JPS5952434A - 磁気記録媒体の製造装置 - Google Patents
磁気記録媒体の製造装置Info
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- JPS5952434A JPS5952434A JP16193382A JP16193382A JPS5952434A JP S5952434 A JPS5952434 A JP S5952434A JP 16193382 A JP16193382 A JP 16193382A JP 16193382 A JP16193382 A JP 16193382A JP S5952434 A JPS5952434 A JP S5952434A
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- magnetic
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
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- Metallurgy (AREA)
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
造１−る装置に関し、／ｌ￥ｊに、良好な磁気特性を有
する磁気記録媒体を高い被着効率で連続的に製造する装
置に関する。
する磁気記録媒体を高い被着効率で連続的に製造する装
置に関する。
近年、高密度磁気記録への要求の高まりとともｙ， 真
空’ｆＸ着、スパッタリング、イオンプレーティング等
の方法（本明細書では、これら気相を通じての被□着物
質の移行オ・７よび基材への被着を伴う方法養一括して
「蒸着」と称する）により基材上に強磁性金Ｆｉ薄膜を
形成したいわゆる蒸着型の磁気記録媒体が開発されてい
る。これら蒸着型の磁気記録媒体は、通常のバインダー
を使用する磁気記録媒体に比べて高密度記録が可能であ
る他、種々の利点を有しており、実用化への努力が枦々
行われている。
空’ｆＸ着、スパッタリング、イオンプレーティング等
の方法（本明細書では、これら気相を通じての被□着物
質の移行オ・７よび基材への被着を伴う方法養一括して
「蒸着」と称する）により基材上に強磁性金Ｆｉ薄膜を
形成したいわゆる蒸着型の磁気記録媒体が開発されてい
る。これら蒸着型の磁気記録媒体は、通常のバインダー
を使用する磁気記録媒体に比べて高密度記録が可能であ
る他、種々の利点を有しており、実用化への努力が枦々
行われている。
このような蒸着型の磁気記夕［体において高磁気特性を
得るためには、蒸気流の基利一・の入射角を基材に立て
た法綜方向から傾斜させて蒸着を行う斜め蒸着法が必要
となる。一般に斜め蒸着は、□真空室（図示せず）内の
主要部の配置を示ず第１図または第λ図忙示すように、
直線状に（第１図）あるいは円筒状回転キャとの周面に
？Ｆ？つて曲線状１ｃ（第２図）移動する連続な可撓性
基材上に蒸発源から所定の入射角あるいは入射角範囲で
強磁性体物質等の蒸着が行われる。
得るためには、蒸気流の基利一・の入射角を基材に立て
た法綜方向から傾斜させて蒸着を行う斜め蒸着法が必要
となる。一般に斜め蒸着は、□真空室（図示せず）内の
主要部の配置を示ず第１図または第λ図忙示すように、
直線状に（第１図）あるいは円筒状回転キャとの周面に
？Ｆ？つて曲線状１ｃ（第２図）移動する連続な可撓性
基材上に蒸発源から所定の入射角あるいは入射角範囲で
強磁性体物質等の蒸着が行われる。
たとえば第１図に示す系では、巻出ロール／から案内ロ
ールノａ、ユｂを経て巻取ロール３へと移送される基材
すの、マスクみで遮蔽されていない部分に相当する被着
有効面にたてた法線７ａ、７ｂ・・・と蒸発源ワからの
蒸気流ｇａ、ｒｂ・・・のなす入射角（本明細書で「入
射角」の語を用いるときは、このように、いずれも基材
の被着有効面にたてた法線と蒸気流とのなすθ 角度を意味するものとする） ／、 コ ・・・、より
厳密には最小入射角βλは、良好な磁気特性の蒸着膜を
得ろために一般にｔｔ、 ｓｏ以上とされている（たど
えは特公昭Ｉ／、／ −／ ９ 、？ ｇ ９号公報参
照） 、＋ Ｃｏ系薄膜を例にとってより具体的に説明
すれば、特公昭３ Ａ −、ｔ 、２．７７７号公報等
に記載されているように、θグ１ｉ ｍの蒸着膜厚で６
θθθ”？９ｅ以上の保持力を得るには、入射角は約７
００以上のする必要がある。このような斜め蒸着法では
良好な磁気性を有する薄膜が得られるものの、被着過程
におい゛Ｃ基材を直線状に移動させ、入射角を太き（す
る必要があるので、真空蒸危、スパッタリング、イオン
ブレーティング等公知のいかなる蒸着法および蒸発分を
用いようとも、蒸気流の大部分は、目的とする蒸着膜の
形成に用いられず被着効率が／θ％程度以下と低くなり
、これが実用化の障害と１、Ｃつている。
ールノａ、ユｂを経て巻取ロール３へと移送される基材
すの、マスクみで遮蔽されていない部分に相当する被着
有効面にたてた法線７ａ、７ｂ・・・と蒸発源ワからの
蒸気流ｇａ、ｒｂ・・・のなす入射角（本明細書で「入
射角」の語を用いるときは、このように、いずれも基材
の被着有効面にたてた法線と蒸気流とのなすθ 角度を意味するものとする） ／、 コ ・・・、より
厳密には最小入射角βλは、良好な磁気特性の蒸着膜を
得ろために一般にｔｔ、 ｓｏ以上とされている（たど
えは特公昭Ｉ／、／ −／ ９ 、？ ｇ ９号公報参
照） 、＋ Ｃｏ系薄膜を例にとってより具体的に説明
すれば、特公昭３ Ａ −、ｔ 、２．７７７号公報等
に記載されているように、θグ１ｉ ｍの蒸着膜厚で６
θθθ”？９ｅ以上の保持力を得るには、入射角は約７
００以上のする必要がある。このような斜め蒸着法では
良好な磁気性を有する薄膜が得られるものの、被着過程
におい゛Ｃ基材を直線状に移動させ、入射角を太き（す
る必要があるので、真空蒸危、スパッタリング、イオン
ブレーティング等公知のいかなる蒸着法および蒸発分を
用いようとも、蒸気流の大部分は、目的とする蒸着膜の
形成に用いられず被着効率が／θ％程度以下と低くなり
、これが実用化の障害と１、Ｃつている。
また第２図に示す系では、基本４＜ｔが円筒状回転キャ
ンに沿って搬送されろため、入射角は、最大角度（θ／
＝９００）からマスク乙の位置によって規制される最小
角度（０２）の範囲とフ人る。
ンに沿って搬送されろため、入射角は、最大角度（θ／
＝９００）からマスク乙の位置によって規制される最小
角度（０２）の範囲とフ人る。
このような斜め蒸着系では、第１図の系と比較して、最
小入射角０２をあまり高くせずに高保磁力が得られると
いう利点を有し、工朶規模でこのような磁気記録媒体を
製造するのに適している。しかし、この場合でもＣｏ系
薄膜を例にとれば、ルθθＯｃ以上の保磁力を得るには
、ｏ／μ７７１程度の蒸Ｘ目へ厚において最小入射角２
は約５００以上とする必要があり、第１図の場合より優
るものの被着効率が低い。破着効率を改善する方法とし
て、蒸発源を円筒状回転キャンの直下がらずらして配置
し、蒸発金属流の高密度部分のみが、円筒状回転キャン
外周面上の基材表面に入射するように改良する方法が提
案され（特開昭３１１−９ｂＯ７号公報）、この方法に
よれば、１０％程度の被着効率が得られ・る。しかし、
この方法では、被着効率はある程度改善されるものの５
ｏｏＯｃ以上の保磁力を、得ることが艶かしく、高密度
記録化のために必要な高保磁力の要求に対しては不酒足
となる。
小入射角０２をあまり高くせずに高保磁力が得られると
いう利点を有し、工朶規模でこのような磁気記録媒体を
製造するのに適している。しかし、この場合でもＣｏ系
薄膜を例にとれば、ルθθＯｃ以上の保磁力を得るには
、ｏ／μ７７１程度の蒸Ｘ目へ厚において最小入射角２
は約５００以上とする必要があり、第１図の場合より優
るものの被着効率が低い。破着効率を改善する方法とし
て、蒸発源を円筒状回転キャンの直下がらずらして配置
し、蒸発金属流の高密度部分のみが、円筒状回転キャン
外周面上の基材表面に入射するように改良する方法が提
案され（特開昭３１１−９ｂＯ７号公報）、この方法に
よれば、１０％程度の被着効率が得られ・る。しかし、
この方法では、被着効率はある程度改善されるものの５
ｏｏＯｃ以上の保磁力を、得ることが艶かしく、高密度
記録化のために必要な高保磁力の要求に対しては不酒足
となる。
上述したような事情のため、現在、高い保磁力と高い被
着効率を両立させるためには、酸素雰囲気中で斜め蒸着
を行い、酸素雰囲気により斜方入射による磁気特性改善
効果を増幅させる方法（特公昭ＳＡ−λ３２θｇ号、特
開昭５６−／！ｉ０／ダ号各公報等）が一般的に採用さ
れている１、シかし、この方法によれば、高い保磁力は
達成されイ）ものの、磁性金属層が酸化されるため、必
然的に残留磁束密度および角型比が低下するという欠点
は避は得ない１、 本発明は、上述したような従来の斜め蒸着法による磁気
記録媒体の製造上の問題点を解消し、保持力、残留磁束
密度および角型比のいずれの点でも高い発性な有する磁
気記録媒体を高い被着効率で与える磁気記録媒体の製造
装置を提供することを目的とする。
着効率を両立させるためには、酸素雰囲気中で斜め蒸着
を行い、酸素雰囲気により斜方入射による磁気特性改善
効果を増幅させる方法（特公昭ＳＡ−λ３２θｇ号、特
開昭５６−／！ｉ０／ダ号各公報等）が一般的に採用さ
れている１、シかし、この方法によれば、高い保磁力は
達成されイ）ものの、磁性金属層が酸化されるため、必
然的に残留磁束密度および角型比が低下するという欠点
は避は得ない１、 本発明は、上述したような従来の斜め蒸着法による磁気
記録媒体の製造上の問題点を解消し、保持力、残留磁束
密度および角型比のいずれの点でも高い発性な有する磁
気記録媒体を高い被着効率で与える磁気記録媒体の製造
装置を提供することを目的とする。
以下、第３、ダ図を参照して本発明に係る装置の一実１
！Ｆ４態様について説明する。
！Ｆ４態様について説明する。
第３図において、（Ｉっは真空室であり、その内部は真
突ポンプ（１４）により排気されて適度の真空度に保た
ノ１、また必要に応じて導入管ａＱから酸素、アルゴン
、窒素等のガスが導入される。
突ポンプ（１４）により排気されて適度の真空度に保た
ノ１、また必要に応じて導入管ａＱから酸素、アルゴン
、窒素等のガスが導入される。
真空室中におけるＨは非磁性の基材（２ｏ）の巻出しロ
ール、（社）はその巻き取りロールであり、両ロール間
の基材（２（秒の走行路」二にｍ１円筒状回転キャン（
２ａ１第１第λ状回転キャン（２６）が水平に設置され
、これら各キャンの下向面と接しながら基材（イ）が走
行するようになっている。その基材の走行を規制し、か
つ円滑ならしめるために複数本のローラ弼が所定箇所に
配置〜ニされている。
ール、（社）はその巻き取りロールであり、両ロール間
の基材（２（秒の走行路」二にｍ１円筒状回転キャン（
２ａ１第１第λ状回転キャン（２６）が水平に設置され
、これら各キャンの下向面と接しながら基材（イ）が走
行するようになっている。その基材の走行を規制し、か
つ円滑ならしめるために複数本のローラ弼が所定箇所に
配置〜ニされている。
上記第１キヤ／Ｑ４）の下方には非磁性材料４３０）の
水冷銅ハース呻及び電子銃０４）が設置されている。
水冷銅ハース呻及び電子銃０４）が設置されている。
上記第２キヤｙ （２６）の下方には強磁性材料０６）
の水冷銅ハース（至）及び電子銃（４Ｇが設置されてい
る。
の水冷銅ハース（至）及び電子銃（４Ｇが設置されてい
る。
上記両キ、ヤンＣａ（ハ）間、第１キヤン（２１下方に
は上記・・−ス中の材料の蒸気が不要な箇所にみだりに
付着しないよう防着板（４２１が設置されている。
は上記・・−ス中の材料の蒸気が不要な箇所にみだりに
付着しないよう防着板（４２１が設置されている。
（４ｔｓ）はエキスパンダロールである。このロールに
より第λキャン弼における蒸気の入射角を調整すること
ができ、また後述の予備蒸着を行なって上下又は左右に
移動可能に設置されている。
より第λキャン弼における蒸気の入射角を調整すること
ができ、また後述の予備蒸着を行なって上下又は左右に
移動可能に設置されている。
ここで重要なのは、第り図で示されるように、基材（２
４が案内ロール（４Ｇ）から最初に離れる位置（ここＫ
おける入射角を０７とする）と回転キャンｃ！ｅと最初
に接触する位置（ここにおり′る入射角を０３とする）
との間に直線状の基材走行部分（予備蒸着Ｙ間）が比較
的高（且つ狭い入射角度範囲０３〜０１をなすことであ
る。
４が案内ロール（４Ｇ）から最初に離れる位置（ここＫ
おける入射角を０７とする）と回転キャンｃ！ｅと最初
に接触する位置（ここにおり′る入射角を０３とする）
との間に直線状の基材走行部分（予備蒸着Ｙ間）が比較
的高（且つ狭い入射角度範囲０３〜０１をなすことであ
る。
また、最大入射角ｌと最小入射ｈ〜の範囲でθ
規定される全被着有効面積に占める入射角がｇｏ−ｇｔ
、°の範囲内における有効面積がＳＯ％以上存在するこ
とが必要である。より好ましくはこの割合は、／、０％
以上である。この、ｉ； ５７）、関係は、エキスパン
ターロール（４１９、蒸ガｆυ↑’ｆｉ （４！、ｉ）
Ｊ、３ ｊ、び遮蔽板（４４）の位置、更［は回転＼
−＼・ン（）（９の径を変化することにより調整できろ
。 。
、°の範囲内における有効面積がＳＯ％以上存在するこ
とが必要である。より好ましくはこの割合は、／、０％
以上である。この、ｉ； ５７）、関係は、エキスパン
ターロール（４１９、蒸ガｆυ↑’ｆｉ （４！、ｉ）
Ｊ、３ ｊ、び遮蔽板（４４）の位置、更［は回転＼
−＼・ン（）（９の径を変化することにより調整できろ
。 。
上記条件が沿される範囲内で、′ｌおよび０３がぞれぞ
れｇ６°およびｇＯｏであることは必ずしも必要でない
。しか−し、入射角が３６°を超える範囲は被着追：が
杭９＋％＋に少１：ｃ （〕ｒす、保磁力の改善にも殆
んど寄与せず、装置の大型化を招く。また入射角ざ０〜
ｇ６°の範囲は、殆んど直近′宇状の走行区間のみで与
えることが灯火しい磁ｆｆ、’ ／ｌ”ｙ ｔ′ｔの製
品を与え、また装置の配Ｆ′ｖ上も好ジ：［２い。
れｇ６°およびｇＯｏであることは必ずしも必要でない
。しか−し、入射角が３６°を超える範囲は被着追：が
杭９＋％＋に少１：ｃ （〕ｒす、保磁力の改善にも殆
んど寄与せず、装置の大型化を招く。また入射角ざ０〜
ｇ６°の範囲は、殆んど直近′宇状の走行区間のみで与
えることが灯火しい磁ｆｆ、’ ／ｌ”ｙ ｔ′ｔの製
品を与え、また装置の配Ｆ′ｖ上も好ジ：［２い。
このような理由により、′／および０３自体を、それぞ
れ約ｇＡ０および約ｇθ０どすることが特に好ましい。
れ約ｇＡ０および約ｇθ０どすることが特に好ましい。
上述したような予備蒸着の結果として１、後蒸着の終点
を決める最小入射角を小さくとっても、磁気特性の優れ
た薄膜が得られ、最小入射角が一定であれば従来法より
も優れた磁気特性が得られる。このため、最小入射角０
２の設定には、一般に：ｌｏ −５ｏ０の範囲が選ばう
する。
を決める最小入射角を小さくとっても、磁気特性の優れ
た薄膜が得られ、最小入射角が一定であれば従来法より
も優れた磁気特性が得られる。このため、最小入射角０
２の設定には、一般に：ｌｏ −５ｏ０の範囲が選ばう
する。
蒸着源□□□の位置は、回転キャン（２６）の直Ｔ、す
なわちその中心からの垂線上においてもよい。
なわちその中心からの垂線上においてもよい。
しかし、特開昭、！ｉｌ／−−９７．０７号公報にも述
べられているように、蒸気流の蒸気密度の濃い部分を有
効利用するために、蒸発源０呻の位置は、回転キヤ、ン
（２６）の中心からの垂線から、回転キャンの巻出１１
−ル０υ側外周面と接する垂線へと、その距離の２／、
〜１倍の範囲内に置くことがより好ましい。
べられているように、蒸気流の蒸気密度の濃い部分を有
効利用するために、蒸発源０呻の位置は、回転キヤ、ン
（２６）の中心からの垂線から、回転キャンの巻出１１
−ル０υ側外周面と接する垂線へと、その距離の２／、
〜１倍の範囲内に置くことがより好ましい。
また、蒸発源ＯＱど回転キャン（２６）の距離（最小入
射角０ａを与える距離）は、一般に／θθ朋ないし７０
０８８度が好ましい。／θＯ朋以下では被蒸着体である
基材の熱劣化や帯電が起って好ましくなく、りｏｏｍな
以上では蒸着効率１”Ｖ低下するため、やはり好ましく
ない。
射角０ａを与える距離）は、一般に／θθ朋ないし７０
０８８度が好ましい。／θＯ朋以下では被蒸着体である
基材の熱劣化や帯電が起って好ましくなく、りｏｏｍな
以上では蒸着効率１”Ｖ低下するため、やはり好ましく
ない。
上述したよつな配置に基づく蒸着法の結果として、入射
角０．．０３の範囲の予備蒸着区間では、一般に全蒸着
量の３−／に％の蒸着が行われ、その影響により磁気特
性の高い薄膜が高い被着効率で得られる。
角０．．０３の範囲の予備蒸着区間では、一般に全蒸着
量の３−／に％の蒸着が行われ、その影響により磁気特
性の高い薄膜が高い被着効率で得られる。
なお、本発明において蒸発源０印として用いられる゛強
磁性材料どしては、たとえば、Ｃ０１Ｎｉ、Ｆｅ等の金
夙単体、あるいはＣｏ−Ｆｅ、’ ＣＯ−’Ｎｉ 。
磁性材料どしては、たとえば、Ｃ０１Ｎｉ、Ｆｅ等の金
夙単体、あるいはＣｏ−Ｆｅ、’ ＣＯ−’Ｎｉ 。
Ｉ’ｅ −Ｎ ｉ 、ｌＣｏ −Ｆｅ −Ｎ ｉ、Ｃｏ
−Ｃｒ、 Ｃｏ−Ｃｏ、ＩＣｏ−Ａ、ｕ、Ｃｏ −Ｙ
、 Ｃｏ−Ｌａ、 Ｃｏ−Ｐｒ、 Ｃｏ−Ｇｄ、 Ｃｏ
−８ｍ。
−Ｃｒ、 Ｃｏ−Ｃｏ、ＩＣｏ−Ａ、ｕ、Ｃｏ −Ｙ
、 Ｃｏ−Ｌａ、 Ｃｏ−Ｐｒ、 Ｃｏ−Ｇｄ、 Ｃｏ
−８ｍ。
Ｃｏ−Ｐｔ、 Ｃｏ−Ｆｅ−Ｃｒ、 Ｃｏ −Ｆｃ−Ｎ
ｉ −Ｃｒ、 Ｆｅ−Ｒｈ。
ｉ −Ｃｒ、 Ｆｅ−Ｒｈ。
Ｆｃ−Ｃｕ、 Ｎｉ −Ｃｏ、 Ｍｎ−Ｂ１、Ｍｎ −
Ｓ ｂ、Ｍｎ −Ａ Ｉ等のような強磁性合金が用いら
れる。形成さ」する磁性膜は、磁気記録妹体として充分
な出力を与え得る程度に薄い必要がある１、シｌこかっ
て磁性膜の厚さは、一般に０θ／μｍ−，ｔθμｍ、好
ましくは００５〜３０μｍの範囲とする。
Ｓ ｂ、Ｍｎ −Ａ Ｉ等のような強磁性合金が用いら
れる。形成さ」する磁性膜は、磁気記録妹体として充分
な出力を与え得る程度に薄い必要がある１、シｌこかっ
て磁性膜の厚さは、一般に０θ／μｍ−，ｔθμｍ、好
ましくは００５〜３０μｍの範囲とする。
また基材（イ）としては、たとえばポリエチレンフタト
ート、ポリイミド、ボリア′ミド、ポリ塩化ビニル、三
酢酸セルロース、ポリカーボネート、ポリエチレンナフ
タレ−１・等のプラスチックフィルム、あるいはＡＩ、
へ１合金、Ｔｉ、’ｌ’ｉ合金、ステンレス釧等の金属
帯が用いられる。
ート、ポリイミド、ボリア′ミド、ポリ塩化ビニル、三
酢酸セルロース、ポリカーボネート、ポリエチレンナフ
タレ−１・等のプラスチックフィルム、あるいはＡＩ、
へ１合金、Ｔｉ、’ｌ’ｉ合金、ステンレス釧等の金属
帯が用いられる。
更に蒸発源加熱方法として＆Ｊ１．１ｄ子ビーム加熱、
抵抗加熱、高周波誘導加熱、レーザービーム加熱等のい
ずれの方法も可能である。蒸発物質の供給方法としては
、線状材料を加熱源に送り出す方法も使用できる。
抵抗加熱、高周波誘導加熱、レーザービーム加熱等のい
ずれの方法も可能である。蒸発物質の供給方法としては
、線状材料を加熱源に送り出す方法も使用できる。
次に、上記装置の作動について述べれば、まずキャンＣ
１！４）ｒ２Ｑ及び巻取りロール四の軸の区動により基
材（イ）が走行を開始する。そして、基材はローラ（，
２ｇａ）（コｆｆｂ）Ｋ規制されつつ第１キヤンＱるの
下面に沿って走行する間、非磁性材料（至）の蒸気忙さ
らされて蒸着される。
１！４）ｒ２Ｑ及び巻取りロール四の軸の区動により基
材（イ）が走行を開始する。そして、基材はローラ（，
２ｇａ）（コｆｆｂ）Ｋ規制されつつ第１キヤンＱるの
下面に沿って走行する間、非磁性材料（至）の蒸気忙さ
らされて蒸着される。
この非磁性材料の蒸着により次の強磁性材料蒸着時の基
材の熱劣化、帯電等を防ぎ、さらｋは強磁性材料を多層
に蒸着する場合の下地層、中間層として働き、磁気特性
を改善することができる。
材の熱劣化、帯電等を防ぎ、さらｋは強磁性材料を多層
に蒸着する場合の下地層、中間層として働き、磁気特性
を改善することができる。
次いで、基材（イ）はロー２（２ざＣ）、エキスパンダ
ロール（燭及びローラ（コｒｄ）に規制されつつ第コキ
ャン（イ）の下面に沿って走行する。
ロール（燭及びローラ（コｒｄ）に規制されつつ第コキ
ャン（イ）の下面に沿って走行する。
この際、円筒状回転キャン（ホ）の下方に配置された蒸
着源（至）からは真空蒸着、スパッタリング、イオング
レーティング等の蒸着法に応じた蒸発法により強磁性材
料の蒸発が行われ、蒸気流は、走行する基材翰のエキス
パンダ日−ル（４［９と遮蔽板（４４どの間の投影角内
の部分に相当する被着有効面に黒餡される。
着源（至）からは真空蒸着、スパッタリング、イオング
レーティング等の蒸着法に応じた蒸発法により強磁性材
料の蒸発が行われ、蒸気流は、走行する基材翰のエキス
パンダ日−ル（４［９と遮蔽板（４４どの間の投影角内
の部分に相当する被着有効面に黒餡される。
そして、直線状の基材走行部分（入射角度鈴囲ｏ３〜０
１）において予備蒸着がなされる。予備蒸着の行なわれ
た基材（２Ｇは、その後、回転キャン（ハ）の局面に沿
って移送されるに際して、遮蔽板（４４）によって規定
される最小入射角コを与える位置までの間に後蒸着ない
しは本蒸着に付される。
１）において予備蒸着がなされる。予備蒸着の行なわれ
た基材（２Ｇは、その後、回転キャン（ハ）の局面に沿
って移送されるに際して、遮蔽板（４４）によって規定
される最小入射角コを与える位置までの間に後蒸着ない
しは本蒸着に付される。
かくして、蒸着のなされた基材は磁気記録媒体としてロ
ール状に巻取られることとなる。
ール状に巻取られることとなる。
以上のように本発明は真空雰囲気内で基材を走行させつ
つ蒸着により強磁性材料を薄膜として被着させる磁気記
録媒体の製造装置において、強磁性材料の蒸着源と対向
する水平に設置された円筒状回転キャンの上方に二本の
案内ローラを設けて、これら案内ローンで規制しつつ上
記基材を上記キャンの下面ｂｒＸ ｉｔ’ｌｌ触させ、
かつ上記キャンと一本の案内ロー２との間にエキスノく
ンダロールを介在させることにより本蒸着の他予備蒸着
ができるようにしたことを０徴とする上記装置であるか
ら、簡単な構造で強磁性材料の被着有効面積及び最大入
射角度を変化させることができる。
つ蒸着により強磁性材料を薄膜として被着させる磁気記
録媒体の製造装置において、強磁性材料の蒸着源と対向
する水平に設置された円筒状回転キャンの上方に二本の
案内ローラを設けて、これら案内ローンで規制しつつ上
記基材を上記キャンの下面ｂｒＸ ｉｔ’ｌｌ触させ、
かつ上記キャンと一本の案内ロー２との間にエキスノく
ンダロールを介在させることにより本蒸着の他予備蒸着
ができるようにしたことを０徴とする上記装置であるか
ら、簡単な構造で強磁性材料の被着有効面積及び最大入
射角度を変化させることができる。
ｔり、Ｊ’ｆＬｉｇルロールで１工くエキスパンダロー
ルな用いたので薄い高分子フィルムを基材として使用し
てもフィルムにシワが入るのを防止し、良好なる蒸着を
行なうことができる。
ルな用いたので薄い高分子フィルムを基材として使用し
てもフィルムにシワが入るのを防止し、良好なる蒸着を
行なうことができる。
第１図およびｆｇ、２図は、それぞれ従来におけ卒園は
そのうち強磁性材料の蒸着部の説明図である。 ７．１？、・・・・・真空室、２０・・・・・基 材
λル ・・・−・回転キャン、 ２ｇ ・・・・・案内
ローラ３乙 ・・・・・強磁性飼料、 Ｉ／／、・・
・・・ｘＪ、７ｉシタ゛ロール−２（ ■− 第１図 第２図 第３図 ２
そのうち強磁性材料の蒸着部の説明図である。 ７．１？、・・・・・真空室、２０・・・・・基 材
λル ・・・−・回転キャン、 ２ｇ ・・・・・案内
ローラ３乙 ・・・・・強磁性飼料、 Ｉ／／、・・
・・・ｘＪ、７ｉシタ゛ロール−２（ ■− 第１図 第２図 第３図 ２
Claims (1)
- 真空雰囲気内で基月魁走行させつつ蒸着によと対向する
水平に設置された円筒状回転キ長ンの上方に二本の案内
ローラを設り°て、これを案内ローラで規制しつつ上記
基材を上記キャンの下面に接触させ、かつ上記キャンと
一本の案内口ニラとの間にエキスパンダロールを介在さ
せることにより本蒸着の他予備蒸着ができるよ５にした
ことを／ＩＩ？徴とする上記装置８
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16193382A JPS5952434A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 磁気記録媒体の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16193382A JPS5952434A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 磁気記録媒体の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5952434A true JPS5952434A (ja) | 1984-03-27 |
Family
ID=15744790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16193382A Pending JPS5952434A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 磁気記録媒体の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5952434A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57181373A (en) * | 1981-04-28 | 1982-11-08 | Hitachi Condenser Co Ltd | Vacuum deposition device |
-
1982
- 1982-09-17 JP JP16193382A patent/JPS5952434A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57181373A (en) * | 1981-04-28 | 1982-11-08 | Hitachi Condenser Co Ltd | Vacuum deposition device |
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