JPS596365A - 無電解金メツキ方法 - Google Patents
無電解金メツキ方法Info
- Publication number
- JPS596365A JPS596365A JP11167582A JP11167582A JPS596365A JP S596365 A JPS596365 A JP S596365A JP 11167582 A JP11167582 A JP 11167582A JP 11167582 A JP11167582 A JP 11167582A JP S596365 A JPS596365 A JP S596365A
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- JP
- Japan
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- gold plating
- gold
- electroless gold
- plating
- electroless
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/42—Coating with noble metals
- C23C18/44—Coating with noble metals using reducing agents
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は無電解金メツキ方法に係シ、特に高純度の金メ
ッキを被メツキ部材上に行々うことか可能な無電解金メ
ツキ方法に関するものである。
ッキを被メツキ部材上に行々うことか可能な無電解金メ
ツキ方法に関するものである。
例えばＩＣ単体、複数のＩＣに使用される外囲器、Ｌ８
Ｉ外囲器などの半導体用の外囲器、表面波素子の外囲器
などの所謂電子部品外囲器を製造する場合、セラミック
スやアルミナなどからなる絶縁基板上にタングステンや
モリブデンおよびその合金の金属粉末をペースト状とし
印刷技術を利用して一部に箪布し、絶縁基板と共にこれ
らを加熱焼結して導体部を形成し、この導体部上にメッ
キによシ金層を被着形成して配線や金属ふた部との接続
に使用する方法が知られている。この場合、導体部上に
は通常の電解メッキや無電解メッキで得られるニッケル
メッキ、硼素を含むニッケルメッキなどを行なったのち
、水素炉処理した部材や、シャン金カリ１１１／ｌ水酸
化ナトリウム１００１／ｌクエン酸ナトリウム１００
ｙ／ｌの液で９５℃約５分置換析出した無電解金メッキ
した部材、通常の電解金メッキ液で約０．１μフラツシ
ユメツキした部材上にシアン金カリウム２１１／ｌ 、
塩化アンモニウム７５ｇ／ｌ 、シュウ酸ナトリウム５
０ ｇ／ｌ 、次亜リン酸ナトリウム１ｏｔｔ／ｌかも
なるｐＨ７〜７．５のメッキ液を使用し９０〜９５℃で
無電解金メツキ被膜を形成したり、塩化金３８１／／ｌ
、炭酸ナトリウム１０１／’。
Ｉ外囲器などの半導体用の外囲器、表面波素子の外囲器
などの所謂電子部品外囲器を製造する場合、セラミック
スやアルミナなどからなる絶縁基板上にタングステンや
モリブデンおよびその合金の金属粉末をペースト状とし
印刷技術を利用して一部に箪布し、絶縁基板と共にこれ
らを加熱焼結して導体部を形成し、この導体部上にメッ
キによシ金層を被着形成して配線や金属ふた部との接続
に使用する方法が知られている。この場合、導体部上に
は通常の電解メッキや無電解メッキで得られるニッケル
メッキ、硼素を含むニッケルメッキなどを行なったのち
、水素炉処理した部材や、シャン金カリ１１１／ｌ水酸
化ナトリウム１００１／ｌクエン酸ナトリウム１００
ｙ／ｌの液で９５℃約５分置換析出した無電解金メッキ
した部材、通常の電解金メッキ液で約０．１μフラツシ
ユメツキした部材上にシアン金カリウム２１１／ｌ 、
塩化アンモニウム７５ｇ／ｌ 、シュウ酸ナトリウム５
０ ｇ／ｌ 、次亜リン酸ナトリウム１ｏｔｔ／ｌかも
なるｐＨ７〜７．５のメッキ液を使用し９０〜９５℃で
無電解金メツキ被膜を形成したり、塩化金３８１／／ｌ
、炭酸ナトリウム１０１／’。
３７チホルマリン６５ｄｌｌからなるｐ）（７〜７．５
のメッキ液を使用し、１０〜２０℃で無電解金メツキ被
膜を形成する々ど多種の無電解金メツキ被膜の形成方法
が行なわれている。
のメッキ液を使用し、１０〜２０℃で無電解金メツキ被
膜を形成する々ど多種の無電解金メツキ被膜の形成方法
が行なわれている。
然るにこれらのメッキ液は液寿命が短かい、全濃度が高
くないとメッキ速度が遅い、通常９０℃以上でメッキ温
度が高い、メッキ膜の純度等の問題があり０．１〜０．
５μと比較的薄い金メッキのみに使用されているのが現
状であシ、このように薄い金メッキ層では電子部品との
接続に使用するボンディング線のボンディング時やリー
ドビンの銀ロウまたは銀−銅ロウ付時にその接続が不充
分であるし、また下地との密着性も悪く更に外観も良く
ない問題点があった。
くないとメッキ速度が遅い、通常９０℃以上でメッキ温
度が高い、メッキ膜の純度等の問題があり０．１〜０．
５μと比較的薄い金メッキのみに使用されているのが現
状であシ、このように薄い金メッキ層では電子部品との
接続に使用するボンディング線のボンディング時やリー
ドビンの銀ロウまたは銀−銅ロウ付時にその接続が不充
分であるし、また下地との密着性も悪く更に外観も良く
ない問題点があった。
本・発明は前記従来の諸問題に鑑みなされたものでア）
、ボンディング特性やリードピンのロウ付特性もよく更
に良好な外観を得ることが可能な無電解金メツキ方法を
提供することを目的としている。
、ボンディング特性やリードピンのロウ付特性もよく更
に良好な外観を得ることが可能な無電解金メツキ方法を
提供することを目的としている。
即ち、本発明は電解メッキや無電解メッキにて得られる
ニッケルメッキ、硼素を含むニッケルメッキを行なった
のち熱処理した部材や鉄やニッケル及びそれらの合金に
金のフラッシュメッキを行なった部材の表面に高純度の
金を無電解金メッキによシ被着形成するに当り、無電解
メッキに少くともシャン金カリウムからなる金化合物と
、クエン酸及びクエン酸ナトリウム、酒石酸、等の有機
酸やその塩類からなる錯化合物と抱水ヒドラジンからな
る還元剤と、塩化アンモン等からなるｐＨ４乃至７の金
メッキ液を使用することを特徴としている。
ニッケルメッキ、硼素を含むニッケルメッキを行なった
のち熱処理した部材や鉄やニッケル及びそれらの合金に
金のフラッシュメッキを行なった部材の表面に高純度の
金を無電解金メッキによシ被着形成するに当り、無電解
メッキに少くともシャン金カリウムからなる金化合物と
、クエン酸及びクエン酸ナトリウム、酒石酸、等の有機
酸やその塩類からなる錯化合物と抱水ヒドラジンからな
る還元剤と、塩化アンモン等からなるｐＨ４乃至７の金
メッキ液を使用することを特徴としている。
次に本発明の無電解金メツキ方法の第１の実施例を説明
する。
する。
即ち、先ず未焼結のアルミナ基板を用意し、このアルミ
ナ基板の所望部にタングステン粉末またはモリブデン粉
末もしくはタングステンまたはモリブデンを主成分とす
るペーストでスクリーン印刷後、１５００℃で焼結して
厚さ約２０μの導体部を形成し、５０％塩酸５０１／ｌ
フツ化カリ水溶液を用いて常温で５分浸せき後、水洗す
る。次にこの導体部の表面を活性化したのち、硼素を含
むニッケルメッキ液を使用し、硼素を含むニッケルメッ
キ層を約５μ析出する。次に水洗、乾燥後、水素中で加
熱処理し、この硼素を含むニッケルメッキ層を再結晶化
し、５０％塩酸、５０１１／１７ツ化カリ水溶液で浸せ
き後水洗する。
ナ基板の所望部にタングステン粉末またはモリブデン粉
末もしくはタングステンまたはモリブデンを主成分とす
るペーストでスクリーン印刷後、１５００℃で焼結して
厚さ約２０μの導体部を形成し、５０％塩酸５０１／ｌ
フツ化カリ水溶液を用いて常温で５分浸せき後、水洗す
る。次にこの導体部の表面を活性化したのち、硼素を含
むニッケルメッキ液を使用し、硼素を含むニッケルメッ
キ層を約５μ析出する。次に水洗、乾燥後、水素中で加
熱処理し、この硼素を含むニッケルメッキ層を再結晶化
し、５０％塩酸、５０１１／１７ツ化カリ水溶液で浸せ
き後水洗する。
次にシアン金カリウム２９／ｌ 、クエン酸ナトリウム
５０１／ｌ、抱水ヒドラジン２０ｍ／７、クエン酸や水
酸化ナトリウムにてｐＨ６〜７にした無電解金メッキ液
を４５〜５０℃でゆるやか々攪拌を行ないながら所望厚
さの無電解金メッキ層を析出させる。
５０１／ｌ、抱水ヒドラジン２０ｍ／７、クエン酸や水
酸化ナトリウムにてｐＨ６〜７にした無電解金メッキ液
を４５〜５０℃でゆるやか々攪拌を行ないながら所望厚
さの無電解金メッキ層を析出させる。
この無電解金メッキ層は０．５〜１，０μ膚位の速度で
厚くすることが可能である。本実施例では６０分で約１
．０μ析出させた。
厚くすることが可能である。本実施例では６０分で約１
．０μ析出させた。
次に水洗、乾燥を行なったのち２００〜３００℃で３０
〜６０分間加熱し金の再結晶化の熱処理を行ない電子部
品外囲器を完成する。
〜６０分間加熱し金の再結晶化の熱処理を行ない電子部
品外囲器を完成する。
このよう処して形成した無電解金メッキ層は高純度であ
シ、金メッキ層を再結晶化することによシ良好寿外観と
密着性を有すると共に、例えば電子部品としてのボンデ
ィング特性、ロウ付特性も極めて優れていた。
シ、金メッキ層を再結晶化することによシ良好寿外観と
密着性を有すると共に、例えば電子部品としてのボンデ
ィング特性、ロウ付特性も極めて優れていた。
次に本発明の無電解金メツキ方法の第２の実施例を説明
する。
する。
即ち、硼素を含むニッケルメッキ層を形成する迄は前の
実施例と同様であるが無電解金メッキ液としてシアン゛
全カリウム２ ｇ／ｌ 、酒石酸５ｏｇ／ｌ、塩化アン
モン５０１／／ｌ 、抱水ヒドラジン３０ｙｎｌ／１１
クエン酸ナトリウムまたは水酸化ナトリウムで一６〜７
Ｋｌ、たものを使用し４５〜５０℃でゆるやかな攪拌を
行ないながら無電解金メッキ層を形成す次に本発明の無
電解金メツキ方法の第３の実施例を説明する。
実施例と同様であるが無電解金メッキ液としてシアン゛
全カリウム２ ｇ／ｌ 、酒石酸５ｏｇ／ｌ、塩化アン
モン５０１／／ｌ 、抱水ヒドラジン３０ｙｎｌ／１１
クエン酸ナトリウムまたは水酸化ナトリウムで一６〜７
Ｋｌ、たものを使用し４５〜５０℃でゆるやかな攪拌を
行ないながら無電解金メッキ層を形成す次に本発明の無
電解金メツキ方法の第３の実施例を説明する。
即ち、本実施例では無電解金メッキ液としてシアン金カ
リウム５１／ｌ 、クエン酸７５１／／Ｉｔ 、抱水ヒ
ドラジン４０１ｄ／ｌ １クエン酸ナトリウムで…４〜
５にしたものを使用し、４５〜５０℃でゆるやか々攪拌
を行ないながら無電解金メッキ層を形成する。
リウム５１／ｌ 、クエン酸７５１／／Ｉｔ 、抱水ヒ
ドラジン４０１ｄ／ｌ １クエン酸ナトリウムで…４〜
５にしたものを使用し、４５〜５０℃でゆるやか々攪拌
を行ないながら無電解金メッキ層を形成する。
次に本発明の無電解金メツキ方法の第４の実施例を説明
する。
する。
即ち、本実施例では無電解金メッキ液としてシアン金カ
リウム１０１／１１酒石酸５ｏｙ／ｉ１０ツセル塩５０
１／ｌで、ｐＨ５〜６にしたものを使用し、４５〜５０
℃でゆるやかな攪拌を行々いながら無電解金メッキ層を
形成する。
リウム１０１／１１酒石酸５ｏｙ／ｉ１０ツセル塩５０
１／ｌで、ｐＨ５〜６にしたものを使用し、４５〜５０
℃でゆるやかな攪拌を行々いながら無電解金メッキ層を
形成する。
前記実施例の無電解金メッキ液はシアン金カリウムを補
充し、−を調整することで長期間使用でき、また、前記
実施例では硼素を含むニッケルメッキ層を下地にしたが
、これに限定されるものでけなく、ニッケルメッキを行
なったのち熱処理し丸部材や鉄、ニッケル及びそれらの
合金に金のフラッシュメッキを行なった部材でも同様で
あるし、また比較的低温でメッキ出来るため電子部品外
囲器以外にも種々応用出来ることも勿論である。
充し、−を調整することで長期間使用でき、また、前記
実施例では硼素を含むニッケルメッキ層を下地にしたが
、これに限定されるものでけなく、ニッケルメッキを行
なったのち熱処理し丸部材や鉄、ニッケル及びそれらの
合金に金のフラッシュメッキを行なった部材でも同様で
あるし、また比較的低温でメッキ出来るため電子部品外
囲器以外にも種々応用出来ることも勿論である。
上述のように本発明の無電解金メツキ方法によれば不純
物を含まず、良好な外観と、下地との密着力が優れた金
メツ午層が得られるのでその工業的価値は極めて大であ
る。
物を含まず、良好な外観と、下地との密着力が優れた金
メツ午層が得られるのでその工業的価値は極めて大であ
る。
代理人 弁理士 井 上 −男
Claims (2)
- （１） ニッケルメッキ又は硼素を含むニッケルメッ
キを行なったのち熱処理した部材や金のフラッシュメッ
キを行なった部材の表面に高純度の金を無電解金メッキ
によシ被着形成するに当シ、前記無電解金メッキに少く
と亀シャン金カリウムからなる金化合物と、クエン酸及
びクエン酸ナトリウム、酒石酸、等の有機酸やその塩類
からなる錯化合物と、抱水ヒドラジンからなる還元剤と
、塩化アンモン、等からカるｐＨ４乃至７の金メッキ液
を使用することを特徴とする無電解金メツキ方法。 - （２）金メッキ液を温度約５０℃でゆるやかな攪拌を行
ないながら無電解金メッキを行なうことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の無電解金メツキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11167582A JPS596365A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 無電解金メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11167582A JPS596365A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 無電解金メツキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS596365A true JPS596365A (ja) | 1984-01-13 |
Family
ID=14567332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11167582A Pending JPS596365A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 無電解金メツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS596365A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6452082A (en) * | 1987-06-22 | 1989-02-28 | Gen Electric | Electroless gold plating composition and method |
| US5838069A (en) * | 1996-04-11 | 1998-11-17 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Ceramic substrate having pads to be attached to terminal members with Pb-Sn solder and method of producing the same |
| EP1026285A3 (en) * | 1999-01-27 | 2001-12-12 | Shipley Company LLC | Electroless gold plating solution and process |
| US6486551B1 (en) | 1998-01-28 | 2002-11-26 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Wired board and method of producing the same |
| JP2008214703A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 無電解金めっき液 |
| EP2143820A1 (en) | 2008-07-11 | 2010-01-13 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | An electroless gold plating solution |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP11167582A patent/JPS596365A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6452082A (en) * | 1987-06-22 | 1989-02-28 | Gen Electric | Electroless gold plating composition and method |
| US5838069A (en) * | 1996-04-11 | 1998-11-17 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Ceramic substrate having pads to be attached to terminal members with Pb-Sn solder and method of producing the same |
| US6486551B1 (en) | 1998-01-28 | 2002-11-26 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Wired board and method of producing the same |
| EP1026285A3 (en) * | 1999-01-27 | 2001-12-12 | Shipley Company LLC | Electroless gold plating solution and process |
| US6383269B1 (en) * | 1999-01-27 | 2002-05-07 | Shipley Company, L.L.C. | Electroless gold plating solution and process |
| KR100712261B1 (ko) * | 1999-01-27 | 2007-04-26 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 | 무전해 금 도금액 및 방법 |
| JP2008214703A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 無電解金めっき液 |
| EP2143820A1 (en) | 2008-07-11 | 2010-01-13 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | An electroless gold plating solution |
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