JPS595987Y2 - 高周波回路装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、高周波回路装置に関する。

近時、各種回路装置において、回路系の小型化、製造の
省力化等の観点から、回路基板上に導電層より戒る配線
パターンが被着され、これに部品を半田付けするように
したいわゆるハイブリッド集積回路化が広く行われてい
る。

この場合、特に高周波回路装置においては、その回路基
板としては、高周波特性の良いセラミック基板が用いら
れる。

このセラミック基板による場合、そのＱ値は、１０００
〜２０００という他のガラスや、プラスチックによる基
板に比し、格段的に高い値を示すが、反面セラミック基
板は、その誘電率が高いので不要な分布容量が生じ、高
周波に関するこれによる悪影響は無視できない。

例えば、このような欠点を回避するものとして、従来、
種々のものが提案されている。

例えば、第１図に示すように、特に分布容量が問題にな
る部分においてセラミック基板１上に、これに比し、誘
電率が小さい絶縁体２を接着し、この絶縁体２上に、例
えば２つの電気部品３及び４を接続する配線パターン、
即ち導電層５を形或する。

この場合、低誘電率の絶縁体２の存在によって分布容量
は激減できるものであるが、セラミック基板１上に直接
形威される他の配線パターン６との間に段差が生ずるの
で、部品３，４等のマウントが難しく、殊に、例えば各
部品を図示しないが、リードレス化して配線パターン上
にその電極部或いは端子部を直接的に載せ半田付けする
ようにして部品のマウントの自動化をはかるようにする
ものに適用することができないという欠点がある。

また、他の例としては、第２図に示すように、基板１上
に所定のパターンに打ち抜かれて配線パターン５を形成
し、低誘電率絶縁体２によって裏打ちされて機械的に一
体化された金属フレームを例えば他の配線パターン６間
にセラミック基板１より浮かすように架橋するものがあ
るが、この場合も、第１図の例と同様に段差の問題があ
ることもさることながら、フレーム７の機械的不安定性
による電気的特性の不安定性に問題が生ずる。

このような欠点がないようにしたものとしては、第３図
に示すように、セラミック基板１に、透孔８を穿設する
ものがあるが、この場合、透孔８は配線パターン５及び
６が形成されない部分に設けるものであるから、分布容
量の減少効果が少ない。

本考案は、上述した諸欠点を全排した高周波回路装置を
提供するものである。

第４図を参照して本考案による高周波回路装置の一例を
詳細に説明するも、第４図において第１図ないし第３図
に説明した部分には同一符号を付す。

本考案においては、セラミック基板１の所定部、、即ち
不要の分布容量を回避すべき部分、例えば配型パターン
５を配置すべき部分に、透孔９が穿設する。

そして、この透孔９内に接着剤を介して或いは介するこ
となく、絶縁材パツド１０を圧入即ち嵌人する。

この絶縁材パッド１０は、セラミック基板１の誘電率に
比し、格段的に低い誘電率を有する絶縁材、例えばガラ
スエポキシ樹脂、弗素樹脂、例えばポリテトラフルオロ
エチレン等の樹脂の成型体より構威される。

透孔９は円形を始めとして各種任意の形状に形威し、こ
れに嵌入される絶縁材パツド１０は、透孔９の内形状及
び大きさに対応する外形状、大きさに選定されて、透孔
９内に密に挿入することができるようにする。

また、パツド１０は、透孔９内に嵌大した状態でその上
面が基板１の上面と同一平面を形威するようにする。

そして、パツド１０上において、配線パターン５を形或
する。

この配線パターン５の形戒は、例えば、セラミック基板
１に穿設した透孔９内にパツド１０を圧大してその上面
が基板１の上面と同一平面を形戊するようにした状態で
、この平面上に従来と同様に、金属箔を接着するとか導
電層を被着してエッチングして不要部分を除去して、パ
ターン６と同時に形戒するとか、或いは上述の平面上に
所定のパターンに印刷してパターン６と同時に形威し得
る。

そして、各パターン５及び６に差し渡って部品３及び４
等を半田付けする。

尚、これら部品３及び４等の半田付けに先立って図示し
ないが、基板１の両面に半田レジストのような樹脂コー
ティングを施すものにあっては、パツド１０は何ら接着
剤を用いることなく、透孔９内に圧入するのみでも、樹
脂コーティングによって十分パツド１０の固定の効果を
得ることができる。

そして、特に本案装置においては、例えば第４図に示す
ようにパツド１０の背部に凹部１１を設けるとか、第５
図に示すように、パツド１０を低誘電率のフレキシブル
樹脂板によって構威し、これを屈曲させて透孔９内に圧
人することによって凹部１１を形或する。

このようにパツド１０に凹部１１による空間部を設ける
ことによって、より分布容量の減少化をはかることがで
きる。

上述した本案構或によれば、配線パターン５下はパツド
１０によってセラミックに比し、格段的に誘電率が低い
部分とされているので、不要な分布容量の発生を効果的
に回避できるものであり、この分布容量の軽減率は、セ
ラミック基板のみによって配線基板を構或するものに比
らべ、第４図に示した構造のもので−７５％、第５図の
構造のもので−８５％にも低くすることができ、透孔９
内のパツド１０に凹部１１が設けられないものでは−７
０％であった。

したがって凹部１１を設けた本考案によるものは、その
分布容量の低減化がより図られることがわかる。

また、本案構造のものでは、配線パターン５及び６を形
戊する部分が全体的に一平面を形威しているので、各パ
ターン５及び６の形戒と、これらに対する部品のマウン
トが容易となる。

更に、セラミック基板１に穿設した透孔９内に、パツド
１０を嵌入即ち圧入する構造をとるものであり、パッド
の周囲はセラミックによってとり囲まれた構造を有する
ので機械的に安定に構或され、電気的に安定した特性を
有する。

また、特に本考案においては、パツド１０の背部に凹部
１１を設けたことによって上述したように分布容量の減
少を、より効果的にはかることができると共に、この凹
部１１による空間の存在によってパツド１０の材料をセ
ラミック基板．１と全く異質の樹脂によって形或しても
、パツド１０とセラミック基板１との熱膨張率の相違に
基く両者間の熱歪の発生を回避できる。

云い換えれば、７ ＮＯツド１０の材料の選定の自由度
は大で、また樹脂或型品の使用が可能となるので、量産
化、価格の低廉化をはかることができるなど多くの利益
をもたらすことができるものである。

尚、セラミック基板１への透孔９の穿設は、例えばセラ
ミック基板の本焼戒前の戒型に際してこれを穿設し置く
。

図示の例では、２つの部品３及び４の接続部の配線パタ
ーン５下における分布容量の減少化をはかるようにした
場合であるが、３つ以上の部品の接続部、或いは、１つ
以上の部品と例えば端子部との接続に供する配線パター
ン下に透孔９及びパツド１０を設けてこの部分の分布容
量の縮減をはかる場合など、その適用個所は、回路構或
に基いて種々の変更をなし得るものであり、このことは
付言を要さないところであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図は夫々従来の高周波回路装置の各例
の要部の拡大断面図、第４図及び第５図は夫々本考案に
よる高周波回路装置の例を示す要部の拡大断面図である
。 １はセラミック基板、３及び４は電気部品、５及び６は
配線パターン、９は透孔、１０は低誘電率絶縁材パッド
、１１は凹部である。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. セラミック基板の所定部分に貫通孔が設けられ、該貫通
   孔に上記セラミックの誘電率より低い誘電率の樹脂を主
   体とする絶縁材パッドが嵌人され、該パッドの背部には
   凹部が設けられ、該パッド上には導電性パターンが形威
   され、該導電性パターンによって電気部品の電気的接続
   が行われるようにした高周波回路装置。