JPS5958435A - 電子写真用感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真用感光体の製造方法Info
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- JPS5958435A JPS5958435A JP17031082A JP17031082A JPS5958435A JP S5958435 A JPS5958435 A JP S5958435A JP 17031082 A JP17031082 A JP 17031082A JP 17031082 A JP17031082 A JP 17031082A JP S5958435 A JPS5958435 A JP S5958435A
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- JP
- Japan
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- film
- drum
- photoreceptor
- amorphous silicon
- silicon film
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
-
- G—PHYSICS
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- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はアモルファスシリコン膜を感光体層とする電子
写真用感光体の製造方法に関する。
写真用感光体の製造方法に関する。
アモルファスシリコン(a −S i ) ’X電子写
真に応用しようとする機運は今日急速に高まIJつつあ
る。現在、グロー放電法による2 F3+の形成技術
eまかなりの域に達し小さな基設(上においては充分な
る電子写真特性を有するa St感光体層を形成する
ことが出来る様にはなった。
真に応用しようとする機運は今日急速に高まIJつつあ
る。現在、グロー放電法による2 F3+の形成技術
eまかなりの域に達し小さな基設(上においては充分な
る電子写真特性を有するa St感光体層を形成する
ことが出来る様にはなった。
しかしこれは基板温度を250℃前後に列−(1シした
最適なる堆積条件の下でのことであって、9冬際にはA
lドラム上に堆積する場合にはし)<つかの問題がある
。その一つは、Nl の軟1ヒ点〃1150℃〜20
0℃位であるので、基板ン話度を250℃位に上げると
人! ドラムが堆積中にひずんだり、又8iとM の熱
膨張係数75;−桁eマどちがうことなどからa−8i
膜にクラック75;生じひどい場合にははがnたりする
ことである。
最適なる堆積条件の下でのことであって、9冬際にはA
lドラム上に堆積する場合にはし)<つかの問題がある
。その一つは、Nl の軟1ヒ点〃1150℃〜20
0℃位であるので、基板ン話度を250℃位に上げると
人! ドラムが堆積中にひずんだり、又8iとM の熱
膨張係数75;−桁eマどちがうことなどからa−8i
膜にクラック75;生じひどい場合にははがnたりする
ことである。
そのためこflまでは基板温度をFげてa 81を堆
積しゆっくり降温してクラックを防く゛などの対策がと
ら几ているが、この場合にはa−8iの光感度が充分に
とnず又特性の・ぐうつき力;大きく、生産性歩留りが
悪くなるといった問題があった。
積しゆっくり降温してクラックを防く゛などの対策がと
ら几ているが、この場合にはa−8iの光感度が充分に
とnず又特性の・ぐうつき力;大きく、生産性歩留りが
悪くなるといった問題があった。
更に従来、AA’ ドラムは表面を鏡面仕上げしたも
のを用いこnに直接a −S fをMlimシティたが
、この方法ではAll −8i間の接触が不安定でドラ
ムごとに特性がパラついてしまうという問題もあった。
のを用いこnに直接a −S fをMlimシティたが
、この方法ではAll −8i間の接触が不安定でドラ
ムごとに特性がパラついてしまうという問題もあった。
本発明は上に述べた従来技術の問題点乞克服し、特性が
良好なa−8i感光体層を夛貿り良く効率的に作製し得
る方法を提供しようとするものである。
良好なa−8i感光体層を夛貿り良く効率的に作製し得
る方法を提供しようとするものである。
本発明の電子写真用感光体の製造方法は、鏡面仕上げし
た人!基板の表面をM 又Vi、AA−81膜で覆い、
基板温1ffiを上げてa −S i膜乞形成したとき
に、この金属膜によりa −S lとA6 の熱膨張
係数の違いからくる両者の間の熱ひずみを吸収するよう
にしたものである。
た人!基板の表面をM 又Vi、AA−81膜で覆い、
基板温1ffiを上げてa −S i膜乞形成したとき
に、この金属膜によりa −S lとA6 の熱膨張
係数の違いからくる両者の間の熱ひずみを吸収するよう
にしたものである。
本発明によ2’Lばa−SiとAA基板の間に入l又は
A7−8i膜を設けることにより、a−8iを堆積する
際に基板温度を上げることができ、従って特性の良好な
a−81感光体を歩留り良く作ることができる。またa
−Si膜の基板との接触特性を良好なものとして高性
能の電子写真感光体を得ることが出来る。
A7−8i膜を設けることにより、a−8iを堆積する
際に基板温度を上げることができ、従って特性の良好な
a−81感光体を歩留り良く作ることができる。またa
−Si膜の基板との接触特性を良好なものとして高性
能の電子写真感光体を得ることが出来る。
以下本発明の実施例について述べる。基板としては表面
を鏡面研磨したべl ドラムを用いた。
を鏡面研磨したべl ドラムを用いた。
優
まずこのAA’ ドラムを有機郷剤にて脱脂処理した後
模式図に示すようなグロー放電堆15’t 5々置1中
にセットし、真空中で200℃までAA’ ドラム2
をその内側に配置したヒーター3にて昇温する。この後
ガス導入管4並びにガス導入マニホールド5を通じてA
j?’(CHs)s Y I Torr程度導入すると
共に、RF電源6から13.56 MHz 。
模式図に示すようなグロー放電堆15’t 5々置1中
にセットし、真空中で200℃までAA’ ドラム2
をその内側に配置したヒーター3にて昇温する。この後
ガス導入管4並びにガス導入マニホールド5を通じてA
j?’(CHs)s Y I Torr程度導入すると
共に、RF電源6から13.56 MHz 。
100WのRF電力を印加してグラズマをにてAl ド
ラム2の表面にA/膜”kEB蒸看て2μ程堆積させる
。この後Al(CH3)、を充分排気した後、SiH,
とOlの混含気体を同様に導入し、50WのRF電力で
AJ ドラム2の上にa−8i:H:0膜を15μ堆
積して電子写真用ドラムを作った。
ラム2の表面にA/膜”kEB蒸看て2μ程堆積させる
。この後Al(CH3)、を充分排気した後、SiH,
とOlの混含気体を同様に導入し、50WのRF電力で
AJ ドラム2の上にa−8i:H:0膜を15μ堆
積して電子写真用ドラムを作った。
こうして得らnたAl ドラム上のa−8i膜は、ク
ラックもなく感光体として良好な特性を有していた。又
、5i−A/の間の接触特性もドラムごとにばらつくこ
とがなくa−8i感光体ドラムを効率的に歩留よく製造
することが出来た。
ラックもなく感光体として良好な特性を有していた。又
、5i−A/の間の接触特性もドラムごとにばらつくこ
とがなくa−8i感光体ドラムを効率的に歩留よく製造
することが出来た。
上記実施例では、Al ドラム梨の1膜層とa−St
とを同一の堆積装置内で連続的に形成したが、 AAi
層を予め別の装置で加熱原石あるいは電子ビーム蒸着等
によって形成しておいても良い。
とを同一の堆積装置内で連続的に形成したが、 AAi
層を予め別の装置で加熱原石あるいは電子ビーム蒸着等
によって形成しておいても良い。
父上記実施例ではA/ ドラム上にAA’膜を設ける
例を述べたが、Al膜に代って例えばAl−5t膜等を
用いても同様の効果を示す@
例を述べたが、Al膜に代って例えばAl−5t膜等を
用いても同様の効果を示す@
図は本発明の一実施例にイ吏用した堆積装置を模式的に
示す図である。 1・・・グロ・−放電堆積装置、2・・・i ドラム
、3・・・ヒータ、4・・・ガス導入管、5・・・マニ
ホ−)Ltド、6・・・RF電源。
示す図である。 1・・・グロ・−放電堆積装置、2・・・i ドラム
、3・・・ヒータ、4・・・ガス導入管、5・・・マニ
ホ−)Ltド、6・・・RF電源。
Claims (2)
- (1) AIl基板上に感光体層としてアモルファス
シリコン膜を形成するに際し、前記入j 基板」二にA
l 又はAA!−8t膜を堆積した後、アモルファスシ
リコン膜を形成することを特徴とする電子写真用感光体
の製造方法。 - (2) 前記アモルファスシリコン膜の形成はグロー
放電堆積装j麿により行なうものでるり、同装置内でア
モルファスシリコン膜の形成に先だってグロー放題分解
によりAI!又はAl−8l膜を形成することを特徴と
する特許請求の幀囲箒1.LA記載の電子写真用感光体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17031082A JPS5958435A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17031082A JPS5958435A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5958435A true JPS5958435A (ja) | 1984-04-04 |
Family
ID=15902597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17031082A Pending JPS5958435A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5958435A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6126056A (ja) * | 1984-07-17 | 1986-02-05 | Stanley Electric Co Ltd | アモルフアスシリコン感光体 |
| JPS6195657A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Pb信号受信装置 |
| JPS61272756A (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-03 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS61272757A (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-03 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
| US4689284A (en) * | 1983-05-18 | 1987-08-25 | Kyocera Corporation | Electrophotographic sensitive member |
| JPS62258464A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-11-10 | Canon Inc | 光受容部材 |
| JPS62258465A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-11-10 | Canon Inc | 光受容部材 |
-
1982
- 1982-09-29 JP JP17031082A patent/JPS5958435A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4689284A (en) * | 1983-05-18 | 1987-08-25 | Kyocera Corporation | Electrophotographic sensitive member |
| JPS6126056A (ja) * | 1984-07-17 | 1986-02-05 | Stanley Electric Co Ltd | アモルフアスシリコン感光体 |
| JPS6195657A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Pb信号受信装置 |
| JPS61272756A (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-03 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS61272757A (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-03 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS62258464A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-11-10 | Canon Inc | 光受容部材 |
| JPS62258465A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-11-10 | Canon Inc | 光受容部材 |
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