JPS5957431A - 電子ビ−ム露光装置 - Google Patents
電子ビ−ム露光装置Info
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- JPS5957431A JPS5957431A JP57167919A JP16791982A JPS5957431A JP S5957431 A JPS5957431 A JP S5957431A JP 57167919 A JP57167919 A JP 57167919A JP 16791982 A JP16791982 A JP 16791982A JP S5957431 A JPS5957431 A JP S5957431A
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- rectangular
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. program control
- H01J37/3023—Program control
- H01J37/3026—Patterning strategy
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
- H01J2237/31764—Dividing into sub-patterns
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- Theoretical Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１） 発明の技術分野
本発明は電子ビーム露光装置に係り、特に露光するパタ
ーンに応じて１ｌｌｉ ｔｉ’ｊ度或いは低精度でｉ７
１τ光すべきかを４”ｌ ＩＩして露光することのでき
る可変矩形ビーム露光装置に関する。
ーンに応じて１ｌｌｉ ｔｉ’ｊ度或いは低精度でｉ７
１τ光すべきかを４”ｌ ＩＩして露光することのでき
る可変矩形ビーム露光装置に関する。
（２） 技術の背景
従来から＃ｌｌ＋ ＜ ４１Ｅ束した電子ビームを用い
る県東ビーム型の電子ビーム露光装置に代って走査或い
はパターン作製過程において描画する図形に合せて矩形
断面の電子ビームの形状と大きさを可変し。
る県東ビーム型の電子ビーム露光装置に代って走査或い
はパターン作製過程において描画する図形に合せて矩形
断面の電子ビームの形状と大きさを可変し。
露光の速度を早めた可変矩形電子ビーム露光装置が提案
されている。このよ・）な可変矩形電子ビーフ１露光装
置ではビームの断面形状に応じてビームの照射量を変え
る必要があった。すなわち照射時の最大パターンを大き
く採れば電子ビームの電流密度は小さくなり露光速度ば
向」二する。また、最大パターンを小さくすれば電流密
度が大きく露光速度は低下するのでビームの断面の面積
またはビーＪ、断面の短辺の長さの変化等に応じてビー
ノ、照射量を変える必要があった。
されている。このよ・）な可変矩形電子ビーフ１露光装
置ではビームの断面形状に応じてビームの照射量を変え
る必要があった。すなわち照射時の最大パターンを大き
く採れば電子ビームの電流密度は小さくなり露光速度ば
向」二する。また、最大パターンを小さくすれば電流密
度が大きく露光速度は低下するのでビームの断面の面積
またはビーＪ、断面の短辺の長さの変化等に応じてビー
ノ、照射量を変える必要があった。
（３） 従来技術と問題点
上述したようにビーム照射量を変えた場合には第１図に
示すように横軸にビーム断面の面積またはビ〜ノ・電流
を取り縦軸にビームのボケ（焦点ボケ）をとると、ビー
ム断面の面積またはヒ〜ム電流が増加するとボケ量は曲
ＩＪＡ １のように増大する。
示すように横軸にビーム断面の面積またはビ〜ノ・電流
を取り縦軸にビームのボケ（焦点ボケ）をとると、ビー
ム断面の面積またはヒ〜ム電流が増加するとボケ量は曲
ＩＪＡ １のように増大する。
このようなボケを除くために本出願人は先にリフオーカ
スコイルを設けて焦点の調整を行うことを提案した。こ
のような補正を行うとボケは曲線２のように低減される
。しかし、リフオーカスを行）と露光位置が変化してし
まうので更に元の位置に振り戻す操作を行・う必要があ
った。従来一般的にはビーム照射量の可変を行うにはビ
ームの断面データまたはビーム断面の短辺の長さ等のデ
ータに応じた？ｉｌｉ正データをパターンデータの一部
としてメモリに挿入して、露光時に電子計算機のプログ
ラムによりビーム断面の面積またはビーム断面の短辺の
■さを判断して上記メモリから面積またば短辺の長さに
応じたビーム照射量補正データを得ていた。
スコイルを設けて焦点の調整を行うことを提案した。こ
のような補正を行うとボケは曲線２のように低減される
。しかし、リフオーカスを行）と露光位置が変化してし
まうので更に元の位置に振り戻す操作を行・う必要があ
った。従来一般的にはビーム照射量の可変を行うにはビ
ームの断面データまたはビーム断面の短辺の長さ等のデ
ータに応じた？ｉｌｉ正データをパターンデータの一部
としてメモリに挿入して、露光時に電子計算機のプログ
ラムによりビーム断面の面積またはビーム断面の短辺の
■さを判断して上記メモリから面積またば短辺の長さに
応じたビーム照射量補正データを得ていた。
このような構成ではプロゲラＪ・による判定であるので
判定時間が播くなり露光時間が長くなる欠点があり、振
り戻し操作を行う場合には制御系が複雑化する欠点があ
った。
判定時間が播くなり露光時間が長くなる欠点があり、振
り戻し操作を行う場合には制御系が複雑化する欠点があ
った。
（４） 発明の目的
本発明は」二層従来の欠点に鑑み、パターンの大きさに
応じて高精度で描画するか低精度で描画するかパターン
毎に許容される最大ビームサイズを与えて分割露光し、
適正な露光を行えるようにした電子ビーノ、露光装置を
提供することを目的とするものである。
応じて高精度で描画するか低精度で描画するかパターン
毎に許容される最大ビームサイズを与えて分割露光し、
適正な露光を行えるようにした電子ビーノ、露光装置を
提供することを目的とするものである。
（５） 発明の構成
」二層目的は本発明によれば第１の矩形孔を有するマス
クの該矩形電子ビーＪ・を可変調整デフレクタによって
第２の矩形孔を有するマスク」二に偏向して結像さセ、
該第２の矩形孔を通過する電子ビームの寸法を可変させ
、主偏向器を介して試料」二の所定位置に該電子ビーム
をショットさ・Ｕる可変矩形電子ビーム露光装置におい
て、露光開始位置データと矩形り″イスデータに基づい
て描画・Ｕんとするパターン毎に許容される最大ピーム
シ”イスを上記可変調整デフレクタに与えると共に分割
個数データと走査ピッチ並びに露光開始位置データＬ３
二抽づくデータを上記主偏向器に与えて−に記試料上の
パターンを露光してなることを特徴とする電子ビーム露
光装置によって達成される。
クの該矩形電子ビーＪ・を可変調整デフレクタによって
第２の矩形孔を有するマスク」二に偏向して結像さセ、
該第２の矩形孔を通過する電子ビームの寸法を可変させ
、主偏向器を介して試料」二の所定位置に該電子ビーム
をショットさ・Ｕる可変矩形電子ビーム露光装置におい
て、露光開始位置データと矩形り″イスデータに基づい
て描画・Ｕんとするパターン毎に許容される最大ピーム
シ”イスを上記可変調整デフレクタに与えると共に分割
個数データと走査ピッチ並びに露光開始位置データＬ３
二抽づくデータを上記主偏向器に与えて−に記試料上の
パターンを露光してなることを特徴とする電子ビーム露
光装置によって達成される。
（６） 発明の実施例
以−ト１本発明の−・実施例を図面について説明する。
第２図は本発明の露光方法を説明するだめの試才４３の
パターンを示すもので試料３のパターン４１′１１じ）
はオ？ハ・［１に露光を行わなくてもよい部分を、パタ
ーン５部分はオ゛？■密に露光を行なわなくてはならな
い部分を示すとすればパターン４部分は最大ピームシ′
イズを大きくして露光し、パターン５部分は最大ビーム
照射量を小さくして露光するようにする。このために本
発明でしＪ各パターン毎に許容される最大ビームサイズ
を寸法またはコードで指定するよ・うにしたものである
。
パターンを示すもので試料３のパターン４１′１１じ）
はオ？ハ・［１に露光を行わなくてもよい部分を、パタ
ーン５部分はオ゛？■密に露光を行なわなくてはならな
い部分を示すとすればパターン４部分は最大ピームシ′
イズを大きくして露光し、パターン５部分は最大ビーム
照射量を小さくして露光するようにする。このために本
発明でしＪ各パターン毎に許容される最大ビームサイズ
を寸法またはコードで指定するよ・うにしたものである
。
第３図のように例えば露光すべきパターンＮ法が５１３
×交４であればパターン全体の寸法を知って等分割した
電子ビームサイズによって露光を行う。
×交４であればパターン全体の寸法を知って等分割した
電子ビームサイズによって露光を行う。
このためには電子ビームの矩形状の最大パターンＮ法が
例えば４１ｔ ＩＴＩ ［］であるとすれば第３図の９
Ｌ４方向のめについて考えると長さ又４方向に分割され
るべき個数ｒ１：Ｘ、は ｎＬ ＝ （ｉ ａ／４μ） Ｈ＋ Ｈ・−＋
１１で表・Ｕる。例えば父４−２１μであるとすれば（
２）式からｎ＝５．２５μとなるがごの場合ｎ＝５とし
小数意思下を切り上げる。かくすれば文４方向の寸法は
４１７ ｍ以下の電子ビーＪ・サイズで分割が可能とな
る。電子ビームサイズの具体的寸法Ｓ ＆Ｊ″Ｓえ
−又４ ／ ｎ工ｐ ・・・・・・（２）（但し、 ｐ
＝ ０．００１μｍ等適宜に選択する。）で表セる。
例えば４１ｔ ＩＴＩ ［］であるとすれば第３図の９
Ｌ４方向のめについて考えると長さ又４方向に分割され
るべき個数ｒ１：Ｘ、は ｎＬ ＝ （ｉ ａ／４μ） Ｈ＋ Ｈ・−＋
１１で表・Ｕる。例えば父４−２１μであるとすれば（
２）式からｎ＝５．２５μとなるがごの場合ｎ＝５とし
小数意思下を切り上げる。かくすれば文４方向の寸法は
４１７ ｍ以下の電子ビーＪ・サイズで分割が可能とな
る。電子ビームサイズの具体的寸法Ｓ ＆Ｊ″Ｓえ
−又４ ／ ｎ工ｐ ・・・・・・（２）（但し、 ｐ
＝ ０．００１μｍ等適宜に選択する。）で表セる。
更に第３図で始めの露光位置６より矢印７で示ずように
最終位置８まで順次ショットを進めて等分割露光を行う
場合のピッチｐｘ−は ｐ７− 文ａ ／ ｎえｑ ・・・・・・（３）（但し
、 ｐ ＝ ’０．００１μｍ等適宜に選択するもある
所定の長さ文４をｎ等分した場合の１−一タル誤差があ
る範囲内にあるようなｑの値を選択する。）で表される
。
最終位置８まで順次ショットを進めて等分割露光を行う
場合のピッチｐｘ−は ｐ７− 文ａ ／ ｎえｑ ・・・・・・（３）（但し
、 ｐ ＝ ’０．００１μｍ等適宜に選択するもある
所定の長さ文４をｎ等分した場合の１−一タル誤差があ
る範囲内にあるようなｑの値を選択する。）で表される
。
上記実施例ではパターンの又４方向（Ｘ方向）のめにつ
いて考慮したが又３方１１（ｙ方向）右同様に考慮して
電子ビームのパターン寸法スＳ１．Ｉ。
いて考慮したが又３方１１（ｙ方向）右同様に考慮して
電子ビームのパターン寸法スＳ１．Ｉ。
ピッチＰ７１個数ｎｉ等を定める。また、−に記実施例
では等分割する場合について述べたが分割［６〜画して
行って最後に端数がηニしたときには電子ビー人の里人
ビームリ′イスを縮めて露光する端数処理方法や端数の
残り寸法が又５であれば最大パターンリ゛イスとの関係
が 文２ く 又５ く ２交２ ・・・・（４）の関係に
あったとき僕５の半分の値にメモリ （割許器）でパタ
ーン寸法を定めてショット露光する場合も含むものであ
る。
では等分割する場合について述べたが分割［６〜画して
行って最後に端数がηニしたときには電子ビー人の里人
ビームリ′イスを縮めて露光する端数処理方法や端数の
残り寸法が又５であれば最大パターンリ゛イスとの関係
が 文２ く 又５ く ２交２ ・・・・（４）の関係に
あったとき僕５の半分の値にメモリ （割許器）でパタ
ーン寸法を定めてショット露光する場合も含むものであ
る。
このような分割方法によって試料のパターンを高ネ１１
度でρπ光するか低ｔｔｉ度で露光するかを矩形サイズ
に括づいてパターン毎に読み出して行く電子ビーム露光
装置を第４図について説明する。
度でρπ光するか低ｔｔｉ度で露光するかを矩形サイズ
に括づいてパターン毎に読み出して行く電子ビーム露光
装置を第４図について説明する。
電子ビーム露光装置９内には試料３と電極群がコラム及
びチェンバー内に配設されている。
びチェンバー内に配設されている。
電極構成について説明すると、コラム内に配設したカソ
ード１０から放出された電子ビームはグリッド１１．ア
ノード１２のアパチャーを通って矩形孔１３ａを有する
第１のマスク１３に照射される。該第１のマスク１３の
矩形孔１３ａを通過して矩形状となされた矩形電子ビー
ムは集束レンズ１４によって第２のマスク１６上に集束
される。
ード１０から放出された電子ビームはグリッド１１．ア
ノード１２のアパチャーを通って矩形孔１３ａを有する
第１のマスク１３に照射される。該第１のマスク１３の
矩形孔１３ａを通過して矩形状となされた矩形電子ビー
ムは集束レンズ１４によって第２のマスク１６上に集束
される。
更に可変調整デフレクタ１５によって第２のマスク１６
に穿った矩形孔１６ ａ−１，に偏向させることで第２
のマスク沖形孔から任意の大きさの矩形１０１面を有す
る電子ビームを取り出すことができる。
に穿った矩形孔１６ ａ−１，に偏向させることで第２
のマスク沖形孔から任意の大きさの矩形１０１面を有す
る電子ビームを取り出すことができる。
このように適宜の寸法になされた矩形断面の電子ビーム
は集束レンズ１７と７バチヤー１８３を有する電憶１Ｂ
を１ｆｆｌってリフオーカスレンズ１９ａ上に集束され
てリフオーカス用のデフ１ツクジヨンコイル１９にコン
ピュータ等よりのりフォーカス用信号が与えられて焦点
ボケ調整がなされる。
は集束レンズ１７と７バチヤー１８３を有する電憶１Ｂ
を１ｆｆｌってリフオーカスレンズ１９ａ上に集束され
てリフオーカス用のデフ１ツクジヨンコイル１９にコン
ピュータ等よりのりフォーカス用信号が与えられて焦点
ボケ調整がなされる。
リフオーカスレンズ１９ａを通過した電子ビー１１２１
は主偏向器２０により試料３上にデジタル的に矩形電子
ビームを走査させてワンショｙ ｌ−旬の露光がなされ
る。次にこれら電極群を制御するための制御系について
説明するにコンピュータ等の中央処理装置Ｗ２２からは
カソード１０やブランキング用電極等へ制御信号がりえ
られるが、ごれらは本発明とは直接関係がないので本発
明に関係のある主偏向器２０及び可変調整デフレクタ１
５についてのみ説明する。
は主偏向器２０により試料３上にデジタル的に矩形電子
ビームを走査させてワンショｙ ｌ−旬の露光がなされ
る。次にこれら電極群を制御するための制御系について
説明するにコンピュータ等の中央処理装置Ｗ２２からは
カソード１０やブランキング用電極等へ制御信号がりえ
られるが、ごれらは本発明とは直接関係がないので本発
明に関係のある主偏向器２０及び可変調整デフレクタ１
５についてのみ説明する。
中央処理袋ＴＬ ２２からバッファメモリ２３には第２
図に示す分’Ｉ’ｉ！Ｉ露光ずべき位置４，５のパター
ンデーク２例えばＸＩｙｌＸ２３＋２・・・・・Ｘｎ
）’ｎの値がすべて蓄積されている。これらのパターン
デークより第３図で説明した分割すべきＸ及びＹ軸（又
４及び又３方向）方向の１１１数ｎ ；ｔ−。
図に示す分’Ｉ’ｉ！Ｉ露光ずべき位置４，５のパター
ンデーク２例えばＸＩｙｌＸ２３＋２・・・・・Ｘｎ
）’ｎの値がすべて蓄積されている。これらのパターン
デークより第３図で説明した分割すべきＸ及びＹ軸（又
４及び又３方向）方向の１１１数ｎ ；ｔ−。
Ｊ、 ピッチｐ、、ｐ千、電子ビームザイスＳゎ。
３１等が複数のメモリ２４ａ、２４ｂ、２４ｃ。
２４ｄに記１息され９例えば第１のメモリ２４ａでは０
１のコード指定がなされると作動し最大ビームサイズは
４μが出力される。第２のメモリ２４ｂでは０２のコー
ド指定がなされると作動し。
１のコード指定がなされると作動し最大ビームサイズは
４μが出力される。第２のメモリ２４ｂでは０２のコー
ド指定がなされると作動し。
最大ビームサイズは２．５μが出力され、同様に第３、
第４のメモリ２４ｃ、２４ｄでば０３．０４のコード指
定がなされると１作動し、最大ビームザイスは２μ、
１．ａｉｔとなるように選択されている。
第４のメモリ２４ｃ、２４ｄでば０３．０４のコード指
定がなされると１作動し、最大ビームザイスは２μ、
１．ａｉｔとなるように選択されている。
これらメモリは必要に応じ最大ビームサイズの値により
適宜数選択できることは勿論であり、更に複数のメモリ
２４８〜２４ｄは上述した（１）〜（３）式を演算する
割算回路を有する。なお、これら演算は中央処理装置２
２内で処理して各メモリ２４ａ〜２４（１に記憶させる
ようにしてもよい。
適宜数選択できることは勿論であり、更に複数のメモリ
２４８〜２４ｄは上述した（１）〜（３）式を演算する
割算回路を有する。なお、これら演算は中央処理装置２
２内で処理して各メモリ２４ａ〜２４（１に記憶させる
ようにしてもよい。
各メモリ２４ａ〜２４ｄに蓄積されたバクーンデータ毎
の最大ビームサイスｓ、、３１は０１コードが指定され
れば４μとなるようにメモリ２４．３が出力されて補正
演算回路２５で適当な補正がなされ、デジタル−アナし
１グ変換器２６゜２７ （以下ＤＡＣと記す）でアナロ
グ変換されたデジタル信号は地中回路２８．２９ （以
下へＭ Ｐと記す）により増巾されて可変調整デフレク
タ１５のＸ軸及びＹ軸デフレクタに与えられてカソード
ｌＯから放出され、第１のマスク１３で矩形状になされ
た電子ビームを所定量ＸまたはＹ軸方向に偏倚さ・Ｕで
、第２のマスク１６の矩形孔１６ａの中心位置より偏向
した点に電子ビーＪ１を集中させて４μの矩形断面を有
する電子ビームを得る。メモリ２４ｂ〜２４ｄもコード
０２〜０３を指定すればそれに応じた最大と一ノ、サイ
ズデータを出力することは明らかである。すなわち本発
明ではコードｔｉｔ定することでパターンに応じた最大
ビーム・す・イスをパターン毎に指定することができる
。
の最大ビームサイスｓ、、３１は０１コードが指定され
れば４μとなるようにメモリ２４．３が出力されて補正
演算回路２５で適当な補正がなされ、デジタル−アナし
１グ変換器２６゜２７ （以下ＤＡＣと記す）でアナロ
グ変換されたデジタル信号は地中回路２８．２９ （以
下へＭ Ｐと記す）により増巾されて可変調整デフレク
タ１５のＸ軸及びＹ軸デフレクタに与えられてカソード
ｌＯから放出され、第１のマスク１３で矩形状になされ
た電子ビームを所定量ＸまたはＹ軸方向に偏倚さ・Ｕで
、第２のマスク１６の矩形孔１６ａの中心位置より偏向
した点に電子ビーＪ１を集中させて４μの矩形断面を有
する電子ビームを得る。メモリ２４ｂ〜２４ｄもコード
０２〜０３を指定すればそれに応じた最大と一ノ、サイ
ズデータを出力することは明らかである。すなわち本発
明ではコードｔｉｔ定することでパターンに応じた最大
ビーム・す・イスをパターン毎に指定することができる
。
更に各メモリ２４ａ〜２４ｄに記憶されたピソヂデータ
Ｉ）ｚ、＋ｌＪをレジスタ３０にレジストし露光ずべき
パターンをショットするごとにｆＩｌａ数、ｎヶ、Ｊを
積算器３１に各メモリ２４ａ〜２４ｄより与えてレジス
タ３０の各メモリ２４ａ〜２４ｄの出力ｐえ、ｐ才と積
算したｎ工ｐえ。
Ｉ）ｚ、＋ｌＪをレジスタ３０にレジストし露光ずべき
パターンをショットするごとにｆＩｌａ数、ｎヶ、Ｊを
積算器３１に各メモリ２４ａ〜２４ｄより与えてレジス
タ３０の各メモリ２４ａ〜２４ｄの出力ｐえ、ｐ才と積
算したｎ工ｐえ。
ＩＩ ７１） Ｈの値を加算回路３２に与える。
該加算回路３２にはバッファメモリ２３から露光ショッ
トする始めの位置データＸＩ）’ｌが与えられているの
で、この原点位置に積算器３１の出力を加算し、原点位
置より現在のショット位置までのＸ及びＹ軸方間圧δ１
１に比例したデータが取り出せる。このデータを適当に
補正演算を行ったのちにＤへＣａａ、３４及びＡＭＰ３
５．３６を通して主偏向器２０のＸ軸及びＹ軸に与えて
試料３上に分割露光ショットすることができる。上記実
施例ではコードを指定したが最大ビームリ・イスの寸法
等を指定するようにしてもよいことは明らかである。
トする始めの位置データＸＩ）’ｌが与えられているの
で、この原点位置に積算器３１の出力を加算し、原点位
置より現在のショット位置までのＸ及びＹ軸方間圧δ１
１に比例したデータが取り出せる。このデータを適当に
補正演算を行ったのちにＤへＣａａ、３４及びＡＭＰ３
５．３６を通して主偏向器２０のＸ軸及びＹ軸に与えて
試料３上に分割露光ショットすることができる。上記実
施例ではコードを指定したが最大ビームリ・イスの寸法
等を指定するようにしてもよいことは明らかである。
（７） 発明の効果
本発明は上記したように構成さ・Ｕたので露光すべきパ
ターンに応じて高精度で露光すべき部分はそのような精
度のコード指定により許容最大ビーＪ・サイズで露光が
なされ、低精度で露光すべき部分はそのような精度のコ
ード指定による許容最大ビームサイズで露光がなされる
ので複雑な制御系を必要と一１！１’露光時間も短くす
ることができる特徴を有する。
ターンに応じて高精度で露光すべき部分はそのような精
度のコード指定により許容最大ビーＪ・サイズで露光が
なされ、低精度で露光すべき部分はそのような精度のコ
ード指定による許容最大ビームサイズで露光がなされる
ので複雑な制御系を必要と一１！１’露光時間も短くす
ることができる特徴を有する。
第１図は従来の電子ビーム露光装置の電Ｙビームと電子
ビーフ２ボケとの関係を示す線図、第２図は本発明の露
光方法を説明するための露光パターンの説明図、第３図
は本発明の電子ビーノー露光装置の分割露光方法を説明
するためのパターン図。 第４図は本発明の電子ビーム露光装置の系統図である。 ３・・・試料、 ９・・・電子ビーム露光装置、
１０・・・カッ−１′、 １３・・・第１のマスク、
１Ｇ・・・第２のマスク、２０・・・主偏向器、
２２・・・中央処理装置、 ２３・・・バッ
ファメモリ、 ２４ａ。 ２４ｂ、２４ｃ、２４ｄ ・・−メモリ、 ２５・
・・補正演算回１／３、 ２６． ２７． ３３゜３４
・・・ＤＡＣ，２Ｂ、２９，３５．３６・・・ＡＭＰ、
３０・・・レジスタ、３１・・・積算器、
３２・・・加算及び補正演算回路。
ビーフ２ボケとの関係を示す線図、第２図は本発明の露
光方法を説明するための露光パターンの説明図、第３図
は本発明の電子ビーノー露光装置の分割露光方法を説明
するためのパターン図。 第４図は本発明の電子ビーム露光装置の系統図である。 ３・・・試料、 ９・・・電子ビーム露光装置、
１０・・・カッ−１′、 １３・・・第１のマスク、
１Ｇ・・・第２のマスク、２０・・・主偏向器、
２２・・・中央処理装置、 ２３・・・バッ
ファメモリ、 ２４ａ。 ２４ｂ、２４ｃ、２４ｄ ・・−メモリ、 ２５・
・・補正演算回１／３、 ２６． ２７． ３３゜３４
・・・ＤＡＣ，２Ｂ、２９，３５．３６・・・ＡＭＰ、
３０・・・レジスタ、３１・・・積算器、
３２・・・加算及び補正演算回路。
Claims (4)
- （１） 第１の矩形孔を有するマスクの該矩形孔を通過
させた矩形電子ビームを可変調整デフレクタによって第
２の矩形孔を有するマスク」二に偏向して結像さ−Ｕ、
該第２の矩形孔を通過する電子ビームの寸法を可変さ−
せ、主偏向器を介して試料」二の所定位置に該電子ビー
ムをショットさ・ける可変矩形電子ビーム露光装置にお
いて露光開始位ｉｖｌデーりと矩形サイズデータに基づ
いて描画・口んとするパターン毎に許容される最大ビー
Ｊオサイズデークを」−記可変調整デフレクタに与える
と共に分割個数データと走査ピッチ並びに露光開始位ｒ
ｆ１．ｙ！−タに枯づくデータを」二層主偏向器に与え
て上記試料上のパターンを露光してなることを特徴と３
〜る電子ビーム露光装置。 - （２） パターン毎に許容される最大ビーノ・リイズを
メモリに記憶してなことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の電子ビーム露光装置。 - （３） パターン毎に許容される最大ビームサイズの寸
法をメモリに記憶してなることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の電子ビーム露光装置。 - （４） パターン毎に許容される最大ビームサイズのコ
ードをメモリに記１．ａシてなることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の電子ビーノー露光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167919A JPS5957431A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 電子ビ−ム露光装置 |
| EP83305721A EP0104922B1 (en) | 1982-09-27 | 1983-09-26 | Electron beam exposure system |
| DE8383305721T DE3377177D1 (en) | 1982-09-27 | 1983-09-26 | Electron beam exposure system |
| US06/536,322 US4586141A (en) | 1982-09-27 | 1983-09-27 | Method and apparatus for an electron beam exposure system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167919A JPS5957431A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 電子ビ−ム露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5957431A true JPS5957431A (ja) | 1984-04-03 |
| JPH0336299B2 JPH0336299B2 (ja) | 1991-05-31 |
Family
ID=15858481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57167919A Granted JPS5957431A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 電子ビ−ム露光装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4586141A (ja) |
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| JP (1) | JPS5957431A (ja) |
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- 1983-09-27 US US06/536,322 patent/US4586141A/en not_active Expired - Lifetime
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