JPS5952883A - 太陽電池 - Google Patents

太陽電池

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Publication number
JPS5952883A
JPS5952883A JP57163341A JP16334182A JPS5952883A JP S5952883 A JPS5952883 A JP S5952883A JP 57163341 A JP57163341 A JP 57163341A JP 16334182 A JP16334182 A JP 16334182A JP S5952883 A JPS5952883 A JP S5952883A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
solar battery
junction
contained
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57163341A
Other languages
English (en)
Inventor
Masakazu Ueno
正和 上野
Osamu Nabeta
鍋田　修
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd filed Critical Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd
Priority to JP57163341A priority Critical patent/JPS5952883A/ja
Publication of JPS5952883A publication Critical patent/JPS5952883A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/17—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 不発ＩＪ１．ｉ非晶質半導体を用いた太陽電池に関する
。
非晶質シリコンが荷電子制御が可能であることが鉦明さ
れて以来、特に太陽電池への非晶質半導体の応用が注目
され、各方面で研究がなされている。これらの中には太
陽光の有効利用λいう観点から、シリコンに他の■族元
素を添加してなる核元素非晶質半導体を用いる工夫がな
されている。
例えば光の入射側の層において、炭素をシリコンに混合
することによって光学的禁止帯幅を広げる。
それＫよってソリコンのみからなる電流発生領域へ到達
する光責が増加するうこれとは逆に電流発生領域を形成
する層においては、ゲルマニラｌ、をシリコンに混合す
ることによって禁止帯幅を小さくして太陽プロを有効に
吸収する。しかしこれらは、各層を構成する半導体が異
種であってヘテロ接合を形成することになり、接合作成
の土に技術的困難全作なう。
本発明はこのようなヘテロ接合を形成す−ることなしに
、同種半導体から接合が形成され、しかもエネルギー、
ギャップが調整可能Ｃあるような太陽電池を提供するこ
とを目的とする。
この目的は太陽電池の接合を形成する非晶質半導体の各
層が、Ｉｆ１旗、■銭、Ｖ核の各々に列する少なくとも
一つずつの同一元素とダングリングボンドを終端する元
素とからなることによって達成される。
本発明は太陽電池の各層を同一のＩＶＦＺ元素半導体と
■−■化合物半導体との腹合半導体によって（イタ成し
ようとする考えに基づいてい心。
以Ｆ図を引用し−Ｃ本発明の実施例シこつい゛Ｃ説明す
る。第１図に示す太陽電池をよ、金属基板１上にｐ層２
．１層３．９層４が半導体薄膜で形成され、さらにその
上に透明導電膜５、格子電極６が設けられたものである
。ｐｌ＠２．１層３．ｎ７＃４はすべてＢ、Ｓｉ、Ｐの
三元素からなる非晶質半導体各層であり、ダングリング
ボンドを終端するターミネータとして水素が添加されて
いる。第２図はその非晶質半導体各層における各元素の
含廟量の分布を示す。ｐ層２はＢがＰより多く、９層４
はＰかＢよシ多く含まれておシ、これにより荷電子制御
を行う。一方ｊ層３ンまＢとＰの量が同じか、あるいは
補償のためにＢｉｔ、ＰＪｔのいずれかが多くてもよい
。
このような太陽電池の半導体層ＩＮは、例えばグロー放
電分解法により原料ガスとしてのＳＩＨ’　＋Ｂ２Ｈ６
，ＰＨ！　　の配合化を各層に対応して鴎かに変化させ
ることだけＫより、同一般帷で連続的に極めて簡単に形
成でき、しかも良好な１８合台、得ることができる。し
かも本発明の最大の特長は、半導体のエネルギー、ギャ
ップをＳｌ量に対する（ｓ＋ｐ）量の割合によって調整
できることである。従って１Ｍ３のエネルギー・ギヤ、
ツブを太陽光エネルギースペクトルの最大点に合わせ、
変換効率の高い太陽電池を製作することも容易にできる
。
以上のように本発明は同種半導体からなり、しかも特性
の調整が容易にできる薄膜半導体太陽電池を得るもので
、太陽電池の特性の向上を経済的に達成できる点で極め
て有効であるつなおＩＶＦｉ元索としてＳｌの代りにＧ
ｅ、■族元素としてＢ以外にＡＩ、Ｉｎ、＋ｌａ、■旅
元素としてはＰ以外にＳｔ）　＋　Ａｓが使えることは
いうまでもなり０ターミネータとしては水素ばかりでな
くハロゲンまたはカルコゲン元素を用いてもよい。“ま
た前述のｎ−１−ｐ構造だけでなく、ショットキバリア
型の構造の太陽電池にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の太陽電池の断面図、第２図
は半導体層の厚さ方向におけ゛るＳｉ　。 Ｂ、Ｐ各元素の含有量の分布図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １）接合を形成する非晶質半導体の各１−が、■旅、Ｉ
    ＶＤ、１旗の各々に属する少なくとも−りずつの元素と
    ダングリングボンドを終端する元素とからなる−ことを
    特徴とする太陽電池。
JP57163341A 1982-09-20 1982-09-20 太陽電池 Pending JPS5952883A (ja)

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