JPS5951611A - 低周波増幅器 - Google Patents
低周波増幅器Info
- Publication number
- JPS5951611A JPS5951611A JP57162603A JP16260382A JPS5951611A JP S5951611 A JPS5951611 A JP S5951611A JP 57162603 A JP57162603 A JP 57162603A JP 16260382 A JP16260382 A JP 16260382A JP S5951611 A JPS5951611 A JP S5951611A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- resistor
- low frequency
- bias
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はテープレコーダの低周波増幅器に係るものであ
り、′１源オフ時の゛４＃′Ｍ圧変化に追従する直流バ
イアスを供給し蒐１６源オフ時の過渡音を容易に軽減で
きるようにしたものに関するものである。
り、′１源オフ時の゛４＃′Ｍ圧変化に追従する直流バ
イアスを供給し蒐１６源オフ時の過渡音を容易に軽減で
きるようにしたものに関するものである。
第１図に従来の低周波増幅器を示す。図において、（１
）は入力端子で、信号源Ｓｉｇよりカップリング・コン
デンサＣＩを介して信号が入力される。
）は入力端子で、信号源Ｓｉｇよりカップリング・コン
デンサＣＩを介して信号が入力される。
（５）は出力信号が取り出される出力端子で、ＩＬＬは
次段の入力インピーダンスと等価な値をもつ負荷抵抗、
Ｃ５はカップリング・コンデンサ尋キである。（２）は
低周波増幅器の交流負帰還端子で、直流交流分１ｌｉＩ
用コンデンサＣ２と、低周波増幅器内の抵抗艮１１と共
に間流負帰還ｉを決定するための抵抗Ｒｅとにより、増
幅器の電圧利得を決定している。（４）はリップ〃フィ
ルタ用端子で、コンデンサＣ４が接続され、該コンデン
サＣ４は抵抗Ｊｔｔｏと共に７１ ｍ端子（３）のリッ
プル成分を除去するために設けられている。（６）は接
地端子である。
次段の入力インピーダンスと等価な値をもつ負荷抵抗、
Ｃ５はカップリング・コンデンサ尋キである。（２）は
低周波増幅器の交流負帰還端子で、直流交流分１ｌｉＩ
用コンデンサＣ２と、低周波増幅器内の抵抗艮１１と共
に間流負帰還ｉを決定するための抵抗Ｒｅとにより、増
幅器の電圧利得を決定している。（４）はリップ〃フィ
ルタ用端子で、コンデンサＣ４が接続され、該コンデン
サＣ４は抵抗Ｊｔｔｏと共に７１ ｍ端子（３）のリッ
プル成分を除去するために設けられている。（６）は接
地端子である。
抵抗艮１はトランジスタＱ１のベースバイアスを与える
ためのものである。トランジスタＱ’ ｓＱ２はコン
プリメンタリ−差動増幅回路を構成し、トランジスタＱ
ｌのコレクタは接地され、ベースは入力端子（１）に接
続されており、入力信号が印加される。そしてそのエミ
ッタはトランジスタＱ２のエミッタに接続され、トラン
ジス々Ｑ２のベースは、出力端子（５）の電圧が帰還抵
抗ＩＬＩＩを介してＩｆｆ、流帰還されていると共に交
流帰還決定用端子（２）に接続され、かつ出方直流バイ
アス設定用トランジスタＱ４のコレクタに接、涜されて
いる。
ためのものである。トランジスタＱ’ ｓＱ２はコン
プリメンタリ−差動増幅回路を構成し、トランジスタＱ
ｌのコレクタは接地され、ベースは入力端子（１）に接
続されており、入力信号が印加される。そしてそのエミ
ッタはトランジスタＱ２のエミッタに接続され、トラン
ジス々Ｑ２のベースは、出力端子（５）の電圧が帰還抵
抗ＩＬＩＩを介してＩｆｆ、流帰還されていると共に交
流帰還決定用端子（２）に接続され、かつ出方直流バイ
アス設定用トランジスタＱ４のコレクタに接、涜されて
いる。
ダイオード４ｅ ｒ売されたトランジスタＱ９（！：、
エミッタに抵抗尺２が接続されたトランジスタＱ３とは
カレントミラー回路を構成し、ミラー比は抵抗に２によ
り決定される。抵抗艮２により決定さねたトランジスタ
Ｑ３のコレクタ、・電流は、トランジスタＱ１ 、Ｑ２
で構１戊されたコンプリメンタリ−差動増幅回路に供給
され、トランジスタＱ３のコレクタは上記コンプリメン
タリ−差動Ｊｌ’１幅回路）１１し動負荷となっている
。
エミッタに抵抗尺２が接続されたトランジスタＱ３とは
カレントミラー回路を構成し、ミラー比は抵抗に２によ
り決定される。抵抗艮２により決定さねたトランジスタ
Ｑ３のコレクタ、・電流は、トランジスタＱ１ 、Ｑ２
で構１戊されたコンプリメンタリ−差動増幅回路に供給
され、トランジスタＱ３のコレクタは上記コンプリメン
タリ−差動Ｊｌ’１幅回路）１１し動負荷となっている
。
トランジスタＱ４ 、Ｑｓ 、Ｑ６ 、Ｑ８、ダイオー
ドＤｉ、抵抗Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５は・出力端子（５）の直
流「ｌｉ Ｉｆ−Ｖ Ｏが市ｒｔｒＲＷｆ圧Ｖｃｃの１
／２、即ち１／２・ＶＣＣの電圧になるような゛ｄｔ流
諒を構成する。トランジスタＱ８のベースは上記市流諒
に１８源端子（３）のリップル成分が混入するのを防止
するため、抵抗ＲＩＯ，コンデンサＣ４で上記リップル
成分を除去した後、抵抗ＲＩＯを介してベースバイアス
されている。トランジスタ見５のコレクタには相互に直
列に接続されたダイオードＤ１と抵抗に３の一端か接続
されて２す、上記４流源のＦ１ｉ ／＃、を決定する。
ドＤｉ、抵抗Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５は・出力端子（５）の直
流「ｌｉ Ｉｆ−Ｖ Ｏが市ｒｔｒＲＷｆ圧Ｖｃｃの１
／２、即ち１／２・ＶＣＣの電圧になるような゛ｄｔ流
諒を構成する。トランジスタＱ８のベースは上記市流諒
に１８源端子（３）のリップル成分が混入するのを防止
するため、抵抗ＲＩＯ，コンデンサＣ４で上記リップル
成分を除去した後、抵抗ＲＩＯを介してベースバイアス
されている。トランジスタ見５のコレクタには相互に直
列に接続されたダイオードＤ１と抵抗に３の一端か接続
されて２す、上記４流源のＦ１ｉ ／＃、を決定する。
トランジスタＱ４１ Ｑｓ ＋ Ｑｒのベースはトラン
ジスタＱ６のエミッタに接続され、各々のエミッタは抵
抗艮４．Ｒｓ、ｉｔ７を介して接地されている。またト
ランジスタＱ５のコレクタはトランジスタ（６のベース
１こ接続されている。そしてトランジスタＱ５＋Ｑｅ、
Ｑｓ、ダイオードＩ）１２よび抵抗１（３は該１氏抗λ
３に流れる直流バイアス直流を設定する直流バイアスト
ぼ流設定回路（Ｉｌｊを構成している。
ジスタＱ６のエミッタに接続され、各々のエミッタは抵
抗艮４．Ｒｓ、ｉｔ７を介して接地されている。またト
ランジスタＱ５のコレクタはトランジスタ（６のベース
１こ接続されている。そしてトランジスタＱ５＋Ｑｅ、
Ｑｓ、ダイオードＩ）１２よび抵抗１（３は該１氏抗λ
３に流れる直流バイアス直流を設定する直流バイアスト
ぼ流設定回路（Ｉｌｊを構成している。
次に動作について説明する。
今、上記の構成に２いて、各トランジスタのベース・エ
ミッタ間の゛重圧ＶＢＥを一定とし、かつ各トランジス
タのｆ’ｌＸ流刑幅率βを非常に大きいとし、各々のベ
ース電流をｇ％視すると、抵抗艮３に流れる直流はＬ’
ｆｌ ７１１λ市圧ＶｃｃからトランジスタＱ８のＶＢ
Ｅ、ダイオードＤ１のＶＢＥ（ダイオードυｌの順方
向５ぼ圧はトランジスタをダイオード接続したものと考
えればＶＢＥである）、トランジスタＱ６゜ＱｓのＶＢ
Ｅを差し引いた電圧を抵抗艮３で刷ったものである。こ
こで、低抗錬５でなと生する４ｉ圧はＶＣＣあるいはＶ
ＢＥに比１１１文して、ζ！（（Ｊ、！できるものとす
ると、（Ｖｃ ｃ −４ｖＢ Ｅ ）／Ｒ３が抵抗Ｉｔ
３に流れる。・１１流となる。
ミッタ間の゛重圧ＶＢＥを一定とし、かつ各トランジス
タのｆ’ｌＸ流刑幅率βを非常に大きいとし、各々のベ
ース電流をｇ％視すると、抵抗艮３に流れる直流はＬ’
ｆｌ ７１１λ市圧ＶｃｃからトランジスタＱ８のＶＢ
Ｅ、ダイオードＤ１のＶＢＥ（ダイオードυｌの順方
向５ぼ圧はトランジスタをダイオード接続したものと考
えればＶＢＥである）、トランジスタＱ６゜ＱｓのＶＢ
Ｅを差し引いた電圧を抵抗艮３で刷ったものである。こ
こで、低抗錬５でなと生する４ｉ圧はＶＣＣあるいはＶ
ＢＥに比１１１文して、ζ！（（Ｊ、！できるものとす
ると、（Ｖｃ ｃ −４ｖＢ Ｅ ）／Ｒ３が抵抗Ｉｔ
３に流れる。・１１流となる。
このバイアス、１倉７Ｉ！１より、出力端子、Ｉ Ｉｆ
Ｖ ＯはＶＯ＝（（Ｖｃ Ｃ−４ＶＢ Ｅ ）／１ｔ
３ ） Ｘｌｔ １１＋２ＶＢ Ｅここで、ｔｔ３ ＝
２１ｕｌｌ となるよう設定すると、１／２、即ち１
／２− Ｖｃｃとなる。
Ｖ ＯはＶＯ＝（（Ｖｃ Ｃ−４ＶＢ Ｅ ）／１ｔ
３ ） Ｘｌｔ １１＋２ＶＢ Ｅここで、ｔｔ３ ＝
２１ｕｌｌ となるよう設定すると、１／２、即ち１
／２− Ｖｃｃとなる。
次に、トランジスタ見６のエミッタに接＋ｌｉ５されて
いる抵抗λ６はｓ ＶＢｈｌこよ一つてｔ：’Ｊ １ｌ
ｌａ 、け圧に関係なく、トランジスタＱ９ ｔ Ｑｔ
ｏ ＋Ｑ３の電流を定…流化する。
いる抵抗λ６はｓ ＶＢｈｌこよ一つてｔ：’Ｊ １ｌ
ｌａ 、け圧に関係なく、トランジスタＱ９ ｔ Ｑｔ
ｏ ＋Ｑ３の電流を定…流化する。
端子は）に印加された入力信号はトランジスタＱｌ、Ｑ
２で４；４１ｒＱさオ］るコンプリメン々り一差動ＪＱ
ｌｉｄ回Ｉｌ！古でトランジスタＱ３５：Ｇｋ（ｉと
して増幅され、トランジスタＱｌｌのベースに印加され
る。トランジスタＱ１１のコレクタは；ｔｉ ７１１Ｆ
、 ４こ接続され、エミ・ン夕・はその＋＝ｌｔ流源と
なる定゛市流諒トランジスタＱ７のコレクタに接、続さ
れている。信号はトランジスタＱｌｌのエミッタに出力
され、トランジスタ（１２のベースに印ハ１１される。
２で４；４１ｒＱさオ］るコンプリメン々り一差動ＪＱ
ｌｉｄ回Ｉｌ！古でトランジスタＱ３５：Ｇｋ（ｉと
して増幅され、トランジスタＱｌｌのベースに印加され
る。トランジスタＱ１１のコレクタは；ｔｉ ７１１Ｆ
、 ４こ接続され、エミ・ン夕・はその＋＝ｌｔ流源と
なる定゛市流諒トランジスタＱ７のコレクタに接、続さ
れている。信号はトランジスタＱｌｌのエミッタに出力
され、トランジスタ（１２のベースに印ハ１１される。
トランジスタＱ１２、抵抗λ９、艮８は反転増幅器を構
成する。 トランジスタＱ１２のコレクタに接’ｒｌ！
ｊｌ：されている抵抗に８によってそのエミッタＩ且流
が決定され、抵抗１ｔ８ 、 ｉｔ９によりその段での
利得が決定されている。次にその信号はトランジスタＱ
１３のベースに１１Ｊ加され、トランジスタＱＩＯのコ
レクタ抵抗、ダイオードＱ１４ 、 Ｑ１５を負荷とし
てトランジスタ見１３のコレクタに出力される。トラン
ジスタＱＩＯのベースはトランジスタＱ９ と共にカレ
ントミラー回路を構成しており、トランジスタＱｌａ
、 Ｑ１４ 、 Ｑ１５をバイアスしている。トランジ
スタＱ１３のコレクタは、トランジスタＱ１７とＱｌｇ
を図のように組合せた煩合トランジスタのうち、トラン
ジスタ見１７のベースに接続されている。トランジスタ
Ｑ１０ のコレクタはトランジスタＱ１６のベースに
接続され、その各々にトランジスタＱ１３により増幅さ
れた信号が１：ｌ」加され、そのｌ、７号はトランジス
タＱ１６のエミッタ及びトランジスタＱ１７のエミッタ
とトランジスタＱ１８のコレクタの接続点、つまり出力
端子（５）に出力され、負荷抵抗ＲＬに交流信号として
取り出せる。
成する。 トランジスタＱ１２のコレクタに接’ｒｌ！
ｊｌ：されている抵抗に８によってそのエミッタＩ且流
が決定され、抵抗１ｔ８ 、 ｉｔ９によりその段での
利得が決定されている。次にその信号はトランジスタＱ
１３のベースに１１Ｊ加され、トランジスタＱＩＯのコ
レクタ抵抗、ダイオードＱ１４ 、 Ｑ１５を負荷とし
てトランジスタ見１３のコレクタに出力される。トラン
ジスタＱＩＯのベースはトランジスタＱ９ と共にカレ
ントミラー回路を構成しており、トランジスタＱｌａ
、 Ｑ１４ 、 Ｑ１５をバイアスしている。トランジ
スタＱ１３のコレクタは、トランジスタＱ１７とＱｌｇ
を図のように組合せた煩合トランジスタのうち、トラン
ジスタ見１７のベースに接続されている。トランジスタ
Ｑ１０ のコレクタはトランジスタＱ１６のベースに
接続され、その各々にトランジスタＱ１３により増幅さ
れた信号が１：ｌ」加され、そのｌ、７号はトランジス
タＱ１６のエミッタ及びトランジスタＱ１７のエミッタ
とトランジスタＱ１８のコレクタの接続点、つまり出力
端子（５）に出力され、負荷抵抗ＲＬに交流信号として
取り出せる。
以上のような低周波増幅器において＆ ７＋４源オフ時
の立下り特性はｌＩｓ ２図のようになる。第２図３は
ｉｔ源をオフしたときで、増’ｌ’ｉｉｓ器の出力１区
流１’ Ｔｉハ１／２・Ｖｃｃから電源デカップリング
コンデンサＣ３とリップル用コンデンサＣ４の時定数で
立下り特性が決まる。ｂは１ｎ源がオフされてトランジ
スタＱ５ 、 Ｑ６ 、 Ｑ８、ダイオードＤＩ 、抵
抗１ｔ３で構成される直流バイアス電流設定回路ｔｌＯ
）に゛［ａ流が供給されなくなる電源電圧になるときで
、同時にトランジスタＱ’ ＊Ｑ９＊ Ｑ１０ もカッ
トオフし始める。このとき出力トランジスタＱ１６のベ
ース１は圧はトランジスタ（１６に＋ｔｉ ７７！Ｅが
供給されなくなると共に抵抗Ｒ１１を介してトランジス
タＱ４へ流れ込む直流もなくなり、急激に゛ｉｌｌ源電
圧ＶＣＣ付近になろうとする。このときｂのような立下
り特性が発。
の立下り特性はｌＩｓ ２図のようになる。第２図３は
ｉｔ源をオフしたときで、増’ｌ’ｉｉｓ器の出力１区
流１’ Ｔｉハ１／２・Ｖｃｃから電源デカップリング
コンデンサＣ３とリップル用コンデンサＣ４の時定数で
立下り特性が決まる。ｂは１ｎ源がオフされてトランジ
スタＱ５ 、 Ｑ６ 、 Ｑ８、ダイオードＤＩ 、抵
抗１ｔ３で構成される直流バイアス電流設定回路ｔｌＯ
）に゛［ａ流が供給されなくなる電源電圧になるときで
、同時にトランジスタＱ’ ＊Ｑ９＊ Ｑ１０ もカッ
トオフし始める。このとき出力トランジスタＱ１６のベ
ース１は圧はトランジスタ（１６に＋ｔｉ ７７！Ｅが
供給されなくなると共に抵抗Ｒ１１を介してトランジス
タＱ４へ流れ込む直流もなくなり、急激に゛ｉｌｌ源電
圧ＶＣＣ付近になろうとする。このときｂのような立下
り特性が発。
生し、この立下り点で過渡音となってｊ見われる。
本発明は上記のような従来のものの督←１λオフ１１存
の欠点を改善するためになされたもσ）で、低ＩＡ１
ｄｌ増幅器の直流バイアス直流設定回路におｌ、）て、
そのトランジスタのベースｅエミッタ間とその夕°イオ
ードのアノード・カソード間とにわたって並列に抵抗を
接続することにより、電源オフ時の過渡音を軽減、除去
できる低周波増幅器を提供することを目的としている。
の欠点を改善するためになされたもσ）で、低ＩＡ１
ｄｌ増幅器の直流バイアス直流設定回路におｌ、）て、
そのトランジスタのベースｅエミッタ間とその夕°イオ
ードのアノード・カソード間とにわたって並列に抵抗を
接続することにより、電源オフ時の過渡音を軽減、除去
できる低周波増幅器を提供することを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図につし）て説明する。
第３１ヌ１は本発明の一実施例による低周波増幅？３で
あり、図に２いて、第１図と同一符号は同一のものを示
す。艮は直流バイアス′ｌ（ｆ流設定回路口αのトラン
ジスタＱｓ のベース・エミッタ出１とそσ）夕゛イ
オードＤ１ のアノード−カソード間とにＪつたって並
列に接続された抵抗である。
あり、図に２いて、第１図と同一符号は同一のものを示
す。艮は直流バイアス′ｌ（ｆ流設定回路口αのトラン
ジスタＱｓ のベース・エミッタ出１とそσ）夕゛イ
オードＤ１ のアノード−カソード間とにＪつたって並
列に接続された抵抗である。
次に動作について説明するＯ
定常動作状態に２いて、本発明の抵抗は従来の基本動作
に何ら支障を与えない。
に何ら支障を与えない。
それはトランジスタＱ８ 、ダイオードＤＩのベースｅ
エミッタＩＷ市圧がほぼ２ＶＢＥにクランプされている
ため、本発明の抵抗が接続されても、先に示した出力面
ｙ＃、 ’４圧Ｖｏには大きな影響を与えな直流バイア
スには影響が少ないが、電源オフ時においてはトランジ
スタＱ８、ダイオードＤ１の残り電圧２ＶＢＥ （ベー
ス・エミッタ間゛市圧）を、本発明の抵抗接、続によっ
てバイパスして、直流バイアスを得、より低い電圧まで
低周波増幅器を動作させようとＣるものである。
エミッタＩＷ市圧がほぼ２ＶＢＥにクランプされている
ため、本発明の抵抗が接続されても、先に示した出力面
ｙ＃、 ’４圧Ｖｏには大きな影響を与えな直流バイア
スには影響が少ないが、電源オフ時においてはトランジ
スタＱ８、ダイオードＤ１の残り電圧２ＶＢＥ （ベー
ス・エミッタ間゛市圧）を、本発明の抵抗接、続によっ
てバイパスして、直流バイアスを得、より低い電圧まで
低周波増幅器を動作させようとＣるものである。
すなわち、従来の（直流バイアス、８流はいかなる条件
においても ｉ ＝ （Ｖｃｃ−４ＶＢＥ）／Ｒ３ となるが、本発明の直流バイアス「η流は先の説明より
、低Ｔ４１圧では ｉ ＝ （Ｖ ｃ ｃ −２Ｖ Ｂ Ｅ ） ／ （Ｒ
３十Ｒ）となってより低い゛、ル圧（従来より２ＶＢ
Ｅ低い電圧）まで直流バイアスが与えられ、第２図に示
したｂの波形は第４図のｂＩ の様にｄｇＢが軽減ある
いは除去される方向に改善される・ 以上のように、この発明に係る低周波増幅器によれば、
従来の低周波増幅器の直流バイアスｔは流設定回路に抵
抗を接続するだけで、本来の基本性能に与える影響はほ
とんどなく、２７に的な１４３源オフ時の過渡音の軽減
あるいは除去を達成できる効果がある。
においても ｉ ＝ （Ｖｃｃ−４ＶＢＥ）／Ｒ３ となるが、本発明の直流バイアス「η流は先の説明より
、低Ｔ４１圧では ｉ ＝ （Ｖ ｃ ｃ −２Ｖ Ｂ Ｅ ） ／ （Ｒ
３十Ｒ）となってより低い゛、ル圧（従来より２ＶＢ
Ｅ低い電圧）まで直流バイアスが与えられ、第２図に示
したｂの波形は第４図のｂＩ の様にｄｇＢが軽減ある
いは除去される方向に改善される・ 以上のように、この発明に係る低周波増幅器によれば、
従来の低周波増幅器の直流バイアスｔは流設定回路に抵
抗を接続するだけで、本来の基本性能に与える影響はほ
とんどなく、２７に的な１４３源オフ時の過渡音の軽減
あるいは除去を達成できる効果がある。
第１図は従来の低周波増幅器を示す回路図、第２図は従
来の低周波増幅器の出力端子電圧の、貧諒オフ時の立下
り特性図、第３図は本発明の一実施例による低周波増幅
器の回路図、第４図は本発明装置の出力端子電圧の１１
！源オフ時の立下り特性図である。 （＋０１・・・直流バイアス゛市流設定回路、Ｑｓ・・
・トランジスタ、υ１・・・ダイオード、に・・・抵抗
。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代 理 人 葛 野 信 −
晴間を艶〕− 第４図 時間ｔ （Ｓ） − 手続補正書（自転） 昭和５８年゛℃パコＸ１゛月 ３０ 特許庁長官殿 ■、小事件表示 特願昭５７−１６２６０３号２
、発明の名称 低周波増幅器 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁１」２番３
冴名 称（６０１） 三菱電機株式会社代表者片山
仁八部 ４、代理人 住 所 東京都千代１」」区丸の内二丁目２番
３号） ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の４・司 ６、補正の内容 明細書の特許請求の範囲を別紙のとおりｉｌ’ ｉＥす
る。 以 上 特許請求の範囲 （１） 直流バイアス電流設定回路を有する低周波増
幅器であって、上記直流バイアス−流設定回路が、その
トランジスタのベース・エミッタ間とそのダイオードの
アノード・カソード間とにわたって並列に接続された抵
抗を備え、電源オフ時の電源電圧の立下り変化に十分追
従するよう構成されていることを特徴とする低周波増幅
器。
来の低周波増幅器の出力端子電圧の、貧諒オフ時の立下
り特性図、第３図は本発明の一実施例による低周波増幅
器の回路図、第４図は本発明装置の出力端子電圧の１１
！源オフ時の立下り特性図である。 （＋０１・・・直流バイアス゛市流設定回路、Ｑｓ・・
・トランジスタ、υ１・・・ダイオード、に・・・抵抗
。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代 理 人 葛 野 信 −
晴間を艶〕− 第４図 時間ｔ （Ｓ） − 手続補正書（自転） 昭和５８年゛℃パコＸ１゛月 ３０ 特許庁長官殿 ■、小事件表示 特願昭５７−１６２６０３号２
、発明の名称 低周波増幅器 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁１」２番３
冴名 称（６０１） 三菱電機株式会社代表者片山
仁八部 ４、代理人 住 所 東京都千代１」」区丸の内二丁目２番
３号） ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の４・司 ６、補正の内容 明細書の特許請求の範囲を別紙のとおりｉｌ’ ｉＥす
る。 以 上 特許請求の範囲 （１） 直流バイアス電流設定回路を有する低周波増
幅器であって、上記直流バイアス−流設定回路が、その
トランジスタのベース・エミッタ間とそのダイオードの
アノード・カソード間とにわたって並列に接続された抵
抗を備え、電源オフ時の電源電圧の立下り変化に十分追
従するよう構成されていることを特徴とする低周波増幅
器。
Claims (1)
- （１）直流バイアス電流設定回路を有する低周波増’Ｉ
’ｌｉｌ 器であって、上記直流バイアス電流設定回路
が、そのトランジスタのベース・エミッタ間とそのダイ
オードのアノード・カソード間とにわたって並列に接続
された抵抗を備え、４源オフ時の４源電圧の立下り変化
に早く追従するよう構成されていることを特徴とする低
周波増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57162603A JPS5951611A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 低周波増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57162603A JPS5951611A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 低周波増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5951611A true JPS5951611A (ja) | 1984-03-26 |
| JPH0216047B2 JPH0216047B2 (ja) | 1990-04-16 |
Family
ID=15757724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57162603A Granted JPS5951611A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 低周波増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5951611A (ja) |
-
1982
- 1982-09-17 JP JP57162603A patent/JPS5951611A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0216047B2 (ja) | 1990-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4814724A (en) | Gain control circuit of current mirror circuit type | |
| JPS5945706A (ja) | 差動増幅回路 | |
| US3997849A (en) | Push-pull amplifier | |
| US4335358A (en) | Class "B" type amplifier | |
| JPS6119170B2 (ja) | ||
| JP3697679B2 (ja) | 安定化電源回路 | |
| US5307023A (en) | Non-linear operational transconductance amplifier | |
| JP2953383B2 (ja) | 電圧電流変換回路 | |
| US4103248A (en) | Voltage follower circuit | |
| JPS6212692B2 (ja) | ||
| JPS5951611A (ja) | 低周波増幅器 | |
| US3783400A (en) | Differential current amplifier | |
| JPH0626287B2 (ja) | 増幅装置 | |
| JPH03503702A (ja) | 高利得ｉｃ増幅器 | |
| JPS6341446B2 (ja) | ||
| US4524330A (en) | Bipolar circuit for amplifying differential signal | |
| US4293824A (en) | Linear differential amplifier with unbalanced output | |
| US4300103A (en) | Push-pull amplifier | |
| JPS6358405B2 (ja) | ||
| JPH0161247B2 (ja) | ||
| JP3043190B2 (ja) | 帰還増幅回路 | |
| JP3470835B2 (ja) | 演算増幅器 | |
| JPS6349938Y2 (ja) | ||
| JPH0226808B2 (ja) | ||
| JPH0134423Y2 (ja) |