JPS5961982A - 半導体レ−ザ− - Google Patents
半導体レ−ザ−Info
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- JPS5961982A JPS5961982A JP57172202A JP17220282A JPS5961982A JP S5961982 A JPS5961982 A JP S5961982A JP 57172202 A JP57172202 A JP 57172202A JP 17220282 A JP17220282 A JP 17220282A JP S5961982 A JPS5961982 A JP S5961982A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、例えば光学式ビデオディスク、デジタルオー
ディオディスク等の記録、肉？１：装置において、その
記録、或いは読出しの光源として好適な半導体レーザー
に係る。
ディオディスク等の記録、肉？１：装置において、その
記録、或いは読出しの光源として好適な半導体レーザー
に係る。
１１″景技術とその問題点
従来一般の半導体レーザーはそのキャリア及び光の閉し
込機構によって屈折率ガイ１−′（インデソクスカイド
）型と刊ｉｑガイド（ケインガイド）型に大別される。
込機構によって屈折率ガイ１−′（インデソクスカイド
）型と刊ｉｑガイド（ケインガイド）型に大別される。
屈折率ガイド型の半導体レーザーの例としζは、例えば
第１図或いは第２図に示すように例えはＮ型のＧａＡｓ
ｇ板ｆ１＋が設りられ、その−−１゛面に一方向に伸び
るストライプ状の凹部（２）、或いは凸部（３）が予め
設りられ、この四部（２）、或いは凸部（３）」二を含
んで基板（１）−１−に、例えばＮ型の八ＩＸ Ｇａ１
−ｘＡｓより成る第１のクラッドｊ−（４）と、史にこ
れの十にＩ）型若しくはＮ型の例えばＧａＡｓより成る
活性層（５）と、史にこれの上に１〕型の ＡｌｘＧａ
１−ｙ的より成る第２のクラッド層（０１と、更にこれ
の十に電極のオーミック接続に供するＰ型のキャップ層
（７）か人々連続エピタキシャルによって形成されて成
る。第１及び第２のクラッド層（／ｌ）及び（６）は、
活性層（５）よ、りその禁１．１ｍ ’ｆｆ！幅が人に
選定されることによって活性ｒ＠＋５１と第１及び第２
のクラッド層（４）及び（６）間にはへテロ接合が形成
され、且つ基板（１１の四部（２）或いは凸部（３）の
存在によって一方向に相対向し′Ｃ伸びるストライプ状
状の発光領域（８）がその屈曲部間に形成される。すな
わちこの屈曲部によって屈折率差による光の閉込めがな
される。
第１図或いは第２図に示すように例えはＮ型のＧａＡｓ
ｇ板ｆ１＋が設りられ、その−−１゛面に一方向に伸び
るストライプ状の凹部（２）、或いは凸部（３）が予め
設りられ、この四部（２）、或いは凸部（３）」二を含
んで基板（１）−１−に、例えばＮ型の八ＩＸ Ｇａ１
−ｘＡｓより成る第１のクラッドｊ−（４）と、史にこ
れの十にＩ）型若しくはＮ型の例えばＧａＡｓより成る
活性層（５）と、史にこれの上に１〕型の ＡｌｘＧａ
１−ｙ的より成る第２のクラッド層（０１と、更にこれ
の十に電極のオーミック接続に供するＰ型のキャップ層
（７）か人々連続エピタキシャルによって形成されて成
る。第１及び第２のクラッド層（／ｌ）及び（６）は、
活性層（５）よ、りその禁１．１ｍ ’ｆｆ！幅が人に
選定されることによって活性ｒ＠＋５１と第１及び第２
のクラッド層（４）及び（６）間にはへテロ接合が形成
され、且つ基板（１１の四部（２）或いは凸部（３）の
存在によって一方向に相対向し′Ｃ伸びるストライプ状
状の発光領域（８）がその屈曲部間に形成される。すな
わちこの屈曲部によって屈折率差による光の閉込めがな
される。
一方、利（ηガイド型半導体レーザーは、例えば第３図
に示すような平坦面を有する基板（１）上に、前述した
と同様の第１のクラッド層（４）、活性層（５）、第２
のクラッドｌ１ｉ５ （６１、キャップ層（７）を順次
エピタキシ、トル成長し、キートップ層（７）の上方よ
り例えばプロ［ンの打込を選択的になして高抵抗化され
た層（９）を形成し、この高抵抗層（９）によってスト
ライプ状の電流通路００）を形成して電流集中を行わし
めてこの電流集中によっ゛ζ活性Ｎ（５）にストライプ
状に限定的に発光領域が生じるようにするものである。
に示すような平坦面を有する基板（１）上に、前述した
と同様の第１のクラッド層（４）、活性層（５）、第２
のクラッドｌ１ｉ５ （６１、キャップ層（７）を順次
エピタキシ、トル成長し、キートップ層（７）の上方よ
り例えばプロ［ンの打込を選択的になして高抵抗化され
た層（９）を形成し、この高抵抗層（９）によってスト
ライプ状の電流通路００）を形成して電流集中を行わし
めてこの電流集中によっ゛ζ活性Ｎ（５）にストライプ
状に限定的に発光領域が生じるようにするものである。
上述した屈折率ガイド型の半導体レーザーと利得ガイド
型半導体レーザーは、夫々利点を有する反面、夫々欠点
を有する。すなわち屈折率ガイド型によるものにおいて
は、その縦モードが単一モードであるため例えば光学式
ビデオディスク等においてのその書込み、或いは読出し
用光源として用いた場合に戻り光によるノイズに弱いと
いう欠点がある。しかしながら反面いわゆるビームウェ
スト位置（ｂｅａｍ １ｖａｉｓｔ ｐｏｓｉｔｉｏｎ
）”が発光領域の先端面近傍に存するために実際の使
用に当たゲこその焦点位置の設定がし易いという利点を
有する。
型半導体レーザーは、夫々利点を有する反面、夫々欠点
を有する。すなわち屈折率ガイド型によるものにおいて
は、その縦モードが単一モードであるため例えば光学式
ビデオディスク等においてのその書込み、或いは読出し
用光源として用いた場合に戻り光によるノイズに弱いと
いう欠点がある。しかしながら反面いわゆるビームウェ
スト位置（ｂｅａｍ １ｖａｉｓｔ ｐｏｓｉｔｉｏｎ
）”が発光領域の先端面近傍に存するために実際の使
用に当たゲこその焦点位置の設定がし易いという利点を
有する。
更にまた接合に平行方向に関する断面における遠距離像
いわゆるファーフィールドパターン（ｆａｒｆｉｅｌｄ
ｐａｔｔｅｒｎ ）が左右対称的であって同様に例え
ば実際の使用における重体の光或いは読出し光として歪
の小さいスポット形状を得易いという利点がある。これ
に比し利得ガイド型半導体レーザーにおいてはビームウ
ェスト位置が発光領域の光端面より内側２０μｍ程度の
とごろにイｉ在しζしまい、更にまたファーフィールド
パターンが左右非対称であるために非点収差が大でスポ
ット企が比校的大きくなるという欠点がある。しかしな
がらこの利得ガイド型半導体レーザーにおいては、その
縦モー１−′がマルチモードであって前述した戻り光に
よるノイズに強いという利点を有する。
いわゆるファーフィールドパターン（ｆａｒｆｉｅｌｄ
ｐａｔｔｅｒｎ ）が左右対称的であって同様に例え
ば実際の使用における重体の光或いは読出し光として歪
の小さいスポット形状を得易いという利点がある。これ
に比し利得ガイド型半導体レーザーにおいてはビームウ
ェスト位置が発光領域の光端面より内側２０μｍ程度の
とごろにイｉ在しζしまい、更にまたファーフィールド
パターンが左右非対称であるために非点収差が大でスポ
ット企が比校的大きくなるという欠点がある。しかしな
がらこの利得ガイド型半導体レーザーにおいては、その
縦モー１−′がマルチモードであって前述した戻り光に
よるノイズに強いという利点を有する。
発明の目的
本発明は上述した屈折率型半導体レーザーと利得ガイド
型半導体レーザーの両者の利点を生がし両者の欠点を相
補うようにして例えは光学式ビデオディスク或いはデジ
タルオーディオディスク等の７１込み或いは読出し光源
としζそのスポット形状に優れ、光学的レンス糸の設計
を容易にし更に優れたビーフ２スポツト形状を容易に（
Ｍるごとができるよ−）にした゛１屯専イ本レーザーを
１にイ共する１）のである。
型半導体レーザーの両者の利点を生がし両者の欠点を相
補うようにして例えは光学式ビデオディスク或いはデジ
タルオーディオディスク等の７１込み或いは読出し光源
としζそのスポット形状に優れ、光学的レンス糸の設計
を容易にし更に優れたビーフ２スポツト形状を容易に（
Ｍるごとができるよ−）にした゛１屯専イ本レーザーを
１にイ共する１）のである。
発明の概要
本発明においては活性層にストライプ状の発光領域が形
成されるようにし、この発光領域の光０１１１面部にお
い′こごの発光領域の１ｈ程度の範囲で７１１１１層の
ｋｉ１曲部が設りられ、また発光領域の中央部におい′
（その活性層の１１９１が発光領域の幅よりも充分に広
くされるようにする。ずなゎぢ本発明におい（は発光領
域の両端部の光取出し端面におい°（は屈ＪＪｉ率ガイ
ド型となし、これより内側の少なくとも一部におい′（
は利得ガイド型構成とするものである。
成されるようにし、この発光領域の光０１１１面部にお
い′こごの発光領域の１ｈ程度の範囲で７１１１１層の
ｋｉ１曲部が設りられ、また発光領域の中央部におい′
（その活性層の１１９１が発光領域の幅よりも充分に広
くされるようにする。ずなゎぢ本発明におい（は発光領
域の両端部の光取出し端面におい°（は屈ＪＪｉ率ガイ
ド型となし、これより内側の少なくとも一部におい′（
は利得ガイド型構成とするものである。
実施例
第４図ないし第６図を参照して本発明による半導体レー
ザーの一例を説明する。第４図はその拡大＋（Ｉ−面図
で、Ｚ（’ｒ Ｊ図及び第６図は人々第４図のＡ−Ａ線
上及びＢ−Ｂ線、ヒの拡大断面図である。
ザーの一例を説明する。第４図はその拡大＋（Ｉ−面図
で、Ｚ（’ｒ Ｊ図及び第６図は人々第４図のＡ−Ａ線
上及びＢ−Ｂ線、ヒの拡大断面図である。
本発明におい“Ｃ４）単結晶基体例えばＮ型のＧａＡｓ
基板（１１）を設け、これの上に基板（１１）と同導電
型の例えばＮ型のＡＩＸ （ｒａ、ｘＡｓよりなるバッ
ファ層を兼ねる第１のクラッド層（１２）をエピタキシ
中ル成１しし、これの上にＮ型若しくはＰ型の例えばＧ
ａＡｓよりなるｌ占性Ｊｍ（１３）をエピタキシャル成
１しし、史にこれの−１−に第２の例えば１）型の八Ｉ
Ｘ Ｇａ１ｘＡｓよりなる第２のクラッド層（１４）を
エビクキシャル成長し、史にこれの上にＰ型の１１ＪＩ
濃度を有するＧａ八へ等よりなるキャップ層（１５）を
エピタキシ中ル成長する。これら半導体層（１２）〜（
１５）は夫々例えば分子線エピタキシャル成長法或いは
金属酸化物の熱分解法、ずなわら、例えばトリメチルア
ルミニウム、ｉ−リメチルガリウム、アルシンの熱分解
による気相エピタキシャル成長法等によって一連の作業
によって連続的に形成し得る。そして例えば半導体Ｉｔ
ｓ（１５）の表面より選択的にプｌ：ｔトンの打込を行
っ゛ζストライプ状の電流通（♂δ部分（１６）を残し
て他部にプロＩ・ンが打込まれたことによって商ＪＩＥ
抗化されノこ電流制限領域（１７）を形成する。この電
流制限領域（１７）すなわちプロトンの打込の深さは、
第２のクラッド層（１４）に至るも活性層（１３）に達
することのない深さに選定される。このようにして一方
向に延長するストライプ構造を形成して第３図で説明し
たいわゆる利得ガイド型構造によって活性層（１３）に
一方向に伸びるストライプ状の発光領域を形成するもの
であるが特に本発明においては、例えばこのストライプ
の両端すなわち発光領域の光取出し両８１面部において
基板（１１）に例えば四部（１８）を予め形成しおき、
この凹部（１８）内Ｇき前述したクラッド１！ （１２
） 、活性Ｎ （１３） 、クラッド層（１４）が順次
形成されるようにしζ発光領域の光取出し両端面部にお
いてはこの凹部（１８）の存在にょゲ（活性層（１３）
の発光領域を挟んでその両側に屈曲部が存在するように
して、屈折率ガイド型構成が採られるようにする。
基板（１１）を設け、これの上に基板（１１）と同導電
型の例えばＮ型のＡＩＸ （ｒａ、ｘＡｓよりなるバッ
ファ層を兼ねる第１のクラッド層（１２）をエピタキシ
中ル成１しし、これの上にＮ型若しくはＰ型の例えばＧ
ａＡｓよりなるｌ占性Ｊｍ（１３）をエピタキシャル成
１しし、史にこれの−１−に第２の例えば１）型の八Ｉ
Ｘ Ｇａ１ｘＡｓよりなる第２のクラッド層（１４）を
エビクキシャル成長し、史にこれの上にＰ型の１１ＪＩ
濃度を有するＧａ八へ等よりなるキャップ層（１５）を
エピタキシ中ル成長する。これら半導体層（１２）〜（
１５）は夫々例えば分子線エピタキシャル成長法或いは
金属酸化物の熱分解法、ずなわら、例えばトリメチルア
ルミニウム、ｉ−リメチルガリウム、アルシンの熱分解
による気相エピタキシャル成長法等によって一連の作業
によって連続的に形成し得る。そして例えば半導体Ｉｔ
ｓ（１５）の表面より選択的にプｌ：ｔトンの打込を行
っ゛ζストライプ状の電流通（♂δ部分（１６）を残し
て他部にプロＩ・ンが打込まれたことによって商ＪＩＥ
抗化されノこ電流制限領域（１７）を形成する。この電
流制限領域（１７）すなわちプロトンの打込の深さは、
第２のクラッド層（１４）に至るも活性層（１３）に達
することのない深さに選定される。このようにして一方
向に延長するストライプ構造を形成して第３図で説明し
たいわゆる利得ガイド型構造によって活性層（１３）に
一方向に伸びるストライプ状の発光領域を形成するもの
であるが特に本発明においては、例えばこのストライプ
の両端すなわち発光領域の光取出し両８１面部において
基板（１１）に例えば四部（１８）を予め形成しおき、
この凹部（１８）内Ｇき前述したクラッド１！ （１２
） 、活性Ｎ （１３） 、クラッド層（１４）が順次
形成されるようにしζ発光領域の光取出し両端面部にお
いてはこの凹部（１８）の存在にょゲ（活性層（１３）
の発光領域を挟んでその両側に屈曲部が存在するように
して、屈折率ガイド型構成が採られるようにする。
尚、上述した例においては、基・級（ＩＩ） ？こ凹部
（１８）を設けて屈折率ガイド型の部分が形成されるよ
うにした場合であるが、ある場合は四部（１８）に代え
て第２図で説明したように凸部を基４Ｎ（１１）上に設
けることによっ°ζ発光領域のそのストライプ方向の両
端すなわち先取出し端面に限定的に凸部を設け”ζこれ
の上に順次第１のクラッド層、活性層、第２のクラッド
層（１４）等を形成するようになして活性層（１３）に
おける発光領域の両側に屈曲部が形成され゛ζ屈折率ガ
イド型構成が形成されるようになすごともできる。
（１８）を設けて屈折率ガイド型の部分が形成されるよ
うにした場合であるが、ある場合は四部（１８）に代え
て第２図で説明したように凸部を基４Ｎ（１１）上に設
けることによっ°ζ発光領域のそのストライプ方向の両
端すなわち先取出し端面に限定的に凸部を設け”ζこれ
の上に順次第１のクラッド層、活性層、第２のクラッド
層（１４）等を形成するようになして活性層（１３）に
おける発光領域の両側に屈曲部が形成され゛ζ屈折率ガ
イド型構成が形成されるようになすごともできる。
上述したように本発明においζは基４ｉ（１１）に四部
若しくは凸部を設けて発光領域の両端にその両側が屈曲
部によっＣ挾まれて屈折率ガイド構成が形成されるよう
にするものであるが、この場合これら凸部或いは四部の
幅を適当に選定し、また第２のクランド層（１４）の厚
さを適当に選定することによってこのクラッド層（１４
）の表面においては基板（１１）の凸部或いは凹部が埋
込まれてほぼ平坦な面が形成されるようにし、このほぼ
平坦状のキャップ（１５）が形成されるようになし得る
。
若しくは凸部を設けて発光領域の両端にその両側が屈曲
部によっＣ挾まれて屈折率ガイド構成が形成されるよう
にするものであるが、この場合これら凸部或いは四部の
幅を適当に選定し、また第２のクランド層（１４）の厚
さを適当に選定することによってこのクラッド層（１４
）の表面においては基板（１１）の凸部或いは凹部が埋
込まれてほぼ平坦な面が形成されるようにし、このほぼ
平坦状のキャップ（１５）が形成されるようになし得る
。
そして、活（ＩＪ Ｉ＠（１３）に確実に屈曲部が基板
（１１）上の凹部（１８）または凸部に沿って生しるよ
うにするには、各層（１２）〜（１４）の形成は」−述
した分子線エピタキシナル法、或いはｉ；１６分解エピ
タキシャシル法よるごとが望ましい。また、図ボしない
がキャップ層（１５）−ヒには絶縁化された電流制限流
域（１７，） Ｊ＝、に跨って一方の電極が被着され、
基板（１１）の裏面に他方の電極が被着される。
（１１）上の凹部（１８）または凸部に沿って生しるよ
うにするには、各層（１２）〜（１４）の形成は」−述
した分子線エピタキシナル法、或いはｉ；１６分解エピ
タキシャシル法よるごとが望ましい。また、図ボしない
がキャップ層（１５）−ヒには絶縁化された電流制限流
域（１７，） Ｊ＝、に跨って一方の電極が被着され、
基板（１１）の裏面に他方の電極が被着される。
このような構成によれば、例えはプロトンの＋１込によ
って１ｒＪＪ抵抗化された領域（１７）にょゲＣ挾まれ
たストライブ領域部に電流が県中されることによっ゛Ｃ
活性層（１３）にはストライブ状の発光領域が形成され
るが、この場合その光取出し面の両端においては両側に
屈曲部が形成されるようにしたごとによって屈折率ガイ
ド構成が採られ、これより内側の部分においてはこれら
屈曲部が存在しない平坦な活性層がストライブ状の発光
領域より’ｌ’ｌｉｌ広に形成されていわゆる電流集中
によるキャリアの濃度分布によってその電流及び光の閉
込めを行うようにしたいわゆる利得ガイド・型構成が形
成される。
って１ｒＪＪ抵抗化された領域（１７）にょゲＣ挾まれ
たストライブ領域部に電流が県中されることによっ゛Ｃ
活性層（１３）にはストライブ状の発光領域が形成され
るが、この場合その光取出し面の両端においては両側に
屈曲部が形成されるようにしたごとによって屈折率ガイ
ド構成が採られ、これより内側の部分においてはこれら
屈曲部が存在しない平坦な活性層がストライブ状の発光
領域より’ｌ’ｌｉｌ広に形成されていわゆる電流集中
によるキャリアの濃度分布によってその電流及び光の閉
込めを行うようにしたいわゆる利得ガイド・型構成が形
成される。
尚、上述した例におい°ζは、屈折率ガイド動作部を発
光領域の両端にのみ形成した場合であるがこれより内側
に利得ガイド動作部を一部に形成して部分的に更に屈折
率ガイド動作部を設りるようになずこともできる。すな
わち」二連した基板（１１）の凹部ないしは凸部をスト
ライプ構造部の両端に限らず内側の一部に史に断続的に
設りるようにするごともできる。
光領域の両端にのみ形成した場合であるがこれより内側
に利得ガイド動作部を一部に形成して部分的に更に屈折
率ガイド動作部を設りるようになずこともできる。すな
わち」二連した基板（１１）の凹部ないしは凸部をスト
ライプ構造部の両端に限らず内側の一部に史に断続的に
設りるようにするごともできる。
発明の効果
、に述したように本発明による半導体レーザーによれは
、発光領域の両端に屈折率ガイド動作部を設４Ｊ、これ
より内側の少なくとら一部に利得ガイド動作部を設＆）
たので両者の特徴が相俟ゲｒ ！ＩＥ ’ダる。すなわ
ち本発明におい“ζは発光領域の麓１１而にビームウェ
スト装置がｉ４１られ′乙更にファーフィールドパター
ンの対称性に優れていることがらスボソ１−企が少ない
焦点の出し易い光学的設計の容易な半導体レーザーを構
成することができ、また戻り光のノイスが小さい半導体
レーザーが得られるのＣ光学ＪＣビデオディスク等の記
録或いは読出し光源としζ用いてその記録及び読出しを
ＩＦ確に１１うごとができる。
、発光領域の両端に屈折率ガイド動作部を設４Ｊ、これ
より内側の少なくとら一部に利得ガイド動作部を設＆）
たので両者の特徴が相俟ゲｒ ！ＩＥ ’ダる。すなわ
ち本発明におい“ζは発光領域の麓１１而にビームウェ
スト装置がｉ４１られ′乙更にファーフィールドパター
ンの対称性に優れていることがらスボソ１−企が少ない
焦点の出し易い光学的設計の容易な半導体レーザーを構
成することができ、また戻り光のノイスが小さい半導体
レーザーが得られるのＣ光学ＪＣビデオディスク等の記
録或いは読出し光源としζ用いてその記録及び読出しを
ＩＦ確に１１うごとができる。
第１図なし・し第３図は夫々従来の〉１ｉ導体レーザー
の各側の拡大断面図、第４し１は本発明による半導体レ
ーザーの一例の拡大）１／−面図、第５図及び第６図は
夫々第４し１のＡ−へ線上及びＢ −Ｂ線十の拡大断面
図である。 （１１）は基板〜 （１２）は第１のクラット層、（１
３）は〃；性層、（１４）は第２のクラッドｊ−１（１
５）はキャップ層、（１７）は電流制限流域、（１日）
は凹ｊ４ｉ、（１６）はストライプ状の電流通路部Ｃあ
る。 −一ゝパ
の各側の拡大断面図、第４し１は本発明による半導体レ
ーザーの一例の拡大）１／−面図、第５図及び第６図は
夫々第４し１のＡ−へ線上及びＢ −Ｂ線十の拡大断面
図である。 （１１）は基板〜 （１２）は第１のクラット層、（１
３）は〃；性層、（１４）は第２のクラッドｊ−１（１
５）はキャップ層、（１７）は電流制限流域、（１日）
は凹ｊ４ｉ、（１６）はストライプ状の電流通路部Ｃあ
る。 −一ゝパ
Claims (1)
- 活性Ｍｌこストライプ状の発光領域が形成されるように
なされ、該発光領域の光端面部において該発光領域のＩ
Ｌ）程度の範囲で粘性層の屈曲部が設けりれ、該発光領
域の中央部において活性層の１１′ｉが１−配光光領域
の幅よりも充分広くされた半導体レーザー。
Priority Applications (7)
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| JP57172202A JPS5961982A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 半導体レ−ザ− |
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