JPS5954267A - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents

薄膜トランジスタの製造方法

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JPS5954267A
JPS5954267A JP57164447A JP16444782A JPS5954267A JP S5954267 A JPS5954267 A JP S5954267A JP 57164447 A JP57164447 A JP 57164447A JP 16444782 A JP16444782 A JP 16444782A JP S5954267 A JPS5954267 A JP S5954267A
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JP
Japan
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type
electrode
transparent electrode
contact resistance
constitution
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JP57164447A
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JPH0542816B2 (ja
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
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Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]

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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置に係り、半導体表面に形成されたｎ
型領域と透明電極配線との接続部のイオ刺構成に関する
。
従来、半導体表面に形成されたｎ型領域と酸化インジウ
ム−酸化錫（工ＴＯ）からなる透明電極との接続は、そ
のまま、工ＴＯ゛電極配線とｎ、型半導体領域とが接続
される方式が用いられていた。
第１１￥ｌｌは従来技術によるＭ　ＯＳ型半導体装的の
断面図であり、石英基板１の表面に形成されたＰ型ポリ
、シリコン半導体膜２に拡散により形成したｎ型のソー
ス領域３．ドレイン領域４およびゲート酸化膜５．ル弗
ポリシリコンによるゲート電極６と、層間絶縁膜として
のＳ　ｉ　Ｏ２１１Ｑ　７よりなり、該ｎ型のソース領
域３．ドレイン領域４．ゲート電極６と接続して工ＴＯ
よりなる透明型ｔｉＩｉｉ８が配されて成るものである
。
しかし、上記従来技？ｌｉｆによＺ）ＩＬ型半玉！１（
体領域と透明電極との接続では、接続部の接触抵抗が大
となる欠点があった。
本発明はかかる従来技術の欠点をなくし、ＴＬ型半導体
領域と透明型ネ「ｉとの接続部の接触抵抗を小さくする
接続部のイオ料構成を提供することを目的とする。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板表面に形成された小型領域と透明電極とを接
    続して形成する半導体装置″における、少なくとも該接
    続部には、アンチモン、リン、カドミニウム等の半導体
    の導電型をｎ型にする不斜（物が含有されて成る事を特
    徴とする生導体装置Ｖ−ｉ−０
JP57164447A 1982-09-21 1982-09-21 薄膜トランジスタの製造方法 Granted JPS5954267A (ja)

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JPH0542816B2 JPH0542816B2 (ja) 1993-06-29

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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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