JPS5951722B2 - 正特性サ−ミスタ等の電極形成法 - Google Patents
正特性サ−ミスタ等の電極形成法Info
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- JPS5951722B2 JPS5951722B2 JP17204679A JP17204679A JPS5951722B2 JP S5951722 B2 JPS5951722 B2 JP S5951722B2 JP 17204679 A JP17204679 A JP 17204679A JP 17204679 A JP17204679 A JP 17204679A JP S5951722 B2 JPS5951722 B2 JP S5951722B2
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 8
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 7
- -1 chlorine ions Chemical class 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は正特性サーミスタにオーム性接触する電極の形
成法に関するものである。
成法に関するものである。
従来より正特性サーミスタの電極としては主としてオー
ム性接触を得るための銀焼付は電極やニッケル無電解メ
ッキ薄膜の上に外部端子と電気的接続するための接触抵
抗の小さい銀ペーストを塗布したものが用いられている
。
ム性接触を得るための銀焼付は電極やニッケル無電解メ
ッキ薄膜の上に外部端子と電気的接続するための接触抵
抗の小さい銀ペーストを塗布したものが用いられている
。
しかし、これらの銀電極材料の溶剤やメッキ液中に含ま
れる塩素イオンのために、長時間高湿度雰囲気に放置さ
れたり、その用途上常温から１５０℃程度の温度サイク
ルを非常に数多くくす返されると電極材料の主成分であ
る銀と塩素イオンが化学反応を生じて非導電性の塩化銀
（ＡｇＣ１）が電極中に形成され、その結果、電極の固
有抵抗が上昇し、正特性サーミスタとしての特性を著し
く低下させていた。
れる塩素イオンのために、長時間高湿度雰囲気に放置さ
れたり、その用途上常温から１５０℃程度の温度サイク
ルを非常に数多くくす返されると電極材料の主成分であ
る銀と塩素イオンが化学反応を生じて非導電性の塩化銀
（ＡｇＣ１）が電極中に形成され、その結果、電極の固
有抵抗が上昇し、正特性サーミスタとしての特性を著し
く低下させていた。
本発明は上記のような欠点を除去するために、予め、銀
電極材料やニッケルメッキ層内に含まれている塩素イオ
ンを除去し、塩化銀の発生をなくすことにより耐湿性、
耐熱性のすぐれた電極を形成し信頼性の高い正特性サー
ミスタを得ることを目的とするもので゛ある。
電極材料やニッケルメッキ層内に含まれている塩素イオ
ンを除去し、塩化銀の発生をなくすことにより耐湿性、
耐熱性のすぐれた電極を形成し信頼性の高い正特性サー
ミスタを得ることを目的とするもので゛ある。
以下、本発明による正特性サーミスタの電極形成法を一
実施例に従って詳述する。
実施例に従って詳述する。
第１図において１，１′は、絶縁材料で作られたケース
、２，２′は該ケースに互いに対面して植立された１対
のバネ端子で、バネ金属材をもって形成され、これらバ
ネ端子間には正特性サーミスタ３が挾持されている。
、２，２′は該ケースに互いに対面して植立された１対
のバネ端子で、バネ金属材をもって形成され、これらバ
ネ端子間には正特性サーミスタ３が挾持されている。
正特性サーミスタ３は第２図に示すように正特性サーミ
スタ素体４の両面に、ニッケル無電解メッキ層あるいは
錫、アルミニウム、亜鉛などの卑金属を鎖中に含有させ
た銀焼付層５． ５’と銀皮膜６，６′とが形成されて
いる。
スタ素体４の両面に、ニッケル無電解メッキ層あるいは
錫、アルミニウム、亜鉛などの卑金属を鎖中に含有させ
た銀焼付層５． ５’と銀皮膜６，６′とが形成されて
いる。
ニッケル無電解メッキ層あるいは卑金属を含有させた銀
焼付層５，５′はいずれの場合もそれぞれ適当な温度で
処理することにより素体４との接着性を高められており
、素体とオーム性接触している（以下５，５′をオーミ
ック層と呼ぶ）。
焼付層５，５′はいずれの場合もそれぞれ適当な温度で
処理することにより素体４との接着性を高められており
、素体とオーム性接触している（以下５，５′をオーミ
ック層と呼ぶ）。
銀皮膜６，６′は銀ペイントをスクリーン印刷した後に
加熱して前記オーミック層５，５′に完全に電気的に密
着している。
加熱して前記オーミック層５，５′に完全に電気的に密
着している。
この銀皮膜６，６′はバネ端子２，２′との間の接触電
気抵抗を減じて、電流の流通開始時め大きな初期電流に
よる電極の焼損を防いでいる。
気抵抗を減じて、電流の流通開始時め大きな初期電流に
よる電極の焼損を防いでいる。
：しかしこのような正特性サーミスタ３の電極形成にお
いては、ニッケル無電解メッキ溶液や、銀電極材料の溶
剤の中に必然的に塩素イオンが含有きれるため、従来は
、正特性サーミスタを長時間高湿度雰囲気に放置したり
、その用途上常温から１５０℃程度の温度サイクルを非
常に数多くくす返すと、電極材料の主成分である銀と塩
素イオンが化学反応を生じて非導電性の塩化銀（ＡｇＣ
１）が電極中に形成され、その結果電極の固有抵抗が上
昇し、正特性サーミスタとしの特性を著しく低下させて
いた。
いては、ニッケル無電解メッキ溶液や、銀電極材料の溶
剤の中に必然的に塩素イオンが含有きれるため、従来は
、正特性サーミスタを長時間高湿度雰囲気に放置したり
、その用途上常温から１５０℃程度の温度サイクルを非
常に数多くくす返すと、電極材料の主成分である銀と塩
素イオンが化学反応を生じて非導電性の塩化銀（ＡｇＣ
１）が電極中に形成され、その結果電極の固有抵抗が上
昇し、正特性サーミスタとしの特性を著しく低下させて
いた。
本発明は、上記のような欠点を除去するために正特性サ
ーミスタ素体４の両面にオーミック層５．５′を形成し
、オーミック層の雨上面に銀皮膜６，６′を形成した正
特性サーミスタ３を純水にて煮沸し、１００℃３０分銀
電極材料やニッケルメッキ層内に含まれている塩素イオ
ンを除去した後、真空乾燥（７００ｍｍＨｇ以下、１２
０℃、１２０分）を施している。
ーミスタ素体４の両面にオーミック層５．５′を形成し
、オーミック層の雨上面に銀皮膜６，６′を形成した正
特性サーミスタ３を純水にて煮沸し、１００℃３０分銀
電極材料やニッケルメッキ層内に含まれている塩素イオ
ンを除去した後、真空乾燥（７００ｍｍＨｇ以下、１２
０℃、１２０分）を施している。
次に、本発明の効果を確認するために、次に示す試験を
行った。
行った。
試験
従来の正特性サーミスタ素体４にオーミック層５．５′
を銀皮膜６，６′を形成しただけのサンプルｎを１０個
と、本発明による煮沸及び真空乾燥を施したサンプルｎ
を１０個と同一恒温恒湿槽（４０℃、９５％）に放置し
、２５℃における正特性サーミスタの抵抗値の経時変化
を測定した結果第３図に示すように５００時間後の抵抗
上昇率は従来品Ａに対し本発明Ｂが１／３程度と明らか
に効果があった。
を銀皮膜６，６′を形成しただけのサンプルｎを１０個
と、本発明による煮沸及び真空乾燥を施したサンプルｎ
を１０個と同一恒温恒湿槽（４０℃、９５％）に放置し
、２５℃における正特性サーミスタの抵抗値の経時変化
を測定した結果第３図に示すように５００時間後の抵抗
上昇率は従来品Ａに対し本発明Ｂが１／３程度と明らか
に効果があった。
また、第４図に示す回路でＯＮＩ分間、 ０ＦＦ５分間
の０Ｎ−ＯＦＦサイクルを加えて常温から１５０℃程度
の温度サイクルをくり返した結果も第５図に示すように
抵抗上昇率は低く効果があった。
の０Ｎ−ＯＦＦサイクルを加えて常温から１５０℃程度
の温度サイクルをくり返した結果も第５図に示すように
抵抗上昇率は低く効果があった。
以上の説明から明らかなように、本発明による正特性サ
ーミスタの電極形成法は、正特性サーミスタにおいて、
被着電極材料を正特性サーミスタの表面に付与した後、
純水にて煮沸し、その後真空乾燥に施しているので、銀
電極材料やニッケルメッキ層内に含まれている塩素イオ
ンが除去され、長時間高温雰囲気中に放置しても、常温
から約１５０℃程度の温度サイクルを数多くくり返して
も、塩素イオンがないため電極中に塩化銀は発生せず。
ーミスタの電極形成法は、正特性サーミスタにおいて、
被着電極材料を正特性サーミスタの表面に付与した後、
純水にて煮沸し、その後真空乾燥に施しているので、銀
電極材料やニッケルメッキ層内に含まれている塩素イオ
ンが除去され、長時間高温雰囲気中に放置しても、常温
から約１５０℃程度の温度サイクルを数多くくり返して
も、塩素イオンがないため電極中に塩化銀は発生せず。
その結果、電極の固有抵抗も上昇せず、耐湿性、耐熱性
のすぐれた電極を得ることができるので、高温中に放置
しても、頻繁な反覆通電による温度サイクルによって特
性劣化を来たさない正特性サーミスタ等の電極を得るこ
とができる。
のすぐれた電極を得ることができるので、高温中に放置
しても、頻繁な反覆通電による温度サイクルによって特
性劣化を来たさない正特性サーミスタ等の電極を得るこ
とができる。
第１図は本発明を実施した正特性サーミスタの取付状態
を示す断面図、第２図は第１図における正特性サーミス
タの縦断面図、第３図は本発明による正特性サーミスタ
と従来品の耐湿性テスト結果を示す比較グラフ、第４図
は正特性サーミスタに温度サイクルを加える０Ｎ−ＯＦ
Ｆテスト回路図、第５図は第４図の回路での温度サイク
ルテストの本発明による正特性サーミスタと従来品の比
較グラフである。 ４・・・・・・素体、５，５′・・・・・・オーミック
層、６゜６′・・・・・・銀皮膜。
を示す断面図、第２図は第１図における正特性サーミス
タの縦断面図、第３図は本発明による正特性サーミスタ
と従来品の耐湿性テスト結果を示す比較グラフ、第４図
は正特性サーミスタに温度サイクルを加える０Ｎ−ＯＦ
Ｆテスト回路図、第５図は第４図の回路での温度サイク
ルテストの本発明による正特性サーミスタと従来品の比
較グラフである。 ４・・・・・・素体、５，５′・・・・・・オーミック
層、６゜６′・・・・・・銀皮膜。
Claims (1)
- １ 正特性サーミスタ等の素体表面にオーミック層を形
成し、更にこのオーミック層の表面に銀皮膜を形成し、
その後、純水にて煮沸し、さらに真空乾燥を施してなる
正特性サーミスタ等の電極形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17204679A JPS5951722B2 (ja) | 1979-12-26 | 1979-12-26 | 正特性サ−ミスタ等の電極形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17204679A JPS5951722B2 (ja) | 1979-12-26 | 1979-12-26 | 正特性サ−ミスタ等の電極形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5693302A JPS5693302A (en) | 1981-07-28 |
| JPS5951722B2 true JPS5951722B2 (ja) | 1984-12-15 |
Family
ID=15934525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17204679A Expired JPS5951722B2 (ja) | 1979-12-26 | 1979-12-26 | 正特性サ−ミスタ等の電極形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5951722B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59130432U (ja) * | 1983-02-19 | 1984-09-01 | ヤンマー農機株式会社 | 排藁結束装置 |
-
1979
- 1979-12-26 JP JP17204679A patent/JPS5951722B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59130432U (ja) * | 1983-02-19 | 1984-09-01 | ヤンマー農機株式会社 | 排藁結束装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5693302A (en) | 1981-07-28 |
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