JPS595129A - イソブチレン中に於けるブテン−１のブテン−２への異性化 - Google Patents
イソブチレン中に於けるブテン−１のブテン−２への異性化Info
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- JPS595129A JPS595129A JP58102510A JP10251083A JPS595129A JP S595129 A JPS595129 A JP S595129A JP 58102510 A JP58102510 A JP 58102510A JP 10251083 A JP10251083 A JP 10251083A JP S595129 A JPS595129 A JP S595129A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C7/00—Purification; Separation; Use of additives
- C07C7/005—Processes comprising at least two steps in series
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C5/00—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing the same number of carbon atoms
- C07C5/22—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing the same number of carbon atoms by isomerisation
- C07C5/23—Rearrangement of carbon-to-carbon unsaturated bonds
- C07C5/25—Migration of carbon-to-carbon double bonds
- C07C5/2506—Catalytic processes
- C07C5/2556—Catalytic processes with metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C7/00—Purification; Separation; Use of additives
- C07C7/148—Purification; Separation; Use of additives by treatment giving rise to a chemical modification of at least one compound
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、！テンー１とブテン−２とインブチレンとを
含む混合物中に於ける！テンー１のブテン−２への転化
方法に関する。特に、但しもつばらそうではないが、本
発明は、汚染されてはいるが実質的に純粋なイソブチレ
ンのブテン−１含量を、蒸留による混合物からの！テン
ー２の除去がブチルゴムの動車のよい製造に使用するた
めの十分に純粋なインブチレン供給物を残すようなレベ
ルに減少させかつ非常に増加したイソブタン含量によっ
て商業的な価値を実質的に減じることがないかかる方法
に関する。
含む混合物中に於ける！テンー１のブテン−２への転化
方法に関する。特に、但しもつばらそうではないが、本
発明は、汚染されてはいるが実質的に純粋なイソブチレ
ンのブテン−１含量を、蒸留による混合物からの！テン
ー２の除去がブチルゴムの動車のよい製造に使用するた
めの十分に純粋なインブチレン供給物を残すようなレベ
ルに減少させかつ非常に増加したイソブタン含量によっ
て商業的な価値を実質的に減じることがないかかる方法
に関する。
プチルコ０ムの製造に通常用いられるインブチレンは、
一般に、Ｃａ 炭化水素混合物、例えばＣ４スチーム
クラッキングナフサまたは軽油留分から得られる。かか
る混合物は、通常、（所望なインブチレンに加えて）ｎ
−ブテン類、アセチレン類およびブタジェンを含む。通
常、比較的純粋なインブチレン流は、混合物をハイドロ
ファイニングしてアセチレン類およびジエン類を除去し
た後、酸抽出操作を行うことによって製造される。この
場合、粗製生成物を硫酸と反応させて粗＆！ｔ＠ｒｔ−
ブチルアルコール（Ｔ日＾）とｎ−ブテン類との混合物
を得、この混合物から粗ＭＴＥＩＡを容易に分離するこ
とができ、ＴＢＡと酸との実質的に炭化水素を含まない
混合物を得る。この生成物を、次に水蒸気再生塔中へ送
って、硫酸とインブチレンとの混合物（容易に分離する
ことができる）を得る。かくして得られた不純なインブ
チレンは、少量のＴＢＡ、Ｓ Ｂ Ａ （５ｅａ−ブチ
ルアルコール）、ブテン−１、ブテン−２ならびにＣ４
ダイマーおよびトリマーを含む。ＴＢＡおよびＳＢＡは
凝縮および洗浄によって除去され、かくして少量のブテ
ン−１と幾らかのブテン−２とで汚染されたり不純なＩ
インブチレンが残る。ブテン−１のインブチレンからの
蒸留による除去は、再化合物の沸点が０．３℃以内にあ
るのでほとんど不８Ｔ能であシ、そこで、通常、ブテン
−１を、ずっと容易にインブチレンから分離することが
できるブテン−２へ転化させる。かくして、ブテン−１
の標準沸点は約−６，７℃であり、インブチレンの標準
沸点は約−６，８℃であるが、シス−およびトランス−
ブテン−２の標準沸点は、それぞれ３．７℃および０゜
９℃である。
一般に、Ｃａ 炭化水素混合物、例えばＣ４スチーム
クラッキングナフサまたは軽油留分から得られる。かか
る混合物は、通常、（所望なインブチレンに加えて）ｎ
−ブテン類、アセチレン類およびブタジェンを含む。通
常、比較的純粋なインブチレン流は、混合物をハイドロ
ファイニングしてアセチレン類およびジエン類を除去し
た後、酸抽出操作を行うことによって製造される。この
場合、粗製生成物を硫酸と反応させて粗＆！ｔ＠ｒｔ−
ブチルアルコール（Ｔ日＾）とｎ−ブテン類との混合物
を得、この混合物から粗ＭＴＥＩＡを容易に分離するこ
とができ、ＴＢＡと酸との実質的に炭化水素を含まない
混合物を得る。この生成物を、次に水蒸気再生塔中へ送
って、硫酸とインブチレンとの混合物（容易に分離する
ことができる）を得る。かくして得られた不純なインブ
チレンは、少量のＴＢＡ、Ｓ Ｂ Ａ （５ｅａ−ブチ
ルアルコール）、ブテン−１、ブテン−２ならびにＣ４
ダイマーおよびトリマーを含む。ＴＢＡおよびＳＢＡは
凝縮および洗浄によって除去され、かくして少量のブテ
ン−１と幾らかのブテン−２とで汚染されたり不純なＩ
インブチレンが残る。ブテン−１のインブチレンからの
蒸留による除去は、再化合物の沸点が０．３℃以内にあ
るのでほとんど不８Ｔ能であシ、そこで、通常、ブテン
−１を、ずっと容易にインブチレンから分離することが
できるブテン−２へ転化させる。かくして、ブテン−１
の標準沸点は約−６，７℃であり、インブチレンの標準
沸点は約−６，８℃であるが、シス−およびトランス−
ブテン−２の標準沸点は、それぞれ３．７℃および０゜
９℃である。
僅かに不純なすなわち僅かに汚染されたインブチレン供
給物のブテン−１含量を、酸抽出および接触精１ｉ！
（ｃａｔａｌｙｔｌｃ ｐｕｒｌｆｌｃａｔｌｏｎ ）
のような公知技術によって得られうる比較的少量、
例えば、ｏ、ｏｓ〜ｏ、ｓ重量優、特Ｋ Ｏ，０６〜０
．１０重量％から、インブチレンのその後の処理を実質
的に妨害しないずっと低い（最低）値へ減少することが
できれば商業的に有利である。典型的には、上に挙げた
酸抽出Ｉ精製Ｉ法の生成物は０．３重量％までのブタン
−１を含み、その後の処理を効率よく行うために社、仁
の含量をさらに減少させる必要がある。同時に、生成物
の価値を低下させるブタン類、特にイソブタンの生成を
制限することが望ましい。
給物のブテン−１含量を、酸抽出および接触精１ｉ！
（ｃａｔａｌｙｔｌｃ ｐｕｒｌｆｌｃａｔｌｏｎ ）
のような公知技術によって得られうる比較的少量、
例えば、ｏ、ｏｓ〜ｏ、ｓ重量優、特Ｋ Ｏ，０６〜０
．１０重量％から、インブチレンのその後の処理を実質
的に妨害しないずっと低い（最低）値へ減少することが
できれば商業的に有利である。典型的には、上に挙げた
酸抽出Ｉ精製Ｉ法の生成物は０．３重量％までのブタン
−１を含み、その後の処理を効率よく行うために社、仁
の含量をさらに減少させる必要がある。同時に、生成物
の価値を低下させるブタン類、特にイソブタンの生成を
制限することが望ましい。
粗製Ｃ４留分供給原料のブタン−１含量を減少させるた
めの精製は、幾つかの既発表報文および特許の主題を形
成している。しかし、これらの大部分は、本発明によっ
て処理される単に＃汚染されたＩ供給原料の出発点含量
である少量の範晴への供給物中のブテン−１含量の減少
に関するものである。しかも、本発明によってブテン−
１含量を最低にするために非常に有効であることが発見
された・母ラメーターと触媒との特殊な組み合わせは、
どこにも開示されても教示されてもいない。
めの精製は、幾つかの既発表報文および特許の主題を形
成している。しかし、これらの大部分は、本発明によっ
て処理される単に＃汚染されたＩ供給原料の出発点含量
である少量の範晴への供給物中のブテン−１含量の減少
に関するものである。しかも、本発明によってブテン−
１含量を最低にするために非常に有効であることが発見
された・母ラメーターと触媒との特殊な組み合わせは、
どこにも開示されても教示されてもいない。
エリーザー（Ｅｌｅａｚｏｒ ）ら〔ハイドロカーダン
プロセシング（Ｈｙｄｒｏｃａｒｂｏｎ Ｐｒｏｃｅｓ
ｓｌｎｇ１１９７９年５月、１１２−１１８頁）によれ
ば、石油化学用または自動車ガソリンアルキル化用ブタ
ン流は、同時水素添加（ｆタジエン含量を減少させるた
め）および異性化（ブタン−１のブテン−２への）によ
って品位向上させることができる。この方法は、液相固
定床反応塔配置と共に貴金属触媒および水素を用いる。
プロセシング（Ｈｙｄｒｏｃａｒｂｏｎ Ｐｒｏｃｅｓ
ｓｌｎｇ１１９７９年５月、１１２−１１８頁）によれ
ば、石油化学用または自動車ガソリンアルキル化用ブタ
ン流は、同時水素添加（ｆタジエン含量を減少させるた
め）および異性化（ブタン−１のブテン−２への）によ
って品位向上させることができる。この方法は、液相固
定床反応塔配置と共に貴金属触媒および水素を用いる。
空間速度、温度、圧力の重要性は認められているが、こ
の方法社、液相操作に限定されており、多量ブテン−１
を含む供給物を用いる。
の方法社、液相操作に限定されており、多量ブテン−１
を含む供給物を用いる。
米国特許第４．２６０．３４０号〔エクソン（Ｅｘｘｏ
ｎ ） ）は、Ｃ４流の精製に関するものであるが、こ
の場合、必要条件は、！テンー１のブテン−２への異性
化なしに、かつブテン類のブタンへの水素添加なしに、
少なくとも３０チのブタン−１を含む流中のブタジェン
を選択的に水素添加することである。この場合、この発
明の目的は、水素およびノ中ラジウム触媒を用い、但し
炭化水素を気−液混合相中に保持するため釦十分な高温
および高圧条件下で達成される。
ｎ ） ）は、Ｃ４流の精製に関するものであるが、こ
の場合、必要条件は、！テンー１のブテン−２への異性
化なしに、かつブテン類のブタンへの水素添加なしに、
少なくとも３０チのブタン−１を含む流中のブタジェン
を選択的に水素添加することである。この場合、この発
明の目的は、水素およびノ中ラジウム触媒を用い、但し
炭化水素を気−液混合相中に保持するため釦十分な高温
および高圧条件下で達成される。
英国特許第１．４５５，４９３号（ｕｏｐ ）は、ブタ
ン−１のブテン−２への異性化に関するものであり、イ
ンブチレンの存在下に於てかかる異性化を行うための触
媒を開示している。用いられる触媒は、担体上に担持さ
れた硫化ニッケルであり、担体上で元素状ニッケルまた
は酸化ニッケルを生成させ、硫化し、そして硫化触媒を
水素でストリッピングして硫黄含量を規定量に減少させ
ること町よって製造される。かかる触媒と水素を用いる
異性化は、好ましくは、気相中で、好ましくは７５−１
６０℃の高温で行われ、かつ比較的多量のブテン−１を
含む供給物に対して行われる。特に例示されている供給
物は、５５−６０モル慢のグロノ４ンを含み、残シは２
：１のブテン−１＝イソブチレン容量比、例えば６５−
６８モル俤ブテンー１：３２−３５モルチイソプチレン
のオレフィンである。触媒として元素状ニッケルを用い
る比較実施例は、１１０℃、１３０℃、１４０℃の温度
に於て、かかる触媒が不安定でかつ低活性であることを
示すと記載している。かかる元素状触媒が、ある特別に
規定された気相条件下で、Ｉ汚染されたｌイソブチレン
供給物中に於て、少量のブテン−１を最低量に転化させ
る働きが、あり得ることは示唆されていない。
ン−１のブテン−２への異性化に関するものであり、イ
ンブチレンの存在下に於てかかる異性化を行うための触
媒を開示している。用いられる触媒は、担体上に担持さ
れた硫化ニッケルであり、担体上で元素状ニッケルまた
は酸化ニッケルを生成させ、硫化し、そして硫化触媒を
水素でストリッピングして硫黄含量を規定量に減少させ
ること町よって製造される。かかる触媒と水素を用いる
異性化は、好ましくは、気相中で、好ましくは７５−１
６０℃の高温で行われ、かつ比較的多量のブテン−１を
含む供給物に対して行われる。特に例示されている供給
物は、５５−６０モル慢のグロノ４ンを含み、残シは２
：１のブテン−１＝イソブチレン容量比、例えば６５−
６８モル俤ブテンー１：３２−３５モルチイソプチレン
のオレフィンである。触媒として元素状ニッケルを用い
る比較実施例は、１１０℃、１３０℃、１４０℃の温度
に於て、かかる触媒が不安定でかつ低活性であることを
示すと記載している。かかる元素状触媒が、ある特別に
規定された気相条件下で、Ｉ汚染されたｌイソブチレン
供給物中に於て、少量のブテン−１を最低量に転化させ
る働きが、あり得ることは示唆されていない。
英国特許第１，１１０，８２６号（Ｂｐ）は、インブチ
レンと随意に水素との存在下に於て、担体上に担持され
かつ一部分が所定の程度に硫化されている元素状ニッケ
ルを含む触媒を用いるブテン−１のブテン−２への異性
化を教示している。
レンと随意に水素との存在下に於て、担体上に担持され
かつ一部分が所定の程度に硫化されている元素状ニッケ
ルを含む触媒を用いるブテン−１のブテン−２への異性
化を教示している。
仁の転化は、広い温度（０−３００℃、好ましくは５０
−１５０℃）および圧力範囲にわたって、液相または気
相または混合相条件下で行うことができる。本発明と比
較して異なる触媒系を使用することおよびプロセス条件
があまシよぐ規定されていないことは別にして、この特
許は、既に実質的に純粋なインブチレン供給物中の少量
のブテン−１を最低量へ転化することに関するものでは
ない。かくして、その例中に於て、供給物は、２２．５
重量％（全量に対して）、あるいは全ブテン類含景に対
して２６．５重量％のブテン−１を含有しており、該異
性化方法が、これらの値をそれぞれ４．０重量％および
４．５重量％に減少させる＠ 米国特許第５．７５８．６０４号［エツゾ（Ｅｓ５ｏ
） ］ は、］ブテンーをも含む混合物から、３チよ
り低く０．１％までまたはそれ以下のブタンールベルを
有するイソブチレンを得る目的で、インブチレンを除去
するための多段階異性化精留方法を教示している。第１
異性化段階は、混合物を多くとも３重量’Ｉ ｎ −Ｃ
４オレフィンを含むインブチレンへ転化し、精留後、第
２異性化段階はブテン−１含ｔｔ＝１重量％未満に減少
させる。異性化は、気相または液相のいずれかで、比較
的低ｙＭ （−５０〜＋ｉｏｏ’ｃ）で行われる。例示
されている触媒は、シリカ上に担持されかつトリイソグ
チルアルミニウムで還元されたコバルト（■）アセチル
アセトナトおよびアルミナ上に担持されたナトリウムで
あり、最低！テンー１含駄洪給物（第１異性化段階後の
精留の生成物として）を用いる第２異性化段階に於て、
５８℃の温度を用いて全０４ オレフィンに対して０
．０６４重−址慢（インブチレン含量に対して０．０９
■緻チ）の！テンー１を含む生成物を得る。従って、こ
の方法の生成物は、本発明のり汚染された？出発供給物
流に相当するものであシ、また、異性化方法に於ける水
素の使用を示唆していない。
−１５０℃）および圧力範囲にわたって、液相または気
相または混合相条件下で行うことができる。本発明と比
較して異なる触媒系を使用することおよびプロセス条件
があまシよぐ規定されていないことは別にして、この特
許は、既に実質的に純粋なインブチレン供給物中の少量
のブテン−１を最低量へ転化することに関するものでは
ない。かくして、その例中に於て、供給物は、２２．５
重量％（全量に対して）、あるいは全ブテン類含景に対
して２６．５重量％のブテン−１を含有しており、該異
性化方法が、これらの値をそれぞれ４．０重量％および
４．５重量％に減少させる＠ 米国特許第５．７５８．６０４号［エツゾ（Ｅｓ５ｏ
） ］ は、］ブテンーをも含む混合物から、３チよ
り低く０．１％までまたはそれ以下のブタンールベルを
有するイソブチレンを得る目的で、インブチレンを除去
するための多段階異性化精留方法を教示している。第１
異性化段階は、混合物を多くとも３重量’Ｉ ｎ −Ｃ
４オレフィンを含むインブチレンへ転化し、精留後、第
２異性化段階はブテン−１含ｔｔ＝１重量％未満に減少
させる。異性化は、気相または液相のいずれかで、比較
的低ｙＭ （−５０〜＋ｉｏｏ’ｃ）で行われる。例示
されている触媒は、シリカ上に担持されかつトリイソグ
チルアルミニウムで還元されたコバルト（■）アセチル
アセトナトおよびアルミナ上に担持されたナトリウムで
あり、最低！テンー１含駄洪給物（第１異性化段階後の
精留の生成物として）を用いる第２異性化段階に於て、
５８℃の温度を用いて全０４ オレフィンに対して０
．０６４重−址慢（インブチレン含量に対して０．０９
■緻チ）の！テンー１を含む生成物を得る。従って、こ
の方法の生成物は、本発明のり汚染された？出発供給物
流に相当するものであシ、また、異性化方法に於ける水
素の使用を示唆していない。
英国特許第１．５９５．５２６号（ｕｏｐ）は、インオ
レフィンとオレフィンとの混合物、特にイソブチレンと
ｎ−ブテンとの混合物から、精留によって１−ブテンを
含むインブチレンに富む流を得、次に１−ブテンを異性
化して１−ブテン含量を転化させ、この異性化された流
の一部分′を還流として精留段階へ戻し、一部分をｌ精
製Ｉイソブチレンとして取り出す、イソオレフィンとオ
レフィンとの混合物からのインオレフィンとオレフィン
の分離を教示している。亜硫化ニッケル（ｎ１ｃｋｅｌ
５ｕｂｓｕｌｐｈｌｄｅ ） を触媒として用い、
流中に随意に水素が存在しており、その例示を検査する
と、この特許が、本発明の’ｆｆ１ｌＪ’出発物質であ
る、実質的に純粋ではあるが汚染享れたインブチレン流
をその最終生成物として製造することに関することがわ
かる。かくして、例示されている生成物は、全０４
オレフィンに対して０．７４チの、そしてインブチレン
に対して０．８０％の！テンー１を含む・ 英国特許第１．３５０゜２８５号（ｅｐ）は、貴金属触
媒を用いる炭化水素供給物からのブテン−１の除去を教
示している。異性化は、液相または気相中で、水素の存
在下に於て、但し０〜−７０℃の極めて低い温度で起こ
ると記載されている。
レフィンとオレフィンとの混合物、特にイソブチレンと
ｎ−ブテンとの混合物から、精留によって１−ブテンを
含むインブチレンに富む流を得、次に１−ブテンを異性
化して１−ブテン含量を転化させ、この異性化された流
の一部分′を還流として精留段階へ戻し、一部分をｌ精
製Ｉイソブチレンとして取り出す、イソオレフィンとオ
レフィンとの混合物からのインオレフィンとオレフィン
の分離を教示している。亜硫化ニッケル（ｎ１ｃｋｅｌ
５ｕｂｓｕｌｐｈｌｄｅ ） を触媒として用い、
流中に随意に水素が存在しており、その例示を検査する
と、この特許が、本発明の’ｆｆ１ｌＪ’出発物質であ
る、実質的に純粋ではあるが汚染享れたインブチレン流
をその最終生成物として製造することに関することがわ
かる。かくして、例示されている生成物は、全０４
オレフィンに対して０．７４チの、そしてインブチレン
に対して０．８０％の！テンー１を含む・ 英国特許第１．３５０゜２８５号（ｅｐ）は、貴金属触
媒を用いる炭化水素供給物からのブテン−１の除去を教
示している。異性化は、液相または気相中で、水素の存
在下に於て、但し０〜−７０℃の極めて低い温度で起こ
ると記載されている。
この場合も、その例示を検査すると、この先行技術の特
許の生成物流は、本発明の出発供給物に対応するブテン
−１含ｔ’を有することがわかる。
許の生成物流は、本発明の出発供給物に対応するブテン
−１含ｔ’を有することがわかる。
本発明によれば、所望でない少量のｎ−ブテン＝１を含
むインブチレン供給物を処理して、該所望でない少量の
ｎ−ブテン−１をｎ−ブテン−２へ、少なくとも６５ｑ
６の転化率および０．３１よシ多くない水素添加で転化
させる処理方法であって、インブチレン供給物と水素と
を、気相中に於て、３〜５バールｒ−ジ圧の圧力と４０
〜５０℃の温度と操作温度および圧力に於て１５０〜３
００ｖａｔ ／ ｖｏＬ ７時の空間速度と１１〜１．
５メ一トルトン／ｍ２／時の質量速度と操作温度および
圧力に於て２．５チよシ多くない水素／イソブチレン供
給物容量比とによって規定される異性化条件下で、■族
金属を含む触媒上へ送ることを含む処理方法が提供され
る。
むインブチレン供給物を処理して、該所望でない少量の
ｎ−ブテン−１をｎ−ブテン−２へ、少なくとも６５ｑ
６の転化率および０．３１よシ多くない水素添加で転化
させる処理方法であって、インブチレン供給物と水素と
を、気相中に於て、３〜５バールｒ−ジ圧の圧力と４０
〜５０℃の温度と操作温度および圧力に於て１５０〜３
００ｖａｔ ／ ｖｏＬ ７時の空間速度と１１〜１．
５メ一トルトン／ｍ２／時の質量速度と操作温度および
圧力に於て２．５チよシ多くない水素／イソブチレン供
給物容量比とによって規定される異性化条件下で、■族
金属を含む触媒上へ送ることを含む処理方法が提供され
る。
前述したように、インブチレン供給物は、例えば０．０
５〜０．５＊＊％、例えば０．３７１４４１まで、特［
０，０６〜０．１０重量％、例えば約０．１５重ｉ１％
のｎ−ｉテン−１を含むことができる。好ましくは、供
給物は、Ｃ４含量に対して９８または９９重量慢以上の
イソブチレンを含む。
５〜０．５＊＊％、例えば０．３７１４４１まで、特［
０，０６〜０．１０重量％、例えば約０．１５重ｉ１％
のｎ−ｉテン−１を含むことができる。好ましくは、供
給物は、Ｃ４含量に対して９８または９９重量慢以上の
イソブチレンを含む。
これは、粗製Ｃ４留分供給原料の酸抽出または直接液相
ハイドロアイソメリゼーション（ｈｙｄｒｏ−１ｓｏｍ
ｅｒｌｓａｔｌｏｎ ）後に得られる生成物であること
ができる。本発明の方法の使用により、かかる供給原料
の少量のブテン−１を約０．０１〜０．００２重量−の
最低量に減少させうろことが発見された。
ハイドロアイソメリゼーション（ｈｙｄｒｏ−１ｓｏｍ
ｅｒｌｓａｔｌｏｎ ）後に得られる生成物であること
ができる。本発明の方法の使用により、かかる供給原料
の少量のブテン−１を約０．０１〜０．００２重量−の
最低量に減少させうろことが発見された。
本発明によれば、他の公知の方法とは対照的に、気相で
異性化が行われる。さもなければ触媒の破損が検知され
た。転化が起こる圧力、すなわち３〜５バールｒ−ジ圧
、好ましくは３．５〜４．５バールゲージ圧、より好ま
しくは約４バールゲージ圧を、他の規定された方法／４
’ラメ−ターと共に用いるとき、主としてトランス−ブ
テン−２への良好な転化率（少なくとも６５チ、典型的
には７５〜８５チ）を与え、低い（０，３慢以下、典型
的には０．０８〜０．１５１）水素添加を与えることが
わかった・ この範囲外では、一般に不良な転化率しか得られず、イ
ンブチレンのイソブタンへの窒ましくなく高い水素添加
を生じる０■能性もあり、供給物の価値を著しく減じる
。
異性化が行われる。さもなければ触媒の破損が検知され
た。転化が起こる圧力、すなわち３〜５バールｒ−ジ圧
、好ましくは３．５〜４．５バールゲージ圧、より好ま
しくは約４バールゲージ圧を、他の規定された方法／４
’ラメ−ターと共に用いるとき、主としてトランス−ブ
テン−２への良好な転化率（少なくとも６５チ、典型的
には７５〜８５チ）を与え、低い（０，３慢以下、典型
的には０．０８〜０．１５１）水素添加を与えることが
わかった・ この範囲外では、一般に不良な転化率しか得られず、イ
ンブチレンのイソブタンへの窒ましくなく高い水素添加
を生じる０■能性もあり、供給物の価値を著しく減じる
。
指定範囲内の温度、好ましくは４２〜４８Ｃ１よシ好ま
しくは約４５℃を、やはシ他の規定された・臂ラメータ
ーと共に用いるとき、一般に、供給物のその後の処理の
ために商業的に受容できる６５憾以上の転化率を与える
ことがわかった。この範囲を越える温度、例えば５５℃
は、商業的に受容されない僅か６０憾の転化率および幾
分高い水素添加の領域を与えることがわかった。このこ
とは、約８０℃の温度で操作され、それよシ低温ではそ
の特別な方法で触媒寿命を短くしてしまうと思われてい
る公知の液相転化とは対照的である。
しくは約４５℃を、やはシ他の規定された・臂ラメータ
ーと共に用いるとき、一般に、供給物のその後の処理の
ために商業的に受容できる６５憾以上の転化率を与える
ことがわかった。この範囲を越える温度、例えば５５℃
は、商業的に受容されない僅か６０憾の転化率および幾
分高い水素添加の領域を与えることがわかった。このこ
とは、約８０℃の温度で操作され、それよシ低温ではそ
の特別な方法で触媒寿命を短くしてしまうと思われてい
る公知の液相転化とは対照的である。
本発明の空間速度ノ９ラメ−ターは、操作ｔ１度および
圧力に於ける、触媒の単位容量当たりの毎時の供給物流
容量である。指定範囲内で、２００〜２６０の好ましい
範囲、特に約２４０の咳が、本発明の範囲内で良好な結
果を与えることがわかった。
圧力に於ける、触媒の単位容量当たりの毎時の供給物流
容量である。指定範囲内で、２００〜２６０の好ましい
範囲、特に約２４０の咳が、本発明の範囲内で良好な結
果を与えることがわかった。
反応塔の横断面Ｍ １ ｍ２ 当たシ毎時メートルト
ンの単位で定義される系の質量速度は１．１〜１．５で
ある。系の好ましい操作範囲は、１．２〜１．４、特罠
約１．３である。
ンの単位で定義される系の質量速度は１．１〜１．５で
ある。系の好ましい操作範囲は、１．２〜１．４、特罠
約１．３である。
ブテン−１の！テンー２への良好な転化を得るために、
限定された水素供給が触媒促進剤として所要である。し
かし、過剰の水素が存在するとイソブチレンのイソブタ
ンへの水素添加を生じるので、過剰水素が存在しないこ
とが重要である。本発明によれば、最高水素／イソブチ
レン供給物事は２．５容量チであり、すなわち異性化条
件下に於ける水素対汚染インブチレン供給物の最高容量
比は０．０２５（１１である。この比は、好ましくは０
．５〜１．５容量チである。これらの条件下では、比較
的高温および高圧方法で典型的に見いだされる３憾の値
と比べて、イソブチレン水素添加を０．３係以下に制限
することができることがわかった。
限定された水素供給が触媒促進剤として所要である。し
かし、過剰の水素が存在するとイソブチレンのイソブタ
ンへの水素添加を生じるので、過剰水素が存在しないこ
とが重要である。本発明によれば、最高水素／イソブチ
レン供給物事は２．５容量チであり、すなわち異性化条
件下に於ける水素対汚染インブチレン供給物の最高容量
比は０．０２５（１１である。この比は、好ましくは０
．５〜１．５容量チである。これらの条件下では、比較
的高温および高圧方法で典型的に見いだされる３憾の値
と比べて、イソブチレン水素添加を０．３係以下に制限
することができることがわかった。
本発明で用いられる触媒系は、元素周期表の■族の金属
、好ましくは・臂ラジウムまたはロジウムを含む。好ま
しい実施の態様に於て、触媒系は、アルミナのような不
活性担体上に担持された金属触媒を含む。触媒系は、担
体上に担持されたｏ、ｏｏｓ〜１１口重量係、好ましく
は約０．０１〜０．１重量憾の■族金属を含むことがで
きる。
、好ましくは・臂ラジウムまたはロジウムを含む。好ま
しい実施の態様に於て、触媒系は、アルミナのような不
活性担体上に担持された金属触媒を含む。触媒系は、担
体上に担持されたｏ、ｏｏｓ〜１１口重量係、好ましく
は約０．０１〜０．１重量憾の■族金属を含むことがで
きる。
特に好ましい実施の態様に於て、触媒系は、■族金属に
加えて、クロムのようなＭＡ族金属を含む。
加えて、クロムのようなＭＡ族金属を含む。
上記周期表とは、例えば、コツトンおよびウイルキンン
゛％Ｃｏｔｔｏｎ ａｎｄ Ｗｌｌｋｌｎｓｏｎ ）
著Ｉアドバンストーイノーガニツクφケミストリー（
Ａｄｖａｎｃｅｄｌｎｏｒｇａｎｌｃ Ｃｈｅｍｌｓｔ
ｒｙ ） ’第２版（１９６６）インターサイエｙ ス
（Ｉｎｔｅｒｓｃｌｅｎｃｅ ） 社中に記載されて
いる。
゛％Ｃｏｔｔｏｎ ａｎｄ Ｗｌｌｋｌｎｓｏｎ ）
著Ｉアドバンストーイノーガニツクφケミストリー（
Ａｄｖａｎｃｅｄｌｎｏｒｇａｎｌｃ Ｃｈｅｍｌｓｔ
ｒｙ ） ’第２版（１９６６）インターサイエｙ ス
（Ｉｎｔｅｒｓｃｌｅｎｃｅ ） 社中に記載されて
いる。
本発明で使用するために適当であることがわかった市販
触媒は、米国ケンタラキー州ルイスビル市のガードラー
〇コーポレーション（Ｇｌｒ引＠ｒＣｏｒｐｒａｔｌｏ
ｎ ） Ｉｌｉ造の触媒Ｇ５５Ｂである。これａ、３Ｘ
６メツシユの球形のノやラジウム担持アルミナ触媒であ
る。化学組成（重量％）は、Ｐｄ ｍ０．０３、Ｃｒｍ
０．０５、ＡＡ２０３＝９９． ７で、少ｔの１台およ
びＮｌを含む。メーカーのデータシートによるこの触媒
の物理的性質は、嵩密度＝０．７２０±０ 、０’ ４
８ ｔ／１ｙｎ５ （４５±３ ｔｂｓ／ｙｔ３）、表
面積＝１５０〜２ＧＯｍ２／ｆ、 細孔容積＝ ０−
５５〜０−４５台ｍ！ｉ／ ｆである。
触媒は、米国ケンタラキー州ルイスビル市のガードラー
〇コーポレーション（Ｇｌｒ引＠ｒＣｏｒｐｒａｔｌｏ
ｎ ） Ｉｌｉ造の触媒Ｇ５５Ｂである。これａ、３Ｘ
６メツシユの球形のノやラジウム担持アルミナ触媒であ
る。化学組成（重量％）は、Ｐｄ ｍ０．０３、Ｃｒｍ
０．０５、ＡＡ２０３＝９９． ７で、少ｔの１台およ
びＮｌを含む。メーカーのデータシートによるこの触媒
の物理的性質は、嵩密度＝０．７２０±０ 、０’ ４
８ ｔ／１ｙｎ５ （４５±３ ｔｂｓ／ｙｔ３）、表
面積＝１５０〜２ＧＯｍ２／ｆ、 細孔容積＝ ０−
５５〜０−４５台ｍ！ｉ／ ｆである。
本発明の方法に使用するために適当なもう１つの市販触
媒は、ツードリー（Ｈｏｕｄｒｙ ） 触媒Ｈ１４２
４−００５であシ、この触媒は４８６１１１１１の押出
物の形のツヤラジウム相持アルミナであり、化学組成（
重量係）は、Ｐｄ＝０．０５、Ａｔ２０３＝９６．０、
Ｎａ２Ｏ＝ ０ 、４で、他の少鰍成分を含む。
媒は、ツードリー（Ｈｏｕｄｒｙ ） 触媒Ｈ１４２
４−００５であシ、この触媒は４８６１１１１１の押出
物の形のツヤラジウム相持アルミナであり、化学組成（
重量係）は、Ｐｄ＝０．０５、Ａｔ２０３＝９６．０、
Ｎａ２Ｏ＝ ０ 、４で、他の少鰍成分を含む。
この触媒の物理的性質は、嵩密度＝ ０ 、８ Ｐ／ｃ
、−ｍｓ、表面積＝ ８０ ｍ２／ Ｐ、細孔容積＝０
．５傭３／？である。
、−ｍｓ、表面積＝ ８０ ｍ２／ Ｐ、細孔容積＝０
．５傭３／？である。
特罠好ましい実施の態様に於て、本発明の方法は、０．
０６〜０．１０俤の！テンー１を含むイソブチレンと水
素とを、気相中で、３．５〜４．５パールｒ−ジ圧、好
ましくは約４バールｒ−ジ圧の圧力と４２〜４８℃、好
ましくは約４５℃の温度と２００〜２６０、好ましくは
約２４０ｖｏｔ／ｖａｔ−７時の空間速度と１．２〜１
．４、好ましくは約１．６メ一ドルトン／ｍ２／時の質
量速度と２．５０容量チ以下、好ましくは０．５．〜１
．５容量チの水素／供給物化とによって規定される異性
化条件下で、パラジウム担持アルミナあるいはパラジウ
ム／クロム相持アルミナを含む触媒上へ送って、ブテン
−１の少なくとも６５憾、好ましく杜７５〜８５９！ｉ
をブテン−２へ転化させかつイソブチレンのイソブタン
への水素添加が０．５ｑ６以下、好ましくは０．０８〜
０．．１５１である工程を含む。
０６〜０．１０俤の！テンー１を含むイソブチレンと水
素とを、気相中で、３．５〜４．５パールｒ−ジ圧、好
ましくは約４バールｒ−ジ圧の圧力と４２〜４８℃、好
ましくは約４５℃の温度と２００〜２６０、好ましくは
約２４０ｖｏｔ／ｖａｔ−７時の空間速度と１．２〜１
．４、好ましくは約１．６メ一ドルトン／ｍ２／時の質
量速度と２．５０容量チ以下、好ましくは０．５．〜１
．５容量チの水素／供給物化とによって規定される異性
化条件下で、パラジウム担持アルミナあるいはパラジウ
ム／クロム相持アルミナを含む触媒上へ送って、ブテン
−１の少なくとも６５憾、好ましく杜７５〜８５９！ｉ
をブテン−２へ転化させかつイソブチレンのイソブタン
への水素添加が０．５ｑ６以下、好ましくは０．０８〜
０．．１５１である工程を含む。
この実施の態様に於ける上記触媒の使用によって、所要
な転化を行うことができ、かつ今までに得られた転化率
の極値は、ガードラ−（Ｇｌｒｄｌｓｒ）触媒の使用で
はブテン−１の主としてトランス−ブテン−２への転化
率が８３チで、イソブチレンの水素添加が０．１５％で
あり、ツードリー（ＨｏｕｄｒＶ）触媒の使用では転化
率が６７チで、水素添加が０．ＯＥＩであることがわか
った。
な転化を行うことができ、かつ今までに得られた転化率
の極値は、ガードラ−（Ｇｌｒｄｌｓｒ）触媒の使用で
はブテン−１の主としてトランス−ブテン−２への転化
率が８３チで、イソブチレンの水素添加が０．１５％で
あり、ツードリー（ＨｏｕｄｒＶ）触媒の使用では転化
率が６７チで、水素添加が０．ＯＥＩであることがわか
った。
本発明を、次に１例（実施例および比較例）Ｋよって説
明する。例中、例１〜５および７〜１３は比較のために
示したものである。各側で採用された操作条件および生
成物の分析結果を以下の表に示しである。各場合に於て
、表中記載の条件下で処理される供給物は、下記組成（
重量％）を有する市販インブチレン供給原料であった。
明する。例中、例１〜５および７〜１３は比較のために
示したものである。各側で採用された操作条件および生
成物の分析結果を以下の表に示しである。各場合に於て
、表中記載の条件下で処理される供給物は、下記組成（
重量％）を有する市販インブチレン供給原料であった。
インブチレン 〜９９．７９
イソブタン ＝ ０．００４
ｎ−ブテン−１＝０．Ｏ５１
トランス−ｎ−ブテン−２＝ ０．０７２認知でき
る劣化なく例１〜８で用いた触媒はガードラ−（Ｇｌｒ
引・「）触媒Ｇ ５５ Ｅｌテ、？ニーＦ）触８は、前
に定義したように主として・！ラジウムおよびクロム相
持アルミナである。例９〜１５で使用し九触媒は、前に
定義した／４ラジウム担持アルミナ７−ドリー（Ｈｏｕ
ｄｒＶ ）触媒Ｈ１４２４−００５であった。
る劣化なく例１〜８で用いた触媒はガードラ−（Ｇｌｒ
引・「）触媒Ｇ ５５ Ｅｌテ、？ニーＦ）触８は、前
に定義したように主として・！ラジウムおよびクロム相
持アルミナである。例９〜１５で使用し九触媒は、前に
定義した／４ラジウム担持アルミナ７−ドリー（Ｈｏｕ
ｄｒＶ ）触媒Ｈ１４２４−００５であった。
表中のデータかられかるように、比較例１．２．３は、
高い水素／ｌ＃給物比では、転化率は良好であるけれど
も、水素添加レベルが商業的に望ましいものではなくか
つ操作温度と共に増加することを示す。高い水素／供給
物化と高い空間速度と高い質量速度との組み合わせ（比
較例７および８）では、転化率が非常にわるく、水素添
加が低かったが、これは、高いスループットのためほと
んど反応を起こすことがてきないことを反映するものと
思われる。これに反して、例４．５．６は、本発明の異
性化条件を保持することによって、ブテン−１のブテン
−２への良好な転化率が得られ、かつイソブタンへの水
素添加も受容できる低さであることを示している。
高い水素／ｌ＃給物比では、転化率は良好であるけれど
も、水素添加レベルが商業的に望ましいものではなくか
つ操作温度と共に増加することを示す。高い水素／供給
物化と高い空間速度と高い質量速度との組み合わせ（比
較例７および８）では、転化率が非常にわるく、水素添
加が低かったが、これは、高いスループットのためほと
んど反応を起こすことがてきないことを反映するものと
思われる。これに反して、例４．５．６は、本発明の異
性化条件を保持することによって、ブテン−１のブテン
−２への良好な転化率が得られ、かつイソブタンへの水
素添加も受容できる低さであることを示している。
比較例９および１０は、生成物に及はす空間速度の影響
を示す。かくして、高い空間速度は、ずっと悪いブタン
−２への転化率をもたらす。画側とも、水素流速が高く
、そのために１俤より高い受容できない高レベルの水素
添加が起こる。比較例１１．１２．１３は、空間速度を
本発明による所要範囲内に下げることによって、一般傾
転化率（チ）改良されることを示している。しかし、比
較的高い水素供給速度を保持しているため所望最高値の
０．３チよシ高い水素添加を生じる。例１４および１５
は、本発明の異性化条件を保持することによって、転化
率および水素添加の両方の点で受容てきる生成物が得ら
れることを示しているＯ 本明細書に示さなかったが、多数の他の実験は、指定の
・臂ラメーター範囲の特別な組み合わせが、受容できる
結果を得るために所要であることを示した。このことは
、本発明の方法が、インブチレン供給物の少量のブテン
−１含量を、供給物のその後の処理、特にジチルゴム製
造を実質的に妨害しないような最低レベルに減少させた
ことおよび水素添加が十分圧低く、供給物の品位低下が
最小であることを意味している。
を示す。かくして、高い空間速度は、ずっと悪いブタン
−２への転化率をもたらす。画側とも、水素流速が高く
、そのために１俤より高い受容できない高レベルの水素
添加が起こる。比較例１１．１２．１３は、空間速度を
本発明による所要範囲内に下げることによって、一般傾
転化率（チ）改良されることを示している。しかし、比
較的高い水素供給速度を保持しているため所望最高値の
０．３チよシ高い水素添加を生じる。例１４および１５
は、本発明の異性化条件を保持することによって、転化
率および水素添加の両方の点で受容てきる生成物が得ら
れることを示しているＯ 本明細書に示さなかったが、多数の他の実験は、指定の
・臂ラメーター範囲の特別な組み合わせが、受容できる
結果を得るために所要であることを示した。このことは
、本発明の方法が、インブチレン供給物の少量のブテン
−１含量を、供給物のその後の処理、特にジチルゴム製
造を実質的に妨害しないような最低レベルに減少させた
ことおよび水素添加が十分圧低く、供給物の品位低下が
最小であることを意味している。
１（比較例） ５．０ ４．０ ４０
２３５ １．３２（１） ５．ロ
４．０ ４５ ２３５ １．
！１３（＃ ’） ５．０ ４．０ ５０
２５５ １．５４（実施例） ２．
５ ４．０ ４５ ２５５
Ｌ３５（Ｉ） １．２５ ４．０ ４５
２３５ １，３６（＃ ） ２．５
４．０ ４５ １６８ １．
３７（比較例’）１２．５ ４．０ ８８
１２０ロ ５．８８（＃ ） １２．５
４．０ ８８ １１００ ５．
５９（１） １０．０ ４．０ ５０ １
３３３ １．３１０（１） １０．ロ
４．０ ５０’ ２３５
１．３１１（１） ５．０ ４．０
５０ ２５５ １．３１２（１）
５．０ ４．０ ４５ ２３５
１．３１３（＃ ） ５．０ ４．０
４［１２３５１，３１４（実施例） ２．５
４．０ ４０ ２５５ １．５１５
（＃ ’） ２．５ ４．０ ４５
２５５ １．３生成物組成（重１ｋｔｓ）
２３５ １．３２（１） ５．ロ
４．０ ４５ ２３５ １．
！１３（＃ ’） ５．０ ４．０ ５０
２５５ １．５４（実施例） ２．
５ ４．０ ４５ ２５５
Ｌ３５（Ｉ） １．２５ ４．０ ４５
２３５ １，３６（＃ ） ２．５
４．０ ４５ １６８ １．
３７（比較例’）１２．５ ４．０ ８８
１２０ロ ５．８８（＃ ） １２．５
４．０ ８８ １１００ ５．
５９（１） １０．０ ４．０ ５０ １
３３３ １．３１０（１） １０．ロ
４．０ ５０’ ２３５
１．３１１（１） ５．０ ４．０
５０ ２５５ １．３１２（１）
５．０ ４．０ ４５ ２３５
１．３１３（＃ ） ５．０ ４．０
４［１２３５１，３１４（実施例） ２．５
４．０ ４０ ２５５ １．５１５
（＃ ’） ２．５ ４．０ ４５
２５５ １．３生成物組成（重１ｋｔｓ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋１） 所望でない少量のｎ−ブテン−１を含むイソ
ブチレン供給物を処理して、該所望でない少量のｎ−ブ
テン−１をｎ−ブテン−２へ、少なくとも６５チの転化
率でかつ０．３優より多くない水素添加で転化させる処
理方法であって、イソブチレン供給物と水素とを、気相
中て、３〜５パールｒ−ジ圧の圧力と４０〜５０℃の温
度と操作温度および圧力に於て１５０〜３０Ｏｖａｔ／
ｖｏＬ ７時の空間速度と１．１〜１．５メ一トルトン
／ｍ２／時の質量速度と操作温度および圧力に於て２．
５１よシ多くない水素／イソブチレン供給物容量比とに
よって規定される異性化条件下で、■族金属を含む触媒
系上へ送る工程を含む該処理方法。 （２） インブチレン供給物がＣ４炭化水素留分に対
して行われる酸抽出法の生成物である、特許請求の範囲
第１１１項記載の方法。 ＋３）所望でない少量のｎ−ブテン−１が供給物の０．
０６〜０．１０重量％を特徴する特許請求の範囲第（り
１項または第（２項記載の方法。 （４） ■族触媒金属がパラジウムまたはロジウムで
ある、特許請求の範囲第（１）項また社第（２）項また
は第（３）項のいずれか１項記載の方法。 （５）触媒系が■Ａ族金属をも含む、特許請求の範囲ｊ
ｌＨ１１項〜第（４）項のいずれか１項記載の方法。 （６）触媒系が不活性担体上に担持された触媒金属を含
む、特許請求の範囲第（１１項〜第（５）項のいずれか
１項記載の方法。 （７） 不活性担体がアルミナである、特許請求の範
囲第（６）項記載の方法。 （８） 触媒系が担体の重量に対して０．００５〜１
．０重を係の■族金属を含む、特許請求の範囲第（６）
項または第（７）項記載の方法。 （９） 触媒系が担体の重量に対して０．０１〜０．
１０重量％の■族金属を含む、特許請求の範囲第イ８）
項記載の方法。 ｆｉｌ 操作圧力が５．５〜４．５パールｒ−ジ圧で
ある、特許請求の範囲第（１）項〜第（９）項のいずれ
か１項記載の方法。 ００ 操作温度が４２〜４８℃である、特許請求の範
囲第（１１項〜第（１１項のいずれか１項記載の方法。 α■ 操作空間速度が２００〜２６０ ｖｏｔ／ｖｏｔ
／時である、特許請求の範囲第０）項〜第（ｌυのいず
れか１項記載の方法。 ！１１ 質量速度が１．２〜１．４メ一トルトン／ｍ
２／時である、特許請求の範囲第（り項〜第α湯項のい
ずれか１項記載の方法＠ Ｃ４処理済み供給物が０．０１〜０．０２重量優の最低
量のｎ−ブテン−１を含む、特許請求の範囲第１１）項
〜第θ場項のいずれか１項記載の方法。 （１１生成物混合物を蒸留して生成物混合物からｎ−ブ
テン−２を除去する蒸留工程をも含む、特許請求の範囲
第（１）項〜第０４項のいずれか１項記載の方法。 （ＩＩ 特許請求の範囲第ｆｉ１項〜第０９項のいず
れか１項記載の方法で製造される場合の、最低量のｎ−
ブテン−１を含むイソブチレン゛または蒸留済みのイン
ブチレン。 叩 特許請求の範囲第ｆｉ１項記載のインブチレンのブ
チルゴム創造に於ける使用および（まだは）かかる使用
によって得られるブチルゴム〇
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB16535 | 1982-06-08 | ||
| GB8216535 | 1982-06-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS595129A true JPS595129A (ja) | 1984-01-12 |
Family
ID=10530877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58102510A Pending JPS595129A (ja) | 1982-06-08 | 1983-06-08 | イソブチレン中に於けるブテン−１のブテン−２への異性化 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4435609A (ja) |
| JP (1) | JPS595129A (ja) |
| BE (1) | BE896987A (ja) |
| FR (1) | FR2528033A1 (ja) |
| GB (1) | GB2121431A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6461434A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-08 | Tonen Sekiyukagaku Kk | Method for isomerizing butene-1 contained in isobutylene to butene-2 |
| JP2005298394A (ja) * | 2004-04-09 | 2005-10-27 | Idemitsu Kosan Co Ltd | ２−ブテン製造方法 |
| JP4773012B2 (ja) * | 1999-07-16 | 2011-09-14 | キャタリティック・ディスティレイション・テクノロジーズ | イソブテンをノルマルブテン類から分離するための方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3323021A1 (de) * | 1983-06-25 | 1985-01-03 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Verfahren zur gewinnung von 1-buten aus 2-butene enthaltenden c(pfeil abwaerts)4(pfeil abwaerts)-kohlenwasserstoffgemischen |
| JP2613648B2 (ja) * | 1989-01-27 | 1997-05-28 | 東燃化学株式会社 | イソブチレン中に含まれるブテン―１のブテン―２への異性化法 |
| FR2752236B1 (fr) * | 1996-08-08 | 1998-09-11 | Inst Francais Du Petrole | Procede de production d'isobutene de haute purete a partir d'une coupe c4 contenant de l'isobutene et du butene-1 |
| DE19737019A1 (de) * | 1997-08-26 | 1999-03-04 | Erdoelchemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von C4-C6-Alkenen mit innenständiger Doppelbindung |
| CN1346297A (zh) * | 1997-11-03 | 2002-04-24 | 选择性石油凝聚过程股份有限公司 | 粉煤凝聚物的受控产品和回收 |
| FR2773558B1 (fr) * | 1998-01-14 | 2000-02-18 | Inst Francais Du Petrole | Procede pour l'obtention de 1-butene |
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