JPS5956972A - 半田付け部品の半田ぬれ性改良方法 - Google Patents
半田付け部品の半田ぬれ性改良方法Info
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- JPS5956972A JPS5956972A JP16925982A JP16925982A JPS5956972A JP S5956972 A JPS5956972 A JP S5956972A JP 16925982 A JP16925982 A JP 16925982A JP 16925982 A JP16925982 A JP 16925982A JP S5956972 A JPS5956972 A JP S5956972A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/20—Preliminary treatment of work or areas to be soldered, e.g. in respect of a galvanic coating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
この発明はパワートランジスタ用ステム等の十ＬＩＪ（
Ｊけ部品の半田ぬれ性の改良方法に関する。
Ｊけ部品の半田ぬれ性の改良方法に関する。
背景技術
カンケース型のパワートランジスタ等におけるステムに
は各種の構造２寸法のものがある。例えば第１図および
第２図はその代表的なものを示し、第１図は平面図であ
り、第２図は第１図のｎ−ｕ線に沿う断面図である。図
において１は略菱形状を呈する鉄製のステム基板で、長
手方向の両端部にンヤーシ等への取付孔２，２を治し、
中心から若干偏心した位置にリード線封着用の小径の透
孔３．３を有するとともに、ヒートシンク固着用の大径
の透孔４を治する。５，５は前記透孔３，３に充填され
たソーダライムガラス、ソーダバリウムガラス等のガラ
スで、このガラス５．５を介して、鉄・ニッケル合金等
よりなるリード閣６，６が、ステム基板１と電気的に絶
縁してかつ気密に封着されている。７は前記透孔４に嵌
合しかしめられたうえで気密にロウイｑけされた銅製の
ヒートンンクである○ 上記のステムは一般に無電解ニッケルメッキが施された
上で、全体を加熱しておいて前記ヒートンンク７」二に
半田を供給し、溶融した半田を介してトランジスタペレ
ット等の素子を固着したのち、素子のエミッタ電極やベ
ース電極等の上面電極とリード線６，６との間をアルミ
ニウムや金等よりなる接続細心メで４文続し、最後に上
から鉄製のキャッゾを被膜で溶抗溶接等により固着制止
している。
は各種の構造２寸法のものがある。例えば第１図および
第２図はその代表的なものを示し、第１図は平面図であ
り、第２図は第１図のｎ−ｕ線に沿う断面図である。図
において１は略菱形状を呈する鉄製のステム基板で、長
手方向の両端部にンヤーシ等への取付孔２，２を治し、
中心から若干偏心した位置にリード線封着用の小径の透
孔３．３を有するとともに、ヒートシンク固着用の大径
の透孔４を治する。５，５は前記透孔３，３に充填され
たソーダライムガラス、ソーダバリウムガラス等のガラ
スで、このガラス５．５を介して、鉄・ニッケル合金等
よりなるリード閣６，６が、ステム基板１と電気的に絶
縁してかつ気密に封着されている。７は前記透孔４に嵌
合しかしめられたうえで気密にロウイｑけされた銅製の
ヒートンンクである○ 上記のステムは一般に無電解ニッケルメッキが施された
上で、全体を加熱しておいて前記ヒートンンク７」二に
半田を供給し、溶融した半田を介してトランジスタペレ
ット等の素子を固着したのち、素子のエミッタ電極やベ
ース電極等の上面電極とリード線６，６との間をアルミ
ニウムや金等よりなる接続細心メで４文続し、最後に上
から鉄製のキャッゾを被膜で溶抗溶接等により固着制止
している。
ところで、無電解ニッケルメッキ層は経時変化によって
表面層に酸化被膜等が形成されやすいため、−Ｉ−記の
半日−Ｊ溶一時に半田のぬれ性が悪くなり、素子の固着
が不１月能ないし不完全になりやすいという間頌点があ
った。
表面層に酸化被膜等が形成されやすいため、−Ｉ−記の
半日−Ｊ溶一時に半田のぬれ性が悪くなり、素子の固着
が不１月能ないし不完全になりやすいという間頌点があ
った。
発明の開示
そこで、この発明は上記パワートランジスタ用ステム等
の半田イ」け部品の半田ぬれ性を改善できる方法を提供
することを目的とする。
の半田イ」け部品の半田ぬれ性を改善できる方法を提供
することを目的とする。
この発明は無電解ニッケルメッキを施し、た半田イ・」
け７’ｇ（（品を、８０〜１００°Ｃに加熱した次亜リ
ン酸ソーダの５〜２５坏溶液中に３〜１０分間浸漬した
のち、水洗し乾燥することを特徴とするものである。
け７’ｇ（（品を、８０〜１００°Ｃに加熱した次亜リ
ン酸ソーダの５〜２５坏溶液中に３〜１０分間浸漬した
のち、水洗し乾燥することを特徴とするものである。
すなわち、この発明によれば、半田付は部品にＪＩＪＬ
をれた無電解ニッケルメッキの表面に酸化被膜が形成さ
れていても、次亜リン酸ソーダの還元作用によって、酸
化被膜が還元除去されて、活性な問が露出するので、半
田ぬれ性が改善できるのである。
をれた無電解ニッケルメッキの表面に酸化被膜が形成さ
れていても、次亜リン酸ソーダの還元作用によって、酸
化被膜が還元除去されて、活性な問が露出するので、半
田ぬれ性が改善できるのである。
発明を実施するだめの最良の形態
９０ ”ＣＶｒ：加熱した次亜リン酸ソーダの１５％溶
液中に、第１図および第２図に示すパワートランジスタ
用ステムを５分１１ｔｊ浸漬したのち、水洗し乾燥した
。このステムのヒートシンク７」二の半Ｈ」のぬれ広が
りはヒートシンク７の」二面積の９０％になった。
液中に、第１図および第２図に示すパワートランジスタ
用ステムを５分１１ｔｊ浸漬したのち、水洗し乾燥した
。このステムのヒートシンク７」二の半Ｈ」のぬれ広が
りはヒートシンク７の」二面積の９０％になった。
これに対して、上記と同一ステムの未処理品のヒートシ
ンク７上の半田のぬれ広がりはヒートシンク７の土面積
の１０％程度であった。
ンク７上の半田のぬれ広がりはヒートシンク７の土面積
の１０％程度であった。
以下にＡ次亜リン酸ソーダ溶液の濃度、温度および浸漬
時間と半田ぬれ性との関係を示す。
時間と半田ぬれ性との関係を示す。
［］」 濃度々半１」」ぬれ性との関係濃度 、！
］′田ぬれ性良品 ］ ％ ３／］ｏ 液 温； ８０
’Ｃ３％ ７／３ｏ 浸漬時間、５分間
５ ％ １．０／１゜ ８ ダろ コ−○／１．０１０ 呪
１０／１０ コ−５％ １０／１゜ ２０ 呪 １０／、。
］′田ぬれ性良品 ］ ％ ３／］ｏ 液 温； ８０
’Ｃ３％ ７／３ｏ 浸漬時間、５分間
５ ％ １．０／１゜ ８ ダろ コ−○／１．０１０ 呪
１０／１０ コ−５％ １０／１゜ ２０ 呪 １０／、。
２５ ％ ］−〇／□。
３０ ％ １ＯＺ１ｏ （半田浸漬前 次亜リン
酸処理後 表面変色） すなわち、次ａ＋ｉ、ＩＪン酸ソーダ溶液の濃度は、５
％未満では還元作用が低すきるし、２５％を越えると還
元作用が激しくて、被処理部品の変色を生しるので、５
〜２５気の範囲内に限定される。
酸処理後 表面変色） すなわち、次ａ＋ｉ、ＩＪン酸ソーダ溶液の濃度は、５
％未満では還元作用が低すきるし、２５％を越えると還
元作用が激しくて、被処理部品の変色を生しるので、５
〜２５気の範囲内に限定される。
［２］ 液乙情と半田ぬれ性との関係温 度 半田
ぬれ性良品 ５０°Ｃ２／１０ 濃 度；１０％６０”
Ｃ５／１゜ 浸漬時間；５分間７０℃ ９
／ｌ。
ぬれ性良品 ５０°Ｃ２／１０ 濃 度；１０％６０”
Ｃ５／１゜ 浸漬時間；５分間７０℃ ９
／ｌ。
８０°Ｃ１°／ １０
９０℃ １０／ｌ。
１００℃ １０／ １０
すなわち、溶液の加熱温度は、８０°Ｃ未満では還元作
用が低下り、、 １００″Ｃを越える温度にはできな
いので、８０〜１００°Ｃの範囲内に限定される。
用が低下り、、 １００″Ｃを越える温度にはできな
いので、８０〜１００°Ｃの範囲内に限定される。
〔３コ 浸漬時間と半田ぬれ性との関係時 間 半
田ぬれ性良品 ］−分間 ｌ／１０ 液 温； ｓｏ
°Ｃ２分間 ５／□。 濃 度；ｌＯ％
３分間 １０／ｌ。
田ぬれ性良品 ］−分間 ｌ／１０ 液 温； ｓｏ
°Ｃ２分間 ５／□。 濃 度；ｌＯ％
３分間 １０／ｌ。
５分間 １０／、。
８分間 １０／１゜
１０分間 １０／ ｌ。
］−５分間 １０／ｌＯ（半田浸漬前 次亜リン酸
処理後 表面変色） すなわち、浸漬時間は、２分間未満では効果が４ｊ＋１
実でなく、逆に」０分間を超えると被処理部品の茨色を
生じるσ）て゛、３〜ｌＯ分間に限定される。
処理後 表面変色） すなわち、浸漬時間は、２分間未満では効果が４ｊ＋１
実でなく、逆に」０分間を超えると被処理部品の茨色を
生じるσ）て゛、３〜ｌＯ分間に限定される。
なお、この発明は上記実施例に示したパワートランジス
タ川ステムのみならず、他の構造のステム［も実施でき
るし、ステムのみならず他の半田イ・」け部品にも実施
できるものである。
タ川ステムのみならず、他の構造のステム［も実施でき
るし、ステムのみならず他の半田イ・」け部品にも実施
できるものである。
第３図および第２図はこの発明の背景となるパワー１、
ランジスク用ステムの一例を示し、第１図は・＋ｉ而面
ズ、第２図は第１図のｌ−１１線に沿う断面図である。 １ ステム基板、 ５・・・・・ ガラス、６・・
・・・ リード線、７ 、、、、、、 ヒートシンク
。
ランジスク用ステムの一例を示し、第１図は・＋ｉ而面
ズ、第２図は第１図のｌ−１１線に沿う断面図である。 １ ステム基板、 ５・・・・・ ガラス、６・・
・・・ リード線、７ 、、、、、、 ヒートシンク
。
Claims (1)
- 表面に無電）「ニッケルメッキを施した半田付は部品を
、８０〜９０°Ｃに加熱した次亜リン酸ソーダの５〜２
５気の溶液中に３〜１ｏ分間浸漬したのち、水洗し、乾
燥することを特徴とする半田イ１け部品の半田ぬれ性改
良方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16925982A JPS5956972A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 半田付け部品の半田ぬれ性改良方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16925982A JPS5956972A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 半田付け部品の半田ぬれ性改良方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5956972A true JPS5956972A (ja) | 1984-04-02 |
Family
ID=15883185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16925982A Pending JPS5956972A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 半田付け部品の半田ぬれ性改良方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5956972A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150216056A1 (en) * | 2013-08-15 | 2015-07-30 | Hitachi Metals, Ltd. | Ceramic circuit substrate and its production method |
-
1982
- 1982-09-28 JP JP16925982A patent/JPS5956972A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150216056A1 (en) * | 2013-08-15 | 2015-07-30 | Hitachi Metals, Ltd. | Ceramic circuit substrate and its production method |
| US10057992B2 (en) * | 2013-08-15 | 2018-08-21 | Hitachi Metals, Ltd. | Ceramic circuit substrate and its production method |
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