JPS5957407A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPS5957407A JPS5957407A JP57169335A JP16933582A JPS5957407A JP S5957407 A JPS5957407 A JP S5957407A JP 57169335 A JP57169335 A JP 57169335A JP 16933582 A JP16933582 A JP 16933582A JP S5957407 A JPS5957407 A JP S5957407A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は非晶質シリコン系の半導体層を備えた光起電力
装置に関する。
装置に関する。
（口１ 従来技術
非晶質シリコン系の半導体層を備えた光起電力装置は既
に実用化される一方、種々の改良が施されている。その
改良の内ｃＰ工Ｎ接合型光起電力装置に於いて、１型（
真性）層として、窒素ＩＮＩを添加せしめ非晶質シリコ
ンナイトライドｔａ−８ｉｘＮ１−ｘ）を形成し、窒素
ＩＮ＋を含まないものに較べ光学的禁止帯幅Ｅｏｐｔ
を大きくして分光感度波長を短波長側に移行せしめたも
のが存在する。
に実用化される一方、種々の改良が施されている。その
改良の内ｃＰ工Ｎ接合型光起電力装置に於いて、１型（
真性）層として、窒素ＩＮＩを添加せしめ非晶質シリコ
ンナイトライドｔａ−８ｉｘＮ１−ｘ）を形成し、窒素
ＩＮ＋を含まないものに較べ光学的禁止帯幅Ｅｏｐｔ
を大きくして分光感度波長を短波長側に移行せしめたも
のが存在する。
斯る嫌波長側への移行により分光感度波長の異なるＰＩ
Ｎ接合型光起６イ、力」り置をタンデム若しくは６層以
上に債１ζ・をすることができ１勺）Ｙ；６度波長誠を
広げ、光！【変換肋帛を向、にせしめることが可能とな
るために、光重変換効率の低率が間Ｍ（ｌどなる此の（
＝Ｎ装置Ｒに於いて株め“Ｃ有益である。
Ｎ接合型光起６イ、力」り置をタンデム若しくは６層以
上に債１ζ・をすることができ１勺）Ｙ；６度波長誠を
広げ、光！【変換肋帛を向、にせしめることが可能とな
るために、光重変換効率の低率が間Ｍ（ｌどなる此の（
＝Ｎ装置Ｒに於いて株め“Ｃ有益である。
然し乍ら、上述の如くＩ型層にｇ素州を添加下ると分光
感度波長を短波長側に移行せしめることがでさるものの
、第１図に示Ｔようにフェルミレベルｌ（／がＮ含有喰
と共に移動し伝導帯に近づく結東、禁止帯の中央（ミツ
ドギャップ）ＥＯから離間し従来から僅かながらもＮ型
であった■型層はよりＮ型となり模質を悪化せしめる原
因ど７１っていた。
感度波長を短波長側に移行せしめることがでさるものの
、第１図に示Ｔようにフェルミレベルｌ（／がＮ含有喰
と共に移動し伝導帯に近づく結東、禁止帯の中央（ミツ
ドギャップ）ＥＯから離間し従来から僅かながらもＮ型
であった■型層はよりＮ型となり模質を悪化せしめる原
因ど７１っていた。
一方、光起電力装置（二於いて主に発？（￥（二寄ｊ４
する電子及びＩＦ孔対な発生ＴＺ＋のは上記工を層であ
るどころ、斯る１型層；二強い光を長時間照射した場合
に、光重変換効率が低ドすることが実験的に確Ａ忍され
ている。
する電子及びＩＦ孔対な発生ＴＺ＋のは上記工を層であ
るどころ、斯る１型層；二強い光を長時間照射した場合
に、光重変換効率が低ドすることが実験的に確Ａ忍され
ている。
レリ 発明の目的
本発明は斯る点ｃｆｉみ°Ｃ為されたものであってその
目的は１０質を悪化せしめることなく工型層に窒素ＩＮ
＋を含有せしめ短波長側への分光感度波畏の移行を・可
能７よ１ら［７めると）（じ、長時間光照射による光市
変換効４Ｈの低下、即ち劣化を防止するものである。以
下第２図乃至第５図を参照して本発明をＰＩＮ接合型光
起電力装置に適用した実施例に一〕き詳述する。１才た
′ｆｊ６図並びに第７図に本発明の好適な応用例を示Ｔ
、。
目的は１０質を悪化せしめることなく工型層に窒素ＩＮ
＋を含有せしめ短波長側への分光感度波畏の移行を・可
能７よ１ら［７めると）（じ、長時間光照射による光市
変換効４Ｈの低下、即ち劣化を防止するものである。以
下第２図乃至第５図を参照して本発明をＰＩＮ接合型光
起電力装置に適用した実施例に一〕き詳述する。１才た
′ｆｊ６図並びに第７図に本発明の好適な応用例を示Ｔ
、。
に）実施例
第２図は本発明の基本構５１１を示し、（【１はガラス
耐熱プラスＴ・ツク”：％ （Ｄ絶縁性且つ光透過性の
基板。
耐熱プラスＴ・ツク”：％ （Ｄ絶縁性且つ光透過性の
基板。
（２１は訪２’ｓ板（１）の−主面に被着された酸化ス
ズ、酸化イ：ノジウトスズ等の透明電極；ＩΔ、（３）
は該透明電極１１０１２１上にシランＳｊ−Ｈ４ガス等
のグロー放電により形成された非晶質シリコン系の半導
体層、（４）は該半導体ｌｌ−’！ｒ １３１１ ＋：
ｄｉに重畳されたアルミニウムチタン等の呉面「は１４
１１９である、ｉｆ＋’ｉ して、本発明の特徴は」−
記半導体層１３）の組成にある。即ち、上記半導体層１
３）は光入射側である透明電極１１”！＋２１側からＰ
型層（３ｐ）、Ｉ型（真性）層（３ｊ−）及ヒＮ’Ｊ’
Ｊ＃ （５１１） ７ｊ１１１！’ｌ／７Ｊｎ１（１−
＋４（。
ズ、酸化イ：ノジウトスズ等の透明電極；ＩΔ、（３）
は該透明電極１１０１２１上にシランＳｊ−Ｈ４ガス等
のグロー放電により形成された非晶質シリコン系の半導
体層、（４）は該半導体ｌｌ−’！ｒ １３１１ ＋：
ｄｉに重畳されたアルミニウムチタン等の呉面「は１４
１１９である、ｉｆ＋’ｉ して、本発明の特徴は」−
記半導体層１３）の組成にある。即ち、上記半導体層１
３）は光入射側である透明電極１１”！＋２１側からＰ
型層（３ｐ）、Ｉ型（真性）層（３ｊ−）及ヒＮ’Ｊ’
Ｊ＃ （５１１） ７ｊ１１１！’ｌ／７Ｊｎ１（１−
＋４（。
めたＰＩＮ接合悟造を持ち、町に訂しくはＰバリ層（３
ｐ）はシランＳ１）＋４６Ｌ］％に対し４［１〜のメタ
ンＣＨａ＋ニドーピングガスとして０３％ジボラン１３
２ ｋＩ ６を含む雰囲気中でのグロー１ｊ９′山、Ｃ
二より形成されたＪｆ晶ｖ１シリコンカーバイド（ａ−
８ｉｘｃ＋−Ｘ）から１戊り、工型吊）（５３））：１
．Ｓ′５−Ｈ４Ｊｆス８ｏ〜９９．９９％に窒素化合物
であるアンモニノ’ＮＨ３２０〜００１％並びにＢ ２
１（６１ｑ６〜１０ｐｐ’ＦＩを添加した混合ガス雰囲
気中で形成された非晶ａシリコンナイトワイド（８，−
８：３−ｘＮ １−ｘ ）から成り、そして、ｔｌ Ｑ
Ｖ層（３ｒｌはＳ １− Ｈ４ガヌにホスフィンＰＨ３
を１ｑ′）ドーピングし１形成された非晶質シリコン（
ａ−３３−）から構成されている。この柿楓二ＳｉトＩ
４を主成分とする雰囲気中でのグロー族ｒ（（、により
形成六れた上記Ｐ型層（３ｐ）、Ｉ型ＩＮ （３１）及
びＮ型１ｃ１（３ｎ）の各膜厚は例えば１００／Ｃ，５
０ｎｏス及び５００Ａ’に設定されている。
ｐ）はシランＳ１）＋４６Ｌ］％に対し４［１〜のメタ
ンＣＨａ＋ニドーピングガスとして０３％ジボラン１３
２ ｋＩ ６を含む雰囲気中でのグロー１ｊ９′山、Ｃ
二より形成されたＪｆ晶ｖ１シリコンカーバイド（ａ−
８ｉｘｃ＋−Ｘ）から１戊り、工型吊）（５３））：１
．Ｓ′５−Ｈ４Ｊｆス８ｏ〜９９．９９％に窒素化合物
であるアンモニノ’ＮＨ３２０〜００１％並びにＢ ２
１（６１ｑ６〜１０ｐｐ’ＦＩを添加した混合ガス雰囲
気中で形成された非晶ａシリコンナイトワイド（８，−
８：３−ｘＮ １−ｘ ）から成り、そして、ｔｌ Ｑ
Ｖ層（３ｒｌはＳ １− Ｈ４ガヌにホスフィンＰＨ３
を１ｑ′）ドーピングし１形成された非晶質シリコン（
ａ−３３−）から構成されている。この柿楓二ＳｉトＩ
４を主成分とする雰囲気中でのグロー族ｒ（（、により
形成六れた上記Ｐ型層（３ｐ）、Ｉ型ＩＮ （３１）及
びＮ型１ｃ１（３ｎ）の各膜厚は例えば１００／Ｃ，５
０ｎｏス及び５００Ａ’に設定されている。
第３図は」二速の如き非晶ηシリコンナイトライド（ａ
Ｓ ｉＸ Ｎ １Ｘ ） ｙｌｘら成る■型層（３
１）のフェルミレベルＥ／の移動をジボランＢ２）（６
ガス／＋ｆ ｌｊｌ：比、即ちポ【コンＢの含有獣につ
いて測定した結果である。この測定に供せられた工型層
（Ｗ １． ）は９７％のＳ ｔ ［１ａガスに３％の
Ｎ Ｈｓガスを添加した混合ガスにＢ ｚ Ｈｂガスの
流用比を可変し°ｒ３成されたものである。同図から明
らかす如＜、フェルＥ Ｌ／ペルＥｆはボロンＢの含有
はが増大するに従って、所謂ミツドギャップＥＯに接近
し、′’；５ ；’４； ｔｉの含イ１によってＮ型の
性質を持つように１よる工型層（３１）はＰ型不純物で
ある上記Ｂの添加により真性型に補償される。そしてこ
の実施例に於いで７エルミレベルＴ’：／トミット′ギ
ャップＥＯどが一致し理論的に真性とＴるのはＩｌ／Ｊ
４０ Ｕ ｐ ｐｎｓテア）；：）。
Ｓ ｉＸ Ｎ １Ｘ ） ｙｌｘら成る■型層（３
１）のフェルミレベルＥ／の移動をジボランＢ２）（６
ガス／＋ｆ ｌｊｌ：比、即ちポ【コンＢの含有獣につ
いて測定した結果である。この測定に供せられた工型層
（Ｗ １． ）は９７％のＳ ｔ ［１ａガスに３％の
Ｎ Ｈｓガスを添加した混合ガスにＢ ｚ Ｈｂガスの
流用比を可変し°ｒ３成されたものである。同図から明
らかす如＜、フェルＥ Ｌ／ペルＥｆはボロンＢの含有
はが増大するに従って、所謂ミツドギャップＥＯに接近
し、′’；５ ；’４； ｔｉの含イ１によってＮ型の
性質を持つように１よる工型層（３１）はＰ型不純物で
ある上記Ｂの添加により真性型に補償される。そしてこ
の実施例に於いで７エルミレベルＴ’：／トミット′ギ
ャップＥＯどが一致し理論的に真性とＴるのはＩｌ／Ｊ
４０ Ｕ ｐ ｐｎｓテア）；：）。
一方、第４図は第６図と同じ仕様を持・つａ −８１０
，９７Ｎ ０．０５の１型１じり（３ｊ−）−二於ける
光導電率のｐ １１と暗導電率のｆｌをＢ ｚ Ｈ６ガ
スの流用比につい゛〔測定した粘県である６周知のよう
に光電３力装置に於いＣは光導／！！率のｐｈと暗ｉ！
Ｊ−叱率のｄとの差が大きいことが肝要であり、断る点
についてのみ云えばボロンＢの工型層（３ｊ、）への小
ノ」は好ましくなく、上記工型層（３ｊ）が理論的に真
性となる４００ｐｐｍでは（７−ｐｌとのｄとの差は縮
小下る傾向にあるために、この堺市率の差をも考慮゛「
るとＢの含有１段は些程縮小しない灼１０ｏ ｐ ｐｍ
が望ましい。
，９７Ｎ ０．０５の１型１じり（３ｊ−）−二於ける
光導電率のｐ １１と暗導電率のｆｌをＢ ｚ Ｈ６ガ
スの流用比につい゛〔測定した粘県である６周知のよう
に光電３力装置に於いＣは光導／！！率のｐｈと暗ｉ！
Ｊ−叱率のｄとの差が大きいことが肝要であり、断る点
についてのみ云えばボロンＢの工型層（３ｊ、）への小
ノ」は好ましくなく、上記工型層（３ｊ）が理論的に真
性となる４００ｐｐｍでは（７−ｐｌとのｄとの差は縮
小下る傾向にあるために、この堺市率の差をも考慮゛「
るとＢの含有１段は些程縮小しない灼１０ｏ ｐ ｐｍ
が望ましい。
四ニ、第５図はａ−８′Ｌｏ、ｐ？Ｎ ｏ、ｏｓ）１型
層（！ｌ１）１：於けるＢの含有壜をパラメータどした
規格化光導電率のｐｈの経時変化を照射強度５００ｍＷ
／／！ｊのＡＭ−１光を照射した時について測定したも
のである。測定に供せられた試料１ａｌはＢを１ｏＯｐ
ｐ’Ｆｊ添加したものであり、試料１ｂｌのそれは１０
ｐｐＦＦｊであり、試料＋０１はＢを含まない所謂ノン
ドープ層である。この様にＢを添加すると規格化光導電
率ｔｙ−ｐ ｈの経時変化、即ち光電変換効率の劣化は
抑圧される傾向にあり、Ｂの添加用は上記導電率の差、
■型層（５１−）の真性補償等を考慮すると約１００１
１１”以上が適当である。
層（！ｌ１）１：於けるＢの含有壜をパラメータどした
規格化光導電率のｐｈの経時変化を照射強度５００ｍＷ
／／！ｊのＡＭ−１光を照射した時について測定したも
のである。測定に供せられた試料１ａｌはＢを１ｏＯｐ
ｐ’Ｆｊ添加したものであり、試料１ｂｌのそれは１０
ｐｐＦＦｊであり、試料＋０１はＢを含まない所謂ノン
ドープ層である。この様にＢを添加すると規格化光導電
率ｔｙ−ｐ ｈの経時変化、即ち光電変換効率の劣化は
抑圧される傾向にあり、Ｂの添加用は上記導電率の差、
■型層（５１−）の真性補償等を考慮すると約１００１
１１”以上が適当である。
従って、ｌ述の卯き工型層（３ｉ）に３％の窒素Ｎを添
加した場合、斯る工型層（３３−）に添加されるボロン
Ｂの１（ｔはｆＪｌｏｏｐｐｍ乃至４００ｐｐｍが好適
である。
加した場合、斯る工型層（３３−）に添加されるボロン
Ｂの１（ｔはｆＪｌｏｏｐｐｍ乃至４００ｐｐｍが好適
である。
また、より好適な実施例に於ては上記窒素Ｎとボロ／Ｂ
の工型層（３ｉ）への含有１を光入射側を最大とし序々
（二減じる構成となしても良い。
の工型層（３ｉ）への含有１を光入射側を最大とし序々
（二減じる構成となしても良い。
げ） 応用例
第６図はボロン含有非晶質シリコンナイトライド（ａ−
８＞、ｘＮ １−ｘ ）（７）Ｉ型層（３１）を有する
ＰＩＮ接合型の第１の発電領域（３１）を光入射側に配
置し、断る第１の発電領域（３唱）に光学的禁止帯幅Ｅ
ｏｐｔが順次小さくなる第２の発電領域（３２）及び第
３の発電領域（３５）を積層せしめた積層型光電ルカ装
置である。この端層型光電゛屯力装置の好適な実施例に
於いては、第１の発電領域（３１）の工型層（５１）は
３％の窒素Ｎ並びにＩＱＱｐｐｍのボロンを含有ＴるＥ
Ｏｐｔｌ、 ８ （ｅＶ ） （Ｄａ −３１０，９７
Ｎ Ｏ，Ｏ＆カラ成り、第２の発１１領ｉｆｔ、（３１
のそれはＥ ｏ ｐ ｔ、 １゜７（ｅＶ）のノンドー
プのａ＝ｓｊ−から成り、そし”Ｃ第３の発°屯領域（
３５）のそれはスでＳｎ３１０％含有するＦ、Ｏｐｔ、
Ｉ、３（ｅＶ）の非晶質？／リコ／スズ（ａ −８１０
，９８ｎ ｏ、ｔ ） カラｔｌｆｆ成Ｆ ；ｈている
う即ち、半導体発電現象に於いて、発電に寄与下る入射
光波長は発′峨領域の主として工型層の光学的禁出！４
Ｆ幅に依存する。第７図はホウ用例に於ける第１、第２
．第３の発電領域（５１）。
８＞、ｘＮ １−ｘ ）（７）Ｉ型層（３１）を有する
ＰＩＮ接合型の第１の発電領域（３１）を光入射側に配
置し、断る第１の発電領域（３唱）に光学的禁止帯幅Ｅ
ｏｐｔが順次小さくなる第２の発電領域（３２）及び第
３の発電領域（３５）を積層せしめた積層型光電ルカ装
置である。この端層型光電゛屯力装置の好適な実施例に
於いては、第１の発電領域（３１）の工型層（５１）は
３％の窒素Ｎ並びにＩＱＱｐｐｍのボロンを含有ＴるＥ
Ｏｐｔｌ、 ８ （ｅＶ ） （Ｄａ −３１０，９７
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のそれはＥ ｏ ｐ ｔ、 １゜７（ｅＶ）のノンドー
プのａ＝ｓｊ−から成り、そし”Ｃ第３の発°屯領域（
３５）のそれはスでＳｎ３１０％含有するＦ、Ｏｐｔ、
Ｉ、３（ｅＶ）の非晶質？／リコ／スズ（ａ −８１０
，９８ｎ ｏ、ｔ ） カラｔｌｆｆ成Ｆ ；ｈている
う即ち、半導体発電現象に於いて、発電に寄与下る入射
光波長は発′峨領域の主として工型層の光学的禁出！４
Ｆ幅に依存する。第７図はホウ用例に於ける第１、第２
．第３の発電領域（５１）。
（３２）、（３ｇ）の夫々の光吸収特性ｔ５１ 、 ＋
６１ 。
６１ 。
（７）を夫、々示し°Ｃいる、
各発電領域（３１）、（３２′）、１３３）がもし一つ
の光学的禁止帯幅しか持っておらず、斯る発ｉ！＠Ｊ！
１ｌｉ（３１１，（３２）、 （３５）に太陽光などが
入射したとすると、その光学的禁止帯幅に応じた一部の
波長の光しか発７９． を二寄与せず、それより短い波
長の入射光エネルギは素子内で熱となって消散し、又長
い波長の入射）Ｙ；エネルギは素子内で吸収されること
なく散逸するつ これ菖二対し、水密ＩＤ例では第７図４１ら明らかな如
く、装置全体として見れば複数の光学的禁１１：、帯幅
が存在し、しかも光入射側からＩｌｌへそれが小さくな
る配置であるので、入射光エネルギは、その短波長側の
ものが装置の比較的浅い領域で有効に発電（二寄与する
と共に、長波長側のものが装置の浅い領域で吸収される
ことな（装置の比較的深い領域にまで進んでそこで有効
に発電に寄与する結束、装置全体として大きな光電変換
効率が得られる。
の光学的禁止帯幅しか持っておらず、斯る発ｉ！＠Ｊ！
１ｌｉ（３１１，（３２）、 （３５）に太陽光などが
入射したとすると、その光学的禁止帯幅に応じた一部の
波長の光しか発７９． を二寄与せず、それより短い波
長の入射光エネルギは素子内で熱となって消散し、又長
い波長の入射）Ｙ；エネルギは素子内で吸収されること
なく散逸するつ これ菖二対し、水密ＩＤ例では第７図４１ら明らかな如
く、装置全体として見れば複数の光学的禁１１：、帯幅
が存在し、しかも光入射側からＩｌｌへそれが小さくな
る配置であるので、入射光エネルギは、その短波長側の
ものが装置の比較的浅い領域で有効に発電（二寄与する
と共に、長波長側のものが装置の浅い領域で吸収される
ことな（装置の比較的深い領域にまで進んでそこで有効
に発電に寄与する結束、装置全体として大きな光電変換
効率が得られる。
（へ）効 果
本発明光起電力装置は以１−の説明から明らかな如（％
発電に寄Ｆ４Ｔる非晶質シリコン系の半導体層は窒素と
ボロンを同時に含んだ層を有しているので、半導体層の
分光感度波長を膜質を悪化・１４ニジめることな（短波
長側への移行を可能１１らしめるとａに、長時１〕１光
照射による光電変換効率の劣化を防止することができ、
今まで研究開発の第１の目標とされていた光電変換動ぶ
を違った観点から実質的に土性せしめることができる。
発電に寄Ｆ４Ｔる非晶質シリコン系の半導体層は窒素と
ボロンを同時に含んだ層を有しているので、半導体層の
分光感度波長を膜質を悪化・１４ニジめることな（短波
長側への移行を可能１１らしめるとａに、長時１〕１光
照射による光電変換効率の劣化を防止することができ、
今まで研究開発の第１の目標とされていた光電変換動ぶ
を違った観点から実質的に土性せしめることができる。
更に、断る半導体１を光入射側に配置し、該半導体層を
第１の発電領域とし、この第１のＰ電領域に光学的禁止
帯幅幅が小さくなる第２の発電領域を重畳せ（−めたタ
ンデム構造、及び匿（二元学的禁止帯幅が小さい第３０
発″【１領誠を積層せしめた端層型に適用すれば、装置
全体として人さな光電変換効率が得られ、低変喚効率を
眸消せしめることがＴ：き、此の種装置（二於いＣ（鎮
めて有益で、ちる。
第１の発電領域とし、この第１のＰ電領域に光学的禁止
帯幅幅が小さくなる第２の発電領域を重畳せ（−めたタ
ンデム構造、及び匿（二元学的禁止帯幅が小さい第３０
発″【１領誠を積層せしめた端層型に適用すれば、装置
全体として人さな光電変換効率が得られ、低変喚効率を
眸消せしめることがＴ：き、此の種装置（二於いＣ（鎮
めて有益で、ちる。
第１図は非晶質シリコンナイトライアトの窒素含有！匙
に対するフェ！レミレベルの移動を示す特性来第２因は
本発明装置の１桁面図、第３図は非１〜？Ｉ質シリコン
ナイトフ・ｆドの８２ ｌ ｂガス１．ｌｔ ’１比（
Ｂ含冶ｉ最）Ｌ二対するフェルミレベルの移動を示す゛
特性図、第４図は非晶′賓シリコンナイトライドのＢ２
Ｈ６ガス流１比（Ｂ含有電］に対−する導礒率の変化ン
に示Ｔ特１生図、・８５閃は現洛化光稈遍率のに１寺変
化を示゛［特性図、・第６図はＸ発明装置の；、こ；用
例を示す（１１１向図、＄７図はその分光感度特性図、
を夫々示しＣいる。 （【１・・・基板、 ＋３１・・・半導体層。 第１図 第２図 Ｂ２１−１６ ｑ”ス乳ｔ Ｅｔ。 第４図 Ｂ２Ｈ６ｍ’ス１に−＋ ｒ乙 手 続 補 正 書（自発） 昭和５７年１０月 ７ 日 光起電力装置 ６、補正をする者 特許出願人 住所 守口市京阪本通２丁目１８番地 名称（１８８）三洋電機株式会社 代表者 井 植 薫 ４、代理人 住所 守口型京阪本通２了目１８番地 ５、補正の対象 明細（ＪＦ ６、 補正の内容 明ρｉ Ｎ？’全文を別紙のｊｌｌＪり摺）正します。
に対するフェ！レミレベルの移動を示す特性来第２因は
本発明装置の１桁面図、第３図は非１〜？Ｉ質シリコン
ナイトフ・ｆドの８２ ｌ ｂガス１．ｌｔ ’１比（
Ｂ含冶ｉ最）Ｌ二対するフェルミレベルの移動を示す゛
特性図、第４図は非晶′賓シリコンナイトライドのＢ２
Ｈ６ガス流１比（Ｂ含有電］に対−する導礒率の変化ン
に示Ｔ特１生図、・８５閃は現洛化光稈遍率のに１寺変
化を示゛［特性図、・第６図はＸ発明装置の；、こ；用
例を示す（１１１向図、＄７図はその分光感度特性図、
を夫々示しＣいる。 （【１・・・基板、 ＋３１・・・半導体層。 第１図 第２図 Ｂ２１−１６ ｑ”ス乳ｔ Ｅｔ。 第４図 Ｂ２Ｈ６ｍ’ス１に−＋ ｒ乙 手 続 補 正 書（自発） 昭和５７年１０月 ７ 日 光起電力装置 ６、補正をする者 特許出願人 住所 守口市京阪本通２丁目１８番地 名称（１８８）三洋電機株式会社 代表者 井 植 薫 ４、代理人 住所 守口型京阪本通２了目１８番地 ５、補正の対象 明細（ＪＦ ６、 補正の内容 明ρｉ Ｎ？’全文を別紙のｊｌｌＪり摺）正します。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （【） 発電（二寄与する非晶質シリコン系の半導体
層を備えた光起電力装置に於いて、上記半導体層は窒素
とボロンを同時に含んだ層を有していることを特徴とし
た光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57169335A JPS5957407A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57169335A JPS5957407A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 光起電力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5957407A true JPS5957407A (ja) | 1984-04-03 |
| JPH0460353B2 JPH0460353B2 (ja) | 1992-09-25 |
Family
ID=15884641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57169335A Granted JPS5957407A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5957407A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS617661A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 光電変換素子およびこれを利用したカラ−原稿読み取り素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5464981A (en) * | 1977-10-12 | 1979-05-25 | Energy Conversion Devices Inc | High temperature amorphous semiconductor member and method of producing same |
-
1982
- 1982-09-27 JP JP57169335A patent/JPS5957407A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5464981A (en) * | 1977-10-12 | 1979-05-25 | Energy Conversion Devices Inc | High temperature amorphous semiconductor member and method of producing same |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS617661A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 光電変換素子およびこれを利用したカラ−原稿読み取り素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0460353B2 (ja) | 1992-09-25 |
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