JPH0154777B2 - - Google Patents

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JPH0154777B2
JPH0154777B2 JP13117781A JP13117781A JPH0154777B2 JP H0154777 B2 JPH0154777 B2 JP H0154777B2 JP 13117781 A JP13117781 A JP 13117781A JP 13117781 A JP13117781 A JP 13117781A JP H0154777 B2 JPH0154777 B2 JP H0154777B2
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JP
Japan
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coercive force
present
angle
evaporation
substrate
Prior art date
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Expired
Application number
JP13117781A
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English (en)
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JPS5832235A (ja
Inventor
Koichi Shinohara
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP56131177A priority Critical patent/JPS5832235A/ja
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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/85Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、強磁性金属薄膜層を記録層とする磁
気記録媒体の製造方法に関し、特に斜方蒸着によ
り抗磁力制御を行う方法の改良を目的としてい
る。 磁気記録は高密度化の要求に対して、磁気記録
媒体の抗磁力を大きくすることで対応してきた
が、より短波長化が進むに従つて、磁化されるの
は、媒体の表面近くだけになるため、抗磁力の増
大の他に、飽和磁束密度の大きい磁性体の利用へ
と移行がはじまつている。 そのひとつは、従来の塗布形の延長上で、バイ
ンダ等の非磁性材料で稀釈されるものの、本質的
に飽和磁束密度の大きい、鉄系の強磁性金属又は
合金の微粒子を、酸化鉄の代わりに用いるもの
で、もう一方はバインダを用いない、強磁性金属
薄膜を磁気記録層とする媒体で、このタイプは薄
膜形成を真空蒸着で行うことから蒸着テープの名
で一部実用に供されるに至つている。 しかし蒸着テープは、まだ歴史も浅いので、工
業化に向けて、改良すべき課題もいくつか残つて
いる。 そのなかのひとつは抗磁力の安定な制御法の改
良であろう。 蒸着で安定に抗磁力を制御できる可能性のある
のは、特公昭41−19389号公報に開示されている
いわゆる斜方蒸着である。 しかしこの技術を工業化する上で解決すべき課
題が2つある。そのひとつは、蒸着効率が低いこ
とと、もうひとつは、本発明が解決しようとす
る、大きい抗磁力領域でのわずかな入射角変化に
対応して、抗磁力の変化が大きくなることであ
る。 この解決にとられるアプローチの方法には2つ
ある。そのひとつは材料に頼る方法特に雰囲気制
御との有効な組み合わせを利用する方法と、もう
ひとつは、入射角の制御を正確に行う方法であ
る。本発明は後者に主として係わるが、前者の実
施に於ても本発明の有効性は同じである。 以下に図面を用い本発明を説明する。 図は本発明を実施するための装置の一例を示
す。 これは二室構成の巻取式蒸着機と類似している
が、これによらずとも良く、非磁性層を配する場
合、キヤン等の冷却支持体を2ケ以上配設した方
が効果的である場合もあり、強磁性層を分割して
形成する場合に複数個の冷却支持体を配設する場
合も含めて、強磁性層形成に於ける制約に係わる
のが本発明である。 図では、回転キヤン4を冷却支持体として示し
たが、これによらず、例えばSUS304の薄い板を
接続してエンドレスベルトにして別の駆動機構で
駆動した回転ベルトを用い、それのひとつの面に
沿つて基板を移動するように構成することもでき
る。 回転キヤン4に沿つて基板1は送り出し軸11
より、捲き取り軸12へ移動する。なお捲き取り
に必要な他の公知の要素は略している。 真空槽5内は、基板1の捲き取り機構を主とし
て収納する上室6と、蒸発源とマスク機構等を収
納する下室7とに分けられ夫々独立した排気系1
0,9により所定の真空度に保持される。なお1
3は仕切板である。 蒸発源は、容器3と蒸着材料2で構式的に示し
たが、電子ビーム蒸発源、誘導加熱式蒸発源、等
公知の蒸発源の中より適宜選択される。 蒸発源より放射される蒸気流の一部限定された
入射角により成膜する場合で、基板にたてた法線
と該蒸気流とのなす角度で表わす入射角が45゜以
上になると鉄、コバルト、ニツケルそれらの合金
の一部は抗磁力が少しずつ増加をはじめ60゜あた
りより急激に増大し、75゜〜80゜あたりでは、入射
角が2〜3゜変化するだけで50〜100〔O¨e〕程度の
抗磁力変化がみられる。 それを防ぐため本発明では、入射角を限定する
マスクを金属ベルト8で構成し、このベルト8を
運動体とし(例えば矢印B方向に絶えず運動す
る)ドクターブレード16でこのベルト表面に蒸
着された強磁性材料をかき落し、例えば受皿18
(必要に応じて平面内に運動するようにし、回収
する強磁性材料のパツキングを有効に行えるよう
にする)に集める。14,15はフリーローラー
で冷却するか否かも自由である。19はニツプロ
ーラで、これによりベルトの移動を図つている。
固定マスク17は先端Tに付着した蒸着材により
θ1が変化しない位置に配設されなければならない
のは当然である。便宜的にSとPを結ぶ線と
とのなす角θ1を入射角と呼ぶが、実質的な蒸発位
置は点Sではなく、体積を有すると考えられてい
る蒸発源が存在していることはいうまでもない。 なお金属ベルトの蒸着される側は、極めて平滑
にすることが大切であることは、ブレードにより
有効に付着した蒸着材料をかき落すことの必要性
より相像される。 次に具体的に本発明の実施例について説明す
る。 〔実施例 1〕 キヤン直径100cm、キヤン幅65cm、金属ベルト
SUS304 65cm幅、長さ1.5m,=40cm、=
30cm。 50cm幅、長さ3000mのポリエチレンテレフタレ
ートフイルム9.5μを2本用意し、1本は本発明に
より入射角55゜で蒸着し、他の1本は比較として
従来法により、即ち防着板17をマスクとし初期
値が55゜となるようにずらして蒸着した。 その結果のうち抗磁力を長手方向にサンプリン
グして比較しまとめたものを下の表に示す。
〔実施例 2〕
実施例1と同一のキヤンで、=50cm、=
35cmで入射角72゜に設定し、表面マツトを形成し
たポリエチレンテレフタレート11.5μmを1500m
用意し、実施例1と同様の比較を行つた。ベルト
運動条件は5cm/secとし、キヤン温度は20℃一
定とした。 Co100%を0.1μmになるよう制御した磁性層の
抗磁力は初期から1450mまで10点調べたところ、
1060〜1070〔O¨e〕と極めて安定であつたのに対
し、従来法では0.1μmになるよう制御するのに、
基板の移動速度が初期値に比して30%低下し(本
発明の場合は一定速度である。)、抗磁力は1050
〔O¨e〕から1490〔O¨e〕まで増加した。 Co90% Cr10%について本発明により0.15μm
成膜したものについても同様の傾向を確かめた。 本発明では抗磁力1200〜1220〔O¨e〕、従来方式
では1200〜1590〔O¨e〕であつた。 〔実施例 3〕 回転キヤン径50cm、=34cm、=27cmと
し、下室雰囲気として外部より酸素を導入し
(0.1/min〜0.16/min)、2×10-5Torr〜4.5
×10-5TorrでCo100%、Co80%Ni20%、Co95%
W5%、Co98%Rh2%、を夫々、実施例2と同一
のポリエチレンテレフタレート基板に、0.15μm
蒸着した。 入射角35゜の場合と、入射角43゜の場合と、入射
角60゜の場合について、蒸着長2000mで従来方式
と比較した。 いずれの場合も本発明による媒体の抗磁力は安
定であつたのに対し、いずれの場合もおよそ
1000m過ぎるあたりから抗磁力の増加が従来例で
は目立つた。最も少いCo80%Ni20%の場合で初
期値に対して1950m位置で16%増、最大の変化率
は37%でCo95%W5%の入射角60゜の場合であつ
た。 〔実施例 4〕 防着板17をなくして、本発明におけるマスク
機構を入射角制御以外の目的に変形使用した。す
なわち図において破線で囲つた部分Kにもう一式
のベルトとブレードの組み合わせを配した。これ
により蒸着金属の回収が極めて効果的になされ
た。 これはCo95%Pt5%等の実施には極めて高い経
済効果をもたらすものであつた。 以上述べてきたように本発明の有効性は、基板
の種類、蒸着材料を選ばずに極めて高い。 又このマスクを二対として、垂直入射により、
垂直磁気記緑用媒体を得る場合にも有効であるな
ど、本発明の磁気記録媒体の製造に係わる有価値
性は長尺化がすすむ程大きい。
【図面の簡単な説明】
図は本発明を実施するための装置の一例を示す
図である。 1…基板、2…蒸着材料、3…容器、4…回転
キヤン、5…真空槽、8…金属ベルト、11…捲
き取り軸、12…送り出し軸、16…ドクターブ
レード、17…固定マスク。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 冷却支持体に沿つて移動する高分子成形物基
    板に強磁性材料を蒸着する際、該強磁性材料蒸気
    の基板への入射角規制を、回転駆動された耐熱性
    ベルトにより行なうことを特徴とする磁気記録媒
    体の製造方法。
JP56131177A 1981-08-20 1981-08-20 磁気記録媒体の製造方法 Granted JPS5832235A (ja)

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JP56131177A JPS5832235A (ja) 1981-08-20 1981-08-20 磁気記録媒体の製造方法

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JP56131177A JPS5832235A (ja) 1981-08-20 1981-08-20 磁気記録媒体の製造方法

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JPS5832235A JPS5832235A (ja) 1983-02-25
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ID=15051801

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