JPH04282802A - セラミック電子部品の製造法 - Google Patents
セラミック電子部品の製造法Info
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- JPH04282802A JPH04282802A JP3070483A JP7048391A JPH04282802A JP H04282802 A JPH04282802 A JP H04282802A JP 3070483 A JP3070483 A JP 3070483A JP 7048391 A JP7048391 A JP 7048391A JP H04282802 A JPH04282802 A JP H04282802A
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミック素体の端部
に電極を形成してなるセラミック電子部品に関する。
に電極を形成してなるセラミック電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、セラミック電子部品の製造法
として以下に示すものが知られている。まず、所定のセ
ラミック原料粉末に溶剤およびバインダーを加えてスラ
リー化し、これを所定の寸法および形状に成形してグリ
ーンシートを得る。得られたグリーンシートは所定枚数
積層した後、またはそのままの形状で焼成し、セラミッ
ク素体を作製する。
として以下に示すものが知られている。まず、所定のセ
ラミック原料粉末に溶剤およびバインダーを加えてスラ
リー化し、これを所定の寸法および形状に成形してグリ
ーンシートを得る。得られたグリーンシートは所定枚数
積層した後、またはそのままの形状で焼成し、セラミッ
ク素体を作製する。
【０００３】次に、作製したセラミック素体の両端部に
厚膜銀ペーストを塗布し、焼き付けを行った後、該厚膜
銀ペーストの表面にニッケルメッキを施し、さらにその
表面に半田メッキあるいはスズメッキを施す。最後に、
必要に応じて露出した素体上に樹脂被膜を形成する。
厚膜銀ペーストを塗布し、焼き付けを行った後、該厚膜
銀ペーストの表面にニッケルメッキを施し、さらにその
表面に半田メッキあるいはスズメッキを施す。最後に、
必要に応じて露出した素体上に樹脂被膜を形成する。
【０００４】このようにして製造されたセラミック電子
部品７を配線基板９に搭載した際（図４）、ランド電極
に半田６により固着させた端子電極５の一方がセラミッ
ク素体１から剥がれてしまうことがあった（図５）。こ
れは、熱などの影響により配線基板９に反りが生じ、そ
の反りの応力によって端子電極５の一方がセラミック素
体１から剥がされてしまうのである。
部品７を配線基板９に搭載した際（図４）、ランド電極
に半田６により固着させた端子電極５の一方がセラミッ
ク素体１から剥がれてしまうことがあった（図５）。こ
れは、熱などの影響により配線基板９に反りが生じ、そ
の反りの応力によって端子電極５の一方がセラミック素
体１から剥がされてしまうのである。
【０００５】また、一般的にセラミック素体１は、焼成
時にセラミック粉末に混入したバインダーが焼失するよ
うに、表面および内部に小孔（ポア）２を多数有する多
孔質であるため（図３）、端子電極表面にメッキ処理を
施した際、素体部分に付着したメッキ液が、素体表面に
開口しているポア内へ侵入してしまうことがあった。ポ
ア内にメッキ液が残留すると、メッキ液は素体を構成す
る複合酸化物と反応し、セラミック電子部品の特性を劣
化させてしまうという問題があった。
時にセラミック粉末に混入したバインダーが焼失するよ
うに、表面および内部に小孔（ポア）２を多数有する多
孔質であるため（図３）、端子電極表面にメッキ処理を
施した際、素体部分に付着したメッキ液が、素体表面に
開口しているポア内へ侵入してしまうことがあった。ポ
ア内にメッキ液が残留すると、メッキ液は素体を構成す
る複合酸化物と反応し、セラミック電子部品の特性を劣
化させてしまうという問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
技術の問題点を解決し、セラミック素体と外部電極との
剥離およびセラミック素体表面に開口しているポア内へ
のメッキ液の侵入を防止し得るセラミック電子部品の製
造法を提供することを目的とする。
技術の問題点を解決し、セラミック素体と外部電極との
剥離およびセラミック素体表面に開口しているポア内へ
のメッキ液の侵入を防止し得るセラミック電子部品の製
造法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成すべく鋭意研究の結果、多孔質のセラミック素体
表面に開口しているポア内にシリコーン樹脂を充填した
後、外部電極を形成することにより上記目的が達成でき
ることを見い出し、本発明に到達した。
を達成すべく鋭意研究の結果、多孔質のセラミック素体
表面に開口しているポア内にシリコーン樹脂を充填した
後、外部電極を形成することにより上記目的が達成でき
ることを見い出し、本発明に到達した。
【０００８】すなわち、本発明は、多孔質セラミック素
体の両端面およびそれに接する周面に導体ペーストを塗
布、焼付けして端子電極を形成し、その端子電極表面に
メッキ処理を施すことからなるセラミック電子部品の製
造法において、端子電極用導電ペーストの塗布前に、上
記多孔質セラミック素体にシリコーン樹脂を含浸させ、
次いで含浸した該樹脂を硬化させる含浸処理工程を設け
たことを特徴とするセラミック電子部品の製造法を提供
するものである。
体の両端面およびそれに接する周面に導体ペーストを塗
布、焼付けして端子電極を形成し、その端子電極表面に
メッキ処理を施すことからなるセラミック電子部品の製
造法において、端子電極用導電ペーストの塗布前に、上
記多孔質セラミック素体にシリコーン樹脂を含浸させ、
次いで含浸した該樹脂を硬化させる含浸処理工程を設け
たことを特徴とするセラミック電子部品の製造法を提供
するものである。
【０００９】
【作用】シリコーンは一般にオルガノポリシロキサン誘
導体を主成分としており、組成、環境および雰囲気にも
よるが、通常 ３００〜４５０ ℃に加熱するとガラス
状の珪酸塩を生成する。本発明は、このようなシリコー
ン樹脂の特性を利用したものであって、シリコーン樹脂
を用いてセラミック素体に含浸処理を施すことにより、
セラミック素体１表面に開口しているポア２内にシリコ
ーン樹脂４を充填し、その表面に端子電極用厚膜導体ペ
ーストを塗布して焼き付けを行っているため、該ポア２
内において珪酸塩が生成する。ポア２内で生成した珪酸
塩は、端子電極用導体ペーストとして用いられる厚膜銀
ペースト３中に含まれているフリット（ガラス粉末）と
同じガラス質である為、両者の親和性は良好であり、珪
酸塩とフリットとはその接触部において混交する（図１
）。このように珪酸塩とフリットとが混交することによ
り、セラミック素体に対する端子電極の密着性が著しく
向上する。そのため、本発明により製造されたセラミッ
ク電子部品は、基板へ実装した後に基板に反りが発生し
ても端子電極とセラミック素体との剥離は極めて起こり
にくくなる。
導体を主成分としており、組成、環境および雰囲気にも
よるが、通常 ３００〜４５０ ℃に加熱するとガラス
状の珪酸塩を生成する。本発明は、このようなシリコー
ン樹脂の特性を利用したものであって、シリコーン樹脂
を用いてセラミック素体に含浸処理を施すことにより、
セラミック素体１表面に開口しているポア２内にシリコ
ーン樹脂４を充填し、その表面に端子電極用厚膜導体ペ
ーストを塗布して焼き付けを行っているため、該ポア２
内において珪酸塩が生成する。ポア２内で生成した珪酸
塩は、端子電極用導体ペーストとして用いられる厚膜銀
ペースト３中に含まれているフリット（ガラス粉末）と
同じガラス質である為、両者の親和性は良好であり、珪
酸塩とフリットとはその接触部において混交する（図１
）。このように珪酸塩とフリットとが混交することによ
り、セラミック素体に対する端子電極の密着性が著しく
向上する。そのため、本発明により製造されたセラミッ
ク電子部品は、基板へ実装した後に基板に反りが発生し
ても端子電極とセラミック素体との剥離は極めて起こり
にくくなる。
【００１０】また、シリコーン樹脂４を用いてセラミッ
ク素体１に含浸処理を施すことにより、素体表面に開口
していたポア２が塞がれるため（図２）、メッキ液が素
体表面に付着してもポア内にメッキ液が侵入せず、セラ
ミック電子部品の特性が劣化することがなくなる。
ク素体１に含浸処理を施すことにより、素体表面に開口
していたポア２が塞がれるため（図２）、メッキ液が素
体表面に付着してもポア内にメッキ液が侵入せず、セラ
ミック電子部品の特性が劣化することがなくなる。
【００１１】以下、実施例により本発明をさらに詳細に
説明する。しかし本発明の範囲は以下の実施例により制
限されるものではない。
説明する。しかし本発明の範囲は以下の実施例により制
限されるものではない。
【００１２】
【実施例】本発明の一実施例として、チップ状ＮＴＣサ
ーミスタの製造法を以下に説明する。
ーミスタの製造法を以下に説明する。
【００１３】まず、マンガン、コバルトおよびニッケル
等の酸化物を配合および混合したものを仮焼し、その仮
焼物を粉砕してセラミック粉末を作製した。次いで作製
したセラミック粉末に樹脂、フリットおよび溶剤等から
なるバインダーを混合して粘稠なスラリーを調製し、こ
れをドクターブレード法により成形して厚さ１．００ｍ
ｍのグリーンシートを作製した。このグリーンシートを
４．０ｍｍ×２．０ｍｍ の小片に切断および分割し
た後、約１２００℃で約２時間焼成を行いチップ状セラ
ミック素体を得た。
等の酸化物を配合および混合したものを仮焼し、その仮
焼物を粉砕してセラミック粉末を作製した。次いで作製
したセラミック粉末に樹脂、フリットおよび溶剤等から
なるバインダーを混合して粘稠なスラリーを調製し、こ
れをドクターブレード法により成形して厚さ１．００ｍ
ｍのグリーンシートを作製した。このグリーンシートを
４．０ｍｍ×２．０ｍｍ の小片に切断および分割し
た後、約１２００℃で約２時間焼成を行いチップ状セラ
ミック素体を得た。
【００１４】次に、得られたチップ状セラミック素体を
シリコーン樹脂の１０％トルエン溶液中に浸漬し、１０
ｍｍＨｇ以下の気圧のもとで３０分間保持して含浸処理
を行った。 含浸処理後、これを乾燥室において溶媒を揮発させるこ
とによりシリコーン樹脂を硬化させ、素体表面に開口し
ていたポアを樹脂で充填した。次いで、該セラミック素
体の両端部に銀粉末およびバインダーからなる厚膜銀ペ
ーストを塗布し、約８００ ℃で焼き付けて厚膜電極を
形成した。その後この厚膜電極の表面にニッケルメッキ
処理を施し、さらにその表面に半田メッキ処理を施して
チップ状ＮＴＣサーミスタ８を製造した（図６）。
シリコーン樹脂の１０％トルエン溶液中に浸漬し、１０
ｍｍＨｇ以下の気圧のもとで３０分間保持して含浸処理
を行った。 含浸処理後、これを乾燥室において溶媒を揮発させるこ
とによりシリコーン樹脂を硬化させ、素体表面に開口し
ていたポアを樹脂で充填した。次いで、該セラミック素
体の両端部に銀粉末およびバインダーからなる厚膜銀ペ
ーストを塗布し、約８００ ℃で焼き付けて厚膜電極を
形成した。その後この厚膜電極の表面にニッケルメッキ
処理を施し、さらにその表面に半田メッキ処理を施して
チップ状ＮＴＣサーミスタ８を製造した（図６）。
【００１５】以上のようにして製造したチップ状ＮＴＣ
サーミスタについて、以下に示す２通りの試験を行った
。まず、上記製造したチップ状ＮＴＣサーミスタを無作
為に１００ 個選び出し、これらを １２５℃のもとで
１０００時間放置してその特性の変化について調べ、そ
の結果を下記表１に示した。なお、本発明法との比較の
ため、チップ状セラミック素体形成後、含浸処理を行わ
ず直接外部電極を形成する従来の方法により製造したチ
ップ状ＮＴＣサーミスタを １００個用意し、上記同様
の試験を行いその結果を表１に併記した。
サーミスタについて、以下に示す２通りの試験を行った
。まず、上記製造したチップ状ＮＴＣサーミスタを無作
為に１００ 個選び出し、これらを １２５℃のもとで
１０００時間放置してその特性の変化について調べ、そ
の結果を下記表１に示した。なお、本発明法との比較の
ため、チップ状セラミック素体形成後、含浸処理を行わ
ず直接外部電極を形成する従来の方法により製造したチ
ップ状ＮＴＣサーミスタを １００個用意し、上記同様
の試験を行いその結果を表１に併記した。
【００１６】
【表１】
（Ｋ＝ケルビンであって絶対温度を表し、Ｒ２５＝
ＲＴ＝２５℃であって２５℃におけるサーミスタの抵抗
値を表し、Ｂ２５／８５ ＝（ｌｎＲ８５−ｌｎＲ２５
）÷（１／Ｔ８５−１／Ｔ２５）であってサーミスタ定
数、すなわち組成および熱処理によって決定されるサー
ミスタの性質を示す値である。）
ＲＴ＝２５℃であって２５℃におけるサーミスタの抵抗
値を表し、Ｂ２５／８５ ＝（ｌｎＲ８５−ｌｎＲ２５
）÷（１／Ｔ８５−１／Ｔ２５）であってサーミスタ定
数、すなわち組成および熱処理によって決定されるサー
ミスタの性質を示す値である。）
【００１７】上記表からも分かるように、本発明のサー
ミスタは、高温下に放置しても特性の劣化がほとんど見
られなかった。
ミスタは、高温下に放置しても特性の劣化がほとんど見
られなかった。
【００１８】次に、上記同様に用意した本発明および従
来の製品を配線基板上に搭載し、半田リフローを行った
後これらの配線基板を反らせて素体から外部電極の剥離
の有無を調べた。その結果、素体と外部電極との剥離発
生率は、従来の製品は７％であったのに対し、本発明の
製品は０％であった。
来の製品を配線基板上に搭載し、半田リフローを行った
後これらの配線基板を反らせて素体から外部電極の剥離
の有無を調べた。その結果、素体と外部電極との剥離発
生率は、従来の製品は７％であったのに対し、本発明の
製品は０％であった。
【００１９】以上、本発明を、特にサーミスタに例をと
って詳細に説明したが、本発明はサーミスタに限定され
るものではなく、多孔質セラミック素体からなる電子部
品の製造に広く適用できることは言うまでもない。
って詳細に説明したが、本発明はサーミスタに限定され
るものではなく、多孔質セラミック素体からなる電子部
品の製造に広く適用できることは言うまでもない。
【００２０】
【発明の効果】本発明のセラミック電子部品の製造法の
開発により、基板への実装後に基板に反りが発生しても
端子電極と基板との剥離が極めて起こりにくく、かつメ
ッキ処理に対して充分な耐性を有するセラミック電子部
品が得られるようになった。
開発により、基板への実装後に基板に反りが発生しても
端子電極と基板との剥離が極めて起こりにくく、かつメ
ッキ処理に対して充分な耐性を有するセラミック電子部
品が得られるようになった。
【図１】表面に厚膜銀導体を形成したセラミック素体の
表面部を拡大した断面図である。
表面部を拡大した断面図である。
【図２】シリコーン樹脂により含浸処理を施したセラミ
ック素体の表面部を拡大した断面図である。
ック素体の表面部を拡大した断面図である。
【図３】セラミック素体の表面部を拡大した断面図であ
る。
る。
【図４】従来の技術で製造されたセラミック電子部品を
基板に搭載した態様を示す側面図である。
基板に搭載した態様を示す側面図である。
【図５】図４の基板に反りが発生した状態を示す側面図
である。
である。
【図６】本発明の方法により製造されたＮＴＣサーミス
タを示す斜視図である。
タを示す斜視図である。
１‥‥‥セラミック素体
２‥‥‥ポア
３‥‥‥厚膜銀ペースト
４‥‥‥シリコーン樹脂
５‥‥‥端子電極
６‥‥‥半田
７‥‥‥セラミック電子部品
８‥‥‥ＮＴＣサーミスタ
９‥‥‥配線基板
Claims (1)
- 【請求項１】 多孔質セラミック素体の両端面および
それに接する周面に導体ペーストを塗布、焼付けして端
子電極を形成し、その端子電極表面にメッキ処理を施す
ことからなるセラミック電子部品の製造法において、端
子電極用導電ペーストの塗布前に、上記多孔質セラミッ
ク素体にシリコーン樹脂を含浸させ、次いで含浸した該
樹脂を硬化させる含浸処理工程を設けたことを特徴とす
るセラミック電子部品の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3070483A JP2561641B2 (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | セラミック電子部品の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3070483A JP2561641B2 (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | セラミック電子部品の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04282802A true JPH04282802A (ja) | 1992-10-07 |
| JP2561641B2 JP2561641B2 (ja) | 1996-12-11 |
Family
ID=13432816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3070483A Expired - Lifetime JP2561641B2 (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | セラミック電子部品の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2561641B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0577903U (ja) * | 1992-03-24 | 1993-10-22 | アイワ株式会社 | 電子部品の実装構造 |
| JP2009049360A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-03-05 | Tdk Corp | 積層電子部品およびその製造方法 |
| JP2009049361A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-03-05 | Tdk Corp | 積層電子部品およびその製造方法 |
| EP2019395A3 (en) * | 2007-07-24 | 2010-10-13 | TDK Corporation | Stacked electronic part and method of manufacturing the same |
| JP2013045926A (ja) * | 2011-08-25 | 2013-03-04 | Taiyo Yuden Co Ltd | 電子部品の電極形成方法 |
| JP2014232800A (ja) * | 2013-05-29 | 2014-12-11 | 日本特殊陶業株式会社 | サーミスタ素子 |
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