JPS5954283A - 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ装置およびその製造方法Info
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- JPS5954283A JPS5954283A JP16382582A JP16382582A JPS5954283A JP S5954283 A JPS5954283 A JP S5954283A JP 16382582 A JP16382582 A JP 16382582A JP 16382582 A JP16382582 A JP 16382582A JP S5954283 A JPS5954283 A JP S5954283A
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、高出力半導体レープ“装置しよびその製造
方法に関するものである。
方法に関するものである。
従来この種の装置として第１図に示すものがあった。こ
れは、ストリップ・バリド・ヘデロ（ＳＢＨ）構造の半
導体レーザ装置の断面図で、（１）はｎ形ｆｌａＡｓ層
、（２）は第１のクラッド層を構成するｎ形ＡらＧ ａ
１−、Ａ ８層、（３）は光導波路を構成−・トる１
１形Δｉ、Ｇ ａ、−、Ａ ６層（但しｙ ＜ ｘ ）
、 （４）は活性層を［ｊり成才るｐ形ＧａΔθ層、
（５）は第２のクラッド層を構成するｐ形Ａ ／’、Ｇ
ａ １−８Ａｓ層、（６）は活性層（４）と第２のク
ラッド層（５）とかＣつなるストライプ部、（７）はｐ
形Ａ／２２Ｇａ、 、Ａｓ層（イＬｊ ｌ、 Ｚ ：’
、７ｘ） 、ＣＩ”、）はｎ形Ａ ／７Ｇ ａ ＋ 、
、−、、ＡＦ３層である。、次に動作ｒついて説明する
。ｒｒ可２のクランド層（５）及びｎ形Ａ／？、Ｇａ、
、Ａｓ層（８）から流ね７込むｉＪｌ、ｂｉｌ、Ｑ、１
１、必バイアスされるｐ形１？、Ｇａ、−１ｌＡｓ層（
７）とＩ〕形Ａ４．Ｇａ、、−、Ａｓ層（８）とによっ
て狭窄され、活性ＩＮ （４）に７１人σノ１．る。
れは、ストリップ・バリド・ヘデロ（ＳＢＨ）構造の半
導体レーザ装置の断面図で、（１）はｎ形ｆｌａＡｓ層
、（２）は第１のクラッド層を構成するｎ形ＡらＧ ａ
１−、Ａ ８層、（３）は光導波路を構成−・トる１
１形Δｉ、Ｇ ａ、−、Ａ ６層（但しｙ ＜ ｘ ）
、 （４）は活性層を［ｊり成才るｐ形ＧａΔθ層、
（５）は第２のクラッド層を構成するｐ形Ａ ／’、Ｇ
ａ １−８Ａｓ層、（６）は活性層（４）と第２のク
ラッド層（５）とかＣつなるストライプ部、（７）はｐ
形Ａ／２２Ｇａ、 、Ａｓ層（イＬｊ ｌ、 Ｚ ：’
、７ｘ） 、ＣＩ”、）はｎ形Ａ ／７Ｇ ａ ＋ 、
、−、、ＡＦ３層である。、次に動作ｒついて説明する
。ｒｒ可２のクランド層（５）及びｎ形Ａ／？、Ｇａ、
、Ａｓ層（８）から流ね７込むｉＪｌ、ｂｉｌ、Ｑ、１
１、必バイアスされるｐ形１？、Ｇａ、−１ｌＡｓ層（
７）とＩ〕形Ａ４．Ｇａ、、−、Ａｓ層（８）とによっ
て狭窄され、活性ＩＮ （４）に７１人σノ１．る。
活性層（４）において放射再結合で生じに、 ）’（：
＆；ｌ、周辺の低屈折率の領域である各クラッド層（
２ｊ 、 （５）及びｐ形Ａｅ ２Ｇａ ＋ −、Ａ
ｅ層（７）によって、活何バ４ｆ４）Ｍび］）′いり、
波層（３）の近傍に閉じ込められる１、 上記の説明において、屈折率の大小関係は、ＡｅＧａＡ
ｅ結晶の屈折率が、Ａ４モル分率（Ｘ又けｙ又は２）の
増加と共に減少する事に基づいている。即ち、ＧａＡｅ
、 Ａｌ、Ｇａ、 −； Ａｓ 、 Ａ／？、Ｇａ、
、−ＸＡｅ 、Δ１７Ｇａ、−、Ａｓの順に、屈折率は
小さくなる（但しｙ（ｘ（ｚ）。
＆；ｌ、周辺の低屈折率の領域である各クラッド層（
２ｊ 、 （５）及びｐ形Ａｅ ２Ｇａ ＋ −、Ａ
ｅ層（７）によって、活何バ４ｆ４）Ｍび］）′いり、
波層（３）の近傍に閉じ込められる１、 上記の説明において、屈折率の大小関係は、ＡｅＧａＡ
ｅ結晶の屈折率が、Ａ４モル分率（Ｘ又けｙ又は２）の
増加と共に減少する事に基づいている。即ち、ＧａＡｅ
、 Ａｌ、Ｇａ、 −； Ａｓ 、 Ａ／？、Ｇａ、
、−ＸＡｅ 、Δ１７Ｇａ、−、Ａｓの順に、屈折率は
小さくなる（但しｙ（ｘ（ｚ）。
従来の半導体レーザ装置はｐノ、」二のように）’ｉｆ
ン成されているので、その製造においては、活性層（４
）及び第２のクラッド層（５）からなるストライプ部部
（６）以外の光導波層（３）の表面上に、ｐ形Ａ ｉ？
、Ｇ ａ、＋−，Ａ Ｉ″１層（７）とｎ形Ａｅ２Ｇａ
、□／ｌｓ層（８）を成長させる心安があった。
ン成されているので、その製造においては、活性層（４
）及び第２のクラッド層（５）からなるストライプ部部
（６）以外の光導波層（３）の表面上に、ｐ形Ａ ｉ？
、Ｇ ａ、＋−，Ａ Ｉ″１層（７）とｎ形Ａｅ２Ｇａ
、□／ｌｓ層（８）を成長させる心安があった。
この場合、光導波層（３）はＡ Ｉ Ｇ ａ、 Ａ ｅ
結晶であり］ｌ″ン化７やすいので、エツチングで露出
させた光導波層（３）の−ヒヘ直接成長させる′−１１
は困’ｒｓＩ！である。液相成長法を用いる時の１つの
Ｊｊ法としては、活性層（４）になるｐ形ＧａＡｓ層を
残したヒで、成喝用メルトによりメルトエッチしてＴ）
形（Ｉ８． Ａ ６層のノドを除き、引続きｐ形Ａ（’
、Ｇａ、−、ＡＦ３層（７）及びｎ形Ａ７７、ｒｌａ、
−、Ａｆｌ Ｍ（８）を成長させる方法がある。Ｉ／
ｊ’、Ｊ’ Ｌ、こ＃１． ｉｔ：非常にイ’？４密な
制御を必要とし、１＃、ストライプ部（６）近くは凹ん
だ場所で原理的テノルトエッチし＋Ｃ＜いので、活性層
（４）がストライプ部の両口１１１に残ってし・Ｆう欠
点があった、ヂに、第１図のｔｒ’ｉ造では、活性層（
４）カ、ｈｅ モ／ｌ／分率の比較的低い（ｙ （ｘ
）ｈｅ、Ｇａ、−、ｈｅ光導波層（３）に接しており、
活性＊ （４）と光導波層（３）とのバンドギャップの
差が比較的小さいので、活性層（４）に注入されたキャ
リアが漏ｊｔ易いという欠点もあった６、 この発明は、上記のような従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので、活性層と光導波層との間に極め
て薄いＡ４ＧａＡｓ層を設けもことにより、製造が容易
で、温度特性の良い高出力゛１″導体レーザ装置丸・よ
びその製造方法を提供することを目的としている。
結晶であり］ｌ″ン化７やすいので、エツチングで露出
させた光導波層（３）の−ヒヘ直接成長させる′−１１
は困’ｒｓＩ！である。液相成長法を用いる時の１つの
Ｊｊ法としては、活性層（４）になるｐ形ＧａＡｓ層を
残したヒで、成喝用メルトによりメルトエッチしてＴ）
形（Ｉ８． Ａ ６層のノドを除き、引続きｐ形Ａ（’
、Ｇａ、−、ＡＦ３層（７）及びｎ形Ａ７７、ｒｌａ、
−、Ａｆｌ Ｍ（８）を成長させる方法がある。Ｉ／
ｊ’、Ｊ’ Ｌ、こ＃１． ｉｔ：非常にイ’？４密な
制御を必要とし、１＃、ストライプ部（６）近くは凹ん
だ場所で原理的テノルトエッチし＋Ｃ＜いので、活性層
（４）がストライプ部の両口１１１に残ってし・Ｆう欠
点があった、ヂに、第１図のｔｒ’ｉ造では、活性層（
４）カ、ｈｅ モ／ｌ／分率の比較的低い（ｙ （ｘ
）ｈｅ、Ｇａ、−、ｈｅ光導波層（３）に接しており、
活性＊ （４）と光導波層（３）とのバンドギャップの
差が比較的小さいので、活性層（４）に注入されたキャ
リアが漏ｊｔ易いという欠点もあった６、 この発明は、上記のような従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので、活性層と光導波層との間に極め
て薄いＡ４ＧａＡｓ層を設けもことにより、製造が容易
で、温度特性の良い高出力゛１″導体レーザ装置丸・よ
びその製造方法を提供することを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第２図において、（］） 、 （２１、（３＋’、 （
４１及び（５）は、上記の従来例と同一、又は相当する
ものである。（９）は、活性層（４）と光導波層（３）
とにはさ１れた不遜めて薄いｎ形Ａ ｌ ２Ｇ ａ １
−ｔＡＳ障壁層であり、（Ｉ（口まＩ高抵抗のＡｌ。
４１及び（５）は、上記の従来例と同一、又は相当する
ものである。（９）は、活性層（４）と光導波層（３）
とにはさ１れた不遜めて薄いｎ形Ａ ｌ ２Ｇ ａ １
−ｔＡＳ障壁層であり、（Ｉ（口まＩ高抵抗のＡｌ。
Ｇ ａ １−、Ａｓからなる第：３のクラッド層である
。第２図の構造の製造工程の概略は、以下の通りである
。
。第２図の構造の製造工程の概略は、以下の通りである
。
まず、障壁層（９）となるｎ−Ａ１２Ｇａ、−、Ａｓ層
を付加する以外ｆｄ 、従来例の場合と同様にして、（
１００）基板（１）上に、層（２） 、 （３） 、
（４） 、 （ｆｉ）及び（（１）から成る積層結晶を
成長する。ここで、活性層（４）、障壁層（０）、光導
波層（３）のｒ脅厚は、それぞれ０．１．５７ｚｍ、
０．０３７１ｍ、 ０．８層１ｍとする。寸た、Ａ１モ
ル分率は、それ、それ０．０．３５ 、 Ｏ，１，５と
する。次に、〔０１丁〕方向に形成したストンイブ状マ
スクを用へ基板（１）に至る寸で化学エツチングする。
を付加する以外ｆｄ 、従来例の場合と同様にして、（
１００）基板（１）上に、層（２） 、 （３） 、
（４） 、 （ｆｉ）及び（（１）から成る積層結晶を
成長する。ここで、活性層（４）、障壁層（０）、光導
波層（３）のｒ脅厚は、それぞれ０．１．５７ｚｍ、
０．０３７１ｍ、 ０．８層１ｍとする。寸た、Ａ１モ
ル分率は、それ、それ０．０．３５ 、 Ｏ，１，５と
する。次に、〔０１丁〕方向に形成したストンイブ状マ
スクを用へ基板（１）に至る寸で化学エツチングする。
この時、エツチング液としては、断面形状が台形となる
、即ち、（］、］、ｉ）Δ面のエツチング床度が遅い液
を用いる。次にＡＩ！モル分率が０．２以上のＡｅＧａ
Ａｓ結晶を選択的にエツチングし７、かつ、（〒〒〒）
３面のエツチング速度が遅いエツチング液を用いて、更
にエツチングをＭ【１すことによって、εＢ２のクラッ
ド層（５）は逆台形となり、ｐ形Ｇａ、Ａｒ、活性層（
４）は、障壁層（９）と共に第２のクラッド層（５）の
幅寸で除去される。これは層（９）のＡ／？モル分率が
０．２以上で、：Ｔ′−ソチングされや−すいためであ
る。−ドパ己第１段巨旨及び・第２段階のエツチング液
としては、例えば、それぞれ、臭素系及びヨウ素系の溶
液を用いる；ｇｒができる。このエツチング過程の後、
高抵抗層（ｌｆｌを成長すれば、第２図の構欲が得’＞
ｈ−る。この場合、露出する光導波層（３）はストラ
イブ部（６）近傍の小面積に限られるので、ストライプ
部以外の周辺部分と共に成長が起り、光導波層（３）上
への成長が困φｆｔであるという坤込み成長時に１？け
る従来の問題点が無くなる。
、即ち、（］、］、ｉ）Δ面のエツチング床度が遅い液
を用いる。次にＡＩ！モル分率が０．２以上のＡｅＧａ
Ａｓ結晶を選択的にエツチングし７、かつ、（〒〒〒）
３面のエツチング速度が遅いエツチング液を用いて、更
にエツチングをＭ【１すことによって、εＢ２のクラッ
ド層（５）は逆台形となり、ｐ形Ｇａ、Ａｒ、活性層（
４）は、障壁層（９）と共に第２のクラッド層（５）の
幅寸で除去される。これは層（９）のＡ／？モル分率が
０．２以上で、：Ｔ′−ソチングされや−すいためであ
る。−ドパ己第１段巨旨及び・第２段階のエツチング液
としては、例えば、それぞれ、臭素系及びヨウ素系の溶
液を用いる；ｇｒができる。このエツチング過程の後、
高抵抗層（ｌｆｌを成長すれば、第２図の構欲が得’＞
ｈ−る。この場合、露出する光導波層（３）はストラ
イブ部（６）近傍の小面積に限られるので、ストライプ
部以外の周辺部分と共に成長が起り、光導波層（３）上
への成長が困φｆｔであるという坤込み成長時に１？け
る従来の問題点が無くなる。
上記のように＋１゛ｉ′１成された装置においてｕ二、
高抵抗層（１（本により電流が狭窄される１、第２のク
ラッド層（５）かＣ）活性層（４）へ電流が注入さね７
、活性層（４）において放射再結合する点け、従来例と
同様である。
高抵抗層（１（本により電流が狭窄される１、第２のク
ラッド層（５）かＣ）活性層（４）へ電流が注入さね７
、活性層（４）において放射再結合する点け、従来例と
同様である。
しかし、活性層（４）と光導波層（３）との間に、これ
らの層（３）及び層（４）よりＡ１モル分率の高い、即
ち、バンドギャップのより大きい、障壁層（９）が存在
するため、注入されたギヤリアは光導波層（４）側に漏
れ出しにくく、有効に活性ＷＩ（４）内に閉じ込められ
る。
らの層（３）及び層（４）よりＡ１モル分率の高い、即
ち、バンドギャップのより大きい、障壁層（９）が存在
するため、注入されたギヤリアは光導波層（４）側に漏
れ出しにくく、有効に活性ＷＩ（４）内に閉じ込められ
る。
この効果は］、筒に高温動作時に：ｉＩＮ著であり、そ
の結果、レーザ発振の閾値の温度依存性が小さくな７、
）。一方、光の閉じ込めに関してＣよ、上記障壁層（９
）が他の層に比べ非常に薄い事からこの障壁層（９）の
影響は少ない。また、活性層（４）の端から、光導波＠
（３）の厚さに比べ大きく１管れた部分の光４波層（３
）及び第１のクラッド層（２）は、光の閉じ込めに関与
しない事から、第］−のクラッド層（２）と光導波層（
３）とはストライブ部（（１）付近のみにあれば良く、
第２図のような構造で、第］−図のＳＢＨ４７ｉ造と同
様の光導波効果が得られる。
の結果、レーザ発振の閾値の温度依存性が小さくな７、
）。一方、光の閉じ込めに関してＣよ、上記障壁層（９
）が他の層に比べ非常に薄い事からこの障壁層（９）の
影響は少ない。また、活性層（４）の端から、光導波＠
（３）の厚さに比べ大きく１管れた部分の光４波層（３
）及び第１のクラッド層（２）は、光の閉じ込めに関与
しない事から、第］−のクラッド層（２）と光導波層（
３）とはストライブ部（（１）付近のみにあれば良く、
第２図のような構造で、第］−図のＳＢＨ４７ｉ造と同
様の光導波効果が得られる。
なお、上記の実施例においては、ｎ形Ｇａ Ａｓを基板
として形成する場合について説明したが、ｐ形Ｇｅ。
として形成する場合について説明したが、ｐ形Ｇｅ。
Ａｅを基板に用い、Ａ／’ｙＧａ、−ＸＡｓ層（２）
、Ａｐ、Ｇａ、−、Ａｓ層（３）及びＡｅ、Ｇａ＋−２
Ａｓ 層（９）をｐ形に、Ｇａ ｐ、Ｓ Ｉｍ （４）
及びＡ７７、ｔｅａ、−。
、Ａｐ、Ｇａ、−、Ａｓ層（３）及びＡｅ、Ｇａ＋−２
Ａｓ 層（９）をｐ形に、Ｇａ ｐ、Ｓ Ｉｍ （４）
及びＡ７７、ｔｅａ、−。
プ部（６）に狭窄するよう【してもよい。
以上のように、この・Ｉ汽明Ｕこなる半、ｑｔ体レしリ
′装置では、活性層と光導波Ｉ・１４との間に薄い障壁
層をはさみ、かつ、ストライブ部のイ（」丸のみが５）
３Ｈｆ’ｆｑ造となる構造と（−だので、活性層幅を確
実に限定でき、結晶成長が容易知なり、レーザー！ζ子
とじての温度特性が同上すると言う効果かあ、乙。
′装置では、活性層と光導波Ｉ・１４との間に薄い障壁
層をはさみ、かつ、ストライブ部のイ（」丸のみが５）
３Ｈｆ’ｆｑ造となる構造と（−だので、活性層幅を確
実に限定でき、結晶成長が容易知なり、レーザー！ζ子
とじての温度特性が同上すると言う効果かあ、乙。
更に、この発明になる製造方法で＆；ｌ、ｊ（、導波層
の上に障壁層、活性層および第２のクラッド層を光導波
層と同一幅に形成し、１ｊｊ１壁層Ｖ（幻−する唱択エ
ツチング能力のあるエツチング液によるエツチングをＭ
１１シ、障壁層の幅を光導波層の幅より小さくするとと
もに、活性層の幅をも実質的に障壁層の幅に等しく成形
するので活１／：１１層幅を狭く成形するのが容易とな
る。
の上に障壁層、活性層および第２のクラッド層を光導波
層と同一幅に形成し、１ｊｊ１壁層Ｖ（幻−する唱択エ
ツチング能力のあるエツチング液によるエツチングをＭ
１１シ、障壁層の幅を光導波層の幅より小さくするとと
もに、活性層の幅をも実質的に障壁層の幅に等しく成形
するので活１／：１１層幅を狭く成形するのが容易とな
る。
第１図は従来の半導体レーザ製置を示１゛断面図、第２
図ｄとの層間の一実施例になる半導体レーザ装置を示ず
断面図である。 図において、（１）は半導体基板、（２）は第］のクラ
ッド層、（３）は光・ｊＩ導波層（４）は活性層、（！
ｉ） Ｉｒｅ、’第２のクラッド層、（９）は障壁１９
キ、（１（）は第３のクラッド層で′ある。 なお、図中同−ｔ−１号は同−又υ−［相ｙ＋、’＋部
分を示す。 出願人 工業技術院長 石 坂 誠 −第１図 第２＋＜ 「 糺 １山 由 １）： リ′１ブこ ）
１１？１和ｆｙイ１ ／月λＺ１ｊ ｑ゛鴇ど）１）長官カサ ３ °１＋ｒｉの人手 持願Ｉｔ／（５７＋ １
：（：＋“：５弓２ 究明の名Ｕ１・ ゛ｊ勺！゛
１体レーー１〕！、１．． ｉ、′、′、ｌわ」：ひぞ
のηｔシ！Ｈ％’ｊ ブノ゛ｔノ、 ３ｉ１１ｉ ＋ｌ： ｆ ・Ｊ イ、１１・Ｉｔ（’
ｌとの１ソ１係 ！ｌ、′ｊ： 、、′Ｌ出１幀人ｉ、
！ｉｆｉ 韮１ の７４象明：１１１１５ｔ（
の発明のｇ）、ｔｉｌｌｔ ／、ｔ゛溜、明の：１ｆ１
５ ン山［１の内′行 −３８（ ）−
図ｄとの層間の一実施例になる半導体レーザ装置を示ず
断面図である。 図において、（１）は半導体基板、（２）は第］のクラ
ッド層、（３）は光・ｊＩ導波層（４）は活性層、（！
ｉ） Ｉｒｅ、’第２のクラッド層、（９）は障壁１９
キ、（１（）は第３のクラッド層で′ある。 なお、図中同−ｔ−１号は同−又υ−［相ｙ＋、’＋部
分を示す。 出願人 工業技術院長 石 坂 誠 −第１図 第２＋＜ 「 糺 １山 由 １）： リ′１ブこ ）
１１？１和ｆｙイ１ ／月λＺ１ｊ ｑ゛鴇ど）１）長官カサ ３ °１＋ｒｉの人手 持願Ｉｔ／（５７＋ １
：（：＋“：５弓２ 究明の名Ｕ１・ ゛ｊ勺！゛
１体レーー１〕！、１．． ｉ、′、′、ｌわ」：ひぞ
のηｔシ！Ｈ％’ｊ ブノ゛ｔノ、 ３ｉ１１ｉ ＋ｌ： ｆ ・Ｊ イ、１１・Ｉｔ（’
ｌとの１ソ１係 ！ｌ、′ｊ： 、、′Ｌ出１幀人ｉ、
！ｉｆｉ 韮１ の７４象明：１１１１５ｔ（
の発明のｇ）、ｔｉｌｌｔ ／、ｔ゛溜、明の：１ｆ１
５ ン山［１の内′行 −３８（ ）−
Claims (3)
- （１）第１伝導形の半導体基板、この半導体基板上の一
部に形成された第１伝導形の第１のクラッド層、この第
１のクラッド層より高い光屈折率を持つ物質からなり上
記第１のクラッド層上に形成された第１伝導形の光導波
層、との光導波層」二に形成され上記光導波層の幅より
狭い幅を持つ第１伝導形の障壁層、この障壁層上に形成
さね、た第２伝導形の活性層、この活性層の上に形成さ
れた第２伝導形の第２のクラッド層、及び上記各層のう
ち少なくとも上記障壁層と」二記活性層と第２のクラッ
ド層の側面に接しこれらの層を埋め込んだ高抵抗または
第１伝導形の第３のクラッド層を備え、上記障壁層のバ
ンドギャップが上記光導波層および上記活性層のバンド
ギャップより犬きく、上記障壁層の層厚が上記活性層の
層厚より小さくなるようにしたことを特徴とする半導体
レーザ装置。 - （２） 半導体基板がＧａＡｓ、第１のクラッド層が
ＡＩＷＧａ、。Ａｓ、光導波層がＡ／、Ｇａ 、、Ａ、
ｎ、活性層がＧａ、Ａｓ、障壁層が７Ｖ、Ｇａ＋−、Ａ
ｓ４［２，のクラッド１−ツがＡ ｅ 、Ｇ ａ ＋−
，Ａ ８、第３のクラッド層がＡｌ、Ｇ８□−９Ａｓか
らなる（但ｔ、ｙ＜ｘくｚ）ことを４１ 徴とｔ ｚ）
Ｔ”ｒ ｗ’Ｆ Ｎｌｆ ５Ｊ＜の範囲第３項ｎｆ”ｒ
ａ”１０半導体Ｖ−ザ装買。 - （３） 第１伝導形の゛に一導体基板のヒの−１４６
に、第１伝導形の第１１のクラッド層、第］伝導形の光
ｉＱ波層、第］伝２ＪＴ形の障壁層、第２伝導形の活性
層の幅より小さくするとともに、イー記活性層の幅をも
″寿質的に上記障壁層の幅に等（、〈成形する工程を備
え／ζこと全特１救とする半ｉ、ｉ′ｉ、体レーザ装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16382582A JPS5954283A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16382582A JPS5954283A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954283A true JPS5954283A (ja) | 1984-03-29 |
| JPS6354234B2 JPS6354234B2 (ja) | 1988-10-27 |
Family
ID=15781447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16382582A Granted JPS5954283A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5954283A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6200826B1 (en) * | 1996-12-30 | 2001-03-13 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method of fabricating a reverse mesa ridge waveguide type laser diode |
| KR100458251B1 (ko) * | 2002-10-25 | 2004-11-26 | 엘지전자 주식회사 | 화합물 반도체 레이저 다이오드 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5541741A (en) * | 1978-09-20 | 1980-03-24 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device |
-
1982
- 1982-09-22 JP JP16382582A patent/JPS5954283A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5541741A (en) * | 1978-09-20 | 1980-03-24 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6200826B1 (en) * | 1996-12-30 | 2001-03-13 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method of fabricating a reverse mesa ridge waveguide type laser diode |
| KR100458251B1 (ko) * | 2002-10-25 | 2004-11-26 | 엘지전자 주식회사 | 화합물 반도체 레이저 다이오드 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6354234B2 (ja) | 1988-10-27 |
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