JPS5951360A - 回転速度検出装置 - Google Patents
回転速度検出装置Info
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- JPS5951360A JPS5951360A JP16274682A JP16274682A JPS5951360A JP S5951360 A JPS5951360 A JP S5951360A JP 16274682 A JP16274682 A JP 16274682A JP 16274682 A JP16274682 A JP 16274682A JP S5951360 A JPS5951360 A JP S5951360A
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P3/00—Measuring linear or angular speed; Measuring differences of linear or angular speeds
- G01P3/42—Devices characterised by the use of electric or magnetic means
- G01P3/44—Devices characterised by the use of electric or magnetic means for measuring angular speed
- G01P3/48—Devices characterised by the use of electric or magnetic means for measuring angular speed by measuring frequency of generated current or voltage
- G01P3/481—Devices characterised by the use of electric or magnetic means for measuring angular speed by measuring frequency of generated current or voltage of pulse signals
- G01P3/486—Devices characterised by the use of electric or magnetic means for measuring angular speed by measuring frequency of generated current or voltage of pulse signals delivered by photo-electric detectors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Linear Or Angular Velocity Measurement And Their Indicating Devices (AREA)
- Optical Transform (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、回転速度検出装置に係り、特に半導体発光素
子と半導体受光素子とを備えて、これら画素子の光電変
換作用により回転部材の回転状態を検出するとともにこ
の検出結果を当該回転部材の回転速度に対応する出力信
号として発生するようにした回転速度検出装置に関する
。
子と半導体受光素子とを備えて、これら画素子の光電変
換作用により回転部材の回転状態を検出するとともにこ
の検出結果を当該回転部材の回転速度に対応する出力信
号として発生するようにした回転速度検出装置に関する
。
従来、この種の回転速度検出装置としては、例えば、回
転部材に連動して回転するように連結される一連のスリ
ットを外周縁部に沿って穿設してなる円板と、この円板
の外周縁部に対向するように配設されて電源からの給電
により導通したとき前記円板の外周縁部に向けて発光す
る発光ダイオードと、前記円板の外周縁部を介して前記
発光ダイオードに対向するように配置されて前記回転部
材の回転状態に応じて前記発光ダイオードからの光を前
記円板の各スリットを通して受光することにより導通し
たときこれを受光信号として検出するホトトランジスタ
と、このホトトランジスタからの受光信号に応答してこ
れを前記回転部材の回転速度に対応する出力信号とし発
生する信号処理回路とによって構成したものがある。
転部材に連動して回転するように連結される一連のスリ
ットを外周縁部に沿って穿設してなる円板と、この円板
の外周縁部に対向するように配設されて電源からの給電
により導通したとき前記円板の外周縁部に向けて発光す
る発光ダイオードと、前記円板の外周縁部を介して前記
発光ダイオードに対向するように配置されて前記回転部
材の回転状態に応じて前記発光ダイオードからの光を前
記円板の各スリットを通して受光することにより導通し
たときこれを受光信号として検出するホトトランジスタ
と、このホトトランジスタからの受光信号に応答してこ
れを前記回転部材の回転速度に対応する出力信号とし発
生する信号処理回路とによって構成したものがある。
ところで、このような回転速度検出装置においては、上
述したホトトランジスタが、前記円板の回転に伴ない、
その動作領域を遮断領域から飽和領域へ（或いは飽和領
域から遮断領域へ）変化させることにより前記受光信号
のレベルを互いに異なった第ルベルから第２レベル（或
いｉｄＭ２レベルから第ルベル）に変化させることを利
用して前記信号処理回路から」−述した出力信号として
発生させるようにしているのであるが、例えば、前記回
転部材が停止状態にあるとき、前記円板の前記発光ダイ
オードに対する相対的な回転位置関係によっては、前記
ホ））ランジスタがその受光量の不足に基き能動領域に
て動作し前記受光信号のレベルを前記第１と第２のレベ
ルの中間レベルに維持してしまうという現象が生じる。
述したホトトランジスタが、前記円板の回転に伴ない、
その動作領域を遮断領域から飽和領域へ（或いは飽和領
域から遮断領域へ）変化させることにより前記受光信号
のレベルを互いに異なった第ルベルから第２レベル（或
いｉｄＭ２レベルから第ルベル）に変化させることを利
用して前記信号処理回路から」−述した出力信号として
発生させるようにしているのであるが、例えば、前記回
転部材が停止状態にあるとき、前記円板の前記発光ダイ
オードに対する相対的な回転位置関係によっては、前記
ホ））ランジスタがその受光量の不足に基き能動領域に
て動作し前記受光信号のレベルを前記第１と第２のレベ
ルの中間レベルに維持してしまうという現象が生じる。
従って、かかる場合に、例えば、前記円板の機械的振動
等に起因する電気的ノイズが前記受光信号に混入すると
、この受光信号のレベルが上述した中間レベルから前記
第１又は第２のレベルに変動し、その結果前記信号処理
回路からの出力信号が、前記回転部材の回転速度が零で
あるにもかかわらず、これとは異なった回転速度に対応
するものとして誤丑って生じるという不具合があった。
等に起因する電気的ノイズが前記受光信号に混入すると
、この受光信号のレベルが上述した中間レベルから前記
第１又は第２のレベルに変動し、その結果前記信号処理
回路からの出力信号が、前記回転部材の回転速度が零で
あるにもかかわらず、これとは異なった回転速度に対応
するものとして誤丑って生じるという不具合があった。
本発明はこのようなことに対処してなされたもので、そ
の目的とするところは、半導体発光素子と半導体受光素
子の各光電変換作用を利用して回転部材の回転速度を検
出するにあたり、前記半導体発光素子の光電変換作用を
前記半導体受光素子に対し正帰還作用として機能させる
ようにしだ回転速度検出装置を提供することにある。
の目的とするところは、半導体発光素子と半導体受光素
子の各光電変換作用を利用して回転部材の回転速度を検
出するにあたり、前記半導体発光素子の光電変換作用を
前記半導体受光素子に対し正帰還作用として機能させる
ようにしだ回転速度検出装置を提供することにある。
以下、本発明の一実施例を図面により説明すると、第１
図及び第２図において、符号１０は、車両用内燃機関の
出力軸等の回転部材を示し、また両符号２０及び６０は
、それぞれ、円板及びホトインタラプタを示している。
図及び第２図において、符号１０は、車両用内燃機関の
出力軸等の回転部材を示し、また両符号２０及び６０は
、それぞれ、円板及びホトインタラプタを示している。
円板２０は、その中央部にて回転部材１０に一体的に軸
支されており、この円板２０の外周縁部には、各一連の
スリット２１、・・・、２１及び突起部２２．・・・、
２２が交互に等間隔にて形成されている。ホトインタラ
プタ６０は、円板２０の近傍にて適宜な静止構造体の一
部に固着したケーシング６１を備えており、このケーシ
ング３１に所定間隔付与して設けた一対の突出部３１
ａ、３ｉ ｂ間には、円板２０の外周縁部が介装されて
いる。また、ケーシング６１の突出部３１ａ内には、発
光ダイオード６２がその導通によりこの導通度合に応じ
て順方向電流を生じるとともに円板２０の外周縁部に向
けて前記順方向電流に応じた量にて発光するように設け
られており、一方ケーシング３１の突出部３Ｉｂ内には
、ホトトランジスタ６３が、円板２０のスリット２１を
介して発光ダイオード３２から受光して導通したときと
の導通度合に応じて受光電流を生じるように設けられて
いる。
支されており、この円板２０の外周縁部には、各一連の
スリット２１、・・・、２１及び突起部２２．・・・、
２２が交互に等間隔にて形成されている。ホトインタラ
プタ６０は、円板２０の近傍にて適宜な静止構造体の一
部に固着したケーシング６１を備えており、このケーシ
ング３１に所定間隔付与して設けた一対の突出部３１
ａ、３ｉ ｂ間には、円板２０の外周縁部が介装されて
いる。また、ケーシング６１の突出部３１ａ内には、発
光ダイオード６２がその導通によりこの導通度合に応じ
て順方向電流を生じるとともに円板２０の外周縁部に向
けて前記順方向電流に応じた量にて発光するように設け
られており、一方ケーシング３１の突出部３Ｉｂ内には
、ホトトランジスタ６３が、円板２０のスリット２１を
介して発光ダイオード３２から受光して導通したときと
の導通度合に応じて受光電流を生じるように設けられて
いる。
信号処理回路４０は、第６図に示すごとく、発光ダイオ
ード６２に直列接続した抵抗４１．４２と、ホトトラン
ジスタ３６にダーリントン接続したトランジスタ４６を
備えており、抵抗４１は、直流電源Ｖ１）の正側端子及
び発光ダイオード３２のアノード間に接続されて、直流
電源ＶＤからの給電電流を、発光ダイオード６２におい
て順方向電流を生じさせるに必要な値に制限して当該発
光ダイオード６２に付与する。抵抗４２は、その一端に
て、発光ダイオード６２のカソード、ホトトランジスタ
３６のエミッタ及びトランジスタ４６のエミッタに接続
されており、この抵抗４２の他端は抵抗４４を介して接
地されている。このことは、両抵抗４２．４４の抵抗値
引とホ））ランジスタ３３の導通度合に応じた内部抵抗
値との並列合成抵抗値が、ホトトランジスタ６６の内部
抵抗値の増大（又は減少）に伴って増大（又は減少）し
て発光ダイオード６２の導通度合を減少（又は増大）さ
せることを意味する。なお、直流電源ＶＤはその負側端
子にて接地されている。
ード６２に直列接続した抵抗４１．４２と、ホトトラン
ジスタ３６にダーリントン接続したトランジスタ４６を
備えており、抵抗４１は、直流電源Ｖ１）の正側端子及
び発光ダイオード３２のアノード間に接続されて、直流
電源ＶＤからの給電電流を、発光ダイオード６２におい
て順方向電流を生じさせるに必要な値に制限して当該発
光ダイオード６２に付与する。抵抗４２は、その一端に
て、発光ダイオード６２のカソード、ホトトランジスタ
３６のエミッタ及びトランジスタ４６のエミッタに接続
されており、この抵抗４２の他端は抵抗４４を介して接
地されている。このことは、両抵抗４２．４４の抵抗値
引とホ））ランジスタ３３の導通度合に応じた内部抵抗
値との並列合成抵抗値が、ホトトランジスタ６６の内部
抵抗値の増大（又は減少）に伴って増大（又は減少）し
て発光ダイオード６２の導通度合を減少（又は増大）さ
せることを意味する。なお、直流電源ＶＤはその負側端
子にて接地されている。
しかして、抵抗４２は、ホＩ−）ランジスタロ３が非導
通のとき（即ち、その動作領域が遮断領域にあるとき）
、発光ダイオード３２からの順方向電流を受けて、抵抗
４４との協働により、この抵抗４４との共通端にてトラ
ンジスタ４６を導通させるに必要なバイアス電圧を発生
する。また、抵抗４２は、ホトトランジスタ６６が能動
領域にて動作す゛るとき、とのホトトランジスタ６６の
導通度合に応じて前記順方向電流をホＩ−）ランジスタ
３３に受光電流として分流せしめ、−ホトトランジスタ
３３が飽和領域にて動作するとき、前記受光電流の殆ん
どをホトトランジスタ３６に受光電流として流入させる
とともに、前記バイアス電圧を、トランジスタ２６を非
導通にするに必要な値に低下させる。なお、トランジス
タ４５は、ホトトランジスタ６６の動作状態に応じこの
動作状態に対応した動作状態となる。
通のとき（即ち、その動作領域が遮断領域にあるとき）
、発光ダイオード３２からの順方向電流を受けて、抵抗
４４との協働により、この抵抗４４との共通端にてトラ
ンジスタ４６を導通させるに必要なバイアス電圧を発生
する。また、抵抗４２は、ホトトランジスタ６６が能動
領域にて動作す゛るとき、とのホトトランジスタ６６の
導通度合に応じて前記順方向電流をホＩ−）ランジスタ
３３に受光電流として分流せしめ、−ホトトランジスタ
３３が飽和領域にて動作するとき、前記受光電流の殆ん
どをホトトランジスタ３６に受光電流として流入させる
とともに、前記バイアス電圧を、トランジスタ２６を非
導通にするに必要な値に低下させる。なお、トランジス
タ４５は、ホトトランジスタ６６の動作状態に応じこの
動作状態に対応した動作状態となる。
トランジスタ４６ば、スイッチング素子として機能する
もので、そのベースにて面抵抗４２．４４の共通端に接
続されるとともに、そのコレクタにて抵抗４５を介して
直流電源ｖＤの正側端子に接続されている。しかして、
トランジスタ４６は、面抵抗４２．４４の共通端に生じ
るバイアス電圧に応答して導通するとともに、かかるバ
イアス電圧の低下に応答して非導通となる。このことは
、トランジスタ４６がその導通及び非導通の繰返しに基
き、回転部材１００回転速度に対応する速度信号をその
コレクタ、即ち出力端子４６／ｌから生じることを意味
する。
もので、そのベースにて面抵抗４２．４４の共通端に接
続されるとともに、そのコレクタにて抵抗４５を介して
直流電源ｖＤの正側端子に接続されている。しかして、
トランジスタ４６は、面抵抗４２．４４の共通端に生じ
るバイアス電圧に応答して導通するとともに、かかるバ
イアス電圧の低下に応答して非導通となる。このことは
、トランジスタ４６がその導通及び非導通の繰返しに基
き、回転部材１００回転速度に対応する速度信号をその
コレクタ、即ち出力端子４６／ｌから生じることを意味
する。
以」−のように構成した本実施例において、発光ダイオ
ード６２が抵抗４１を通して直流電源ＶＤから給電され
て導通することによυ順方向電流を発生するとともに発
光したとき、この発光ダイオード６２からの光が、例え
ば、停止状態にある円板２０のスリット２１を通してす
べてホトトランジスタ３３により受光されるとすれば、
ホＩ−）ランジスタロ３がその飽和領域にて導通してト
ランジスタ４３も導通し、発光ダイオード３２からの順
方向電流が殆んどホトトランジスタ６６及びトランジス
タ４６に流入し、面抵抗４２．４４の共通端にはバイア
ス電圧が発生せず、トランジスタ４６が非導通状態に維
持されて出力端子４６ａからハイレベル信号を生じる。
ード６２が抵抗４１を通して直流電源ＶＤから給電され
て導通することによυ順方向電流を発生するとともに発
光したとき、この発光ダイオード６２からの光が、例え
ば、停止状態にある円板２０のスリット２１を通してす
べてホトトランジスタ３３により受光されるとすれば、
ホＩ−）ランジスタロ３がその飽和領域にて導通してト
ランジスタ４３も導通し、発光ダイオード３２からの順
方向電流が殆んどホトトランジスタ６６及びトランジス
タ４６に流入し、面抵抗４２．４４の共通端にはバイア
ス電圧が発生せず、トランジスタ４６が非導通状態に維
持されて出力端子４６ａからハイレベル信号を生じる。
このような状態にて円板２０が回転部材１００回転に応
じて回転し始めると、ホトトランジスタ３３が、円板２
０の一連の突起部２２の一つにより、発光ダイオード６
２からの受光を遮断されて遮断領域にて動作することに
よりトランジスタ４３と共に非導通となり、抵抗４２が
発光ダイオード３２からの受光電流を受けて抵抗４４と
の共通端にてバイアス電圧を生じ、トランジスタ４６が
かかるバイアス電圧に応答して導通しその出力端子４６
ａからローレベル信号を生じる。以後、ホトトランジス
タ６３が円板２００回転に伴い発光ダイオード３２から
の受光及びその遮断を交互に繰返すことによりトランジ
スタ４３と共に導通・非９− 導通を交互に繰返し、抵抗４２が抵抗４４との協働によ
り前記バイアス電圧を間欠的に発生し、これに応答して
トランジスタ４６が導通・非導通を交互に繰返すことに
よりその出力端子４６ａからローレベル信号及びハイレ
ベル信号を交互に生じる。このことは、トランジスタ４
６が、これらローレベル信号及びハイレベル信号を、回
転部材１０の回転速度に対応する速度信号として発生す
ることを意味する。
じて回転し始めると、ホトトランジスタ３３が、円板２
０の一連の突起部２２の一つにより、発光ダイオード６
２からの受光を遮断されて遮断領域にて動作することに
よりトランジスタ４３と共に非導通となり、抵抗４２が
発光ダイオード３２からの受光電流を受けて抵抗４４と
の共通端にてバイアス電圧を生じ、トランジスタ４６が
かかるバイアス電圧に応答して導通しその出力端子４６
ａからローレベル信号を生じる。以後、ホトトランジス
タ６３が円板２００回転に伴い発光ダイオード３２から
の受光及びその遮断を交互に繰返すことによりトランジ
スタ４３と共に導通・非９− 導通を交互に繰返し、抵抗４２が抵抗４４との協働によ
り前記バイアス電圧を間欠的に発生し、これに応答して
トランジスタ４６が導通・非導通を交互に繰返すことに
よりその出力端子４６ａからローレベル信号及びハイレ
ベル信号を交互に生じる。このことは、トランジスタ４
６が、これらローレベル信号及びハイレベル信号を、回
転部材１０の回転速度に対応する速度信号として発生す
ることを意味する。
しかして、回転部材１０の停止に伴い、円板２０が、そ
の一連の突起部２２の一つにより、ホトトランジスタ３
３による発光ダイオード３２からの受光を部分的に遮断
した状態にて停止したとき、ホトトランジスタ３３の動
作領域が遮断領域から能動領域へ移行する過程にあれば
、ホトトランジスタ６３の導通度合に対応する内部抵抗
値と面抵抗４２．４４の抵抗位相との並列合成抵抗値が
面抵抗４２．４４の抵抗位相より小さくなるため、発光
ダイオード３２からの順方向電流の量及び発光量が共に
増大し、ホトトランジスタ６３がその受光量の増大によ
り動作領域を飽和領域に向けて移行させるとともにその
導通度合を増大（即ち、内部抵抗値を減少）させる。す
ると、ホトトランジスタ６６及びトランジスタ４６に流
入する発光ダイオード３２からの順方向電流の量が増大
するとともに抵抗４２に流入する前記順方向電流の量が
減少して」二連のバイアス電圧を低下させ、これに伴い
トランジスタ４６が非導通となってその出力端子４６１
２からの出力信号をハイレベルに維持する。
の一連の突起部２２の一つにより、ホトトランジスタ３
３による発光ダイオード３２からの受光を部分的に遮断
した状態にて停止したとき、ホトトランジスタ３３の動
作領域が遮断領域から能動領域へ移行する過程にあれば
、ホトトランジスタ６３の導通度合に対応する内部抵抗
値と面抵抗４２．４４の抵抗位相との並列合成抵抗値が
面抵抗４２．４４の抵抗位相より小さくなるため、発光
ダイオード３２からの順方向電流の量及び発光量が共に
増大し、ホトトランジスタ６３がその受光量の増大によ
り動作領域を飽和領域に向けて移行させるとともにその
導通度合を増大（即ち、内部抵抗値を減少）させる。す
ると、ホトトランジスタ６６及びトランジスタ４６に流
入する発光ダイオード３２からの順方向電流の量が増大
するとともに抵抗４２に流入する前記順方向電流の量が
減少して」二連のバイアス電圧を低下させ、これに伴い
トランジスタ４６が非導通となってその出力端子４６１
２からの出力信号をハイレベルに維持する。
まだ、上述した円板２０の停止時において、ホトトラン
ジスタ３３の動作領域が飽和領域から能動領域へ移行す
る過程にあれば、ホ））ランジスクロロの導通度合に対
応する内部抵抗値と両抵抗４２．４４の抵抗位相との並
列合成抵抗値が、ホトトランジスタ６６の飽和領域にお
ける内部抵抗値より大きくなるため、発光ダイオード６
２からの順方向電流の量及び発光量が共に減少し、ホト
トランジスタ３６がその受光量の減少により動作領域を
遮断領域に向けて移行させるとともにその導通度合を減
少（即ち、内部抵抗値を増大）させる。すると、ホトト
ランジスタ３３及びトランジスタ４３に流入する発光ダ
イオード３２からの順方向電流の量が減少するとともに
抵抗４２に流入する前記順方向電流の量が増大し、トラ
ンジスタ４６が両抵抗４２．４４の共通端に生じるバイ
アス電圧に応答して導通してその出力端子４６２からの
出力信号をローレベルに維持する。
ジスタ３３の動作領域が飽和領域から能動領域へ移行す
る過程にあれば、ホ））ランジスクロロの導通度合に対
応する内部抵抗値と両抵抗４２．４４の抵抗位相との並
列合成抵抗値が、ホトトランジスタ６６の飽和領域にお
ける内部抵抗値より大きくなるため、発光ダイオード６
２からの順方向電流の量及び発光量が共に減少し、ホト
トランジスタ３６がその受光量の減少により動作領域を
遮断領域に向けて移行させるとともにその導通度合を減
少（即ち、内部抵抗値を増大）させる。すると、ホトト
ランジスタ３３及びトランジスタ４３に流入する発光ダ
イオード３２からの順方向電流の量が減少するとともに
抵抗４２に流入する前記順方向電流の量が増大し、トラ
ンジスタ４６が両抵抗４２．４４の共通端に生じるバイ
アス電圧に応答して導通してその出力端子４６２からの
出力信号をローレベルに維持する。
換言すれば、円板２０の停止時にホトトランジスタ６６
の動作領域が能動領域におかれるようなこととなっても
、発光ダイオード６２からの発光量が、上述した並列合
成抵抗値の増大（又′ｉ減少）に応じて減少（又は増大
）することにより正帰還作用としてホトトランジスタ６
６に機能してががるホトトランジスタの動作領域を遮断
領域（又はさ 飽和領域）へただちに移尚るので、トランジスタ４６の
出力信号が、円板２０の機械的振動等に起因する電気的
ノイズに影響されることなくローレベル（又はハイレベ
ル）に維持される。菅なお、前記実施例においては、回
転部材１０の回転速度を検出するにあたり、円板２０及
びホトインタラプタ３０を採用した例について説明した
が、これに代えて、回転部材１０の表面に光学的反射フ
ィルムを貼着するとともに、このフィルムに一対の半導
体発光素子と半導体受光素子を対向させて配設し、回転
部材１０の回転状態にて前記フィルムにより反則される
前記半導体発光素子からの光を前記半導体受光素子によ
って受光し、この受光結果を回転部材１００回転速度の
検出に利用するようにしても前記実施例と同様の作用効
果を達成できる。かかる場合、抵抗４４を省略して実施
してもよく、また、トランジスタ４６に代えてサイリス
ク等の各種半導体スイッチング素子を採用してもよい。
の動作領域が能動領域におかれるようなこととなっても
、発光ダイオード６２からの発光量が、上述した並列合
成抵抗値の増大（又′ｉ減少）に応じて減少（又は増大
）することにより正帰還作用としてホトトランジスタ６
６に機能してががるホトトランジスタの動作領域を遮断
領域（又はさ 飽和領域）へただちに移尚るので、トランジスタ４６の
出力信号が、円板２０の機械的振動等に起因する電気的
ノイズに影響されることなくローレベル（又はハイレベ
ル）に維持される。菅なお、前記実施例においては、回
転部材１０の回転速度を検出するにあたり、円板２０及
びホトインタラプタ３０を採用した例について説明した
が、これに代えて、回転部材１０の表面に光学的反射フ
ィルムを貼着するとともに、このフィルムに一対の半導
体発光素子と半導体受光素子を対向させて配設し、回転
部材１０の回転状態にて前記フィルムにより反則される
前記半導体発光素子からの光を前記半導体受光素子によ
って受光し、この受光結果を回転部材１００回転速度の
検出に利用するようにしても前記実施例と同様の作用効
果を達成できる。かかる場合、抵抗４４を省略して実施
してもよく、また、トランジスタ４６に代えてサイリス
ク等の各種半導体スイッチング素子を採用してもよい。
以上説明したとおり、本発明においては、前記実施例に
て例示したごとく、回転部材の回転に伴って回転する回
転体に対向するように配設されて電源から印加電圧を受
けて導通したときこの導通度合に応じて順方向電流を生
じるとともにこの順方向電流に応じた量にて前記回転体
に向けて発光する半導体発光素子と、前記回転体に対向
するように配設されて前記回転部材の回転に応じて前記
回転体を介して前記半導体発光素子から受光することに
より導通したときこの導通度合に応じて受光電流を生じ
るとともにこれを受光信号として発生する半導体受光素
子とを有して、前記受光信号に応答してこれを前記回転
部材の回転速度に対応する出力信号として発生する信号
処理回路が、前記半導体受光素子と共に前記半導体発光
素子に接続されて前記半導体受光素子の導通度合に応じ
て前記半導体発光素子の導通度合を変化させるとともに
前記順方向電流を前記半導体受光素子の導通度合により
規定される値にて受けて端子電圧を生じる抵抗素子と、
前記端子電圧が第１所定値になったとき導通するととも
に第２所定値になったとき非導通となる半導体スイッチ
ング素子とを具備し、この半導体スイッチング素子の導
通及び非導通に基き前記出力信号を生じるようにしたこ
とにその構成上の特徴がある。これにより、上述したご
とく、前記半導体受光素子の導通度合に応じて前記半導
体発光素子の導通度合が変化するので、前記回転部材の
停止時に前記半導体受光素子の導通度合がその能動領域
に対応する値となったとしても、前記半導体発光素子か
らの発光量が前記半導体受光素子に対し正帰還的に作用
してかかる半導体受光素子の動作領域を遮断領域或いは
飽和領域に即座に移行させることができ、その結果本明
細書に述べた不具合を伴うことなく、前記回転部材の停
止時にはその回転速度を零として常に正しく検出できる
。
て例示したごとく、回転部材の回転に伴って回転する回
転体に対向するように配設されて電源から印加電圧を受
けて導通したときこの導通度合に応じて順方向電流を生
じるとともにこの順方向電流に応じた量にて前記回転体
に向けて発光する半導体発光素子と、前記回転体に対向
するように配設されて前記回転部材の回転に応じて前記
回転体を介して前記半導体発光素子から受光することに
より導通したときこの導通度合に応じて受光電流を生じ
るとともにこれを受光信号として発生する半導体受光素
子とを有して、前記受光信号に応答してこれを前記回転
部材の回転速度に対応する出力信号として発生する信号
処理回路が、前記半導体受光素子と共に前記半導体発光
素子に接続されて前記半導体受光素子の導通度合に応じ
て前記半導体発光素子の導通度合を変化させるとともに
前記順方向電流を前記半導体受光素子の導通度合により
規定される値にて受けて端子電圧を生じる抵抗素子と、
前記端子電圧が第１所定値になったとき導通するととも
に第２所定値になったとき非導通となる半導体スイッチ
ング素子とを具備し、この半導体スイッチング素子の導
通及び非導通に基き前記出力信号を生じるようにしたこ
とにその構成上の特徴がある。これにより、上述したご
とく、前記半導体受光素子の導通度合に応じて前記半導
体発光素子の導通度合が変化するので、前記回転部材の
停止時に前記半導体受光素子の導通度合がその能動領域
に対応する値となったとしても、前記半導体発光素子か
らの発光量が前記半導体受光素子に対し正帰還的に作用
してかかる半導体受光素子の動作領域を遮断領域或いは
飽和領域に即座に移行させることができ、その結果本明
細書に述べた不具合を伴うことなく、前記回転部材の停
止時にはその回転速度を零として常に正しく検出できる
。
第１図は、本発明の一部を構成する円板及びホトインタ
ラプタの部分破断正面図、第２図は、第１図における円
板及びホトインタラプタの側面図、及び第３図は、ホト
インタラプタに接続した信号処理回路の電気回路図であ
る。 符号の説明 １０・・・回転部材、２０・・・円板、３２・・・発光
ダイオード、６６・・・ホトトランジスタ、４０・・・
信号処理回路、４２．４４・・・抵抗、４６・・・トラ
ンジスタ。 出願人 日本電装株式会社 代理人 弁理士 長 谷 照 −
ラプタの部分破断正面図、第２図は、第１図における円
板及びホトインタラプタの側面図、及び第３図は、ホト
インタラプタに接続した信号処理回路の電気回路図であ
る。 符号の説明 １０・・・回転部材、２０・・・円板、３２・・・発光
ダイオード、６６・・・ホトトランジスタ、４０・・・
信号処理回路、４２．４４・・・抵抗、４６・・・トラ
ンジスタ。 出願人 日本電装株式会社 代理人 弁理士 長 谷 照 −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 回転部材の回転に伴って回転する回転体に対向するよう
に配設されて電源から印加電圧を受けて導通したときこ
の導通度合に応じて順方向電流を生じるとともにこの順
方向電流に応じた量にて前記回転体に向けて発光する半
導体発光素子と、前記回転体に対向するように配設され
て前記回転部材の回転に応じて前記回転体を介して前記
半導体発光素子から受光することにより導通したときこ
の導通度合に応じて受光電流を生じるとともにこれを受
光信号として発生する半導体受光素子と、前記受光信号
に応答してこれを前記回転部材の回転速度に対応する出
力信号として発生する信号処理回路とを備えた回転速度
検出装置において、前記信号処理回路が、前記半導体受
光素子と共に前記半導体発光素子に接続されて前記半導
体受光素子の導通度合に応じて前記半導体発光素子の導
通１一 度合を変化させるとともに前記順方向電流を前記半導体
受光素子の導通度合により規定される値にて受けて端子
電圧を生じる抵抗素子と、前記端子電圧が第１所定値と
なったとき導通するとともに第２所定値となったとき非
導通となる半導体スイッチング素子とを具備して、この
半導体スイッチング素子の導通及び非導通に基き前記出
力信号を発生するようにしたことを特徴とする回転速度
検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16274682A JPS5951360A (ja) | 1982-09-18 | 1982-09-18 | 回転速度検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16274682A JPS5951360A (ja) | 1982-09-18 | 1982-09-18 | 回転速度検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5951360A true JPS5951360A (ja) | 1984-03-24 |
Family
ID=15760469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16274682A Pending JPS5951360A (ja) | 1982-09-18 | 1982-09-18 | 回転速度検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5951360A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61118018U (ja) * | 1985-01-11 | 1986-07-25 | ||
| JPS63274819A (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Sharp Corp | 光結合素子インタフェイス回路 |
| US6463223B1 (en) | 1998-10-09 | 2002-10-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic image forming apparatus, process cartridge developing device, developer supply container and measuring part therefor |
-
1982
- 1982-09-18 JP JP16274682A patent/JPS5951360A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61118018U (ja) * | 1985-01-11 | 1986-07-25 | ||
| JPS63274819A (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Sharp Corp | 光結合素子インタフェイス回路 |
| US6463223B1 (en) | 1998-10-09 | 2002-10-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic image forming apparatus, process cartridge developing device, developer supply container and measuring part therefor |
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