JPS5951687B2 - 架橋ポリエチレン絶縁ケ−ブルの製造方法 - Google Patents
架橋ポリエチレン絶縁ケ−ブルの製造方法Info
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- JPS5951687B2 JPS5951687B2 JP52104085A JP10408577A JPS5951687B2 JP S5951687 B2 JPS5951687 B2 JP S5951687B2 JP 52104085 A JP52104085 A JP 52104085A JP 10408577 A JP10408577 A JP 10408577A JP S5951687 B2 JPS5951687 B2 JP S5951687B2
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Landscapes
- Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
- Extrusion Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Processes Specially Adapted For Manufacturing Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、厚肉の絶縁遮蔽層を有する架橋ポリ。
エチレン絶縁ケーブルを成形架橋用の長尺ダイスを用い
て製造する特許請求の範囲に記載の方法を提案するもの
である。成形架橋用長尺ダイスの断面を示す付図を用い
て説明すると、同図において主押出機(図示せず)のク
ロスヘッド1に直結された成形架橋用長尺ダイス2の内
部を導体Cを連続的に通過させる。主押出機から供給さ
れた末架橋のポリエチレン絶縁用組成物ioがニップル
11と長尺ダイス2のテーパ部21との間の樹脂通路を
通つて導体C上に被覆される。副押出機3から押出され
た末架橋の半導電性組成物aoは、テーパ部21の内壁
面に設けられたリング状スリット120を通つて末架橋
ポリエチレン絶縁層iの上に供給され絶縁遮蔽層aを形
成する。長尺ダイス2と絶縁遮蔽層aとの界面には潤滑
剤供給装置4から絶えず供給される潤滑剤が存在し、そ
のため絶縁層i及びその上の絶縁遮蔽層aを有する導体
Cの長尺ダイス内での移動が円滑に行なわれる。
て製造する特許請求の範囲に記載の方法を提案するもの
である。成形架橋用長尺ダイスの断面を示す付図を用い
て説明すると、同図において主押出機(図示せず)のク
ロスヘッド1に直結された成形架橋用長尺ダイス2の内
部を導体Cを連続的に通過させる。主押出機から供給さ
れた末架橋のポリエチレン絶縁用組成物ioがニップル
11と長尺ダイス2のテーパ部21との間の樹脂通路を
通つて導体C上に被覆される。副押出機3から押出され
た末架橋の半導電性組成物aoは、テーパ部21の内壁
面に設けられたリング状スリット120を通つて末架橋
ポリエチレン絶縁層iの上に供給され絶縁遮蔽層aを形
成する。長尺ダイス2と絶縁遮蔽層aとの界面には潤滑
剤供給装置4から絶えず供給される潤滑剤が存在し、そ
のため絶縁層i及びその上の絶縁遮蔽層aを有する導体
Cの長尺ダイス内での移動が円滑に行なわれる。
導体Cが長尺ダイス2を通過する間に導体上の層i及び
層aは該長尺ダイスにより加熱されて架橋し、長尺ダイ
ス2に直結した冷却装置5において加圧下のもとで冷却
される。本発明においては、末架橋半導電性組成物ao
としては、有機過酸化物で架橋し得るポリマー(ベース
ポリマー)たとえば、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビ
ニル共重合体、エチレン−エチルアクリレート共重合体
等、あるいはそれらポリマーの2種以上の混合物にカー
ボンブラック、金属機等導電性付与剤と有機過酸化物架
橋剤特にジアルキルパーオキサイドたとえば、ジーを−
ブチルパーオキサイド、を−ブチルクミルパーオキサイ
ド、ジクルミルパーオキサイド、a、a’−ビス(を−
ブチルパーオキシ)P−ジイソプロピルベンゼン、2、
5−ジメチルー2、5−ジ (を−ブチルパーオキシ)
ヘキサン、2、5−ジメチル−2、5−ジ(を−ブチル
パーオキシ)へキシンー3等を配合してなるものが用い
られ、かつ該有機過酸化物の量は、ベースポリマー10
0重量部あたり0.1〜1重量部とする。
層aは該長尺ダイスにより加熱されて架橋し、長尺ダイ
ス2に直結した冷却装置5において加圧下のもとで冷却
される。本発明においては、末架橋半導電性組成物ao
としては、有機過酸化物で架橋し得るポリマー(ベース
ポリマー)たとえば、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビ
ニル共重合体、エチレン−エチルアクリレート共重合体
等、あるいはそれらポリマーの2種以上の混合物にカー
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橋剤特にジアルキルパーオキサイドたとえば、ジーを−
ブチルパーオキサイド、を−ブチルクミルパーオキサイ
ド、ジクルミルパーオキサイド、a、a’−ビス(を−
ブチルパーオキシ)P−ジイソプロピルベンゼン、2、
5−ジメチルー2、5−ジ (を−ブチルパーオキシ)
ヘキサン、2、5−ジメチル−2、5−ジ(を−ブチル
パーオキシ)へキシンー3等を配合してなるものが用い
られ、かつ該有機過酸化物の量は、ベースポリマー10
0重量部あたり0.1〜1重量部とする。
長尺ダイス2は、ヒーター22により200〜300℃
程度の高温度に保持された長さ数m〜数+m程度の長尺
の架橋域を有するものであり、絶縁遮蔽層aはこの長い
道程を潤滑剤層を介して高温度に保持された長尺ダイス
内壁上をすベリながら移動する。
程度の高温度に保持された長さ数m〜数+m程度の長尺
の架橋域を有するものであり、絶縁遮蔽層aはこの長い
道程を潤滑剤層を介して高温度に保持された長尺ダイス
内壁上をすベリながら移動する。
絶縁遮蔽層aの厚さが0.5型用未満の薄肉の場合は別
として、0.5mm以上の厚肉とする場合において、層
aに有機過酸化物が予め配合されていないと、時として
長尺ダイス内を移動中の層aが破れ、このため製造を中
止のやむなきに至る。このとき層a中に予め有機過酸化
物架橋剤、特にジアルキルパーオキサイドを少くとも0
.1重量部配合しておくと、該有機過酸化物の作用によ
りヘスポリマーが架橋し、層aが機械的に強くなるため
、上記したトラブルが防止し得、而して長時間にわたる
安定した操業が可能となる。なお、層a中の有機過酸化
物の使用量を有機過酸化物架橋技術における一般的な使
用量とすると、層aより有機過酸化物の一部が潤滑剤中
に移行し、潤滑剤の潤滑寿命を大なり小なり低下させる
。このため本発明では通常使用量より少い1.0重量部
以下とすることが肝要である。有機過酸化物の好ましい
使用量は0.2〜0.7重量部である。実施例 全長15m、架橋域の長さ13m、温度250℃の長尺
ダイスを用い、10mm厚の導体遮蔽層を有する導体上
にジクミルパーオキサイド2.5重量部配合したポリエ
チレン絶縁組成物を押出被覆し、更にその上にアセチレ
ンブラツク50重量部とA,a″−ビス(t−ブチルパ
ーオキシ)P−ジイソプロピルベンゼン0.5重量部と
を配合した酢酸ビニル含有量17重量%のエチレン一酢
酸ビニル共重合体半導電性組成物を押出した。
として、0.5mm以上の厚肉とする場合において、層
aに有機過酸化物が予め配合されていないと、時として
長尺ダイス内を移動中の層aが破れ、このため製造を中
止のやむなきに至る。このとき層a中に予め有機過酸化
物架橋剤、特にジアルキルパーオキサイドを少くとも0
.1重量部配合しておくと、該有機過酸化物の作用によ
りヘスポリマーが架橋し、層aが機械的に強くなるため
、上記したトラブルが防止し得、而して長時間にわたる
安定した操業が可能となる。なお、層a中の有機過酸化
物の使用量を有機過酸化物架橋技術における一般的な使
用量とすると、層aより有機過酸化物の一部が潤滑剤中
に移行し、潤滑剤の潤滑寿命を大なり小なり低下させる
。このため本発明では通常使用量より少い1.0重量部
以下とすることが肝要である。有機過酸化物の好ましい
使用量は0.2〜0.7重量部である。実施例 全長15m、架橋域の長さ13m、温度250℃の長尺
ダイスを用い、10mm厚の導体遮蔽層を有する導体上
にジクミルパーオキサイド2.5重量部配合したポリエ
チレン絶縁組成物を押出被覆し、更にその上にアセチレ
ンブラツク50重量部とA,a″−ビス(t−ブチルパ
ーオキシ)P−ジイソプロピルベンゼン0.5重量部と
を配合した酢酸ビニル含有量17重量%のエチレン一酢
酸ビニル共重合体半導電性組成物を押出した。
この絶縁遮蔽層の厚みは0.5mmであつた。潤滑剤と
して密度1,093,210゜Fの粘度2640C.S
t.のエチレンオキサイド・プロピレンオキサイド・ラ
ンダムコポリマーを用いた。導体の移動速度は4.1m
/分で少くとも連続100時間の操業が行い得た。
して密度1,093,210゜Fの粘度2640C.S
t.のエチレンオキサイド・プロピレンオキサイド・ラ
ンダムコポリマーを用いた。導体の移動速度は4.1m
/分で少くとも連続100時間の操業が行い得た。
図面は本発明において使用される製造装置を示す説明図
である。 図において、1は押出機のクロスヘツド、2は成形架橋
用の長尺ダイス、3は副押出機、4は潤滑剤供給装置、
Cは導体、iはポリエチレン絶縁層、dは絶縁遮蔽層で
ある。
である。 図において、1は押出機のクロスヘツド、2は成形架橋
用の長尺ダイス、3は副押出機、4は潤滑剤供給装置、
Cは導体、iはポリエチレン絶縁層、dは絶縁遮蔽層で
ある。
Claims (1)
- 1 成形架橋用長尺ダイス内を連続的に通過する導体上
に末架橋のポリエチレン絶縁層を施し、更にその上に厚
さが少くとも0.5mmの絶縁遮蔽層を施し、上記成形
架橋用長尺ダイスで加熱して架橋ポリエチレン絶縁ケー
ブルを製造するにあたり、上記絶縁遮蔽層の構成組成物
として有機過酸化物架橋剤をベースポリマー100重量
部あたり0.1〜1重量部含むものを用いる、ことを特
徴とする架橋ポリエチレン絶縁ケーブルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52104085A JPS5951687B2 (ja) | 1977-08-29 | 1977-08-29 | 架橋ポリエチレン絶縁ケ−ブルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52104085A JPS5951687B2 (ja) | 1977-08-29 | 1977-08-29 | 架橋ポリエチレン絶縁ケ−ブルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5437285A JPS5437285A (en) | 1979-03-19 |
| JPS5951687B2 true JPS5951687B2 (ja) | 1984-12-15 |
Family
ID=14371287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52104085A Expired JPS5951687B2 (ja) | 1977-08-29 | 1977-08-29 | 架橋ポリエチレン絶縁ケ−ブルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5951687B2 (ja) |
-
1977
- 1977-08-29 JP JP52104085A patent/JPS5951687B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5437285A (en) | 1979-03-19 |
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