JPS5954665A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
- Publication number
- JPS5954665A JPS5954665A JP57162535A JP16253582A JPS5954665A JP S5954665 A JPS5954665 A JP S5954665A JP 57162535 A JP57162535 A JP 57162535A JP 16253582 A JP16253582 A JP 16253582A JP S5954665 A JPS5954665 A JP S5954665A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- composition
- ceramic composition
- high permittivity
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野 、 。
イぐ発明はセシミノクコンデンザ用月利に適した。
焼結温度の低い高誘電率磁器1組成物に関するものであ
る。
る。
従来例のイ・14成とその問題点
、・誘電材イ・1の具備ずべき特性は用途に」:り異な
る □が、セラミックフンテンザでは誘電率が大きく、
。
、・誘電材イ・1の具備ずべき特性は用途に」:り異な
る □が、セラミックフンテンザでは誘電率が大きく、
。
かつ焼結温度の低いことが要求される。誘電率が大きい
ことは素子の小形にとって重要な条件である。焼結温度
の低いことは、磁器月利の焼成Ω際業的価イ6大きい。
ことは素子の小形にとって重要な条件である。焼結温度
の低いことは、磁器月利の焼成Ω際業的価イ6大きい。
また、積層□型セラミ□・り・ンデンサにシいて、焼結
温度が低いと内部電極としf銀を生成捲とする比較的安
価な電極材料を用因ることができるため、コンデンサの
価格をいちじるしく下げることができる。
温度が低いと内部電極としf銀を生成捲とする比較的安
価な電極材料を用因ることができるため、コンデンサの
価格をいちじるしく下げることができる。
高R電車のセラミノクコンデンザ用材料として畝チタン
酸バリウム系磁器が従来から用防られ□てきた。しかし
、この材料は焼結温度が1’、300〜1400’Cと
高いため、!R層□セラミノクコンデンザを製造する場
合には、その焼結温度に」n した高価な白金またはパ
ラジウムを主成分とする内部型イ余を使用しなければな
らない欠点があった0□発明の目的 □ 本発明は上記の欠点を改善し、焼結温度が1000 ℃
以下と低く、かつ誘電率の大きい磁器組成物を提供する
こ七を目的とず為。
酸バリウム系磁器が従来から用防られ□てきた。しかし
、この材料は焼結温度が1’、300〜1400’Cと
高いため、!R層□セラミノクコンデンザを製造する場
合には、その焼結温度に」n した高価な白金またはパ
ラジウムを主成分とする内部型イ余を使用しなければな
らない欠点があった0□発明の目的 □ 本発明は上記の欠点を改善し、焼結温度が1000 ℃
以下と低く、かつ誘電率の大きい磁器組成物を提供する
こ七を目的とず為。
発明の構成
本発明の組成物は、P b (N 11 /3 N b
27a )□(F01/2Nb1/2)y(F02/
3W1/3)z03 で表わされる組成物知おいて配合
比が0.01 客x≦ □0、40・、 ’ 0.4
5<y≦0.80およびO,Q 5’= ’Z 、;’
;Qo、6o (、−7とだし・パ″y“、、z 、7
−1 )の範囲内にあることを時機とする高誘電率磁器
組成物である。
27a )□(F01/2Nb1/2)y(F02/
3W1/3)z03 で表わされる組成物知おいて配合
比が0.01 客x≦ □0、40・、 ’ 0.4
5<y≦0.80およびO,Q 5’= ’Z 、;’
;Qo、6o (、−7とだし・パ″y“、、z 、7
−1 )の範囲内にあることを時機とする高誘電率磁器
組成物である。
実施例の説明 。
居佳Iとして、P b 0 、1”J IO、F e
203. N h 205゜WO2を用いて、これらを
下表に示した組成比にイボ計し洋式で?JR合し、これ
を乾燥させた後760℃で2時間仮焼し/こ。得られた
仮焼物をボールミルで湿式粉砕し、乾燥@ −@、−j
c後、、ボ、リビニルアルコールの水溶液をバごンタ:
゛として直径1 ’3 Inm、長さ約8 mmの円柱
状に加圧成形した。それからバイ7ダを焼却した後1.
これをマグ・ネ7ア磁器容器に入れ、880〜1040
℃の高度で2時間焼成した。
203. N h 205゜WO2を用いて、これらを
下表に示した組成比にイボ計し洋式で?JR合し、これ
を乾燥させた後760℃で2時間仮焼し/こ。得られた
仮焼物をボールミルで湿式粉砕し、乾燥@ −@、−j
c後、、ボ、リビニルアルコールの水溶液をバごンタ:
゛として直径1 ’3 Inm、長さ約8 mmの円柱
状に加圧成形した。それからバイ7ダを焼却した後1.
これをマグ・ネ7ア磁器容器に入れ、880〜1040
℃の高度で2時間焼成した。
焼成した磁器を厚さ1 mrnに切断し、この両面にC
x−Auを蒸着したのち誘′亀率εrと誘電圧接りを1
kHz 、 1 V / Inmで室温に於いて測定
した。
x−Auを蒸着したのち誘′亀率εrと誘電圧接りを1
kHz 、 1 V / Inmで室温に於いて測定
した。
ε1の温度変化率d、20’Cを基準として一25℃〜
86℃の範囲で測定(,7た。また、比抵抗は室温で1
kV/ramで測定した。その結果を下表(t・−小ず
○以下余白 米印をイqした試料は比較例である。 。
86℃の範囲で測定(,7た。また、比抵抗は室温で1
kV/ramで測定した。その結果を下表(t・−小ず
○以下余白 米印をイqした試料は比較例である。 。
上表でAI、3,5,13.14の試ネ・1は本発明の
範囲外のものであり、A 2 、4 、6〜12の試料
は本発明の実施例である。
範囲外のものであり、A 2 、4 、6〜12の試料
は本発明の実施例である。
上表から明らかなように本発明の範囲内の組成物よりな
る磁器は大きな誘電率(8230〜23410) を
示すとともに、焼成温度が880℃〜9io℃であり、
低い温度で焼結が可能なものである。また、誘電圧接り
が小さいこと、誘電率ε工の温度変化率が小さいこと、
比抵抗が比較的高いことなどの特長を示している。
る磁器は大きな誘電率(8230〜23410) を
示すとともに、焼成温度が880℃〜9io℃であり、
低い温度で焼結が可能なものである。また、誘電圧接り
が小さいこと、誘電率ε工の温度変化率が小さいこと、
比抵抗が比較的高いことなどの特長を示している。
なお、Xが0.01未満の組成は比抵抗が小さいため、
Xが0.40を超える組成は焼成温度が1000℃以上
になるため、捷だ、y<0.45.7>o、so 、
z < 0.06 、 ’Z > 0.5oの範囲の組
成物d、誘電率が比較的小さいため本発明の範囲から除
き、本発明の範囲は焼成温度が100011m以下で、
室温の誘電率が5ooo以上で、かつ比抵抗の大きい組
成に限定した。
Xが0.40を超える組成は焼成温度が1000℃以上
になるため、捷だ、y<0.45.7>o、so 、
z < 0.06 、 ’Z > 0.5oの範囲の組
成物d、誘電率が比較的小さいため本発明の範囲から除
き、本発明の範囲は焼成温度が100011m以下で、
室温の誘電率が5ooo以上で、かつ比抵抗の大きい組
成に限定した。
発明の効果
□本発明の組成物は誘電率が大きく、誘電率αi’+i
!度変化率と誘電圧接が比較的小さく、比抵抗が大きい
ため、セラミ、クコンデンザ用材料に適しているととも
に、1000℃以下の低い温度で焼成できるため、焼成
炉の炉材に安価なものを使用できることおよび焼成のエ
ネルギーが少なくてすむことなど工業的価値が大きい、
積層型セラミノクコンデンザVこ用いた場合には、焼結
高度が低いため、比1咬的安価な銀系などの内部電極を
用いることができるためコンデンサの価格を下け゛るこ
とができるので工業上の利益は大きい。
!度変化率と誘電圧接が比較的小さく、比抵抗が大きい
ため、セラミ、クコンデンザ用材料に適しているととも
に、1000℃以下の低い温度で焼成できるため、焼成
炉の炉材に安価なものを使用できることおよび焼成のエ
ネルギーが少なくてすむことなど工業的価値が大きい、
積層型セラミノクコンデンザVこ用いた場合には、焼結
高度が低いため、比1咬的安価な銀系などの内部電極を
用いることができるためコンデンサの価格を下け゛るこ
とができるので工業上の利益は大きい。
代f!■!人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1
名379−
名379−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Pb (Ni IA”2/3)’x (Fe172DJ
b172) y(Fe2/3W1/3)、Zo3で表わ
される組成物におい。 て配合比が0.015(、x、≦0.40..0.46
≦y賜o、80およびO,Os、z Z≦0.60(た
だし、X +7 jZ:1)の範囲内にあることを特徴
とする高誘電率磁器組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57162535A JPS5954665A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 高誘電率磁器組成物 |
| US06/532,911 US4555494A (en) | 1982-09-17 | 1983-09-16 | Dielectric ceramic compositions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57162535A JPS5954665A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954665A true JPS5954665A (ja) | 1984-03-29 |
| JPS6152097B2 JPS6152097B2 (ja) | 1986-11-12 |
Family
ID=15756455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57162535A Granted JPS5954665A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5954665A (ja) |
-
1982
- 1982-09-17 JP JP57162535A patent/JPS5954665A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6152097B2 (ja) | 1986-11-12 |
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