JPS5962199A - 装飾体の製造法 - Google Patents
装飾体の製造法Info
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- JPS5962199A JPS5962199A JP17091482A JP17091482A JPS5962199A JP S5962199 A JPS5962199 A JP S5962199A JP 17091482 A JP17091482 A JP 17091482A JP 17091482 A JP17091482 A JP 17091482A JP S5962199 A JPS5962199 A JP S5962199A
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Landscapes
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この光明は新規な模様面をもつ装飾体の製造法に関ザる
。
。
透明誘電lA薄JIS!の承り干渉色は占くから多くの
人の注意をひき、貝からを使ったらC/v 、真珠、魚
鱗の象11);など天然品を使−)た装飾体が々flυ
で作られているが、鱒近(ま傳I9製j(h技Viの)
1(歩にJ:り人工的に作つl、:透明誘電体it?膜
の干渉色を利用した装飾体が多数児られるJ、うになつ
lJoこれらの菰篩捧は、ガラス、企屈板、金属ii?
jに透明誘電体を真空蒸着またはスパッタリング、イオ
ンプレーライング、気相成I×イfどの/j法(こJ、
り適当j゛〕ざの皮膜どしCイ・J ?′IIL L
N)、光の1−渉色を小i1J、うにしたしの−(ある
3、シかしながら、かかる方法で透明誘電体簿膜を作る
のは必ヂしも容易ではなく、高度で楯密な技1・[1を
必要どじたり、金属薄膜を作るに較へて時間かかかっI
こすする、。
人の注意をひき、貝からを使ったらC/v 、真珠、魚
鱗の象11);など天然品を使−)た装飾体が々flυ
で作られているが、鱒近(ま傳I9製j(h技Viの)
1(歩にJ:り人工的に作つl、:透明誘電体it?膜
の干渉色を利用した装飾体が多数児られるJ、うになつ
lJoこれらの菰篩捧は、ガラス、企屈板、金属ii?
jに透明誘電体を真空蒸着またはスパッタリング、イオ
ンプレーライング、気相成I×イfどの/j法(こJ、
り適当j゛〕ざの皮膜どしCイ・J ?′IIL L
N)、光の1−渉色を小i1J、うにしたしの−(ある
3、シかしながら、かかる方法で透明誘電体簿膜を作る
のは必ヂしも容易ではなく、高度で楯密な技1・[1を
必要どじたり、金属薄膜を作るに較へて時間かかかっI
こすする、。
イこ(゛不出願人は、ン・υ鉗で深遠な光干渉1(1模
様層を、何雪【;11度な精密技術を要づることなく筒
中に知11.1間にブこ現uしめる技1・[、lを聞フ
トし、さきに11I頼11j)!+6 177112号
公報どして出願した。
様層を、何雪【;11度な精密技術を要づることなく筒
中に知11.1間にブこ現uしめる技1・[、lを聞フ
トし、さきに11I頼11j)!+6 177112号
公報どして出願した。
該挾1・[Jは釉を/+iuした基体の釉面に金1h;
薄欣を形成し、これを酸素雰囲気中−C高温処理し、美
的)シ)様を承り)に:1渉付表面層を形成づる方d、
である。
薄欣を形成し、これを酸素雰囲気中−C高温処理し、美
的)シ)様を承り)に:1渉付表面層を形成づる方d、
である。
c(1) li rlsにJ、れば、?り卸(゛深達4
「光干渉性模様層をちつ画明的な装飾体が19られるが
、干渉f’l 4I;i 4.1; t、1、nり)面
ニス・I L/ (見ル角1!J (ij Ir;1
) ニJニー> ’<: 、1°I +、二強く干渉色
か現われたり、弱り■すわれたすする1、これは干渉光
の性質上当然の(:ど((よあるか、一つの問題点であ
った。
「光干渉性模様層をちつ画明的な装飾体が19られるが
、干渉f’l 4I;i 4.1; t、1、nり)面
ニス・I L/ (見ル角1!J (ij Ir;1
) ニJニー> ’<: 、1°I +、二強く干渉色
か現われたり、弱り■すわれたすする1、これは干渉光
の性質上当然の(:ど((よあるか、一つの問題点であ
った。
本発明は、これをさらに退歩さ已、J、り復層1イ多′
美的(qi様を承り装置1i体を得ることを1−1的と
覆るしの(ある、1 (j41わら、4\ブを明は基体に’4.’+ l!4
の異41つだ4φ々の色flllを通信°1史111シ
て施黙し、イの十に金属i’1911’l! z、形成
しく、これをM素雰囲気中C高ン品処即し、美的模様を
承り光子1jlj性人而11°4を形成りることをtr
+取とづる装飾体の製造(h4能旨どりる。
美的(qi様を承り装置1i体を得ることを1−1的と
覆るしの(ある、1 (j41わら、4\ブを明は基体に’4.’+ l!4
の異41つだ4φ々の色flllを通信°1史111シ
て施黙し、イの十に金属i’1911’l! z、形成
しく、これをM素雰囲気中C高ン品処即し、美的模様を
承り光子1jlj性人而11°4を形成りることをtr
+取とづる装飾体の製造(h4能旨どりる。
本発明に用いる基体とし7℃は、rtl、銀、企、鉄、
鋼、ス7ンレスその他の合金などの金属、レジミック、
陶磁器、ガラス4jどの耐熱1イ[月利が挙げられる。
鋼、ス7ンレスその他の合金などの金属、レジミック、
陶磁器、ガラス4jどの耐熱1イ[月利が挙げられる。
釉どしては、陶磁器用の釉と金属用の釉(ホーロー釉、
L宝釉)があるが、1“記L1体の44質に合t!て、
1寺IJJ(例えば融点、比熱、流動性<「と)の責な
った適当な釉を適宜選択し、ぞの中から種々の色釉を適
宜使用して基体面に適当な色彩模様を現出Jる。
L宝釉)があるが、1“記L1体の44質に合t!て、
1寺IJJ(例えば融点、比熱、流動性<「と)の責な
った適当な釉を適宜選択し、ぞの中から種々の色釉を適
宜使用して基体面に適当な色彩模様を現出Jる。
かかる釉は微卯1凹凸状に副こしてbよい。そのJ、う
にづるためには、釉の粉末を基体面に適当に散布りれば
よい。そうりると、焼成後、釉面が島状、ゆず肌状まl
ζはらりめん状などの微イ111凹凸状を承りようにな
る。釉rJ)をJ、1体面に粗く11(イロづるか密に
散布覆るかによって、また、散イ]1りる(1tを加減
りることにJ、って、焼成後の釉面の凹凸の111省が
浅くなったり、深<<E・)たりし、1)小のゆり11
11やらりめん状になったり1、l、ノこ、 f+II
のかか1)てい4rい基体rfiiが現4つれて、釉か
島状に0右する模様をつくることとなる。
にづるためには、釉の粉末を基体面に適当に散布りれば
よい。そうりると、焼成後、釉面が島状、ゆず肌状まl
ζはらりめん状などの微イ111凹凸状を承りようにな
る。釉rJ)をJ、1体面に粗く11(イロづるか密に
散布覆るかによって、また、散イ]1りる(1tを加減
りることにJ、って、焼成後の釉面の凹凸の111省が
浅くなったり、深<<E・)たりし、1)小のゆり11
11やらりめん状になったり1、l、ノこ、 f+II
のかか1)てい4rい基体rfiiが現4つれて、釉か
島状に0右する模様をつくることとなる。
;)、た、施釉したy、4体面に、NrJ熱(’lli
1°!を散イ1」しく焼成りることによって、凹凸模様
の釉面を形成1」ることもよい。この場合、耐熱性細粒
としくは))ラスビーズなど無1幾質の小IJi粉、金
属の小i;+r ;l /こ【、1、ガラス、しラミッ
クス、金属、宝Cr liどの111破砕)1などが用
いられる。これらは。
1°!を散イ1」しく焼成りることによって、凹凸模様
の釉面を形成1」ることもよい。この場合、耐熱性細粒
としくは))ラスビーズなど無1幾質の小IJi粉、金
属の小i;+r ;l /こ【、1、ガラス、しラミッ
クス、金属、宝Cr liどの111破砕)1などが用
いられる。これらは。
焼成に当つ(完全には溶【)ない稈1すの耐熱(Zlが
必り2−(゛ある。
必り2−(゛ある。
一1記のJ、うに釉を施した基体は、干渉色を出りl、
二めに、表面しニ分属薄膜が形成されるが、そのIJ法
(よ、真空三Jλ石、スパッタリング、イAンノ゛レー
フイング、気相成長J5よびメッキのいずれかの]“ノ
法にJ、る。この形成りる金属薄I+!、>の(A負と
し−(1,1,、Fc 、 Cr 、 Ni 、CIl
、Zll、1i、tvlll、△J2. Mo 、7
r 、 Si 、pl+、5う+1、l++、3b、C
o、Mo、W、I3i 、鋼、合金など111E々のも
のが用いられるか、1:::、湿の^〈素′雰囲気中で
容易に酸化される金属がよい。
二めに、表面しニ分属薄膜が形成されるが、そのIJ法
(よ、真空三Jλ石、スパッタリング、イAンノ゛レー
フイング、気相成長J5よびメッキのいずれかの]“ノ
法にJ、る。この形成りる金属薄I+!、>の(A負と
し−(1,1,、Fc 、 Cr 、 Ni 、CIl
、Zll、1i、tvlll、△J2. Mo 、7
r 、 Si 、pl+、5う+1、l++、3b、C
o、Mo、W、I3i 、鋼、合金など111E々のも
のが用いられるか、1:::、湿の^〈素′雰囲気中で
容易に酸化される金属がよい。
金属薄膜の1!73は、月買にJ、−)(多少変動はあ
るが、酸化しC表面に光の一1渉色かでさる厚さ例え(
J30ミリミクUン以1−がJ、い、。
るが、酸化しC表面に光の一1渉色かでさる厚さ例え(
J30ミリミクUン以1−がJ、い、。
こうしτでさた金属薄膜をつりた施釉基体は、酸素雰囲
気中で高温処理を行なう。電気炉にJ、るどきは、空気
中でよく、特に酸に、を導入りる必要はない、、蒸業炉
の場合は酸化実炉を用いる1゜高温処理としては、炉内
での処理以外に、空気中でのパーツ”−加熱、赤外線加
熱、誘導51、lこは誘電加熱などの加熱り法が用いら
れる。高温処理の温1yは、金属薄膜が酸化し、釉が半
)μ動1/1を示す程瘍がよい。金属薄膜や釉の種類に
J、っC異なるが、300〜1600℃の範囲であれば
、はど/vどの揚台充分である。
気中で高温処理を行なう。電気炉にJ、るどきは、空気
中でよく、特に酸に、を導入りる必要はない、、蒸業炉
の場合は酸化実炉を用いる1゜高温処理としては、炉内
での処理以外に、空気中でのパーツ”−加熱、赤外線加
熱、誘導51、lこは誘電加熱などの加熱り法が用いら
れる。高温処理の温1yは、金属薄膜が酸化し、釉が半
)μ動1/1を示す程瘍がよい。金属薄膜や釉の種類に
J、っC異なるが、300〜1600℃の範囲であれば
、はど/vどの揚台充分である。
畠;ん1処押されると、fL属薄]シ)はj木やかに表
面から酸化されて酸化薄膜を形成し、干渉色を現わJよ
−)になるが、酸化が進むにつれて、干渉色し変化して
ゆく。これは既に知られでいる透明誘電14−イi9
I’)、に関する光学的1ツさど干渉色の関係に従って
塵ってゆくものどfg察される。この場合;♀中の段l
)へでは1.1一層は金属酸化物a9膜で、下r Gよ
金属薄膜の状態となっ−Cいる。c1渦処理をこの段階
(止めることもあり、金属薄膜全体を完全に酸化するこ
ともあり、また金属薄膜の一部を全酸化し、一部には金
属部分を下層に残して・13<こともある。要するに卑
望する模様おJ、ひ色彩に応じ(金属a9膜の酸化程度
をiGl宜制御りるものて゛ある。
面から酸化されて酸化薄膜を形成し、干渉色を現わJよ
−)になるが、酸化が進むにつれて、干渉色し変化して
ゆく。これは既に知られでいる透明誘電14−イi9
I’)、に関する光学的1ツさど干渉色の関係に従って
塵ってゆくものどfg察される。この場合;♀中の段l
)へでは1.1一層は金属酸化物a9膜で、下r Gよ
金属薄膜の状態となっ−Cいる。c1渦処理をこの段階
(止めることもあり、金属薄膜全体を完全に酸化するこ
ともあり、また金属薄膜の一部を全酸化し、一部には金
属部分を下層に残して・13<こともある。要するに卑
望する模様おJ、ひ色彩に応じ(金属a9膜の酸化程度
をiGl宜制御りるものて゛ある。
、Lk、1fh温処理の[−1的は、1記の如く金属薄
Ilつ1を1115化さ1↓て、干渉色を承り透明金属
酸化物の薄11!、!を形成りる以外に、釉を半流動1
)1にしく、企屈層\1)金1iii酸化物層(にさ裂
、しわ、条、泡などをヅ1しさけで、模様に変化をりえ
ることにしある。すなわら、−1−読方?人によりf+
l+而(こ竹った金his ;’tQ II!+!申(
J) CD ll3X M生物層オJ、(J”5> 屈
1r’i 1.L、Wi黴鋭−(゛観察づるど、太いき
裂から細いき裂まで不規1111に割れたり、シ4つ、
条、泡穴がりしたり、突沸部にJ、って下地の釉が現れ
Iこりりる′。これは釉がガラス転位点に)ヱしU 7
1−する急激41合積度化と、薄膜の(浅域的強度との
関係にJ、って起るものとlft定される、。
Ilつ1を1115化さ1↓て、干渉色を承り透明金属
酸化物の薄11!、!を形成りる以外に、釉を半流動1
)1にしく、企屈層\1)金1iii酸化物層(にさ裂
、しわ、条、泡などをヅ1しさけで、模様に変化をりえ
ることにしある。すなわら、−1−読方?人によりf+
l+而(こ竹った金his ;’tQ II!+!申(
J) CD ll3X M生物層オJ、(J”5> 屈
1r’i 1.L、Wi黴鋭−(゛観察づるど、太いき
裂から細いき裂まで不規1111に割れたり、シ4つ、
条、泡穴がりしたり、突沸部にJ、って下地の釉が現れ
Iこりりる′。これは釉がガラス転位点に)ヱしU 7
1−する急激41合積度化と、薄膜の(浅域的強度との
関係にJ、って起るものとlft定される、。
そして、金属薄膜は高温で半(ん動性になった釉に溶解
されることは少ないが、金属^グ化物層は容易に釉に溶
解されてその干渉色を失なう。
されることは少ないが、金属^グ化物層は容易に釉に溶
解されてその干渉色を失なう。
しIQ−がっ(、高温処理のffnf曵条fl 、!f
+A度むら、薄膜の厚さ、同厚さむらなどにより、また
、酸化程度(処理114間)にJ、す、」−記の作用が
後接にからみ合い、基体表面の金属薄膜には金RM生物
層及金属層に複21t <Kさ裂、しわ、条41どが生
じ、まl、:、金属酸化物層が釉に溶解されて消失し、
そこは釉の地模様に4cつたり、泡へゝ)突沸がでさて
凹凸表面になっ(フッ1−調になったり:1−渉光を発
するが、このとき″前記色釉はそれぞれ異なった干渉色
を承りので下地の色釉がらの艮11J−1光か−1一層
薄肱(干渉no)がらの干渉尤と(nなっC,ぞれそれ
の面で独特の1−四色彩を示し、全体どして味わいのあ
る美しい干渉色模様をbつ光干渉性色彩表面を得ること
ができる。
+A度むら、薄膜の厚さ、同厚さむらなどにより、また
、酸化程度(処理114間)にJ、す、」−記の作用が
後接にからみ合い、基体表面の金属薄膜には金RM生物
層及金属層に複21t <Kさ裂、しわ、条41どが生
じ、まl、:、金属酸化物層が釉に溶解されて消失し、
そこは釉の地模様に4cつたり、泡へゝ)突沸がでさて
凹凸表面になっ(フッ1−調になったり:1−渉光を発
するが、このとき″前記色釉はそれぞれ異なった干渉色
を承りので下地の色釉がらの艮11J−1光か−1一層
薄肱(干渉no)がらの干渉尤と(nなっC,ぞれそれ
の面で独特の1−四色彩を示し、全体どして味わいのあ
る美しい干渉色模様をbつ光干渉性色彩表面を得ること
ができる。
さらにi!”!i?品処理ににっ゛(、金属aQ II
ら)を強固に釉どれ14合さ1することか−(さ、j■
隙、[−一部に114えるJ、うにへる。
ら)を強固に釉どれ14合さ1することか−(さ、j■
隙、[−一部に114えるJ、うにへる。
1島ぺ^処理++r′1間(、しi記の複相な作用をと
えて、望みの(シ)様が現れるところに設定すればよい
。
えて、望みの(シ)様が現れるところに設定すればよい
。
以1・、実/Al11911について説明りる。
実施例1
114熱1!l tレミックス板に、8色、緑色、黄色
、赤色;Ij J、ひ白色の色釉を用いて、従来知られ
ているJj法法悦模様11°1°1い(施釉を行/、j
−)だ。これら色釉の焼成温度は750〜850℃であ
る。これをりo o ′cの電気ノJ1に5)分間入れ
゛(焼成した。これを1タン金1yL+をターグツ(〜
どするスパッタリンク)4置に入れ、低月j′ルゴン気
流中(白滝f+511−[4450秒?I ’Jい、各
神色釉面をb −、) /こレラミックス仮1に♀属J
タン薄膜をflっだ、、これを7 !+ 0 ”Cの電
気炉(空気浴)(、:入れて」渉膜をイ’4りるしシミ
ックス41.iを1巳また1、この1渉膜から児ら[し
ろ「渉色は、干渉股の厚さによる本来の干渉色と、ト地
の色釉からの反C1l尤どか(1コなっ(、(れそれの
冑、ね)、黄、赤、白色の部分面で独1ぜiの+1jL
−色彩を小し、全体どし−(複211 ’、−c味1つ
いのルンる一1四色模様をしつしノミックス仮か11)
られ lこ 。
、赤色;Ij J、ひ白色の色釉を用いて、従来知られ
ているJj法法悦模様11°1°1い(施釉を行/、j
−)だ。これら色釉の焼成温度は750〜850℃であ
る。これをりo o ′cの電気ノJ1に5)分間入れ
゛(焼成した。これを1タン金1yL+をターグツ(〜
どするスパッタリンク)4置に入れ、低月j′ルゴン気
流中(白滝f+511−[4450秒?I ’Jい、各
神色釉面をb −、) /こレラミックス仮1に♀属J
タン薄膜をflっだ、、これを7 !+ 0 ”Cの電
気炉(空気浴)(、:入れて」渉膜をイ’4りるしシミ
ックス41.iを1巳また1、この1渉膜から児ら[し
ろ「渉色は、干渉股の厚さによる本来の干渉色と、ト地
の色釉からの反C1l尤どか(1コなっ(、(れそれの
冑、ね)、黄、赤、白色の部分面で独1ぜiの+1jL
−色彩を小し、全体どし−(複211 ’、−c味1つ
いのルンる一1四色模様をしつしノミックス仮か11)
られ lこ 。
また、スパッタリングをりるl:11’+ lこ、釉面
−[(こ円形、星状、リング状すとの、ノスクをしで、
釉面上につくる金属薄1漠に模様をつ(す(1−記のJ
、うに作った干渉模様す変化のある芙的摸様を5え ノ
こ 。
−[(こ円形、星状、リング状すとの、ノスクをしで、
釉面上につくる金属薄1漠に模様をつ(す(1−記のJ
、うに作った干渉模様す変化のある芙的摸様を5え ノ
こ 。
実施例2
耐熱性レラミックス板に実施例1ど同様の釉を施こし、
0.2〜0.8mn1の力゛ラスヒーズを;攻イ11し
て焼成し、微細凹凸表面を形成した。これに実施例1ど
同様のh法−(釉面をしったしラミックス4に−1にチ
タンの酸化膜を1′1つlJoこの4にはゆす肌状の微
細凹凸表面をもIう、イの面から下地の色釉の複241
’J干渉色が見られ、見る方向にJ、る干渉色の強弱
は極めて4つり゛かてあり、美的4j複卸な色合をもっ
たゆりJAIL 4’、r様の光干渉1イ1表面層をも
つレラミックス板が19られた。
0.2〜0.8mn1の力゛ラスヒーズを;攻イ11し
て焼成し、微細凹凸表面を形成した。これに実施例1ど
同様のh法−(釉面をしったしラミックス4に−1にチ
タンの酸化膜を1′1つlJoこの4にはゆす肌状の微
細凹凸表面をもIう、イの面から下地の色釉の複241
’J干渉色が見られ、見る方向にJ、る干渉色の強弱
は極めて4つり゛かてあり、美的4j複卸な色合をもっ
たゆりJAIL 4’、r様の光干渉1イ1表面層をも
つレラミックス板が19られた。
以1−のよう(ここの弁明にJ、れlJ、♀Ji現’c
c 19Nl、面を!9つ)−曲11本か得られ、これ
(,1装飾晶、食器、11伺、1′J゛、品などとして
極め(イーj l’l ’、i: bの−(゛ある1、 1’l ii’l出願人 真 志 Ill
亭代理人ブr埋」−小 松 禿 隋
c 19Nl、面を!9つ)−曲11本か得られ、これ
(,1装飾晶、食器、11伺、1′J゛、品などとして
極め(イーj l’l ’、i: bの−(゛ある1、 1’l ii’l出願人 真 志 Ill
亭代理人ブr埋」−小 松 禿 隋
Claims (2)
- (1) Kt体に1411の異なった種々の色釉を適宜
(史用して1荊釉し、その十に金属薄膜を形成しC1こ
れを酸素雰囲気中で8温処理し、美的(61様を示り光
干渉+!1表面層を形成づることを1“薗1シどりる具
flili体の製造法。 - (2)施釉は表面が微細凹凸状になるように行/、1・
)’R1n’l +il’i求の範囲第1項記載の駅口
111体の製造 ンノ、 。 (:’、 > fill熱1’lイ1101′lを11
(イli シ’(焼成りることによ・]−(施1111
面t、l黴細凹凸状を形成りる’lrJ 、Il、 :
rj求の範囲第i JQ記載の装fiilt1本の興)
15法1、(4)全屈i’19膜の形成を真空蒸着、ス
パッタリンク、イAンゾレーj”インク、気相成長it
> J:びメツ4のいり゛れかの方法にて行なう特許請
求の範囲9′11項記載のJA篩体の製造法。 (’、−+ ) i着百晶処l甲(ま金屈包膜が酸化し
、桿lか主流動1!1とl、ヱるン品1迂−c?Jな−
)’Ri八′へ晶求の4直1用第1項記載の)を篩体の
製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17091482A JPS5962199A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 装飾体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17091482A JPS5962199A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 装飾体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5962199A true JPS5962199A (ja) | 1984-04-09 |
Family
ID=15913679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17091482A Pending JPS5962199A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 装飾体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5962199A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6116338A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-24 | Fujitsu Ltd | 仮想計算機システムにおける割込み処理方式 |
-
1982
- 1982-10-01 JP JP17091482A patent/JPS5962199A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6116338A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-24 | Fujitsu Ltd | 仮想計算機システムにおける割込み処理方式 |
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