JPH0610147A - パラジウム活性化液 - Google Patents
パラジウム活性化液Info
- Publication number
- JPH0610147A JPH0610147A JP16725492A JP16725492A JPH0610147A JP H0610147 A JPH0610147 A JP H0610147A JP 16725492 A JP16725492 A JP 16725492A JP 16725492 A JP16725492 A JP 16725492A JP H0610147 A JPH0610147 A JP H0610147A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- palladium
- tungsten
- electroless
- conductor
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】セラミック基板の導体表面に無電解Ｎｉめっき
膜を形成するためのパラジウム活性化液において、タン
グステンまたはモリブデンイオンを添加することにより
パラジウムの置換反応を促進させ、安定な無電解Ｎｉめ
っき膜を形成することを目的とする。 【構成】無電解Ｎｉめっきを形成するためのパラジウム
活性化液成分が、二価パラジウム塩、パラジウムの錯化
剤、ＰＨ調整剤、安定剤およびタングステンまたはモリ
ブデン金属イオンが少なくとも５ppm以上含有する触媒
形成用パラジウム活性化液組成。 【効果】導体金属とパラジウムの置換反応が促進され、
安定かつ均一な活性化処理が可能となり、無電解Ｎｉめ
っき膜の未析出を防止できる。
膜を形成するためのパラジウム活性化液において、タン
グステンまたはモリブデンイオンを添加することにより
パラジウムの置換反応を促進させ、安定な無電解Ｎｉめ
っき膜を形成することを目的とする。 【構成】無電解Ｎｉめっきを形成するためのパラジウム
活性化液成分が、二価パラジウム塩、パラジウムの錯化
剤、ＰＨ調整剤、安定剤およびタングステンまたはモリ
ブデン金属イオンが少なくとも５ppm以上含有する触媒
形成用パラジウム活性化液組成。 【効果】導体金属とパラジウムの置換反応が促進され、
安定かつ均一な活性化処理が可能となり、無電解Ｎｉめ
っき膜の未析出を防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品用セラミック
基板の表面導体に接続用めっき膜を形成するためのパラ
ジウム活性化液に係り、特に高密度、かつ微細導体に安
定にニッケルめっき膜を形成しかつ密着性に好適なパラ
ジウム活性化液に関する。
基板の表面導体に接続用めっき膜を形成するためのパラ
ジウム活性化液に係り、特に高密度、かつ微細導体に安
定にニッケルめっき膜を形成しかつ密着性に好適なパラ
ジウム活性化液に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子部品用セラミック基板の導体表面に
は、ろう材により各種部品が搭載され、ろう材との接合
強度を確保するためのメタライズとして、一般的に焼結
金属導体上にニッケルめっき膜が形成される。またニッ
ケルめっき膜の形成には高密度、かつ微細配線に有利な
無電解めっき法が主流である。
は、ろう材により各種部品が搭載され、ろう材との接合
強度を確保するためのメタライズとして、一般的に焼結
金属導体上にニッケルめっき膜が形成される。またニッ
ケルめっき膜の形成には高密度、かつ微細配線に有利な
無電解めっき法が主流である。
【０００３】部品接続性の信頼性確保には上記ニッケル
めっき膜の特性もさることながら、より安定にめっき膜
を形成するためのめっき前処理、すなわちめっき核形成
する活性化処理が重要である。
めっき膜の特性もさることながら、より安定にめっき膜
を形成するためのめっき前処理、すなわちめっき核形成
する活性化処理が重要である。
【０００４】活性化処理は焼結金属導体に選択的にパラ
ジウム金属を置換反応で析出せしめる方法であるが、特
開平１−１９５２８１，２−１０１１７２記載の処理方
法では、活性化処理初期（新液）、微細導体にパラジウ
ム析出不足によるニッケルめっき未析出部が発生しやす
い。また前記問題を解決するために、パラジウム析出量
を増加、すなわち処理時間を長くするとニッケルめっき
未析出は生じない反面、導体以外のセラミック表面に粒
状のニッケルめっきが多量に析出する問題が生じ、安定
なめっきプロセスの構築が困難である。
ジウム金属を置換反応で析出せしめる方法であるが、特
開平１−１９５２８１，２−１０１１７２記載の処理方
法では、活性化処理初期（新液）、微細導体にパラジウ
ム析出不足によるニッケルめっき未析出部が発生しやす
い。また前記問題を解決するために、パラジウム析出量
を増加、すなわち処理時間を長くするとニッケルめっき
未析出は生じない反面、導体以外のセラミック表面に粒
状のニッケルめっきが多量に析出する問題が生じ、安定
なめっきプロセスの構築が困難である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は安定な
めっき膜を形成するに不可欠な活性化処理液において、
新液初期の置換反応の安定性に対する配慮されておら
ず、微細導体への安定なめっき形成が困難であり、活性
化液のエージングあるいは累積処理面積により活性化時
間を変動させなければならない等の問題があった。
めっき膜を形成するに不可欠な活性化処理液において、
新液初期の置換反応の安定性に対する配慮されておら
ず、微細導体への安定なめっき形成が困難であり、活性
化液のエージングあるいは累積処理面積により活性化時
間を変動させなければならない等の問題があった。
【０００６】本発明の目的はセラミック基板表面の焼結
金属導体に安定なパラジウム核を形成し、密着性の良好
な均一なニッケルめっき膜を成長させることにある。
金属導体に安定なパラジウム核を形成し、密着性の良好
な均一なニッケルめっき膜を成長させることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、めっき核形成用活性化液処理において、タングステ
ンあるいはモリブデンの焼結導体とのパラジウム置換反
応状態として、パラジウム析出量について種々検討した
結果、図１に示す結果が得られた。活性化処理面積にと
もないＰｄ置換量が徐々に増加する傾向にあるが、特に
初期液では析出量が少ないことが明らかであった。また
Ｐｄ活性化液の成分分析の結果、液中の導体金属成分濃
度（タングステン）が約５ppm／l含有した状態でパラジ
ウム析出量が安定化することに着目、置換反応の促進効
果があるものと考えた。活性化液成分として当初より第
３成分である金属イオンを含有させるものである。第３
成分の金属イオン種は活性化液に必然的に混入する成
分、すなわちセラミック基板に用いられる焼結導体金属
種であるタングステン塩、モリブデン塩が好ましい。ま
た含有量の範囲は３〜50ppm好ましくは５〜30ppmが適し
ている。
に、めっき核形成用活性化液処理において、タングステ
ンあるいはモリブデンの焼結導体とのパラジウム置換反
応状態として、パラジウム析出量について種々検討した
結果、図１に示す結果が得られた。活性化処理面積にと
もないＰｄ置換量が徐々に増加する傾向にあるが、特に
初期液では析出量が少ないことが明らかであった。また
Ｐｄ活性化液の成分分析の結果、液中の導体金属成分濃
度（タングステン）が約５ppm／l含有した状態でパラジ
ウム析出量が安定化することに着目、置換反応の促進効
果があるものと考えた。活性化液成分として当初より第
３成分である金属イオンを含有させるものである。第３
成分の金属イオン種は活性化液に必然的に混入する成
分、すなわちセラミック基板に用いられる焼結導体金属
種であるタングステン塩、モリブデン塩が好ましい。ま
た含有量の範囲は３〜50ppm好ましくは５〜30ppmが適し
ている。
【０００８】パラジウム活性化液中のパラジウムイオン
は塩化パラジウム塩より供給される。パラジウムイオン
の錯化剤はクエン酸のアンモニウ塩より供給される。Ｐ
Ｈ調整剤としては水酸化カリウム、あるいは水酸化ナト
リウムより供給されるが好ましくは水酸化カリウムであ
る。
は塩化パラジウム塩より供給される。パラジウムイオン
の錯化剤はクエン酸のアンモニウ塩より供給される。Ｐ
Ｈ調整剤としては水酸化カリウム、あるいは水酸化ナト
リウムより供給されるが好ましくは水酸化カリウムであ
る。
【０００９】安定剤は鉛化合物として主に酢酸鉛から供
給される。置換反応の促進剤としてはタングステンおよ
びモリブデンイオンは酸化タングステン(IV)およびその
水和物、塩化モリブデン(II)、酸化モリブデン(VI)より
供給される。
給される。置換反応の促進剤としてはタングステンおよ
びモリブデンイオンは酸化タングステン(IV)およびその
水和物、塩化モリブデン(II)、酸化モリブデン(VI)より
供給される。
【００１０】
【作用】本発明によれば、前述のパラジウム活性液中の
タングステンおよびモリブデンイオン類は、パラジウム
と焼結導体との置換反応 時において、より焼結導体金属の溶解反応を促進する働
きがあると考えられ、初期液（新液）でも安定に置換反
応を促進する。
タングステンおよびモリブデンイオン類は、パラジウム
と焼結導体との置換反応 時において、より焼結導体金属の溶解反応を促進する働
きがあると考えられ、初期液（新液）でも安定に置換反
応を促進する。
【００１１】
【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。
【００１２】実施例１〜５ タングステン導体を表面に有するセラミック基板におい
て、めっき前処理として濃硝酸処理（２分、室温）、１
０％水酸化ナトリウム溶液処理（90℃、10分）した後表
１に示すパラジウム活性化液に１０分間浸漬（60℃）、
次いで無電解ニッケルめっき液（日本カニゼン製SB-5
5）を用い、６０℃で３０分間（めっき厚約４μｍ）浸
漬してニッケルめっきの析出状態を評価した。なおめっ
き前処理工程間は通常の純水洗を行った。その結果、タ
ングステン濃度５〜30ppmを含有する活性化液では良好
なニッケルめっき析出状態が得られた。
て、めっき前処理として濃硝酸処理（２分、室温）、１
０％水酸化ナトリウム溶液処理（90℃、10分）した後表
１に示すパラジウム活性化液に１０分間浸漬（60℃）、
次いで無電解ニッケルめっき液（日本カニゼン製SB-5
5）を用い、６０℃で３０分間（めっき厚約４μｍ）浸
漬してニッケルめっきの析出状態を評価した。なおめっ
き前処理工程間は通常の純水洗を行った。その結果、タ
ングステン濃度５〜30ppmを含有する活性化液では良好
なニッケルめっき析出状態が得られた。
【００１３】
【表１】
【００１４】実施例６〜８ モリブデン導体を表面に有するセラミック基板におい
て、実施例１〜５と同様のめっき前処理を行った後表２
に示すパラジウム活性化液に１０分間（60℃）浸漬、次
いで前述と同様の無電解ニッケルめっきを行い析出状態
を評価した。その結果モリブデンイオン濃度５〜30pmm
を含有する活性化液では良好なニッケルめっきの析出状
態が得られた。
て、実施例１〜５と同様のめっき前処理を行った後表２
に示すパラジウム活性化液に１０分間（60℃）浸漬、次
いで前述と同様の無電解ニッケルめっきを行い析出状態
を評価した。その結果モリブデンイオン濃度５〜30pmm
を含有する活性化液では良好なニッケルめっきの析出状
態が得られた。
【００１５】
【表２】
【００１６】比較例１ タングステンおよびモリブデンイオンを含有しないパラ
ジウム活性化液において、実施例１〜５と同様なセラミ
ック基板、めっき前処理を行い表３に示すパラジウムに
活性化液について、基板処理数（タングステン導体面
積）と無電解ニッケルめっきの析出状態を評価した結
果、基板処理数が少ない程、セラミック基板の導体部に
ニッケルめっきの未析出が生じる傾向にあった。
ジウム活性化液において、実施例１〜５と同様なセラミ
ック基板、めっき前処理を行い表３に示すパラジウムに
活性化液について、基板処理数（タングステン導体面
積）と無電解ニッケルめっきの析出状態を評価した結
果、基板処理数が少ない程、セラミック基板の導体部に
ニッケルめっきの未析出が生じる傾向にあった。
【００１７】
【表３】
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、上記のタングステン、
モリブデンイオンをパラジウム活性化液中に添加するこ
とにより、新液の初期において、導体金属とパラジウム
の置換反応が促進され、次工程でのニッケルめっき膜形
成において、ニッケル未析出を防止できた。
モリブデンイオンをパラジウム活性化液中に添加するこ
とにより、新液の初期において、導体金属とパラジウム
の置換反応が促進され、次工程でのニッケルめっき膜形
成において、ニッケル未析出を防止できた。
【００１９】これによりセラミック基板のめっき工程で
の歩留向上が可能となるとともに、安定な量産プロセス
が確立できた。
の歩留向上が可能となるとともに、安定な量産プロセス
が確立できた。
【図１】パラジウム活性化液におけるタングステン導体
処理面積とパラジウム析出量、液中のタングステン濃度
の関係を示す図である。
処理面積とパラジウム析出量、液中のタングステン濃度
の関係を示す図である。
Claims (1)
- 【請求項１】表面導体がタングステンまたはモリブデン
あるいはその混合体から成る焼結金属導体を有するセラ
ミック基板の該導体に無電解ニッケルめっきを形成する
ための触媒核形成用活性化液が二価パラジウム塩、二価
パラジウムの錯化剤、ＰＨ調整剤、安定剤及びタングス
テンまたはモリブテン金属イオンが少なくとも５ppm以
上含有することを特徴とするパラジウム活性化液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16725492A JPH0610147A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | パラジウム活性化液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16725492A JPH0610147A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | パラジウム活性化液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0610147A true JPH0610147A (ja) | 1994-01-18 |
Family
ID=15846326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16725492A Pending JPH0610147A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | パラジウム活性化液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0610147A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030039708A (ko) * | 2001-11-14 | 2003-05-22 | 엄태인 | 무전해 Ｎｉ-Ｗ/Ｍｏ/란탄계 혼합희토류 금속 도금액 및이를 이용한 도금방법 |
| KR100568510B1 (ko) * | 2005-11-17 | 2006-04-07 | 주식회사 정우이지텍 | 저온 동시 소성 세라믹 기판 제조 방법 |
| CN102409320A (zh) * | 2011-11-29 | 2012-04-11 | 沈阳工业大学 | 一种abs塑料表面电镀前处理的方法 |
| US20210293765A1 (en) * | 2020-03-19 | 2021-09-23 | Industrial Technology Research Institute | Detection reagent, detection device, and method for detecting primary amide compound |
-
1992
- 1992-06-25 JP JP16725492A patent/JPH0610147A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030039708A (ko) * | 2001-11-14 | 2003-05-22 | 엄태인 | 무전해 Ｎｉ-Ｗ/Ｍｏ/란탄계 혼합희토류 금속 도금액 및이를 이용한 도금방법 |
| KR100568510B1 (ko) * | 2005-11-17 | 2006-04-07 | 주식회사 정우이지텍 | 저온 동시 소성 세라믹 기판 제조 방법 |
| CN102409320A (zh) * | 2011-11-29 | 2012-04-11 | 沈阳工业大学 | 一种abs塑料表面电镀前处理的方法 |
| US20210293765A1 (en) * | 2020-03-19 | 2021-09-23 | Industrial Technology Research Institute | Detection reagent, detection device, and method for detecting primary amide compound |
| US11733219B2 (en) * | 2020-03-19 | 2023-08-22 | Industrial Technology Research Institute | Detection reagent, detection device, and method for detecting primary amide compound |
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