JPS5952509B2 - 撮像管タ−ゲツト - Google Patents
撮像管タ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS5952509B2 JPS5952509B2 JP50088746A JP8874675A JPS5952509B2 JP S5952509 B2 JPS5952509 B2 JP S5952509B2 JP 50088746 A JP50088746 A JP 50088746A JP 8874675 A JP8874675 A JP 8874675A JP S5952509 B2 JPS5952509 B2 JP S5952509B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- tube target
- in2te3
- znte
- image pickup
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は撮像管ターゲットの改良に関する。
本出願人は高感度など諸特性においてすぐれたＺｎＳｅ
−（Ｚｎｌ−ｙＣｄｙＴｅ）１−、（Ｉｎ２Ｔｅ３）２
の物質を用いた異種接合構造を持つた撮像管ターゲット
を提案してきた。しかしこのターゲットを用いた撮像管
においても使用電圧幅（ΔＶ）が２〜３Ｖフであり、一
方このΔＶは撮像管としての使いやすさや画質に対応す
ることから、ΔＶの向上は重要な問題であつたにこで、
ΔＶはキズ発生電圧Ｖｍａｘと焼付消滅電圧Ｖｍ、ｎと
の差として定義される。）。夕 したがつて、本発明の
目的は使いやすく、しかも画質の向上を図ることのでき
る撮像管ターゲットを提供することにある。
−（Ｚｎｌ−ｙＣｄｙＴｅ）１−、（Ｉｎ２Ｔｅ３）２
の物質を用いた異種接合構造を持つた撮像管ターゲット
を提案してきた。しかしこのターゲットを用いた撮像管
においても使用電圧幅（ΔＶ）が２〜３Ｖフであり、一
方このΔＶは撮像管としての使いやすさや画質に対応す
ることから、ΔＶの向上は重要な問題であつたにこで、
ΔＶはキズ発生電圧Ｖｍａｘと焼付消滅電圧Ｖｍ、ｎと
の差として定義される。）。夕 したがつて、本発明の
目的は使いやすく、しかも画質の向上を図ることのでき
る撮像管ターゲットを提供することにある。
以下本発明を図面とともに説明する。
第１図は本発明の撮像管ターゲットの一例を示フす断面
図である。
図である。
図において、１はガラス基板、２は透明性導電膜、３は
ＺｎＳ、−ｘＳｅｘまたはＺｎ、−ｗＣｄｗＳ、４は（
Ｚｎｌ−ｙＣｄｙＴｅ）１−２（Ｉｎ。Ｔｅ、）Ｏ、５
は（ＺｎＴｅ）、−り（Ｉｎ″Ｔｅ、）りである。次に
、その撮像管ターゲットの製造方法の一例をのべる。
ＺｎＳ、−ｘＳｅｘまたはＺｎ、−ｗＣｄｗＳ、４は（
Ｚｎｌ−ｙＣｄｙＴｅ）１−２（Ｉｎ。Ｔｅ、）Ｏ、５
は（ＺｎＴｅ）、−り（Ｉｎ″Ｔｅ、）りである。次に
、その撮像管ターゲットの製造方法の一例をのべる。
あらかじめ透明性導電膜２を形成したガラス基板１上に
ＺｎＳ、−ｘＳｅｘまたはＺｎ、−ｗＣｄｗＳ、を基板
温度１００〜４００℃にて０．０３〜１μｍの厚さに蒸
着し、その上に（Ｚｎ、−ｙＣｄｙＴｅ）、−２Ｊ（Ｉ
ｎ２Ｔｅ３）Ｚ４を基板温度１５０〜２５０℃にて１〜
７μｍ蒸着する。更に、その上に（ＺｎＴｅ）１−り（
Ｉｎ２Ｔｅ。）り５を基板温度１００ 〜２５０℃にて
０．０３〜０．１５μｍの厚さに真空蒸着により形成す
る。このようにして得られた膜を真空中において３００
〜７００℃の温度範囲で５〜２００分間の熱処理を施す
ことにより諸特性が優れ、とりわけΔＶが大きく画質の
よい撮像管ターゲットが得られる。第２図に第一層とし
てＺｎｓｅｌ第二層に（ＺｎＯ．７ＣｄＯ．３Ｔｅ）。
ＺｎＳ、−ｘＳｅｘまたはＺｎ、−ｗＣｄｗＳ、を基板
温度１００〜４００℃にて０．０３〜１μｍの厚さに蒸
着し、その上に（Ｚｎ、−ｙＣｄｙＴｅ）、−２Ｊ（Ｉ
ｎ２Ｔｅ３）Ｚ４を基板温度１５０〜２５０℃にて１〜
７μｍ蒸着する。更に、その上に（ＺｎＴｅ）１−り（
Ｉｎ２Ｔｅ。）り５を基板温度１００ 〜２５０℃にて
０．０３〜０．１５μｍの厚さに真空蒸着により形成す
る。このようにして得られた膜を真空中において３００
〜７００℃の温度範囲で５〜２００分間の熱処理を施す
ことにより諸特性が優れ、とりわけΔＶが大きく画質の
よい撮像管ターゲットが得られる。第２図に第一層とし
てＺｎｓｅｌ第二層に（ＺｎＯ．７ＣｄＯ．３Ｔｅ）。
．９５（Ｉｎ２Ｔｅ３）。．０５第三層に（ＺｎＴｅ）
。．，９（Ｉｎ２Ｔｅ３）。．０１を用いて、第三層の
膜厚を変えた時の諸特性の変化を示す。この図さら明ら
かなように、膜厚が０．０３μｍ以上でキズ発生電圧Ｖ
ｍａｘが向上し、焼付発生電圧Ｖｍｉｎは０．１５μｍ
以上で上昇しはじめる。従つてＶｍｉｎとＶｍａｘとの
差ΔＶは０．０３〜０．１５μｍの間で最適値を有する
。かつまた、この時に画質の向上もみられる。また（Ｚ
ｎＴｅ）。．９９（Ｉｎ２Ｔｅ３）。．ｏ）の存在によ
る他の諸特性は変化がみられない。なお特願昭４８−８
８０２５号において提案したものでは（ＺｎＴｅ）１−
ｖ（Ｉｎ２Ｔｅ３）ｖの存在により暗電流と赤感度の低
下をもたらすが、本発明ではそのような特性の変化を招
くことなくＶｍａｘを向上させる格別の効果がある。第
３図には（ＺｎＴｅ）１−ｖ（Ｉｎ２Ｔｅ３）Ｖ（７）
Ｖを変えた結果を示す。
。．，９（Ｉｎ２Ｔｅ３）。．０１を用いて、第三層の
膜厚を変えた時の諸特性の変化を示す。この図さら明ら
かなように、膜厚が０．０３μｍ以上でキズ発生電圧Ｖ
ｍａｘが向上し、焼付発生電圧Ｖｍｉｎは０．１５μｍ
以上で上昇しはじめる。従つてＶｍｉｎとＶｍａｘとの
差ΔＶは０．０３〜０．１５μｍの間で最適値を有する
。かつまた、この時に画質の向上もみられる。また（Ｚ
ｎＴｅ）。．９９（Ｉｎ２Ｔｅ３）。．ｏ）の存在によ
る他の諸特性は変化がみられない。なお特願昭４８−８
８０２５号において提案したものでは（ＺｎＴｅ）１−
ｖ（Ｉｎ２Ｔｅ３）ｖの存在により暗電流と赤感度の低
下をもたらすが、本発明ではそのような特性の変化を招
くことなくＶｍａｘを向上させる格別の効果がある。第
３図には（ＺｎＴｅ）１−ｖ（Ｉｎ２Ｔｅ３）Ｖ（７）
Ｖを変えた結果を示す。
膜厚は全て０．１０〜０．１１μｍである。ｖはその値
に関係なくＶｍａｘを向上せしめ、ΔＶを大きくしてい
る。従つて（ＺｎＴｅ）１−ｖ（Ｉｎ２Ｔｅ３）は膜厚
が０．０３〜０．１５Δｍとした時、諸特性を悪化させ
ることなくΔＶとして３〜４Ｖ向上せしめ、画質の向上
をもたらす効果がある。カラー撮像管ターゲツトとして
使用する時は青感度を上昇させるために、Ｚｎｓｌ−Ｘ
ｓｅＸ、またはＺｎｌ−ＷｃｄＷｓを用いる。このよう
に第一層が変化した時にも第三層がＶｍａｘの向上に寄
与するかどうかをみたのが第１表である。同表から第三
層は第一層にかかわりなく、ΔＶを向上させていること
がわかる。
に関係なくＶｍａｘを向上せしめ、ΔＶを大きくしてい
る。従つて（ＺｎＴｅ）１−ｖ（Ｉｎ２Ｔｅ３）は膜厚
が０．０３〜０．１５Δｍとした時、諸特性を悪化させ
ることなくΔＶとして３〜４Ｖ向上せしめ、画質の向上
をもたらす効果がある。カラー撮像管ターゲツトとして
使用する時は青感度を上昇させるために、Ｚｎｓｌ−Ｘ
ｓｅＸ、またはＺｎｌ−ＷｃｄＷｓを用いる。このよう
に第一層が変化した時にも第三層がＶｍａｘの向上に寄
与するかどうかをみたのが第１表である。同表から第三
層は第一層にかかわりなく、ΔＶを向上させていること
がわかる。
以上のことより、第一層の物質としては上記物質に限定
されるものではなくＺｎＯ等のバンドギヤツプが大なる
物質においても同様な効果が得られるものである。
されるものではなくＺｎＯ等のバンドギヤツプが大なる
物質においても同様な効果が得られるものである。
第１図は本発明の撮像管ターゲツトの一例を示す断面図
、第２図は（ＺｎＴｅ）１−Ｖ（Ｉｎ２Ｔｅ３）ｖの諸
特性に及ぼす膜厚の効果を説明する図、第３図は（Ｚｎ
Ｔｅ）１−ｖ（Ｉｎ２Ｔｅ３）Ｖ（７）Ｖ依存性を示す
図である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明性導電膜、３・・・
Ｚｎｓｌ−ＸｓｅＸまたはＺｎｌ−ＷＣｄｗＳ４．．．
（Ｚｎｌ−ＹＣｄｙＴｅ） １−２ （Ｉｎ２Ｔｅ３）
ｚ、５・・・（ＺｎＴｅ）１−ｖ（１ｎ２Ｔｅ３）Ｖ
。
、第２図は（ＺｎＴｅ）１−Ｖ（Ｉｎ２Ｔｅ３）ｖの諸
特性に及ぼす膜厚の効果を説明する図、第３図は（Ｚｎ
Ｔｅ）１−ｖ（Ｉｎ２Ｔｅ３）Ｖ（７）Ｖ依存性を示す
図である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明性導電膜、３・・・
Ｚｎｓｌ−ＸｓｅＸまたはＺｎｌ−ＷＣｄｗＳ４．．．
（Ｚｎｌ−ＹＣｄｙＴｅ） １−２ （Ｉｎ２Ｔｅ３）
ｚ、５・・・（ＺｎＴｅ）１−ｖ（１ｎ２Ｔｅ３）Ｖ
。
Claims (1)
- １ 透明性導電膜を有する透明基板上に少なくとも（Ｚ
ｎ＿１−＿ｙＣｄ＿ｙＴｅ）＿１−＿ｚ（Ｉｎ＿２Ｔｅ
＿３）＿ｚなる物質を第二層として含み、第一層として
第二層よりもバンドギャップが大なる物質を形成し、更
に第二層上に第三層として（ＺｎＴｅ）＿１−＿ｖ（Ｉ
ｎ＿２Ｔｅ＿３）＿ｖなる物質を膜厚が０．０３〜０．
１５μｍの範囲内にあるごとく形成してなる撮像管ター
ゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50088746A JPS5952509B2 (ja) | 1975-07-18 | 1975-07-18 | 撮像管タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50088746A JPS5952509B2 (ja) | 1975-07-18 | 1975-07-18 | 撮像管タ−ゲツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5211816A JPS5211816A (en) | 1977-01-29 |
| JPS5952509B2 true JPS5952509B2 (ja) | 1984-12-20 |
Family
ID=13951465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50088746A Expired JPS5952509B2 (ja) | 1975-07-18 | 1975-07-18 | 撮像管タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5952509B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56147343A (en) * | 1980-04-17 | 1981-11-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of target for image pickup tube |
| JPH0325460U (ja) * | 1989-07-19 | 1991-03-15 |
-
1975
- 1975-07-18 JP JP50088746A patent/JPS5952509B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5211816A (en) | 1977-01-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2688564A (en) | Method of forming cadmium sulfide photoconductive cells | |
| CN113206168B (zh) | 可见光探测器及制备方法 | |
| GB863210A (en) | Improvements in or relating to light sensitive devices | |
| JPS5952509B2 (ja) | 撮像管タ−ゲツト | |
| GB686465A (en) | Improvements relating to the manufacture of mosaic electrodes such as are utilised in television pick-up tubes | |
| JPS6047752B2 (ja) | 擦像管タ−ゲット | |
| US3985918A (en) | Method for manufacturing a target for an image pickup tube | |
| US3202825A (en) | Articles of hot pressed zinc sulphide having a durable metal film coated thereon | |
| JPH11297640A5 (ja) | ||
| JPS5937592B2 (ja) | 光導電素子 | |
| JPS5780637A (en) | Target for image pickup tube | |
| GB1135493A (en) | Target assembly for television pickup tubes of the vidicon type | |
| JPS58184240A (ja) | 撮像管タ−ゲツト | |
| KR890003210B1 (ko) | 광도전막의 제조방법 | |
| JPH0370327B2 (ja) | ||
| Mendelsohn et al. | Preparation and Properties of Unsupported Positive Coefficient Thin Thermistor Films | |
| JPS5832449B2 (ja) | 撮像管タ−ゲットの製造方法 | |
| JPS622426B2 (ja) | ||
| KR900004863B1 (ko) | 투명도전막의 제조방법 | |
| JPS5838946B2 (ja) | 撮像管タ−ゲット | |
| JPS55141035A (en) | Manufacturing method of image pickup tube target | |
| KR890001434B1 (ko) | 촬상관용 타켓의 제조방법 | |
| JPS5816288B2 (ja) | コウドウデンタ−ゲツトノ セイゾウホウホウ | |
| JPS601723A (ja) | 撮像管タ−ゲツトの形成方法 | |
| JPS556245A (en) | Thermister bolometer |