても前述と全く同様の効果が得られること
は言うまでもない。
中で熱処理する前に外部から全屈基板表面に形成する膜
として、スパッタリングによって形成した５ｉ（ｈ膜を
用いた場合について説明し／ζが、本発明はこれに限定
されるものではなく、膜としては、例えばＡＡ！ｚＯｓ
、８ｉＮｘ、Ｃｒなどでも良く、Ｉｒｃ形成方法として
は、例えば蒸着法、プラズマＣＶＤ法などによって形成
した膜を用いても前述と全く同様の効果が得られること
は言うまでもない。
以上説明したように本発明によれば、非晶質シリコン太
陽電池を形成する金属基板上にＣｒ酸化膜と金属酸化膜
とからなる絶縁膜を設けたことによって、ピンホールが
全くなく、緻密でしかも平滑な絶縁膜が大面積にわたっ
て均一に形成できるので、信頼性の高い、高品質、高性
能の非晶質シリコン太陽電池が得られるという極めて優
れた効果を有する。
陽電池を形成する金属基板上にＣｒ酸化膜と金属酸化膜
とからなる絶縁膜を設けたことによって、ピンホールが
全くなく、緻密でしかも平滑な絶縁膜が大面積にわたっ
て均一に形成できるので、信頼性の高い、高品質、高性
能の非晶質シリコン太陽電池が得られるという極めて優
れた効果を有する。
図は本発明による非晶質シリコン太陽電池の一例を示す
要部断面構成図である。 １・噛・・ステンレス基板、２ａ・・ｅａｃｒ熱酸化膜
、２ｂ・・・・５ｉ（ｈ膜、２・・・・絶縁層、３ａ〜
３ｅ−φ・・下部電極、３３′・・・置端子、４・・・
争非晶質シリコン膜、５ａ〜５ｅ・中＋１・上部電極、
５ ｅ ／ ・・・・端子、６・・・・ＳｉＮｘ欣。 代理人 弁理士 薄 １）利 幸
要部断面構成図である。 １・噛・・ステンレス基板、２ａ・・ｅａｃｒ熱酸化膜
、２ｂ・・・・５ｉ（ｈ膜、２・・・・絶縁層、３ａ〜
３ｅ−φ・・下部電極、３３′・・・置端子、４・・・
争非晶質シリコン膜、５ａ〜５ｅ・中＋１・上部電極、
５ ｅ ／ ・・・・端子、６・・・・ＳｉＮｘ欣。 代理人 弁理士 薄 １）利 幸
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 Ｃｒを含む金属基板と、前記金属基板上に形成
された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された下部電極と
、前記下部電極上に形成された非晶質シリコン膜と、前
記非晶質シリコン膜上に形成された上部電極とを少なく
とも備えた非晶質シリコン太陽電池において、前記金属
基板上に第１の絶縁膜を形成した後、熱処理して前記金
属基板と前記第１の絶縁膜との間にＣｒ熱酸化膜を形成
することによって前記絶縁層を形成したことを特徴とし
た非晶質シリコン太陽電池の製造方法。 ２ 前記Ｃｒ熱酸化膜はＨ２Ｏを含む水素中で加熱処理
することによって形成することを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の非晶質シリコン太陽電池の製造方法。 ３、 Ｃｒを含む金属基板と、前記金属基板上に形成
された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された下部電極と
、前記下部電極上に形成された非晶質シリコン膜と、前
記非晶質シリコン膜上に形成された上部電極とを少なく
とも備えた非晶質シリコン太陽電池において、前記金属
基板上に熱処理によって第１の絶縁膜となる膜を形成し
た後、熱処理して前記膜を前記第１の絶縁膜にするとと
もに前記金属基板と前記第１の絶縁膜との間にＣｒ熱酸
化膜を形成することによって前記絶縁層を構成すること
を特徴とした非晶質シリコン太陽電池の製造方法。 ４、前記第１の絶縁膜と前記Ｃｒ熱酸化膜は）Ｉ２０を
含む水素中で加熱することによって形成することを特徴
とする特許請求の範囲第３項記載の非晶質シリコン太陽
電池の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57159615A JPS5950571A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | 非晶質シリコン太陽電池の製造方法 |
| EP83107887A EP0103168A3 (en) | 1982-09-10 | 1983-08-10 | Amorphous silicon solar battery |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57159615A JPS5950571A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | 非晶質シリコン太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5950571A true JPS5950571A (ja) | 1984-03-23 |
Family
ID=15697578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57159615A Pending JPS5950571A (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-16 | 非晶質シリコン太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5950571A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS614446U (ja) * | 1984-06-13 | 1986-01-11 | 株式会社 半導体エネルギ−研究所 | 薄膜太陽電池 |
| JPS62189337U (ja) * | 1986-05-24 | 1987-12-02 | ||
| JP2805394B2 (ja) * | 1990-05-07 | 1998-09-30 | キヤノン株式会社 | 太陽電池 |
-
1982
- 1982-09-16 JP JP57159615A patent/JPS5950571A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS614446U (ja) * | 1984-06-13 | 1986-01-11 | 株式会社 半導体エネルギ−研究所 | 薄膜太陽電池 |
| JPS62189337U (ja) * | 1986-05-24 | 1987-12-02 | ||
| JP2805394B2 (ja) * | 1990-05-07 | 1998-09-30 | キヤノン株式会社 | 太陽電池 |
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